JP6220312B2 - 基板処理装置、基板処理装置の基板検知方法および記憶媒体 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 214
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 39
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 62
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 168
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 19
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 19
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 10
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
以下、図1乃至図6により、第1の実施の形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきである。
なお、ガイドピン52は、ガイドピン52の上面が、複数のウエハ支持部51により支持されるウエハWの上面よりも高い位置に位置するような高さを有している。
この後、ブラシ24は、アーム24Aが回動することにより、ウエハWのエッジに向かって移動していく。ウエハWの回転とブラシ24の移動とにより、ウエハWの全面にブラシ24が接するとともに、ブラシ24により除去されたパーティクルや不純物がDIWにより洗い流される。
ここで、ブラシ24による洗浄の間においても、レーザ光投光/受光部26aの動作は継続しており、基板検出部17aによるウエハWの有無の検出も継続している。したがって、洗浄処理の途中でウエハWが検出されなくなった場合においても、ブラシ24による洗浄を停止するように制御する。
ブラシ24が、ウエハWのエッジから外に移動した後、DIWの供給を停止するとともに、ウエハWの上面を乾燥させる。この後、ウエハWを搬入したときの手順と逆の手順により、ウエハWが筐体21の外へ搬出される。
次に図7および図8により本発明の第2の実施の形態について説明する。
次に図9により第2の実施の形態の実験例について説明する。
表1に示すように、各基板W1それぞれについて、減衰率が15〜20%取れる。これらの値は、閾値を設けるためには十分な値であり(10%以上)、いずれの種別の基板を用いたとしても、ガラス基板W1の有無検知は可能となった。例えば、液処理装置が1.0mmのウエハWの有無検知を行う場合において、判断に用いる所定減衰率として、15%を設定することができる。
<変形例>
第2の実施の形態では、図7及び図8に示すように、かさ部28にリング状の再帰性反射シート30を設けた構成としたが、第1の実施形態の図6で示したかさ部28とリング状の再帰性反射シート30の配置の構成の装置において、第2の実施の形態と同様のガラス基板検知を実行するようにしても良い。また、第2の実施の形態の図7及び図8に示したかさ部28とリング状の再帰性反射シート30の配置の構成の装置において、第1の実施の形態と同様の基板検知を実行するようにしても良い。
次に図10乃至図13を参照して、本発明の第3の実施の形態について説明する。
図11に示すように、回転プレート23Pの開口から外方へ露出する回転シャフト23Sの中央部上面にリング状の再帰性反射シート30が取付けられている。
<他の実施の形態>
上記第1〜3の実施の形態では、レーザ光投光/受光部の位置はウエハWの表面に対して相対的に上方にあり、再帰性放射シートの位置はウエハWの表面に対して相対的に下方にある例を示したが、これに限らず、レーザ光投光/受光部を下方、再帰性放射シートを上方に配置しても、本発明を同様に適用することができる。また、上記第1〜3の実施の形態では、基板処理装置に含まれる液処理装置に対して本発明を適用した例を説明した。
しかし、これに限らず、例えば熱処理等の他の処理を行う基板処理装置に対しても、本発明を適用可能である。また、レーザ光投光/受光部は、一体に構成されているが、これに限らず、互いに分離されたレーザ光投光部と、レーザ光受光部とから構成しても良い。
23 ウエハ保持回転部
23P 回転プレート
23C 供給管
23S 回転シャフト
26a レーザ光投光/受光部
26b 支柱
28 かさ部
28a 開孔
29 開口
30 再帰性反射シート
W ウエハ
Claims (11)
- 回転可能な回転板と、基板を支持する基板支持部とを有する基板保持回転部と、
前記基板支持部により支持された前記基板を処理する基板処理部とを備え、
前記基板支持部により支持された前記基板の下方中央部に、リング状の再帰性反射シートを配置し、
前記基板支持部により支持された前記基板の上方に、前記再帰性反射シートに対して斜め上方から一定の入射角をもつ入射光を投光する投光部と、前記再帰性反射シートから入射角と同一方向に反射する反射光を受光する受光部を設け、
前記受光部に受光される反射光の強度に基づいて、基板検知部により前記基板の有無を検知することを特徴とする基板処理装置。 - 前記再帰性反射シートは前記基板保持回転部の中央部に設けられ、前記基板保持回転部とともに回転することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記回転板を貫通して液体又は気体を供給する供給管が設けられ、
前記再帰性反射シートは、この供給管の上端部に供給管とともに静止して設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記基板は半導体ウエハからなり、基板検知部は前記受光部からの反射光の強度と、予め定められた所定強度とを比較して半導体ウエハの有無を検出することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の基板処理装置。
- 前記基板はガラス基板からなり、
基板検知部は前記受光部からの反射光の強度とガラス基板の減衰率とに基づいてガラス基板の有無を検出することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の基板処理装置。 - 回転可能な回転板と、基板を支持する基板支持部とを有する基板保持回転部と、
前記基板支持部により支持された前記基板を処理する基板処理部とを備え、
前記基板支持部により支持された前記基板の下方中央部に、リング状の再帰性反射シートを配置してなる基板処理装置の基板検知方法において、
前記再帰性反射シートに対して斜め上方から入射光を投光部により投光することと、
前記再帰性反射シートからの反射光を受光部により受光することと、
前記受光部に受光される反射光の強度に基づいて基板検知部により前記基板の有無を検知することと、
を備えたことを特徴とする基板処理装置の基板検知方法。 - 前記再帰性反射シートは前記基板保持回転部の中央部に設けられ、前記基板保持回転部とともに回転することを特徴とする請求項6記載の基板処理装置の基板検知方法。
- 前記回転板を貫通して液体又は気体を供給する供給管が設けられ、
前記再帰性反射シートは、この供給管の上端部に供給管とともに静止して設けられていることを特徴とする請求項6記載の基板処理装置の基板検知方法。 - 前記基板は半導体ウエハからなり、基板検知部は前記受光部からの反射光の強度と、予め定められた所定強度とを比較して半導体ウエハの有無を検出することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか記載の基板処理装置の基板検知方法。
- 前記基板はガラス基板からなり、
基板検知部は前記受光部からの反射光の強度とガラス基板の減衰率とに基づいてガラス基板の有無を検出することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか記載の基板処理装置の基板検知方法。 - コンピュータに基板処理装置の基板検知方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
基板処理装置の基板検知方法は、
回転可能な回転板と、基板を支持する基板支持部とを有する基板保持回転部と、
前記基板支持部により支持された前記基板を処理する基板処理部とを備え、
前記基板支持部により支持された前記基板の下方中央部に、リング状の再帰性反射シートを配置してなる基板処理装置基板検知方法において、
前記再帰性反射シートに対して斜め上方から入射光を投光部により投光することと、
前記再帰性反射シートからの反射光を受光部により受光することと、
前記受光部に受光される反射光の強度に基づいて基板検知部により前記基板の有無を検知することと、
を備えたことを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014094112A JP6220312B2 (ja) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 基板処理装置、基板処理装置の基板検知方法および記憶媒体 |
KR1020150054268A KR102423382B1 (ko) | 2014-04-30 | 2015-04-17 | 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 기판 검출 방법 및 기억 매체 |
US14/689,223 US9691646B2 (en) | 2014-04-30 | 2015-04-17 | Substrate processing apparatus, substrate detection method of substrate processing apparatus and storage medium |
TW104113449A TWI604555B (zh) | 2014-04-30 | 2015-04-28 | 基板處理裝置、基板處理裝置之基板檢測方法及記錄媒體 |
CN201510217216.8A CN105047585B (zh) | 2014-04-30 | 2015-04-30 | 基板处理装置和基板处理装置的基板检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014094112A JP6220312B2 (ja) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 基板処理装置、基板処理装置の基板検知方法および記憶媒体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017190994A Division JP6408673B2 (ja) | 2017-09-29 | 2017-09-29 | 基板処理装置、基板処理装置の基板検知方法および記憶媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015211203A JP2015211203A (ja) | 2015-11-24 |
JP2015211203A5 JP2015211203A5 (ja) | 2017-01-05 |
JP6220312B2 true JP6220312B2 (ja) | 2017-10-25 |
Family
ID=54355750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014094112A Active JP6220312B2 (ja) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 基板処理装置、基板処理装置の基板検知方法および記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9691646B2 (ja) |
JP (1) | JP6220312B2 (ja) |
KR (1) | KR102423382B1 (ja) |
CN (1) | CN105047585B (ja) |
TW (1) | TWI604555B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6513048B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2019-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP6727719B2 (ja) * | 2016-08-18 | 2020-07-22 | 株式会社ディスコ | 被加工物の切削方法 |
KR101923382B1 (ko) * | 2017-02-28 | 2018-11-29 | 주식회사 케이씨텍 | 스핀식 헹굼 건조 장치 |
CN109755152B (zh) * | 2017-11-08 | 2021-01-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体晶圆处理装置及半导体晶圆处理方法 |
JP7282494B2 (ja) * | 2018-09-18 | 2023-05-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20200078773A (ko) * | 2018-12-21 | 2020-07-02 | 세메스 주식회사 | 반전 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 |
CN110690155A (zh) * | 2019-09-26 | 2020-01-14 | 长园启华智能科技(珠海)有限公司 | 晶圆翻转定位装置 |
CN110676204A (zh) * | 2019-09-26 | 2020-01-10 | 长园启华智能科技(珠海)有限公司 | 晶圆定位机构 |
KR102597414B1 (ko) * | 2022-02-21 | 2023-11-02 | (주)디바이스이엔지 | 기판 검출유닛을 구비한 기판 식각 처리장치 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2582976B2 (ja) * | 1991-12-19 | 1997-02-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式基板処理装置における基板の有無検出装置 |
JP2920855B2 (ja) | 1992-05-18 | 1999-07-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置 |
JP3741462B2 (ja) * | 1995-07-18 | 2006-02-01 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の切欠き検出装置および基板処理装置 |
JP3655487B2 (ja) * | 1999-03-24 | 2005-06-02 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 反射率計測装置、温度計測装置および基板熱処理装置ならびに反射率計測方法、温度計測方法および基板熱処理方法 |
JP2002164416A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-06-07 | Tokyo Electron Ltd | 被検出体の検出装置とこれを用いた処理システム |
KR100481178B1 (ko) * | 2002-09-03 | 2005-04-07 | 삼성전자주식회사 | 기판유무검사장치 |
US6950181B2 (en) * | 2003-03-31 | 2005-09-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Optical wafer presence sensor system |
US7922882B2 (en) * | 2004-11-22 | 2011-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate holding device, substrate processing system and liquid crystal display device |
JP4884039B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2012-02-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板バッファ装置、基板バッファリング方法、基板処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP4437477B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2010-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP5419932B2 (ja) * | 2011-07-05 | 2014-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記憶媒体 |
US8654325B2 (en) * | 2011-07-05 | 2014-02-18 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable storage medium having program for executing the substrate processing method stored therein |
JP2013171872A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6000743B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2014
- 2014-04-30 JP JP2014094112A patent/JP6220312B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-17 KR KR1020150054268A patent/KR102423382B1/ko active IP Right Grant
- 2015-04-17 US US14/689,223 patent/US9691646B2/en active Active
- 2015-04-28 TW TW104113449A patent/TWI604555B/zh active
- 2015-04-30 CN CN201510217216.8A patent/CN105047585B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105047585B (zh) | 2019-12-10 |
US9691646B2 (en) | 2017-06-27 |
JP2015211203A (ja) | 2015-11-24 |
KR102423382B1 (ko) | 2022-07-22 |
TWI604555B (zh) | 2017-11-01 |
KR20150125576A (ko) | 2015-11-09 |
CN105047585A (zh) | 2015-11-11 |
TW201606905A (zh) | 2016-02-16 |
US20150318194A1 (en) | 2015-11-05 |
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---|---|---|
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