JPS6298684A - 劈開装置及び劈開方法 - Google Patents

劈開装置及び劈開方法

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JPS6298684A
JPS6298684A JP60237245A JP23724585A JPS6298684A JP S6298684 A JPS6298684 A JP S6298684A JP 60237245 A JP60237245 A JP 60237245A JP 23724585 A JP23724585 A JP 23724585A JP S6298684 A JPS6298684 A JP S6298684A
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JP
Japan
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cleavage
wafer
stage
cleaving
scratching
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JP60237245A
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松尾 陽彦
Takeshi Tajima
但馬 武
Koji Kawaguchi
河口 浩司
Naoki Kayane
茅根 直樹
Toshihiro Kono
河野 敏弘
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体レーザ素子のカッティングにおける傷入
れと劈開工程とを連続かつ自動化したことにより、特に
高出力半導体レーザ素子の劈開に好適な劈開装置に関す
るものである。
〔発明の背景〕
半導体レーザ素子はG a A s等のウェーハ上に、
いわゆる半導体プロセスを利用して形成された複数個の
パターンを300X400μm程度のチップにカッティ
ングして作られる、そして、半導体レーザの発光面、す
なわち共振器端面は一般に結晶の<110>方向の劈開
面によって構成されている。それゆえ、上記カッティン
グ方法としては、一般に劈開面に沿って劈開する方法が
用いられている。
以下、第1図(a)〜(d)を用いて従来技術によるカ
ッティング方法の一例を説明する。
まず第1図(a)は傷入れ工程で、Ni板1、上にウェ
ーハ3、をワックス2、で貼り付け、劈開面の位置にス
クライバ4、に付けたダイヤモンドポイント5、で傷6
、を所定のピッチで入れる。
第1図(b)は臂゛開工程で、上記傷入れしたウェーハ
をローラ7、上に載せ、Ni板の左右を矢印8,9、の
方向に手で押してそらすと傷に対応する位置で劈開10
、される。
次に、第1図(c)はスクライブ工程で、上記劈開した
ウェハを劈開方向と直角方向にして、ダイヤモンドポイ
ントでスクライブ線11、をウェーハ全長に渡って入れ
る。
第1図(d)は骨間工程で、第1図(b)と同様にして
ローラ上でNi板を矢印12,13、の方向にそらすと
、ウェハはスクライブ線に沿って劈開される。
最後にワックスを溶かしてチップ化し、洗浄する。
しかし、以上の従来技術によると次の欠点があった。
(1)Jj!開工程において、ローラの軸方向とウェー
ハの傷入れ方向とがずれると、正常な劈開方向から曲が
って劈開されることが生じ、不良品が発生すること。
(2)チップに分離後、ワックスを洗浄してもきれいな
(透明な)劈開面が得られないこと。
(3)傷入れ、劈開、スクライブ、劈開のそれぞれの工
程を手作業で行なうため、非能率的で信頼性が低下する
こと。
が上げられる。
なお、この種の装置として関連するものには、例えば特
開昭59−19351号公報、同19352号公報に記
載されたものが挙げられる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は従来技術の問題点を解消するために、劈
開精度の高い劈開装置を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は上記目的を達成するために、ウェーハに傷を入
れる機構、スクライブ機構、劈開機構等を微動ステージ
上に搭載した構成によって、傷入れ、スクライブおよび
劈開の各動作を連続かつ自動化したことを特徴とする劈
開装置に関するものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第2図、第3図により説明す
る。
ネジ20、を介してモータ21、で駆動するXステージ
22、は、ネジ23、を介してモータ24、で駆動し軸
25、をガイドにX方向26、に移動するXステージ2
7、を軸受28,29゜30.31、を介して搭載して
いる。また、Xステージには、モータ32、で回転する
回転台33、およびウェーハ34、を吸着する真空チャ
ック35、と、ブレード36、を先端に固定した劈開機
構部37、とを搭載している。
さらにXステージはベース38、とのリニアガイド39
,40、を介してY方向41、に移動する機構である。
一方、ウェハはウェハホルダ42、の粘着テープ43、
に貼付され、ウェハホルダがピン44、によってXステ
ージに固定できる構造である。
ダイヤモンドポイント45、は上下機構46、によって
ウェハ面に降下、上昇し、ウェハのE方にはテレビカメ
ラ47、を設けてウェハ面をモニタするテレビ48.と
ともに制御回路系49、と接続しである。そして、モー
タ、劈開機構、上下機構、真空チャック、回転台等すべ
ての機構系と制御回路系とは信号系路50、〜56、に
よって接続し、各機能が動作するようにサーボ制御する
構成である。
以上の構成により、ウェーハをチップ状にカッティング
する一連の動作を以下に説明する。
まず、ウェハをウェハホルダに貼り付け、真空チャック
に吸着し、テレビでモニタしながら回転台を駆動して(
110>方向の劈開面とY方向とをアライメントする。
ウェハホルダをXステージに固定して真空吸着を解除す
る。その後、ダイヤモンドポイントを降下してXステー
ジを動かし、傷入れを行なう。ダイヤモンドポイントを
上昇してXステージを次の劈開位置まで1ピッチ送り、
再びダイヤモンドポイントを降下する。このようにして
順に劈開面に錫入れを行う。(傷入れ工程)次に、最初
に傷入れした位置がブレードの真上に来るようにXステ
ージを移動し、劈開機構部によってブレードを突き上げ
る。これによって、ブレードは粘着テープの下からウェ
ーハを突き上げるので傷入れの位置に対応した位置から
劈開することができる。ブレードを降下して、Xステー
ジを次の傷入れの位置迄移動し、同様にして順に劈開す
る。(劈開工程) 劈開工程終了後、ウェーハを最初の位置迄移動して戻し
、真空吸着してウェハホルダ固定のピンをはずし、回転
台により90”回転する。そして、ウェハホルダをXス
テージに固定して、真空吸着を解除する。傷入れ工程と
同様にして、ダイヤモンドポイントで劈開する位置にス
クライブ線を入れる。ただし、スクライブ線はウェハの
全長に渡って入るようにYステージを移動する。(スク
ライブ線8) 前記劈開工程と同様にして、劈開機構部において、スク
ライブ線位置を順に劈開する。(劈開工程) ウェーハを初期設定状態に戻して一連のカッティング動
作を終了する。なお、以上の動作はすべて制御回路系に
より、自動制御するように構成している。
上記動作により、ウェーハは粘着テープに貼り着いた状
態でチップ化されているので、これを例えば真空ピンセ
ットで取りはずして、洗浄する。
ここに、粘着テープの接着剤は、結晶にほとんど残らな
いものを使用することにより、洗浄を簡単にすることが
でき、また、きれいなく透明な)劈開面が得られる。さ
らに、すべての機構動作を自動制御しているので、劈開
精度が高く、信頼性の高い素子が得られる効果がある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、以下の効果がある。
1、傷入塾位置と同じ位置、同方向を劈開することが可
能となるので劈開精度が高く、透明な劈開面が得られる
ので高出力化できる。
2、接着剤の付着がなく、きれいな端面が得られるので
品質向上化できる。
3、自動化により個人差が無くなるので信頼性が向上し
、量産化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(d)は従来技術のカッティング法を示
す図で、(a)は傷入れ工程図、(b)は劈開工程図、
(c)はスクライブ工程図、(d)は劈開工程を示す図
、第2図は重装間装置の横断面図、第3図は第2図の平
面図である。 22・・・Yステージ、27・・・Xステージ、33・
・・回転台、34・・・ウェーハ、35・・・真空チャ
ック、36・・・ブレード、37・・・劈開機構部、4
2・・・ウェハホルダ、43・・・粘着テープ、45・
・・ダイヤモンドポイント、46・・・上下機構、47
・・・テレビカメラ、49・・・制御回路系。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体レーザの端面形成用劈開装置において劈開用
    傷入れを行なう機構と劈開を行なう機構とを設けて傷入
    れ工程と劈開工程とを連続かつ自動化したことを特徴と
    する自動劈開装置。 2、試料を試料ホルダに載せ、傷入れステーションで回
    転機構を備えた真空チャックに固定し、所定の間隔、本
    数の傷入れ終了後、チャックを解除し、同一ステージ上
    の劈開ステーションに自動的に送り、傷入れと同間隔、
    同本数の劈開を行なうことを特徴とする劈開装置。
JP23724585A 1985-10-25 1985-10-25 劈開装置及び劈開方法 Expired - Lifetime JPH0732281B2 (ja)

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