JP2021034499A - 複数のチップの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】膜付き基板を切削する際に、膜の基板からの剥がれを抑制する。【解決手段】基板の一方の面に酸化物の薄膜を含む膜が形成された膜付き基板を切削して膜付き基板から複数のチップを製造する複数のチップの製造方法であって、円環状の第１の切削ブレードの一面を膜の表面に対して直交する様に位置付けた場合に膜の表面との成す角度が５°以上３０°以下となる斜面又は曲面を含む外周側面を有する第１の切削ブレードの下端を、膜付き基板の所定の深さに位置付けた状態で、チャックテーブルと第１の切削ブレードとを相対的に移動させることで膜を部分的に除去し、膜付き基板に加工溝を形成する加工溝形成工程と、加工溝のうち一方の面に形成された幅よりも小さい厚さを有する第２の切削ブレードを用いて、加工溝の底部を切削して、膜付き基板を複数のチップに分割する分割工程と、を備える複数のチップの製造方法を提供する。【選択図】図４

Description

本発明は、基板の一方の面に酸化物の薄膜を含む膜が形成された膜付き基板を切削して、当該膜付き基板から複数のチップを製造する、複数のチップの製造方法に関する。

ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像素子には、固体撮像素子を保護するためのカバーガラスや、特定の波長帯域の光を吸収する光学フィルタ等が設けられる。光学フィルタは、例えば、ガラス基板の一方の面に酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム及びフッ化マグネシウム等の薄膜が順次積層された膜付き基板を形成した後、この膜付きガラス基板を分割することで製造される（例えば、特許文献１参照）。

膜付きガラス基板は、例えば、切削装置を用いて分割される。切削装置は、ガラス基板の他方の面側を吸引して保持する保持面を有するチャックテーブルを備える。チャックテーブルの上方には、円柱状のスピンドルと、このスピンドルの一端側に固定された環状の切削ブレード（即ち、切り刃）とを含む切削ユニットが設けられている。

膜付きガラス基板を分割するときには、例えば、ガラス基板の他方の面側にダイシングテープを貼り付ける。そして、ガラス基板の他方の面側を保持面で保持した状態で、スピンドルを回転軸として回転している切削ブレードの下端をガラス基板の他方の面よりも下方且つ保持面よりも上方に位置付ける。そして、チャックテーブルを所定方向に移動させることで、チャックテーブルと切削ブレードとを相対的に移動させる。これにより、チャックテーブルの移動の経路に沿って、積層膜付きガラス基板は切断される。

特開２００６−３６５６０号公報

しかし、上述の方法で膜付きガラス基板を切断すると、ガラス基板の縁部において、膜がガラス基板から剥離するという問題がある。

本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、膜付き基板を切削する際に、膜の基板からの剥がれを抑制することを目的とする。

本発明の一態様によれば、基板の一方の面に酸化物の薄膜を含む膜が形成された膜付き基板を切削して該膜付き基板から複数のチップを製造する複数のチップの製造方法であって、該膜が露出する様に、該膜付き基板の他方の面側を切削装置のチャックテーブルで保持する保持工程と、円環状の第１の切削ブレードの一面を該膜の表面に対して直交する様に位置付けた場合に該膜の該表面との成す角度が５°以上３０°以下となる斜面又は曲面を含む外周側面を有する該第１の切削ブレードの下端を、該膜付き基板の所定の深さに位置付けた状態で、該チャックテーブルと該第１の切削ブレードとを相対的に移動させることで該膜を部分的に除去し、該膜付き基板に加工溝を形成する加工溝形成工程と、該加工溝のうち該一方の面に形成された幅よりも小さい厚さを有する第２の切削ブレードを用いて、該加工溝の底部を切削して、該膜付き基板を複数のチップに分割する分割工程と、を備える複数のチップの製造方法が提供される。

本発明の一態様に係る複数のチップの製造方法は、保持工程と、加工溝形成工程と、分割工程とを備える。加工溝形成工程では、膜の表面から所定の深さに位置付けられた場合に膜の表面との成す角度が５°以上３０°以下となる斜面又は曲面の外周側面を有する第１の切削ブレードを、所定の深さ位置に位置付けた状態で、チャックテーブルに対して相対的に移動させる。これにより、膜を部分的に除去しつつ、膜付き基板に加工溝を形成する。

この様に、膜の表面との成す角度が５°以上３０°以下となる斜面又は曲面の外周側面を有する第１の切削ブレードを用いることで、外周側面に斜面又は曲面を有さない他の切削ブレードで切削する場合に比べて、膜に作用する外力の垂直方向の成分を大きくできる。それゆえ、加工溝形成工程では、膜１５を上方から押さえ付けることにより、膜の基板からの剥がれを抑制できる。加工溝形成工程後の分割工程では、加工溝の幅よりも厚さの小さい第２の切削ブレードを用いて、加工溝の底部を切削するので、膜剥がれが生じることなく、基板を切削できる。

図１（Ａ）は膜付き基板の斜視図であり、図１（Ｂ）は膜付き基板の断面図である。 フレームユニットの斜視図である。 切削装置の斜視図である。 図４（Ａ）は第１の切削ブレードの側面図であり、図４（Ｂ）は加工溝形成工程での第１の切削ブレード等の一部断面側面図である。 図５（Ａ）は分割工程での第２の切削ブレード等の一部断面側面図であり、図５（Ｂ）は１つのチップの斜視図である。 複数のチップの製造方法のフロー図である。 比較例に係る他の切削ブレードを用いた加工溝形成工程を示す図である。 図８（Ａ）は膜の表面と曲面との成す角が３０°であるときの加工溝形成工程を示す図であり、図８（Ｂ）は膜の表面と曲面との成す角が４５°であるときの加工溝形成工程を示す図であり、図８（Ｃ）は膜の表面と曲面との成す角が６０°であるときの加工溝形成工程を示す図である。

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、第１実施形態の加工対象である膜付き基板１１について説明する。図１（Ａ）は、膜付き基板１１の斜視図であり、図１（Ｂ）は、膜付き基板１１の断面図である。

膜付き基板１１は、矩形状のガラス基板（基板）１３を有する。ガラス基板１３は、ショット日本株式会社製の光学ガラスの基板であり、縦２５ｍｍから３０ｍｍ、横１５ｍｍから２０ｍｍ、厚さ３ｍｍから５ｍｍの大きさを有する。

但し、ガラス基板１３は、上述の光学ガラスの基板に限定されず、ホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、アルミノケイ酸ガラス等の各種ガラスで形成されてもよい。また、膜付き基板１１の基板は、ガラスに限定されず、シリコン基板、金属基板等の可視光を透過しない性質を有する基板であってもよい。

ガラス基板１３の一面（一方の面１３ａ）は、デバイス、素子等が形成されていない略平坦な面であり、この一方の面１３ａには、膜１５が形成されている。膜１５は、例えば、６μｍから７μｍ程度の厚さを有する。

膜１５は、各々プラズマＣＶＤで形成した二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）及び五酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）等の酸化物の薄膜を含む。本実施形態の膜１５は、ＳｉＯ_２の薄膜とＴａ_２Ｏ_５の薄膜とが交互に積層された積層膜である。

但し、酸化物の種類は、ＳｉＯ_２及びＴａ_２Ｏ_５に限定されない。他の種類の酸化物の薄膜を２層以上積層することにより膜１５を形成してもよい。また、１つの種類の酸化物の薄膜で膜１５を形成してもよい。酸化物以外の材料で形成された薄膜と、酸化物の薄膜との積層膜で膜１５を形成してもよい。

膜付き基板１１を切削する場合には、事前に、膜付き基板１１、金属製のフレーム１７及びダイシングテープ１９から成るフレームユニット２１を形成する。図２は、フレームユニット２１の斜視図である。

フレーム１７は、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属で形成されており、ガラス基板１３の対角線よりも大きな径の開口を有する。ダイシングテープ１９は、伸縮性を有する樹脂製のシートであり、フレーム１７の開口よりも大きな径を有する。

ダイシングテープ１９は、例えば、基材層及び粘着層（糊層）の積層構造を有する。基材層は、例えば、ポリオレフィン（ＰＯ）で形成されている。基材層の一面の全体又は一部には、紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂等の粘着性の樹脂で形成された粘着層が形成されている。

フレーム１７の一面と、膜付き基板１１の他面（他方の面１３ｂ）とにダイシングテープ１９を貼り付けることで、膜付き基板１１は、ダイシングテープ１９を介してフレーム１７に固定される。これにより、フレームユニット２１が形成される。

膜付き基板１１は、フレームユニット２１の状態で切削装置１０を用いて切削される。図３は、切削装置１０の斜視図である。切削装置１０は、フレームユニット２１を吸引して保持するためのチャックテーブル１２を有する。

チャックテーブル１２は、金属製の枠体を有する。枠体の上部側には、円盤状の空間から成る凹部（不図示）が形成されており、この凹部には、気体等を吸引するための流路の一端が接続されている。流路の他端にはエジェクタ等の吸引源（不図示）が接続されている。

枠体の凹部には、円盤状の多孔質プレート（不図示）が固定される。吸引源を動作させると、多孔質プレートの上面には負圧が発生するので、多孔質プレートの上面は、フレームユニット２１を吸引して保持する保持面として機能する。

チャックテーブル１２の下方には、チャックテーブル１２を所定の軸の周りに回転させるθテーブル（不図示）が設けられている。θテーブルの下方には、θテーブルをＸ軸方向に沿って移動させるためのＸ軸移動機構（不図示）が設けられている。

チャックテーブル１２の上方には、２つの切削ユニット１４が設けられている。なお、図３では、１つの切削ユニット１４が示されている。各切削ユニット１４は、円筒形状のスピンドルハウジング１６を有する。スピンドルハウジング１６には、円柱状のスピンドル（不図示）の一部が回転可能な態様で収容されている。

スピンドルの一端には、スピンドルを回転させるための回転駆動源（不図示）が連結されている。スピンドルの他端には、ハブレス型（即ち、ワッシャー型）の切削ブレードが装着されている。

図４（Ａ）を用いて、片方の切削ユニット１４のスピンドルに装着される円環状の第１の切削ブレード１８について説明する。図４（Ａ）は、第１の切削ブレード１８の側面図である。なお、図４（Ａ）では、第１の切削ブレード１８の一部を省略している。

第１の切削ブレード１８としては、砥粒及び金属粉末等を焼成して形成したメタルボンドブレード、砥粒及び熱硬化性樹脂等を焼成して形成したレジンボンドブレード等が用いられる。

第１の切削ブレード１８は、円環状の一面１８ａと、一面１８ａとは反対側に位置する円環状の他面１８ｂとを有する。第１の切削ブレード１８は、更に、一面１８ａ及び他面１８ｂに接続する外周側面１８ｃを有する。

外周側面１８ｃは、第１の切削ブレード１８の厚さ方向の略中央に設けられている平面１８ｄを含む。平面１８ｄは、一面１８ａ及び他面１８ｂに略直交する平坦な面であり、第１の切削ブレード１８の回転中心から最も離れた位置にある。

なお、図４（Ａ）では、理解を容易にするために、平面１８ｄに平行な平面Ａを、第１の切削ブレード１８と共に示す。平面１８ｄ及び一面１８ａは、斜面１８ｅにより接続されており、斜面１８ｅは、平面１８ｄ（平面Ａ）に対して３０°傾いている。

同様に、平面１８ｄ及び他面１８ｂは、斜面１８ｆにより接続されており、斜面１８ｆは、平面１８ｄ（平面Ａ）に対して３０°傾いている。平面１８ｄ、斜面１８ｅ及び斜面１８ｆは、一面１８ａ及び他面１８ｂの最外周から所定の長さＬ１だけ突出した凸部を構成している。

但し、斜面１８ｅ及び斜面１８ｆの平面１８ｄに対する傾きは、３０°に限定されない。斜面１８ｅ及び斜面１８ｆは、それぞれ平面１８ｄに対して、５°以上３０°以下の所定角度傾いてよい。

下限の角度である５°は、膜１５のガラス基板１３からの剥がれを抑制できると考えられる最小の角度である。なお、５°以上３０°以下の範囲であれば、斜面１８ｅの平面１８ｄに対する傾き角度と、斜面１８ｆの平面１８ｄに対する傾き角度とは同じでなくてもよい。

図３に戻り、切削ユニット１４の他の構成要素について説明する。第１の切削ブレード１８の略上半分は、ブレードカバー２０で覆われている。ブレードカバー２０には、第１の切削ブレード１８の一面１８ａ及び他面１８ｂを挟む様に、一対のクーラーノズル２２が設けられている。なお、図３では、１つのクーラーノズル２２が示されている。

次に、第１実施形態に係る複数のチップの製造方法について説明する。第１実施形態では、切削装置１０を用いて膜付き基板１１を切削することにより、膜付き基板１１から複数のチップを製造する。図６は、複数のチップの製造方法のフロー図である。

まず、膜付き基板１１の一方の面１３ａ側を上に向けた態様で、膜付き基板１１をチャックテーブル１２の保持面に載置する。そして、吸引源を動作させて、膜付き基板１１の他方の面１３ｂ側をチャックテーブル１２で保持する（保持工程（Ｓ１０））。これにより、膜１５の表面１５ａが露出する態様で、膜付き基板１１は保持面で保持される。

保持工程（Ｓ１０）の後、膜付き基板１１に加工溝２３を形成する（加工溝形成工程（Ｓ２０））。加工溝形成工程（Ｓ２０）では、まず、膜付き基板１１の加工予定ライン（不図示）と、第１の切削ブレード１８の一面１８ａ及び他面１８ｂとが平行になる様に、θテーブルで膜付き基板１１の向きを調整する。

向きの調整と共に、回転駆動源を動作させて、第１の切削ブレード１８を、例えば、３００００ｒｐｍで所定の回転方向Ｒに回転させる。そして、回転する第１の切削ブレード１８をＺ軸方向（高さ方向、垂直方向）に沿って動かし、第１の切削ブレード１８の下端を、膜１５の表面１５ａから膜１５の厚さよりも深い所定の深さ（例えば、表面１５ａから１５μｍの深さ）に位置付ける（図４（Ｂ）参照）。

このとき、第１の切削ブレード１８の一面１８ａ及び他面１８ｂは、膜１５の表面１５ａに対して直交する。また、外周側面１８ｃの平面１８ｄは、表面１５ａと略平行であり、斜面１８ｅ及び斜面１８ｆと表面１５ａとの成す角度は、３０°である。

次に、Ｘ軸移動機構を用いてθテーブル及びチャックテーブル１２をＸ軸方向に沿って加工送りする（図３の矢印Ｘ１参照）。加工送り速度は、０．１ｍｍ／ｓ以上５．０ｍｍ／ｓ以下の範囲の所定値（本実施形態では１．０ｍｍ／ｓ）とする。

なお、加工送り速度が大きくなるほど、膜１５がガラス基板１３から剥がれ易くなる。それゆえ、加工送り速度は、比較的小さい方が好ましい。加工送り速度は、好ましくは、０．１ｍｍ／ｓ以上１．０ｍｍ／ｓ以下であり、より好ましくは、０．１ｍｍ／ｓ以上０．５ｍｍ／ｓ以下である。

チャックテーブル１２をＸ軸方向に沿って加工送りを行うことにより、チャックテーブル１２と第１の切削ブレード１８とがＸ軸方向に相対的に移動し、膜１５とガラス基板１３の一部とは加工予定ラインに沿って除去される。

なお、第１の切削ブレード１８を膜付き基板１１に切り込む際には、回転する第１の切削ブレード１８をガラス基板１３の一方の面１３ａ側から他方の面１３ｂ側へ切り込む様に、第１の切削ブレード１８の回転方向Ｒに対して加工送り方向を固定する（ダウンカット）。

加工溝形成工程（Ｓ２０）では、例えば、表面１５ａから膜１５の厚さの１倍以上３倍以下の深さ（本実施形態では、１５μｍ）、第１の切削ブレード１８を膜付き基板１１に切り込み、加工予定ラインに沿って膜付き基板１１に加工溝２３を形成する。図４（Ｂ）は、加工溝形成工程（Ｓ２０）での第１の切削ブレード１８等の一部断面側面図である。

１つの加工予定ラインに沿って膜付き基板１１を切削した後、Ｙ軸方向に沿って所定の長さ（例えば５ｍｍ）だけ切削ユニット１４を割り出し送りする。そして、チャックテーブル１２と第１の切削ブレード１８とをＸ軸方向に相対的に移動させて、加工溝２３を形成する。

同様にして、Ｘ軸方向への加工送りとＹ軸方向への割り出し送りとを繰り返して、複数の加工溝２３を形成した後、θテーブルをＸＹ平面上で９０°回転させる。そして、再び、Ｘ軸方向への加工送りとＹ軸方向への割り出し送りとを繰り返し、複数の加工溝２３を形成する。これにより、ガラス基板１３の一方の面１３ａ側には、複数の加工溝２３が格子状に形成される。

本実施形態では、平面１８ｄ（即ち、平面Ａ、表面１５ａ）との成す角度が５°以上３０°以下である斜面１８ｅ及び１８ｆを有する第１の切削ブレード１８で、膜１５を切削する。それゆえ、外周側面１８ｃが平坦である他の切削ブレードで膜１５を切削する場合（図７参照）に比べて、加工溝２３に隣接する膜１５に作用する外力Ｆ１の垂直方向の成分を大きくできる。従って、膜１５を上方から押さえ付けることができ、膜１５のガラス基板１３からの剥がれを抑制できると考えられる。

特に、ガラス基板１３に酸化物の薄膜から成る膜１５が形成されている場合に、膜１５とガラス基板１３との密着性は、膜１５とシリコン基板との密着性に比べて低い。それゆえ、膜１５のガラス基板１３からの剥がれを抑制するためには、本実施形態の様に加工溝形成工程（Ｓ２０）を行うことが好ましい。

加工溝形成工程（Ｓ２０）の後、もう片方の切削ユニット１４のスピンドルに装着された第２の切削ブレード２４を用いて、加工溝２３の底部２３ａを切削する。これにより、膜付き基板１１を複数のチップ２５に分割する（分割工程（Ｓ３０））。図５（Ａ）は、分割工程（Ｓ３０）での第２の切削ブレード２４等の一部断面側面図である。

第２の切削ブレード２４は、第１の切削ブレード１８と同様に円環状であり、各々円環状の一面２４ａ及び他面２４ｂを有する。但し、一面２４ａ及び他面２４ｂに接続する外周側面は、一面２４ａ及び他面２４ｂに略直交する平面２４ｃから成る。

第２の切削ブレード２４は、加工溝２３のうちガラス基板１３の一方の面１３ａに形成された幅２３ｂよりも小さい厚さ２４ｄを有する。なお、厚さ２４ｄが幅２３ｂよりも小さければ、第２の切削ブレード２４の外周側面の形状は、平面２４ｃではなく他の形状であってもよい。

分割工程（Ｓ３０）では、第２の切削ブレード２４の一面２４ａ及び他面２４ｂを、ガラス基板１３の他方の面１３ｂに対して直交させた状態で、チャックテーブル１２と第２の切削ブレード２４とをＸ軸方向に相対的に移動させる。なお、加工送り速度を０．１ｍｍ／ｓ以上５．０ｍｍ／ｓ以下の範囲の所定値（本実施形態では１．０ｍｍ／ｓ）とし、ダウンカットによりガラス基板１３を切削する。

分割工程（Ｓ３０）では、第２の切削ブレード２４を用いて、膜１５を切削することなくガラス基板１３のみを切削するので、膜１５のガラス基板１３からの剥がれは生じない。格子状に形成された各加工溝２３の底部２３ａを切削することにより、膜付き基板１１を切断して、複数のチップ２５を製造する。図５（Ｂ）は、１つのチップ２５の斜視図である。

第１実施形態の様に、加工溝形成工程（Ｓ２０）において、斜面１８ｅ及び１８ｆと表面１５ａとの成す角度を３０°とした場合、膜１５がガラス基板１３から剥がれないことが実験により確認された。

これに対して、加工溝形成工程（Ｓ２０）において、斜面１８ｅ及び１８ｆと表面１５ａとの成す角度を４５°及び６０°とした場合には、それぞれ加工溝２３の縁部で膜１５がガラス基板１３から剥がれることが実験により確認された。

また、外周側面に斜面を有しない第３の切削ブレード２６を用いて加工溝形成工程（Ｓ２０）を行った場合も、加工溝２３の縁部で膜１５がガラス基板１３から剥がれることが実験により確認された。図７は、比較例に係る第３の切削ブレード２６を用いた加工溝形成工程（Ｓ２０）を示す図である。

第３の切削ブレード２６は、第２の切削ブレード２４と同様に、各々円環状の一面２６ａ及び他面２６ｂと、一面２６ａ及び他面２６ｂに略直交する平面２６ｃとを有する。第３の切削ブレード２６を用いて加工溝形成工程（Ｓ２０）を行う場合、加工溝２３の縁部で膜１５に作用する外力Ｆ２は、水平方向の成分のみであり、垂直方向の成分は存在しない。

つまり、加工溝２３の縁部分に位置する膜１５は、垂直方向の成分の外力を受けないので、第３の切削ブレード２６から押さえ付けられない。一面２６ａ及び他面２６ｂからの水平方向の成分の外力Ｆ２が膜１５に作用して、膜１５のガラス基板１３からの剥がれが生じると考えられる。

次に、第２実施形態に係る第１の切削ブレード２８について説明する。第１の切削ブレード２８は、円環状であり、各々円環状の一面２８ａ及び他面２８ｂと、一面２８ａ及び他面２８ｂに接続する外周側面２８ｃとを有する。

外周側面２８ｃは、第１の切削ブレード１８の厚さ方向の略中央に設けられている平面２８ｄを含む。平面２８ｄは、一面２８ａ及び他面２８ｂに略直交する平坦な面であり、第１の切削ブレード２８の回転中心から最も離れた位置にある。

平面２８ｄ及び一面２８ａは凸型の曲面２８ｅにより接続されており、同様に、平面２８ｄ及び他面２８ｂは凸型の曲面２８ｆにより接続されている。平面２８ｄ、曲面２８ｅ及び曲面２８ｆは、一面２８ａ及び他面２８ｂの最外周から所定の長さＬ２だけ突出した凸部を構成している。

第１の切削ブレード２８を用いて加工溝形成工程（Ｓ２０）を行う場合、膜１５の表面１５ａと曲面２８ｅ及び２８ｆとの成す角度が５°以上３０°以下の場合、第１実施形態と同様に、膜１５のガラス基板１３からの剥がれを抑制できる。

第２実施形態において、膜１５の表面１５ａと曲面２８ｅ及び２８ｆとの成す角度は、第１の切削ブレード２８を膜付き基板１１に切り込むときの切り込み深さによって異なる。例えば、第１の切削ブレード２８の切り込み深さを比較的浅い第１の深さとすると、膜１５の表面１５ａと曲面２８ｅ及び２８ｆとの成す角度は３０°となる。

図８（Ａ）は、膜１５の表面１５ａと曲面２８ｅ及び２８ｆとの成す角が３０°であるときの加工溝形成工程（Ｓ２０）での第１の切削ブレード２８等の一部断面側面図である。図８（Ａ）では、表面１５ａと曲面２８ｅとの接点Ｂ１を通り、曲面２８ｅに接する直線を破線で示す。

表面１５ａと曲面２８ｅ及び２８ｆとの成す角が３０°の場合、膜１５に作用する外力の垂直方向の成分が比較的大きいので、膜１５を上方から押さえ付けることができる。それゆえ、第１実施形態と同様に、膜１５のガラス基板１３からの剥がれを抑制できると考えられる。

図８（Ｂ）は、膜１５の表面１５ａと曲面２８ｅ及び２８ｆとの成す角が４５°であるときの加工溝形成工程（Ｓ２０）を示す図である。図８（Ｂ）では、表面１５ａと曲面２８ｅとの接点Ｂ２を通り、曲面２８ｅに接する直線を破線で示す。例えば、第１の切削ブレード２８の切り込み深さを第１の深さよりも深い第２の深さとすることで、膜１５の表面１５ａと曲面２８ｅ及び２８ｆとの成す角が４５°となる。

図８（Ｃ）は、膜１５の表面１５ａと曲面２８ｅ及び２８ｆとの成す角が６０°であるときの加工溝形成工程（Ｓ２０）を示す図である。図８（Ｃ）では、表面１５ａと曲面２８ｅとの接点Ｂ３を通り、曲面２８ｅに接する直線を破線で示す。例えば、第１の切削ブレード２８の切り込み深さを第２の深さよりも深い第３の深さとすることで、膜１５の表面１５ａと曲面２８ｅ及び２８ｆとの成す角が６０°となる。

成す角が４５°及び６０°の場合には、膜１５がガラス基板１３から剥がれることが実験により確認された。成す角が４５°及び６０°の場合には、成す角が３０°の場合に比べて、膜１５に作用する外力の垂直方向の成分が小さくなることが原因として考えられる。

従って、第１の切削ブレード２８を用いて加工溝形成工程（Ｓ２０）を行う場合には、膜１５の表面１５ａと曲面２８ｅ及び２８ｆとの成す角が５°以上３０°以下となる様に、切り込み深さを調整することが好ましい。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、膜付き基板１１において、ガラス基板１３の一方の面１３ａ及び他方の面１３ｂの両面に、膜１５を設けてもよい。

ガラス基板１３の両面に膜１５が設けられている場合、加工溝形成工程（Ｓ２０）では、まず、一方の面１３ａ及び他方の面１３ｂの一方側に加工溝２３を形成し、次いで、一方の面１３ａ及び他方の面１３ｂの他方側に加工溝２３を形成する。その後、分割工程（Ｓ３０）を行う。

なお、第１実施形態に係る第１の切削ブレード１８は、斜面１８ｅ及び１８ｆと平面１８ｄとを有する。しかし、第１の切削ブレード１８は、平面１８ｄを有さずに、斜面１８ｅ及び１８ｆから成る略Ｖ字形状の外周側面１８ｃを有してもよい。

また、第２実施形態に係る第１の切削ブレード２８は、曲面２８ｅ及び２８ｆと平面２８ｄとを有する。しかし、第１の切削ブレード２８は、平面２８ｄを有さずに、曲面２８ｅ及び２８ｆから成る略Ｕ字形状の外周側面２８ｃを有してもよい。

更に、第１の切削ブレード１８，２８及び第２の切削ブレード２４は、ハブレス型（即ち、ワッシャー型）の切削ブレードに限定されず、アルミニウム等の金属で形成された円盤状の基台の外周部分に切り刃が形成されたハブ型の切削ブレードであってもよい。

１０ 切削装置
１１ 膜付き基板
１２ チャックテーブル
１３ ガラス基板
１３ａ 一方の面
１３ｂ 他方の面
１４ 切削ユニット
１５ 膜
１５ａ 表面
１６ スピンドルハウジング
１７ フレーム
１８ 第１の切削ブレード
１８ａ 一面
１８ｂ 他面
１８ｃ 外周側面
１８ｄ 平面
１８ｅ 斜面
１８ｆ 斜面
１９ ダイシングテープ
２０ ブレードカバー
２１ フレームユニット
２２ クーラーノズル
２３ 加工溝
２３ａ 底部
２３ｂ 幅
２４ 第２の切削ブレード
２４ａ 一面
２４ｂ 他面
２４ｃ 平面
２４ｄ 厚さ
２５ チップ
２６ 第３の切削ブレード
２６ａ 一面
２６ｂ 他面
２６ｃ 平面
２８ 第１の切削ブレード
２８ａ 一面
２８ｂ 他面
２８ｃ 外周側面
２８ｄ 平面
２８ｅ 曲面
２８ｆ 曲面
Ａ 平面
Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３ 接点
Ｆ１ 外力
Ｆ２ 外力
Ｌ１ 長さ
Ｌ２ 長さ
Ｒ 回転方向
Ｘ１ 矢印

Claims (1)

1. 基板の一方の面に酸化物の薄膜を含む膜が形成された膜付き基板を切削して該膜付き基板から複数のチップを製造する複数のチップの製造方法であって、
   該膜が露出する様に、該膜付き基板の他方の面側を切削装置のチャックテーブルで保持する保持工程と、
   円環状の第１の切削ブレードの一面を該膜の表面に対して直交する様に位置付けた場合に該膜の該表面との成す角度が５°以上３０°以下となる斜面又は曲面を含む外周側面を有する該第１の切削ブレードの下端を、該膜付き基板の所定の深さに位置付けた状態で、該チャックテーブルと該第１の切削ブレードとを相対的に移動させることで該膜を部分的に除去し、該膜付き基板に加工溝を形成する加工溝形成工程と、
   該加工溝のうち該一方の面に形成された幅よりも小さい厚さを有する第２の切削ブレードを用いて、該加工溝の底部を切削して、該膜付き基板を複数のチップに分割する分割工程と、を備えることを特徴とする複数のチップの製造方法。