JP2015018965A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】安価な装置構成で膜剥がれを起こすことなくウェーハを加工すること。【解決手段】低誘電率絶縁膜と機能膜からなる積層体（８２）が基板（８１）上に形成されたウェーハ（Ｗ）を分割予定ライン（８３）に沿って加工するウェーハの加工方法が、ブレード幅が先端に向かって狭くなるような先端形状の切削ブレード（４３）を用い、この先端形状だけで積層体を除去して浅溝（８６）を形成する工程と、浅溝の幅よりも細い厚みの切削ブレード（４４）を、浅溝から露呈した基板表面に切り込ませて深溝（８７）を形成する工程とを有する。【選択図】図５

Description

本発明は、低誘電率絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって、ウェーハの表面にデバイスが形成されたウェーハの加工方法に関する。

近年、半導体デバイスの微細化に伴い、半導体基板の表面に半導体デバイスを形成したデバイスウェーハが実用化されている。デバイスウェーハは、シリコンやガリウム砒素等の半導体基板の表面に、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ等の無機物系膜あるいはパリレン系ポリマー等の有機物系膜からなるＬｏｗ−ｋ膜（低誘電率絶縁膜）と、回路を形成する機能膜とを積層して形成される。Ｌｏｗ−ｋ膜は非常に脆く、切削ブレードを用いたメカニカルダイシングではＬｏｗ−ｋ膜が剥離し、デバイスを破損させてしまうおそれがあった。

従来、この種のデバイスウェーハを良好に分割するために、レーザダイシングとメカニカルダイシングを組み合わせた加工方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。このウェーハの加工方法では、ウェーハの表面側からレーザビームを照射してＬｏｗ−ｋ膜と機能膜を分断したレーザ加工溝を形成し、切削ブレードを用いてレーザ加工溝の底面から露出した基板表面を切削している。このような加工により、Ｌｏｗ−ｋ膜の膜剥がれを防止しつつ、デバイスウェーハが個々のデバイスに分割される。

特開２００５−１５０５２３号公報

しかしながら、特許文献１に記載のウェーハの加工方法では、切削装置の他にレーザ加工装置を用いる必要があるため、装置コストが増大するという問題があった。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、安価な装置構成で膜剥がれを起こすことなくウェーハを加工することができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。

本発明のウェーハの加工方法は、基板の表面に低誘電率絶縁膜と機能膜とが積層された積層体によって形成されたデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたウェーハを、分割予定ラインに沿って加工するウェーハの加工方法であって、ウェーハの裏面に保護テープを貼着するテープ貼着工程と、テープ貼着工程を実施した後に、ブレード幅が先端に向かって狭くなるような先端形状の切削ブレードの先端形状だけを用いて、ウェーハの表面側から積層体を除去して基板表面を所定深さに切り込みつつ分割予定ラインに沿ってウェーハを切削し、積層体を除去して基板に切削溝を形成する積層体除去工程と、積層体除去工程の後に、切削溝に沿って切削溝の幅よりも細い厚みの切削ブレードで露呈した基板表面から分割予定ラインに沿って基板を切削し、基板に切削溝を形成する切削溝形成工程と、を備える。

この構成によれば、積層体除去工程では、切削ブレードの先端形状が先端に向かって狭くなっており、この先端形状だけを用いてウェーハ表面が浅く切り込まれる。すなわち、切削ブレードの先端面によってウェーハの表面が浅い角度で切り込まれて基板表面から積層体が除去される。このため、切り込みの縁部分が面取りされた状態になり、切り込みの縁部分を起点としたウェーハの膜剥がれが防止される。よって、ウェーハの膜剥がれを防止するために高価なレーザ加工装置を用いて加工する必要がなく、安価な装置構成で膜剥がれを起こすことなくウェーハを加工することができる。

本発明の上記ウェーハの加工方法において、該積層体除去工程を実施する前に、ウェーハの該分割予定ライン上の表面変位を測定手段で測定し、ウェーハの表面変位のマッピングデータを形成する測定工程を実施し、該積層体除去工程においては、該マッピングデータに基づき表面位置から該切削ブレードを該所定深さに切り込むように、ウェーハに対して垂直方向に切削ブレードを調整しながら切削を行う。

本発明によれば、先端に向かって幅狭に形成された切削ブレードの先端形状だけを用いてウェーハ表面から積層体を除去することで、安価な装置構成で膜剥がれを起こすことなくウェーハを加工することができる。

本実施の形態に係る切削装置の斜視図である。 本実施の形態に係るテープ貼着工程の一例を示す図である。 本実施の形態に係る測定工程の一例を示す図である。 本実施の形態に係る積層体除去工程の一例を示す図である。 本実施の形態に係る切削溝形成工程の一例を示す図である。 本実施の形態に係る積層体除去工程の実験結果の一例を示す図である。 変形例に係る積層体除去工程及び切削溝形成工程の一例を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について説明する。図１は、本実施の形態に係る切削装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係るウェーハの加工方法で用いられる切削装置は、図１に示す構成に限定されない。ここでは、一対の切削ブレードを備えた切削装置を例示するが、この構成に限定されない。本発明は、被加工物に切削溝を形成可能な切削装置であれば、どのような切削装置にも適用可能である。

図１に示すように、切削装置１は、厚みの異なる２種類の切削ブレード４３、４４（図１では切削ブレード４３のみ図示）を用いて、ウェーハＷに対して２段階で切り込み深さを増加させるステップカットを実施するように構成されている。ウェーハＷは、略円板状に形成されており、基板８１の表面９１にデバイスＤが形成されている（図４参照）。デバイスＤは、無機物系膜及び有機物系膜からなるＬｏｗ−ｋ膜（低誘電率絶縁膜）と回路を形成する機能膜とが積層された積層体８２により形成される。ウェーハＷの表面８４のデバイスＤは、格子状に配列された分割予定ライン８３によって複数の領域に区画されている（図２参照）。

また、ウェーハＷには保護テープＴが貼着されており、この保護テープＴの外周には環状の支持フレームＦが貼着されている。ウェーハＷは、保護テープＴを介して支持フレームＦに支持された状態でカセット（不図示）に収容され、カセットによって切削装置１に搬入される。なお、本実施の形態においては、シリコンウェーハ、ガリウムヒソ等の半導体基板上にＬｏｗ−ｋ膜と機能膜を積層したウェーハＷを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではない。半導体基板に限定されず、Ｌｏｗ−ｋ膜と機能膜が積層される基板であれば、どのような基板でもよい。

基台２の上面中央は、Ｘ軸方向に延在するように矩形状に開口されており、この開口を覆うように移動板２１及び防水カバー２２が設けられている。移動板２１上には、Ｚ軸回りに回転可能にチャックテーブル３が設けられている。防水カバー２２及び移動板２１の下方には、チャックテーブル３をＸ軸方向に移動させるボールねじ式の移動機構（不図示）が設けられている。また、基台２上には、Ｘ軸方向に延在する開口を跨ぐように立設した門型の柱部２３が設けられている。門型の柱部２３には、チャックテーブル３上のウェーハＷに対してステップカットを施す切削機構４が設けられている。

また基台２の上面には、カセット（不図示）が載置されるエレベータ手段６と加工済みのウェーハＷが洗浄される洗浄手段７が設けられている。エレベータ手段６では、昇降機構（不図示）によってカセット内のウェーハＷの出し入れ位置が調整される。洗浄手段７では、ウェーハＷを保持したスピンナテーブル７１が基台２内に降下され、基台２内で洗浄水が噴射されてウェーハＷが洗浄された後、乾燥エアが吹き付けられてウェーハＷが乾燥される。基台２の上方には、カセット、チャックテーブル３、洗浄手段７の相互間でウェーハＷを搬送する１つ又は複数の搬送手段（不図示）が設けられている。

チャックテーブル３は、切削機構４の真下にウェーハＷを位置付けて、切削機構４に対してウェーハＷをＸ軸方向に加工送りするように構成されている。チャックテーブル３の表面には、ポーラスセラミック材によりウェーハＷの裏面を吸引保持する保持面３１が形成されている。保持面３１は、チャックテーブル３内の流路を通じて吸引源（不図示）に接続されており、保持面３１上に生じる負圧によってウェーハＷが吸着保持される。チャックテーブル３の周囲には、ウェーハＷの周囲の支持フレームＦを挟持固定する４つのクランプ部３２が設けられている。

切削機構４には、チャックテーブル３に対して一対のブレードユニット４１、４２をＹ軸方向及びＺ軸方向に移動させるボールねじ式の移動機構５が設けられている。移動機構５は、柱部２３の前面に対してＹ軸方向に平行な一対のガイドレール５１と、一対のガイドレール５１にスライド可能に設置されたモータ駆動の一対のＹ軸テーブル５２を有している。また、移動機構５は、各Ｙ軸テーブル５２の前面に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール５３と、このガイドレール５３にスライド可能に設置されたモータ駆動のＺ軸テーブル５４とを有している。各Ｚ軸テーブル５４の下部にはブレードユニット４１、４２が設けられている。

各Ｙ軸テーブル５２の背面側には、図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ５５が螺合されている。また、各Ｚ軸テーブル５４の背面側には、図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ５６が螺合されている。Ｙ軸テーブル５２用のボールネジ５５、Ｚ軸テーブル５４用のボールネジ５６の一端部には、それぞれ駆動モータ５７、５８が連結されている。これら駆動モータ５７、５８によりボールネジ５５、５６が回転駆動されることで、一対のブレードユニット４１、４２がガイドレール５１、５３に沿ってＹ軸方向及びＺ軸方向に移動される。

一対のブレードユニット４１の切削ブレード４３、４４は、スピンドルユニット４６のスピンドル軸（不図示）の先端に設けられている。一方のブレードユニット４１の切削ブレード４３は、他方のブレードユニット４２の切削ブレード４４（図５参照）よりもブレード幅が厚く形成されている。切削機構４では、この厚みの異なる２種類の切削ブレード４３、４４を用いてステップカットが実施されている。すなわち、分割予定ライン８３（図２参照）に対して一方の切削ブレード４３によって１段目の切り込みが入れられ、この分割予定ライン８３に対して他方の切削ブレード４４によって２段目の切り込みが入れられる。

ところで、Ｌｏｗ−ｋ膜付きのウェーハＷの表面８４においては切削ブレード４３による切削加工時に膜剥がれが起こり易いという問題がある。本件出願人は、切削ブレード４３の切り込み深さと膜剥がれの関係を調査したところ、切削ブレード４３の先細りの先端形状だけを用いてウェーハＷの表面８４に対して１段目の切り込みを入れることで、ウェーハＷの表面８４の膜剥がれが起こり難くなることを発見した。そこで、本実施の形態では、ステップカットにおいて、１段目の切り込みをできるだけ浅くすることで、ウェーハＷの表面８４の膜剥がれを防止するようにしている。

また、一方のＺ軸テーブル５４には、ブレードユニット４１にＸ軸方向で隣り合うように、分割予定ライン８３の表面変位を測定する測定手段４５が設けられている。測定手段４５は、背圧センサやレーザ変位計等の非接触式の測定手段で構成されている。測定手段４５による分割予定ライン８３の表面変位の測定結果からマッピングデータが形成される。このマッピングデータに基づいて、ウェーハＷの表面８４に対する１段目の切り込み深さが分割予定ライン８３の表面変位に追従される。このため、表面変位にバラツキが生じていても、切削ブレード４３の切り込みがウェーハＷの表面８４から適切な深さに調整され、ウェーハＷの表面８４の膜剥がれが効果的に防止される。

このように構成された切削装置１では、テープ貼着工程後の保護テープＴ付きのウェーハＷが搬入されて、測定工程、積層体除去工程、切削溝形成工程が実施される。テープ貼着工程では、ウェーハＷの裏面８５に保護テープＴが貼着される（図２参照）。保護テープＴが貼着されたウェーハＷは、ウェーハＷの表面８４を上方に向けた状態で切削装置１に搬入される。測定工程では、測定手段４５によってウェーハＷの分割予定ライン８３上の表面変位が測定され、測定結果に基づいて表面変位を示すマッピングデータが形成される（図３参照）。

積層体除去工程では、一方の切削ブレード４３の先端形状だけを用いて、ウェーハＷの表面８４側から積層体８２が除去され、基板８１の表面９１に切削溝としての浅溝８６が形成される（図４参照）。このとき、マッピングデータに基づいて、ウェーハＷの表面位置からの切削ブレード４３の切り込み量が調整されている。これにより、膜剥がれを起こすことなく分割予定ライン８３に沿って積層体８２が除去される。切削溝形成工程では、浅溝８６よりも細幅の他方の切削ブレード４４を用いて、切削溝としての深溝８７が浅溝８６に沿って形成されてウェーハＷがフルカットされる（図５参照）。これにより、ウェーハＷが個々のデバイスＤに分割される。

以下、図２から図５を参照して、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について詳細に説明する。図２はテープ貼着工程、図３は測定工程、図４は積層体除去工程、図５は切削溝形成工程のそれぞれ一例を示す図である。

図２に示すように、先ずテープ貼着工程が実施される。テープ貼着工程では、環状の支持フレームＦの内側開口部を覆うように保護テープＴが貼着され、保護テープＴの貼着面８８にウェーハＷの裏面８５が貼着される。ウェーハＷは、保護テープＴを介して支持フレームＦに支持される。なお、テープ貼着工程は、オペレータによる手作業で実施されてもよいし、不図示のテープ貼着装置によって行われてもよい。保護テープＴの貼着後のウェーハＷは切削装置１に搬入される。

図３に示すように、テープ貼着工程が実施された後には、測定工程が実施される。測定工程では、保護テープＴを介してウェーハＷの裏面８５がチャックテーブル３に保持され、ウェーハＷ周囲の支持フレームＦがクランプ部３２に保持される。そして、測定手段４５がウェーハＷの分割予定ライン８３に沿って移動され、分割予定ライン８３の表面変位が測定される。例えば、測定手段４５が背圧センサの場合には、ノズルが分割予定ライン８３上に位置付けられ、圧縮エアの圧力変化に基づきノズルとウェーハＷの表面８４との距離が分割予定ライン８３の表面変位として求められる。

また、測定工程では、測定手段４５の測定結果に基づいて、分割予定ライン８３の表面変位を示すマッピングデータが形成される。マッピングデータは、例えば、分割予定ライン８３上の座標と表面位置（高さ）とが関連付けられることで形成される。なお、測定工程では、分割予定ライン８３に沿って連続的に表面変位が測定される構成に限らず、分割予定ライン８３上の数カ所において表面変位が測定される構成にしてもよい。この場合、分割予定ライン８３上の数か所の表面変位の平均値からマッピングデータが形成される。また、測定手段４５は、分割予定ライン８３上の表面変位を測定可能な構成であればよく、非接触式の測定手段に限らず、接触式の測定手段で構成されてもよい。

図４に示すように、測定工程が実施された後には、積層体除去工程が実施される。積層体除去工程では、図４Ａに示すように、ウェーハＷの分割予定ライン８３に対して一方の切削ブレード４３が位置合わせされ、切削水が噴射されながら切削ブレード４３の先端形状だけを用いてウェーハＷの表面８４側から浅く切り込まれる。切削ブレード４３によってウェーハＷが所定深さまで切り込まれると、切削ブレード４３に対してチャックテーブル３がＸ軸方向に切削送りされる。これにより、ウェーハＷの表面８４側から該積層体８２が除去されて、基板８１の表面９１に分割予定ライン８３に沿った浅溝８６が形成される。

このとき、マッピングデータに基づきウェーハＷの表面位置からの切削ブレード４３の切り込み量が調整されるため、ウェーハＷの表面変位に切削ブレード４３の切り込み量を追従させることができる。例えば、切削ブレード４３のＲ形状の先端面４７（図４Ｂ参照）だけでウェーハＷが切り込まれるように、マッピングデータで示されるウェーハＷの表面位置を基準として、切削ブレード４３のブレード幅と先端面４７の曲率とから切削ブレード４３の切り込み量が調整される。ウェーハＷの表面変位のバラツキに関わらず常に切削ブレード４３の先端形状だけでウェーハＷを切削することができ、ウェーハＷに対して切削ブレード４３が深く切り込まれることがない。積層体８２の除去に切削ブレード４３の先細りの先端形状だけを用いることで、切削加工中におけるウェーハＷの表面８４の膜剥がれが防止される。

具体的には、図４Ｂに示すように、切削ブレード４３の先端形状はＲ形状になっており、このＲ形状の丸みを利用して切削ブレード４３の先端面４７によってウェーハＷの表面８４が浅い角度で切り込まれる。例えば、矢印Ａに示されるように、切削ブレード４３の外面に対する接線ｔがウェーハＷの表面８４に対して浅い角度となる範囲が先端面４７として利用される。よって、矢印Ｂに示されるように、切削ブレード４３の外面に対する接線ｔがウェーハＷの表面８４に対して深い角度、すなわち略直角となる範囲でウェーハＷが切り込まれることがない。この結果、浅溝８６の縁部分は切削ブレード４３の先端面４７によって面取りされた状態になり、切削加工中に浅溝８６の縁部分を起点とした膜剥がれが起こり難くなっている。

なお、積層体除去工程では、測定工程において全ての分割予定ライン８３のマッピングデータが形成された後に、浅溝８６が形成される構成としてもよい。また、測定手段４５の後方に切削ブレード４３を配置して、先行の測定手段４５で分割予定ライン８３の表面変位を測定しながら、後続の切削ブレード４３で測定手段４５の測定結果に基づいて浅溝８６が形成されてもよい。

図５に示すように、積層体除去工程が実施された後には、切削溝形成工程が実施される。切削溝形成工程では、積層体除去工程の切削ブレード４３に対して数ライン遅れて切削溝形成工程の切削ブレード４４による加工が開始される。この場合、浅溝８６の幅よりも細い厚みの他方の切削ブレード４４がウェーハＷの浅溝８６に対して位置合わせされ、切削水が噴射されながら切削ブレード４４によってウェーハＷが深く切り込まれる。切削ブレード４４によってウェーハＷが保護テープＴに達する深さまで切り込まれると、切削ブレード４４に対してチャックテーブル３がＸ軸方向に切削送りされる。これにより、浅溝８６から露呈した基板８１の表面９１が切削されて分割予定ライン８３に沿った深溝８７が形成され、ウェーハＷが個々のデバイスＤに分割される。

ここでは、事前に一方の切削ブレード４３によって積層体８２が除去された浅溝８６に沿って切削されるため、浅溝８６の溝幅よりも細い他方の切削ブレード４４によってウェーハＷの積層体８２が切削されることがない。よって、切削ブレード４４によってウェーハＷが深く切り込まれても、積層体８２が傷付けられることがなく、ウェーハＷの表面８４に膜剥がれが起こることがない。このように、分割予定ライン８３に対して、１段目の切り込みを浅くして膜剥がれを防止し、２段目の切り込みを深くして保護テープＴまで切り込むことで、ウェーハＷを良好に分割することが可能になっている。

なお、本実施の形態においては、積層体除去工程の切削ブレード４３に対して数ライン遅れて切削溝形成工程の切削ブレード４４を並走させる構成としたが、この構成に限定されない。切削溝形成工程は、全ての分割予定ライン８３に対して積層体除去工程が実施された後に実施される構成としてもよい。

（実験例）
次に、切削ブレード４３の粒径と切り込み量を変化させて、積層体除去工程を実施した実験例について説明する。ここでは、図６Ａ−図６Ｄに示すように、砥粒の粒径として、＃２０００、＃３０００、＃４０００、＃５０００の４種類の切削ブレード４３を用意し、それぞれについて基板に対する切り込み量を２０μｍとして積層体除去工程を実施した。また、図６Ｅ−図６Ｈに示すように、粒径＃４０００の切削ブレード４３については、基板に対する切り込み量を２０μｍ、１０μｍとして積層体除去工程を実施した。この場合、ブレード回転数３００００ｒｐｍ、加工送り速度３０ｍｍ／ｓで加工した。なお、評価ウェーハとしては、シリコン基板上にＬｏｗ−ｋ膜及びパシベーション膜を積層したものを用いた。

この結果、図６Ａ−図６Ｄに示すように、砥粒の粒径が小さくなるのに伴って膜剥がれが小さくなることが確認された。＃５０００の切削ブレード４３を用いた場合であっても、＃２０００の切削ブレード４３を用いた場合よりも膜剥がれを低減することができるが、切り込みの縁部分の膜剥がれを抑えることができなかった。また、図６Ｅに示すように、＃４０００の切削ブレード４３を用いて２０μｍ切り込まれた場合には膜剥がれが確認されたが、図６Ｆに示すように、同じ＃４０００の切削ブレード４３を用いて１０μｍ切り込まれた場合には膜剥がれが確認されなかった。

これは、図６Ｇに示すように、切り込み量が２０μｍでは切削ブレード４３のＲ形状の先端面４７だけでなく、側面付近でもウェーハＷが切り込まれ、図６Ｈに示すように、切り込み量が１０μｍでは切削ブレード４３のＲ形状の先端面４７だけでウェーハＷが切り込まれるためだと考えられる。この結果、切削ブレード４３の先端形状だけで積層体８２を切り込むことで、ウェーハＷの膜剥がれが効果的に防止されることが確認された。なお、上記した実験例では、加工条件や切り込み量はあくまでも一例を示すものであり、限定されない。特に切り込み量は、切削ブレード４３のブレード幅等に基づいて決定されるものであり、例えば、ブレード幅が３０μｍ−３５μｍのものについては１０μｍ以下に調整されることが好ましい。

以上のように、本実施の形態に係るウェーハＷの加工方法によれば、積層体除去工程では、切削ブレード４３の先端形状が先端に向かって狭くなっており、この先端形状だけを用いてウェーハＷの表面８４が浅く切り込まれる。すなわち、切削ブレード４３の先端面４７によってウェーハＷの表面８４が浅い角度で切り込まれて基板８１の表面９１から積層体８２が除去される。このため、切り込みの縁部分が面取りされた状態になり、切り込みの縁部分を起点としたウェーハＷの膜剥がれが防止される。よって、ウェーハＷの膜剥がれを防止するために高価なレーザ加工装置を用いて加工する必要がなく、安価な装置構成で膜剥がれを起こすことなくウェーハＷを加工することができる。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。

例えば、上記した実施の形態においては、浅溝８６用の切削ブレード４３が、深溝８７用の切削ブレード４４よりもブレード幅が厚く形成される構成としたが、この構成に限定されない。厚めのウェーハＷを切断する場合には、深溝８７用の切削ブレード４３として、浅溝８６用の切削ブレード４４よりもブレード幅が厚いものが用いられる。この場合、積層体除去工程では、図７Ａに示すように、分割予定ライン８３に対して１本目の浅溝８６ａを形成し、さらに図７Ｂに示すように、浅溝８６ａに対して幅方向に僅かにずらして２本目の浅溝８６ｂを形成することで、浅溝８６の溝幅を拡大させる。これにより、図７Ｃに示すように、切削溝形成工程で浅溝８６用の切削ブレード４３よりもブレード幅が厚い切削ブレード４４を用いた場合であっても、浅溝８６の内側に深溝８７を形成することができる。すなわち、積層体除去工程は、分割予定ライン８３に沿った複数回の切削加工により１本の浅溝８６を形成する構成も含んでいる。

また、上記した実施の形態においては、先端形状がＲ形状の切削ブレード４３を用い、この先端形状だけを切り込ませて積層体除去工程が実施されたが、この構成に限定されない。積層体除去工程は、ブレード幅が先端に向かって狭くなるような先端形状の切削ブレードの該先端形状だけを用いて実施されればよい。例えば、先端形状がＶ字状の切削ブレードを用い、この先端形状だけを切り込ませて積層体除去工程が実施されてもよい。このような、先端形状がＶ字状の切削ブレードを用いても、ウェーハＷに対する切り込みの縁部分を起点とした膜剥がれが防止される。

また、上記した実施の形態においては、切削溝形成工程ではウェーハＷをフルカットして個々のデバイスＤに分割する構成としたが、この構成に限定されない。切削溝形成工程は、ウェーハＷをハーフカットして、個々のデバイスＤに分割されない構成としてもよい。この場合、ウェーハＷがハーフカットされた後に、ウェーハＷを裏面側から研削して個々のデバイスＤに分割するＤＢＧ（Dicing Before Grinding）加工が行われてもよい。

また、上記した実施の形態においては、積層体除去工程の前に測定工程を実施する構成としたが、この構成に限定されない。ウェーハＷの表面変位のバラツキが小さい場合には、測定工程を省略することが可能である。

また、本実施の形態では、測定工程、積層体除去工程、切削溝形成工程が同一の加工装置で実施されたが、テープ貼着工程も同一の加工装置で実施されてもよい。また、一部の工程または各工程が、異なる加工装置で実施されてもよい。

以上説明したように、本発明は、安価な装置構成で膜剥がれを起こすことなくウェーハを加工することができるという効果を有し、特に、低誘電率絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって、ウェーハの表面にデバイスが形成されたウェーハの加工方法に有用である。

１ 切削装置
３ チャックテーブル
４３、４４ 切削ブレード
４５ 測定手段
４７ 先端面
８１ 基板
８２ 積層体
８３ 分割予定ライン
８４ ウェーハの表面
８５ ウェーハの裏面
８６ 浅溝（切削溝）
８７ 深溝（切削溝）
９１ 基板の表面
Ｄ デバイス
Ｔ 保護テープ
Ｗ ウェーハ

Claims (2)

1. 基板の表面に低誘電率絶縁膜と機能膜とが積層された積層体によって形成されたデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたウェーハを、該分割予定ラインに沿って加工するウェーハの加工方法であって、
   ウェーハの裏面に保護テープを貼着するテープ貼着工程と、
   該テープ貼着工程を実施した後に、ブレード幅が先端に向かって狭くなるような先端形状の切削ブレードの該先端形状だけを用いて、ウェーハの表面側から該積層体を除去して該基板表面を所定深さに切り込みつつ該分割予定ラインに沿ってウェーハを切削し、該積層体を除去して該基板に切削溝を形成する積層体除去工程と、
   該積層体除去工程の後に、該切削溝に沿って該切削溝の幅よりも細い厚みの切削ブレードで露呈した該基板表面から該分割予定ラインに沿って該基板を切削し、該基板に切削溝を形成する切削溝形成工程と、を備えるウェーハの加工方法。
2. 該積層体除去工程を実施する前に、ウェーハの該分割予定ライン上の表面変位を測定手段で測定し、ウェーハの表面変位のマッピングデータを形成する測定工程を実施し、
   該積層体除去工程においては、該マッピングデータに基づき表面位置から該切削ブレードを該所定深さに切り込むように、ウェーハに対して垂直方向に切削ブレードを調整しながら切削を行うこと、を特徴とする請求項１記載のウェーハの加工方法。

Images