TWI745547B - 被加工物的加工方法 - Google Patents

被加工物的加工方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI745547B
TWI745547B TW107105882A TW107105882A TWI745547B TW I745547 B TWI745547 B TW I745547B TW 107105882 A TW107105882 A TW 107105882A TW 107105882 A TW107105882 A TW 107105882A TW I745547 B TWI745547 B TW I745547B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cutting
cut
deep
workpiece
planned dividing
Prior art date
Application number
TW107105882A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201835990A (zh
Inventor
田中英明
Original Assignee
日商迪思科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商迪思科股份有限公司 filed Critical 日商迪思科股份有限公司
Publication of TW201835990A publication Critical patent/TW201835990A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI745547B publication Critical patent/TWI745547B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Milling Processes (AREA)
  • Milling, Broaching, Filing, Reaming, And Others (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

提供一種能夠縮短加工所需的時間之被加工物的加工方法。 　　一種被加工物的加工方法，包含：保持步驟，以功能層露出之方式藉由夾盤平台保持被加工物；及溝形成步驟，令夾盤平台以第1速度朝加工饋送方向移動，將該第1方向延伸之複數個分割預定線依序以第1切削刀切削而在被加工物形成沿著分割預定線之溝，藉此除去和分割預定線重疊之功能層；及第1深切步驟，於溝形成步驟之實施中，將形成於朝第1方向延伸之分割預定線的溝以第2切削刀予以進一步切削而深切；及第2深切步驟，於溝形成步驟後，以比第1速度還快的第2速度令夾盤平台朝加工饋送方向移動，將朝第1方向延伸之分割預定線的溝當中未藉由第1深切步驟被深切的溝以第2切削刀予以進一步切削而深切。

Description

被加工物的加工方法
本發明有關用來加工板狀的被加工物之加工方法。
當將半導體晶圓或封裝基板等分割成複數個晶片時，例如會使用在作為旋轉軸的心軸(spindle)裝配有環狀的切削刀而成之切削裝置(例如參照專利文獻1)。令高速旋轉的切削刀對半導體晶圓或封裝基板等被加工物深入切入，藉此便能將此被加工物切斷、分割。
一方面，在上述這樣的被加工物的表面側，多會全面地設有作用成為配線之金屬膜、或將配線間予以絕緣之絕緣膜(代表者為Low-k膜)等功能層。不過，若欲將這樣的被加工物以切削刀切斷，則會因加工時的負荷而容易造成功能層缺損、或因功能層的影響而在背面發生缺損。
鑑此，有時會採用以寬幅的(厚的)第1切削刀除去功能層後，再以比此第1切削刀還窄幅的第2切削刀切斷被加工物的基材之稱為步進切割(step cutting)的加工方法。將功能層與基材使用適合各自的切削之不同切削刀來切削，藉此便能抑制功能層或基材的缺損。在此情形下，會使用具備了能夠裝配相異的切削刀之2組心軸的切削裝置，藉此縮短加工所需的時間(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平11-74228號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，渴望在使用了上述這樣的切削裝置的前提下，進一步縮短加工所需的時間。
本發明係有鑑於此問題點而研發，其目的在於提供一種能夠更加縮短加工所需的時間之被加工物的加工方法。 [解決問題之技術手段]
按照本發明的一個態樣，提供一種被加工物的加工方法，係使用具備：具有保持被加工物的保持面之夾盤平台；及包含供第1切削刀裝配之第1心軸與供第2切削刀裝配之第2心軸，而將被保持於該夾盤平台的該被加工物以該第1切削刀與該第2切削刀予以切削之切削單元；及令該夾盤平台朝和該保持面平行的加工饋送方向移動之加工饋送單元；及令該切削單元朝和該保持面平行且和該加工饋送方向交錯的分度饋送方向移動之分度饋送單元；該第1心軸和該第2心軸各自具有和該分度饋送方向平行的軸心，該第1切削刀和該第2切削刀以彼此面對面之方式被配置之切削裝置，來將包含平板狀的基材與層積於該基材的功能層而藉由朝第1方向延伸之複數個分割預定線及朝和該第1方向交錯的第2方向延伸之複數個分割預定線被區隔成複數個區域之該被加工物，沿著該分割預定線予以切削，該被加工物的加工方法，具備：保持步驟，以該功能層露出之方式藉由該夾盤平台保持該被加工物；及溝形成步驟，令該夾盤平台以第1速度朝加工饋送方向移動，將朝該第1方向延伸之複數個該分割預定線依序以該第1切削刀切削而在該被加工物形成沿著該分割預定線之溝，藉此除去和該分割預定線重疊之該功能層；及第1深切步驟，於該溝形成步驟之實施中，將形成於朝該第1方向延伸之該分割預定線的該溝以該第2切削刀予以進一步切削而深切；及第2深切步驟，於該溝形成步驟後，以比該第1速度還快的第2速度令該夾盤平台朝加工饋送方向移動，將朝該第1方向延伸之該分割預定線的該溝當中未藉由該第1深切步驟被深切的溝以該第2切削刀予以進一步切削而深切。 [發明之功效]
本發明的一個態樣之被加工物的加工方法中，是於令夾盤平台以第1速度朝加工饋送方向移動，將分割預定線依序以第1切削刀切削而在被加工物形成沿著分割預定線之溝之溝形成步驟的實施中，進行將形成於分割預定線的溝以第2切削刀予以進一步切削而深切之第1深切步驟。
此外，於溝形成步驟及第1深切步驟後，進行以比第1速度還快的第2速度令夾盤平台朝加工饋送方向移動，將形成於分割預定線的溝當中未藉由第1深切步驟被深切的溝以第2切削刀予以進一步切削而深切之第2深切步驟。
一般而言，基材比起功能層而言較易被切削，故若僅切削基材，比起將基材和功能層同時切削的情形而言，提升夾盤平台的往加工饋送方向之移動速度的可能性較高。因此，比起令夾盤平台以第1速度朝加工饋送方向移動而將所有的溝深切之情形，能夠縮短加工所需的時間。
參照所附圖面，說明本發明一態樣之實施形態。首先，針對本實施形態之被加工物的加工方法中使用的切削裝置的構成例說明之。圖1為切削裝置2的構成例模型示意立體圖。如圖1所示，切削裝置2，具備支撐各構成要素之基台4。
在基台4的前方的角部，形成有開口4a，在此開口4a內，設有藉由升降機構(未圖示)而升降之匣支撐台6。在匣支撐台6的上面，可承載用來收容複數個被加工物11之匣8。另，圖1中，為求說明簡便，僅示意匣8的輪廓。
圖2(A)為被加工物11的構成例模型示意平面圖。被加工物11，例如包含由矽等半導體材料所成之圓盤狀的晶圓作為基材。此被加工物11的表面11a側，藉由朝第1方向D1、及朝和第1方向D1交錯的第2方向D2延伸之分割預定線(切割道；street)13而被區隔成複數個區域，在各區域形成有IC(Integrated Circuit)等元件15。
在構成被加工物11之基材，設有由作用成為上述元件15的配線之金屬膜、或構成TEG(Test Elements Group)之金屬膜、將配線間予以絕緣之絕緣膜(代表者為Low-k膜)等被層積而成之功能層(未圖示)。也就是說，此功能層的一部分，會成為上述元件15等的一部分。此外，功能層的表面，於被加工物11的表面11a側露出。
在被加工物11的背面11b(參照圖2(B)等)側，貼附有比被加工物11還大徑的黏著膠帶(切割膠帶)17。黏著膠帶17的外周部分，被固定於環狀的框19。被加工物11，在透過此黏著膠帶17而被支撐於框19之狀態下被收容至匣8。
另，本實施形態中，是將由矽等半導體材料所成之圓盤狀的晶圓訂為被加工物11的基材，惟基材的材質、形狀、構造、大小等並無限制。例如，亦能使用由其他半導體、陶瓷、樹脂、金屬等的材料所成之基材。此外，元件15的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等亦無限制。
如圖1所示，在匣支撐台6的側方，於X軸方向(前後方向、加工饋送方向)形成有長的開口4b。在開口4b內，配置有滾珠螺桿式的X軸移動機構(加工饋送單元)10、及覆蓋X軸移動機構10的上部之防塵防滴罩12。X軸移動機構10，具備X軸移動台10a，令此X軸移動台10a朝X軸方向移動。
在X軸移動台10a上，配置有將被加工物11吸引、保持之夾盤平台(保持台)14。此夾盤平台14，連結至馬達等旋轉驅動源(未圖示)，繞著大致平行於Z軸方向(鉛直方向)之旋轉軸旋轉。此外，夾盤平台14，藉由上述X軸移動機構10而朝X軸方向移動(加工饋送)。
夾盤平台14的上面，成為用來將被加工物11吸引、保持之保持面14a。保持面14a，相對於X軸方向及Y軸方向(左右方向、分度饋送方向)而言大致形成為平行，透過形成於夾盤平台14的內部之吸引路徑14b(參照圖2(B)等)等而連接至吸引源(未圖示)。此外，在夾盤平台14的周圍，設有用來將支撐被加工物11的環狀的框19從四方予以固定之4個夾具16。
在和開口4b鄰接之區域，配置有將上述被加工物11往夾盤平台14等搬送之搬送單元(未圖示)。藉由搬送單元而被搬送的被加工物11，例如是以表面11a側朝上方露出之方式被承載於夾盤平台14的保持面14a。
在基台4的上面，以橫跨開口4b的方式配置有門型的支撐構造24，其用來支撐2組的切削單元22(第1切削單元22a、第2切削單元22b)。在支撐構造24的前面上部，設有令各切削單元22朝Y軸方向及Z軸方向移動之2組切削單元移動機構(分度饋送單元)26。
各切削單元移動機構26，共通地具備配置於支撐構造24的前面而平行於Y軸方向之一對Y軸導軌28。在Y軸導軌28，可滑動地安裝有構成各切削單元移動機構26之Y軸移動板30。
在Y軸移動板30的背面側(後面側)，設有螺帽部(未圖示)，在此螺帽部，各自螺合有平行於Y軸導軌28之Y軸滾珠螺桿32。在各Y軸滾珠螺桿32的一端部，連結有Y軸脈衝馬達34。若藉由Y軸脈衝馬達34令Y軸滾珠螺桿32旋轉，則Y軸移動板30會沿著Y軸導軌28朝Y軸方向移動。
在各Y軸移動板30的表面(前面)，設有平行於Z軸方向之一對Z軸導軌36。在Z軸導軌36，可滑動地安裝有Z軸移動板38。
在各Z軸移動板38的背面側(後面側)，設有螺帽部(未圖示)，在此螺帽部，各自螺合有平行於Z軸導軌36之Z軸滾珠螺桿40。在各Z軸滾珠螺桿40的一端部，連結有Z軸脈衝馬達42。藉由Z軸脈衝馬達42令Z軸滾珠螺桿40旋轉，則Z軸移動板38會沿著Z軸導軌36朝Z軸方向移動。
在各Z軸移動板38的下部，設有切削單元22。此切削單元22，包含具有和Y軸方向大致平行的軸心之心軸(第1心軸44a、第2心軸44b)(參照圖2(B)等)。在心軸的一端側，裝配有圓環狀的切削刀46(第1切削刀46a、第2切削刀46b)(參照圖2(B)等)。
本實施形態中，使用由適合功能層之除去的材料所成之第1寬幅(第1厚度)的第1切削刀46a、及由適合基材之除去的材料所成之比第1寬幅還窄(薄)的第2寬幅(第2厚度)的第2切削刀46b。對於第1寬幅及第2寬幅雖無特別的限制，惟例如可將第1寬幅訂為40μm以上60μm以下、將第2寬幅訂為15μm以上35μm以下。另，此第1切削刀46a和第2切削刀46b，在裝配於心軸之狀態下是被配置於彼此面對面的位置。
在和各切削單元22鄰接之位置，設置有用來拍攝被加工物11等之拍攝單元(相機)48。若藉由各切削單元移動機構26令Y軸移動板30朝Y軸方向移動，則切削單元22及拍攝單元48會朝Y軸方向移動(分度饋送)。此外，若藉由各切削單元移動機構26令Z軸移動板38朝Z軸方向移動，則切削單元22及拍攝單元48會朝Z軸方向移動。
相對於開口4b而言在和開口4a相反側之位置，形成有開口4c。在開口4c內，配置有用來將切削後的被加工物11等予以洗淨之洗淨單元50。X軸移動機構10、夾盤平台14、切削單元22、切削單元移動機構26、相機48、洗淨單元50等構成要素，連接至控制單元52。各構成要素，藉由此控制單元52而受到控制。
本實施形態之被加工物的加工方法中，首先，進行將被加工物11以夾盤平台14予以保持之保持步驟。具體而言，是令貼附在被加工物11的背面11b側之黏著膠帶17接觸夾盤平台14的保持面14a，令吸引源的負壓作用。同時，將框19以夾具16固定。如此一來，被加工物11，會以表面11a側的功能層朝上方露出之狀態被保持於夾盤平台14。
於保持步驟之後，例如進行將朝第1方向D1延伸之複數個分割預定線13依序以第1切削刀46a切削而形成複數個溝之溝形成步驟。圖2(B)為用來針對溝形成步驟說明之部分截面側面圖。此溝形成步驟中，首先，令夾盤平台14旋轉，將被加工物11的第1方向D1對齊切削裝置2的X軸方向。
此外，令夾盤平台14及第1切削單元22a相對地移動，將第1切削刀46a的位置對齊朝第1方向D1延伸之對象的分割預定線13的延長線上。然後，令第1切削刀46a的下端，移動至比被加工物11的表面11a還低，比被加工物11的背面11b還高之位置。
更具體而言，令第1切削刀46的下端，移動至比構成被加工物11的基材與功能層之交界還略低之位置為止。通常，功能層的厚度為10μm以下，因此可相對於被加工物11而言令第1切削刀46a切入至20μm以上50μm以下，代表者為40μm程度。
其後，一面令第1切削刀46a旋轉一面令夾盤平台14朝X軸方向移動。此處，夾盤平台14的移動速度，被設定為適合功能層之除去的第1速度。第1速度，例如可訂為40mm/s以上未滿80mm/s，代表者為50mm/s程度。
如此一來，便能沿著對象的分割預定線13令第1切削刀46a切入，形成溝11c。其結果，和對象的分割預定線13重疊之功能層亦被除去。反覆此動作，一旦沿著朝第1方向D1延伸之所有的分割預定線13形成溝11c，則溝形成步驟結束。
於上述溝形成步驟之實施中，進行將藉由溝形成步驟形成的溝11c以第2切削刀46b予以進一步深切之第1深切步驟。圖3(A)為用來針對第1深切步驟說明之部分截面側面圖。本實施形態中，如圖2(A)及圖2(B)所示，沿著朝第1方向D1延伸之分割預定線(切割道)13a形成溝11c結束後，開始第1深切步驟。
也就是說，將溝形成步驟中形成溝11c的分割預定線13，與第1深切步驟中深切的溝11c之間隔充分拉開，以免溝形成步驟中使用的第1切削刀46a與第1深切步驟中使用的第2切削刀46b太過接近。
如此一來，能夠一面防止第1切削單元22a與第2切削單元22b之接觸，一面令溝形成步驟與第1深切步驟同時(並行)進行。溝形成步驟中形成溝11c的分割預定線13，與第1深切步驟中深切的溝11c之間隔雖無特別限制，惟例如可訂為15mm以上30mm以下，代表者為20mm程度。
第1深切步驟中，首先，令夾盤平台14及第2切削單元22b相對地移動，將第2切削刀46b的位置對齊對象的溝11c的延長線上。然後，令第2切削刀46b的下端，移動至比被加工物11的背面11b還低之位置為止。
其後，一面令第1切削刀46a旋轉一面令夾盤平台14朝X軸方向移動。如此一來，便能將對象的溝11c以第2切削刀46b進一步切削而深切，形成將被加工物11分割之鋸口(切口)11d。另，此第1深切步驟和溝形成步驟，令其同時(並行)進行。
具體而言，將此第1深切步驟中的夾盤平台14的動作，配合溝形成步驟中的夾盤平台14的動作。也就是說，對溝11c令第2切削刀46b切入時之夾盤平台14的移動速度，會成為和溝形成步驟中對分割預定線13令第1切削刀46a切入時之夾盤平台14的移動速度相同之第1速度。此外，溝形成步驟結束的同時第1深切步驟亦結束。
於溝形成步驟及第1深切步驟之後，進行將溝形成步驟中形成的溝11c當中未藉由第1深切步驟被深切的溝11c以第2切削刀46b予以深切之第2深切步驟。圖3(B)為用來針對第2深切步驟說明之部分截面側面圖。
如上述般，本實施形態中，是將溝形成步驟中供溝11c形成的分割預定線13，與第1深切步驟中供深切的溝11c之間隔(也就是說，藉由第1切削刀46a與第2切削刀46b被同時加工的分割預定線13與溝11c之間隔)充分拉開。
因此，於溝形成步驟結束後，會殘留第1深切步驟中未被深切的複數個溝11c。本實施形態中，如圖2(A)及圖3(B)所示，是從沿著朝第1方向D1延伸之分割預定線(切割道)13b形成，而第1深切步驟中未被深切的溝11c來開始第2深切步驟。
第2深切步驟中，首先，令夾盤平台14及第2切削單元22b相對地移動，將第2切削刀46b的位置對齊對象的溝11c的延長線上。然後，令第2切削刀46b的下端，移動至比被加工物11的背面11b還低之位置為止。
其後，一面令第2切削刀46b旋轉一面令夾盤平台14朝X軸方向移動。此處，夾盤平台14的移動速度，被設定為比第1速度還快的第2速度。第2速度，例如為80mm/s以上150mm/s以下，代表者為100mm/s程度。
如此一來，便能將對象的溝11c以第2切削刀46b進一步切削而深切，形成將被加工物11分割之鋸口(切口)11d。反覆此動作，一旦對第1深切步驟中未被深切的所有溝11c形成鋸口11d，則第2深切步驟結束。
於上述的溝形成步驟、第1深切步驟、及第2深切步驟中沿著朝第1方向D1延伸之複數個分割預定線13將被加工物11分割後，沿著朝第2方向D2延伸之複數個分割預定線13以同樣的手續將被加工物11分割。也就是說，對朝第2方向D2延伸之複數個分割預定線13，進行同樣的溝形成步驟、第1深切步驟、及第2深切步驟。如此一來，便能將被加工物11沿著所有的分割預定線13分割，形成複數個晶片。
另，本實施形態中，如圖2(A)所示，例如是在溝形成步驟中沿著朝第2方向D2延伸之分割預定線(切割道)13c形成溝11c結束後，再開始第1深切步驟。此外，如圖2(A)所示，例如從沿著朝第2方向D2延伸之分割預定線(切割道)13d而形成的溝11c，來開始第2深切步驟。
像以上這樣，本實施形態之被加工物的加工方法中，是於令夾盤平台14以第1速度朝X軸方向(加工饋送方向)移動，將分割預定線13依序以第1切削刀46a切削而在被加工物11形成沿著分割預定線13之溝11c之溝形成步驟的實施中，進行將形成於分割預定線13的溝11c以第2切削刀46b予以進一步切削而深切之第1深切步驟。
此外，於溝形成步驟及第1深切步驟後，進 行以比第1速度還快的第2速度令夾盤平台14朝X軸方向移動，將形成於分割預定線13的溝11c當中未藉由第1深切步驟被深切的溝11c以第2切削刀46b予以進一步切削而深切之第2深切步驟。
一般而言，基材比起功能層而言較易被切削，故若僅切削基材，比起將基材和功能層同時切削的情形而言，提升夾盤平台14的往X軸方向之移動速度的可能性較高。故，比起令夾盤平台14以第1速度朝X軸方向移動而將所有的溝11c深切之情形，能夠縮短加工所需的時間。
另，本發明並不受限於上述實施形態等之記載，可做各種變更而實施。例如，上述實施形態中，是在第1深切步驟及第2深切步驟中將被加工物11分割來形成鋸口11d，但第1深切步驟及第2深切步驟中，未必一定要將被加工物11切斷。
其他上述實施形態之構造、方法等，凡是不脫離本發明目的之範圍，均能適當變更而實施。
11:被加工物
11a:表面
11b:背面
11c:溝
11d:鋸口
13、13a、13b、13c、13d:分割預定線(切割道)
15:元件
17:黏著膠帶(切割膠帶)
19:框
2:切削裝置
4:基台
4a，4b，4c:開口
6:匣支撐台
8:匣
10:X軸移動機構(加工饋送單元)
10a:X軸移動台
12:防塵防滴罩
14:夾盤平台
14a:保持面
16:夾具
22:切削單元
22a:第1切削單元
22b:第2切削單元
24:支撐構造
26:切削單元移動機構
28:Y軸導軌
30:Y軸移動板
32:Y軸滾珠螺桿
34:Y軸脈衝馬達
36:Z軸導軌
38:Z軸移動板
40:Z軸滾珠螺桿
42:Z軸脈衝馬達
44a:第1心軸
44b:第2心軸
46:切削刀
46a:第1切削刀
46b:第2切削刀
48:拍攝單元(相機)
50:洗淨單元
52:控制單元
[圖1] 切削裝置的構成例模型示意立體圖。 　　[圖2] 圖2(A)為被加工物的構成例模型示意平面圖，圖2(B)為用來針對溝形成步驟說明的部分截面側面圖。 　　[圖3] 圖3(A)為用來針對第1深切步驟說明的部分截面側面圖，圖3(B)為用來針對第2深切步驟說明的部分截面側面圖。
11‧‧‧被加工物
11a‧‧‧表面
11b‧‧‧背面
11c‧‧‧溝
11d‧‧‧鋸口
14‧‧‧夾盤平台
14a‧‧‧保持面
14b‧‧‧吸引路徑
16‧‧‧夾具
17‧‧‧黏著膠帶(切割膠帶)
19‧‧‧框
22a‧‧‧第1切削單元
22b‧‧‧第2切削單元
44a‧‧‧第1心軸
44b‧‧‧第2心軸
46a‧‧‧第1切削刀
46b‧‧‧第2切削刀

Claims (1)

  1. 一種被加工物的加工方法，係使用具備：具有保持被加工物的保持面之夾盤平台；及包含供第1切削刀裝配之第1心軸與供第2切削刀裝配之第2心軸，而將被保持於該夾盤平台的該被加工物以該第1切削刀與該第2切削刀予以切削之切削單元；及令該夾盤平台朝和該保持面平行的加工饋送方向移動之加工饋送單元；及令該切削單元朝和該保持面平行且和該加工饋送方向交錯的分度饋送方向移動之分度饋送單元；該第1心軸和該第2心軸各自具有和該分度饋送方向平行的軸心，該第1切削刀和該第2切削刀以彼此面對面之方式被配置之切削裝置，來將包含平板狀的基材與層積於該基材的功能層而藉由朝第1方向延伸之複數個分割預定線及朝和該第1方向交錯的第2方向延伸之複數個分割預定線被區隔成複數個區域之該被加工物，沿著該分割預定線予以切削，該被加工物的加工方法，其特徵為，具備： 　　保持步驟，以該功能層露出之方式藉由該夾盤平台保持該被加工物；及 　　溝形成步驟，令該夾盤平台以第1速度朝加工饋送方向移動，將朝該第1方向延伸之複數個該分割預定線依序以該第1切削刀切削而在該被加工物形成沿著該分割預定線之溝，藉此除去和該分割預定線重疊之該功能層；及 　　第1深切步驟，於該溝形成步驟之實施中，將形成於朝該第1方向延伸之該分割預定線的該溝以該第2切削刀予以進一步切削而深切；及 　　第2深切步驟，於該溝形成步驟後，以比該第1速度還快的第2速度令該夾盤平台朝加工饋送方向移動，將朝該第1方向延伸之該分割預定線的該溝當中未藉由該第1深切步驟被深切的溝以該第2切削刀予以進一步切削而深切。
TW107105882A 2017-03-13 2018-02-22 被加工物的加工方法 TWI745547B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-047317 2017-03-13
JP2017047317A JP6812079B2 (ja) 2017-03-13 2017-03-13 被加工物の加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201835990A TW201835990A (zh) 2018-10-01
TWI745547B true TWI745547B (zh) 2021-11-11

Family

ID=63259331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107105882A TWI745547B (zh) 2017-03-13 2018-02-22 被加工物的加工方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10535562B2 (zh)
JP (1) JP6812079B2 (zh)
KR (1) KR102391848B1 (zh)
CN (1) CN108573919B (zh)
DE (1) DE102018203678B4 (zh)
MY (1) MY181615A (zh)
SG (1) SG10201801395TA (zh)
TW (1) TWI745547B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7080552B2 (ja) * 2017-12-28 2022-06-06 株式会社ディスコ 切削ブレードのドレッシング方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1174228A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Disco Abrasive Syst Ltd 精密切削装置
WO2006008829A1 (ja) * 2004-07-22 2006-01-26 Renesas Technology Corp. 半導体装置の製造方法
JP2008135519A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
TW201519360A (zh) * 2013-11-08 2015-05-16 Prov Technology Corp 晶圓切割方法
TW201709314A (zh) * 2015-07-08 2017-03-01 戴卡科技有限公司 用於移除材料的半導體元件製程方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002075919A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Sharp Corp 半導体ウエハのダイシング方法
JP2003173986A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Disco Abrasive Syst Ltd ２スピンドル切削装置における切削方法
KR20030075681A (ko) * 2002-03-20 2003-09-26 삼성전기주식회사 칩핑 방지를 위한 웨이퍼 다이싱 방법
KR20090052468A (ko) * 2007-11-21 2009-05-26 한미반도체 주식회사 자재 하프 컷팅 방법
JP5571331B2 (ja) * 2009-07-07 2014-08-13 株式会社ディスコ 切削装置
JP5764031B2 (ja) * 2011-10-06 2015-08-12 株式会社ディスコ 切削装置
US20130273717A1 (en) * 2012-04-17 2013-10-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and Method for the Singulation of a Semiconductor Wafer
JP6078272B2 (ja) * 2012-09-10 2017-02-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6061776B2 (ja) * 2013-05-16 2017-01-18 株式会社ディスコ 切削溝の検出方法
JP6170769B2 (ja) * 2013-07-11 2017-07-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6180876B2 (ja) * 2013-10-02 2017-08-16 株式会社ディスコ 切削装置及びウエーハの切削方法
JP6203011B2 (ja) * 2013-11-19 2017-09-27 株式会社ディスコ 切削方法
JP6251574B2 (ja) * 2014-01-14 2017-12-20 株式会社ディスコ 切削方法
JP6282194B2 (ja) * 2014-07-30 2018-02-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6521687B2 (ja) * 2015-03-23 2019-05-29 株式会社ディスコ 切削ブレードの検査方法
JP6562670B2 (ja) 2015-03-23 2019-08-21 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法
JP6422388B2 (ja) * 2015-04-09 2018-11-14 株式会社ディスコ 切削溝の形成方法
JP2016219757A (ja) * 2015-05-26 2016-12-22 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
JP6607639B2 (ja) * 2015-12-24 2019-11-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6906836B2 (ja) * 2017-01-27 2021-07-21 株式会社ディスコ 積層ドレッシングボードの使用方法
JP2018181903A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 株式会社ディスコ 加工方法
JP6847529B2 (ja) * 2017-06-15 2021-03-24 株式会社ディスコ 被加工物の切削方法
JP6979296B2 (ja) * 2017-07-28 2021-12-08 株式会社ディスコ 切削方法
JP6955975B2 (ja) * 2017-11-21 2021-10-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019115962A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 株式会社ディスコ チャックテーブル修正方法及び切削装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1174228A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Disco Abrasive Syst Ltd 精密切削装置
WO2006008829A1 (ja) * 2004-07-22 2006-01-26 Renesas Technology Corp. 半導体装置の製造方法
JP2008135519A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
TW201519360A (zh) * 2013-11-08 2015-05-16 Prov Technology Corp 晶圓切割方法
TW201709314A (zh) * 2015-07-08 2017-03-01 戴卡科技有限公司 用於移除材料的半導體元件製程方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102018203678B4 (de) 2024-01-25
KR102391848B1 (ko) 2022-04-27
SG10201801395TA (en) 2018-10-30
MY181615A (en) 2020-12-29
DE102018203678A1 (de) 2018-09-13
CN108573919B (zh) 2023-08-15
TW201835990A (zh) 2018-10-01
US10535562B2 (en) 2020-01-14
JP6812079B2 (ja) 2021-01-13
CN108573919A (zh) 2018-09-25
JP2018152453A (ja) 2018-09-27
KR20180104566A (ko) 2018-09-21
US20180261505A1 (en) 2018-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI601197B (zh) The method of segmenting the circular plate
KR102163441B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR102210945B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR100563484B1 (ko) 절삭방법
US9396976B2 (en) Cutting apparatus
KR20140105375A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
CN106340490B (zh) 晶片的加工方法
KR20150007944A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR20130111292A (ko) 디바이스 웨이퍼의 분할 방법
TWI760488B (zh) 被加工物的切削方法
TWI745547B (zh) 被加工物的加工方法
JP2005109155A (ja) 半導体ウェーハの加工方法
JP5453123B2 (ja) 切削方法
JP2003173986A (ja) ２スピンドル切削装置における切削方法
JP6935131B2 (ja) 板状の被加工物の切断方法
JP5839905B2 (ja) 被加工物の切削方法
JP2013187275A (ja) 加工方法
CN110491834B (zh) 被加工物的加工方法
JP6855130B2 (ja) 加工装置
TW201513193A (zh) 封裝基板之分割方法
JP2023104445A (ja) ウェーハの加工方法
JP2022083700A (ja) ウェーハの加工方法
KR20240003712A (ko) 가공 방법
JP2024071061A (ja) パッケージ基板の加工方法
TW202414558A (zh) 加工方法