JPH09262761A - 半導体ウェーハの研磨方法 - Google Patents
半導体ウェーハの研磨方法Info
- Publication number
- JPH09262761A JPH09262761A JP8098995A JP9899596A JPH09262761A JP H09262761 A JPH09262761 A JP H09262761A JP 8098995 A JP8098995 A JP 8098995A JP 9899596 A JP9899596 A JP 9899596A JP H09262761 A JPH09262761 A JP H09262761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- carrier
- plate
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 両面同時鏡面研磨の運動を利用して高精度の
片面鏡面ウェーハを、キャリアによるウェーハ端面の粗
さや傷等の不具合を生じることなく、効率よく加工でき
る半導体ウェーハの研磨方法の提供。 【解決手段】 両面にウェーハ８，８を接着した薄円盤
のプレート７をキャリア４のホール５にセットし研磨を
行うことにより、容易に片面鏡面ウェーハを得ることが
でき、かかるプレート７の直径をウェーハ８より大きく
することによりキャリアホール５とウェーハ８の接触を
避けることが可能で、高精度の片面鏡面ウェーハを効率
よく加工できる。
片面鏡面ウェーハを、キャリアによるウェーハ端面の粗
さや傷等の不具合を生じることなく、効率よく加工でき
る半導体ウェーハの研磨方法の提供。 【解決手段】 両面にウェーハ８，８を接着した薄円盤
のプレート７をキャリア４のホール５にセットし研磨を
行うことにより、容易に片面鏡面ウェーハを得ることが
でき、かかるプレート７の直径をウェーハ８より大きく
することによりキャリアホール５とウェーハ８の接触を
避けることが可能で、高精度の片面鏡面ウェーハを効率
よく加工できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、シリコンウェー
ハ等の半導体ウェーハの鏡面研磨方法の改良に係り、両
面同時研磨装置を利用して片面鏡面ウェーハを高精度で
かつウェーハ端面の粗さや傷等の問題を発生させること
なく、効率よく加工生産できる半導体ウェーハの研磨方
法に関する。
ハ等の半導体ウェーハの鏡面研磨方法の改良に係り、両
面同時研磨装置を利用して片面鏡面ウェーハを高精度で
かつウェーハ端面の粗さや傷等の問題を発生させること
なく、効率よく加工生産できる半導体ウェーハの研磨方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンなどの半導体基板の鏡面研磨
は、現在、片面のみを研磨する所謂片面研磨が最も一般
的である。一般的な鏡面研磨装置を説明すると、複数枚
の半導体基板を貼りつけた研磨定盤を、回転テーブルに
接着したポリウレタン樹脂等の研磨クロスに所定の圧力
で押しつけ、メカノケミカルポリッシングするものであ
る。
は、現在、片面のみを研磨する所謂片面研磨が最も一般
的である。一般的な鏡面研磨装置を説明すると、複数枚
の半導体基板を貼りつけた研磨定盤を、回転テーブルに
接着したポリウレタン樹脂等の研磨クロスに所定の圧力
で押しつけ、メカノケミカルポリッシングするものであ
る。
【０００３】詳述すると、例えば５〜３００ｎｍ程度の
粒径を有するＳｉＯ2砥粒を苛性ソーダ、アンモニア及
びエタノールアミン等のアルカリ溶液に懸濁させてｐＨ
９〜１２程度にした、いわゆるコロイダルシリカからな
る研磨液を用いて、研磨クロスと研磨定盤と相対的に回
転させ、砥粒による機械的作用とアルカリ溶液のエッチ
による化学的作用の両方を利用するメカノケミカルポリ
ッシング法にて研磨する構成からなる。
粒径を有するＳｉＯ2砥粒を苛性ソーダ、アンモニア及
びエタノールアミン等のアルカリ溶液に懸濁させてｐＨ
９〜１２程度にした、いわゆるコロイダルシリカからな
る研磨液を用いて、研磨クロスと研磨定盤と相対的に回
転させ、砥粒による機械的作用とアルカリ溶液のエッチ
による化学的作用の両方を利用するメカノケミカルポリ
ッシング法にて研磨する構成からなる。
【０００４】半導体メモリーの高集積化に伴い、ウェー
ハに要求される精度も、より高精度になりつつあり、こ
の要求に対する高精度鏡面研磨の一方法として、両面同
時研磨装置による鏡面研磨方法がある。
ハに要求される精度も、より高精度になりつつあり、こ
の要求に対する高精度鏡面研磨の一方法として、両面同
時研磨装置による鏡面研磨方法がある。
【０００５】この両面鏡面研磨方法は、図４に示すごと
く、相対する上下の定盤１，２に研磨布３を貼着して、
定盤１，２間にウェーハより０．５〜２ｍｍ程度大きい
直径のホール５を３〜６個設けた薄円盤状のキャリア４
を定盤全体で４〜５枚、配置装着し、そのキャリア４の
ホール５内にウェーハをセットした後、上下定盤１，２
の回転並びに下定盤２中央の太陽歯車６によりキャリア
４が自転することにより、上記のメカノケミカルポリッ
シング法にてキャリア４の公転、及びウェーハ自体の自
転という複雑な運動を利用し、高精度な鏡面研磨を行う
ものである。
く、相対する上下の定盤１，２に研磨布３を貼着して、
定盤１，２間にウェーハより０．５〜２ｍｍ程度大きい
直径のホール５を３〜６個設けた薄円盤状のキャリア４
を定盤全体で４〜５枚、配置装着し、そのキャリア４の
ホール５内にウェーハをセットした後、上下定盤１，２
の回転並びに下定盤２中央の太陽歯車６によりキャリア
４が自転することにより、上記のメカノケミカルポリッ
シング法にてキャリア４の公転、及びウェーハ自体の自
転という複雑な運動を利用し、高精度な鏡面研磨を行う
ものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の両面鏡面研磨方
法は、当然のことながらウェーハの裏表面共に鏡面研磨
されること、平坦度において高精度のウェーハ研磨が可
能なことなどの利点があるが、キャリアホール内でウェ
ーハが自転するため、ウェーハの端面（ウェーハとキャ
リアの接触面）の粗度が低下したり、傷が発生あるいは
傷がなくとも、歪みが内在されて後工程で発塵する懸念
があるなどの問題がある。
法は、当然のことながらウェーハの裏表面共に鏡面研磨
されること、平坦度において高精度のウェーハ研磨が可
能なことなどの利点があるが、キャリアホール内でウェ
ーハが自転するため、ウェーハの端面（ウェーハとキャ
リアの接触面）の粗度が低下したり、傷が発生あるいは
傷がなくとも、歪みが内在されて後工程で発塵する懸念
があるなどの問題がある。
【０００７】前述したウェーハの端面の問題を生じない
片面鏡面研磨方法は、ウェーハ精度的に、ウェーハの公
転、自転及び定盤の回転と多くの運動を利用する両面同
時研磨より、作業上、管理上の難しさを多く伴う問題が
ある。しかしながら、デバイスプロセスとウェーハのマ
ッチング等の問題で、前述のごとく、両面鏡面ウェーハ
は一般的ではなく、片面鏡面ウェーハの要求が多いのが
現状である。
片面鏡面研磨方法は、ウェーハ精度的に、ウェーハの公
転、自転及び定盤の回転と多くの運動を利用する両面同
時研磨より、作業上、管理上の難しさを多く伴う問題が
ある。しかしながら、デバイスプロセスとウェーハのマ
ッチング等の問題で、前述のごとく、両面鏡面ウェーハ
は一般的ではなく、片面鏡面ウェーハの要求が多いのが
現状である。
【０００８】この発明は、かかる鏡面研磨方法の現状に
鑑み、両面同時鏡面研磨の運動を利用して高精度の片面
鏡面ウェーハを、キャリアによるウェーハ端面の粗さや
傷等の不具合を生じることなく、効率よく加工できる半
導体ウェーハの研磨方法の提供を目的としている。
鑑み、両面同時鏡面研磨の運動を利用して高精度の片面
鏡面ウェーハを、キャリアによるウェーハ端面の粗さや
傷等の不具合を生じることなく、効率よく加工できる半
導体ウェーハの研磨方法の提供を目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】発明者は、研磨装置に両
面同時鏡面研磨機を用いて高精度の片面鏡面ウェーハを
得る方法を目的に種々検討した結果、両面にウェーハを
接着した薄円盤のプレートをキャリアホールにセットし
研磨を行うことにより、片面鏡面ウェーハを得ることが
でき、かかる薄円盤の直径をウェーハより大きくするこ
とによりキャリアホールとウェーハの接触を避けること
が可能であることを知見し、この発明を完成した。
面同時鏡面研磨機を用いて高精度の片面鏡面ウェーハを
得る方法を目的に種々検討した結果、両面にウェーハを
接着した薄円盤のプレートをキャリアホールにセットし
研磨を行うことにより、片面鏡面ウェーハを得ることが
でき、かかる薄円盤の直径をウェーハより大きくするこ
とによりキャリアホールとウェーハの接触を避けること
が可能であることを知見し、この発明を完成した。
【００１０】すなわち、この発明は、複数のホールを有
するキャリアを用い複数のウェーハを同時に研磨する両
面同時研磨装置を用いる半導体ウェーハの研磨方法にお
いて、ウェーハの直径より大きいプレートの両面にそれ
ぞれ被研磨用ウェーハを接着した後、キャリアホールに
該プレートを装着して両面同時研磨を行い、多数の片面
鏡面ウェーハを得る半導体ウェーハの研磨方法である。
また、この発明は、上記の研磨方法において、プレート
がウェーハの直径より１〜５ｍｍ程大きく、厚みが１〜
５ｍｍのセラミックである半導体ウェーハの研磨方法を
併せて提案する。
するキャリアを用い複数のウェーハを同時に研磨する両
面同時研磨装置を用いる半導体ウェーハの研磨方法にお
いて、ウェーハの直径より大きいプレートの両面にそれ
ぞれ被研磨用ウェーハを接着した後、キャリアホールに
該プレートを装着して両面同時研磨を行い、多数の片面
鏡面ウェーハを得る半導体ウェーハの研磨方法である。
また、この発明は、上記の研磨方法において、プレート
がウェーハの直径より１〜５ｍｍ程大きく、厚みが１〜
５ｍｍのセラミックである半導体ウェーハの研磨方法を
併せて提案する。
【００１１】
【発明の実施の形態】この発明による研磨方法を図面に
基づいて詳述する。図１に示すごとく、研磨布３を貼着
した上下定盤１，２間に、定盤全体で４〜５枚のキャリ
ア４を介在させるが、そのキャリア４のホール５にウェ
ーハをセットするに際して、キャリアホール５内で自転
可能でウェーハの直径より大きい径を有する薄いプレー
ト７を使用し、このプレート７の両面に被研磨ウェーハ
８をワックスなどで接着固定して、キャリアホール５内
にプレート７を挿入配置し、上下定盤１，２をウェーハ
７に当接させ定盤１，２を回転させ、キャリア４も太陽
歯車で回転させて、メカノケミカルポリッシングするこ
とにより、キャリア４の公転とプレート７の自転、すな
わち、ウェーハ８自体の自転を加えた複雑な運動を利用
した高精度な鏡面研磨を行う。
基づいて詳述する。図１に示すごとく、研磨布３を貼着
した上下定盤１，２間に、定盤全体で４〜５枚のキャリ
ア４を介在させるが、そのキャリア４のホール５にウェ
ーハをセットするに際して、キャリアホール５内で自転
可能でウェーハの直径より大きい径を有する薄いプレー
ト７を使用し、このプレート７の両面に被研磨ウェーハ
８をワックスなどで接着固定して、キャリアホール５内
にプレート７を挿入配置し、上下定盤１，２をウェーハ
７に当接させ定盤１，２を回転させ、キャリア４も太陽
歯車で回転させて、メカノケミカルポリッシングするこ
とにより、キャリア４の公転とプレート７の自転、すな
わち、ウェーハ８自体の自転を加えた複雑な運動を利用
した高精度な鏡面研磨を行う。
【００１２】この発明において、ウェーハを接着するプ
レートは平行平面に仕上げたセラミック材が適してお
り、プレート厚みは１〜５ｍｍが望ましく、機械的強度
の点から３ｍｍ前後の厚みが好ましい。プレート直径
は、被研磨ウェーハ直径＋１〜５ｍｍ が望ましい。セ
ラミック材としては公知材料が採用できるが、Ａｌ2Ｏ3
の他、ＳｉＣが好ましい。また、表面粗度はＲａ０．５
μｍ以下、平坦度は１μｍ以下、特に０．５μｍ以下が
望ましい。
レートは平行平面に仕上げたセラミック材が適してお
り、プレート厚みは１〜５ｍｍが望ましく、機械的強度
の点から３ｍｍ前後の厚みが好ましい。プレート直径
は、被研磨ウェーハ直径＋１〜５ｍｍ が望ましい。セ
ラミック材としては公知材料が採用できるが、Ａｌ2Ｏ3
の他、ＳｉＣが好ましい。また、表面粗度はＲａ０．５
μｍ以下、平坦度は１μｍ以下、特に０．５μｍ以下が
望ましい。
【００１３】また、キャリアには樹脂材が適しており、
その厚みは、被研磨ウェーハ厚み×（１〜２）＋プレー
ト厚み であり、メカノケミカルポリッシングを有効に
するように選定される。さらに、キャリアホール内径
は、プレート直径＋（０．５ｍｍ〜２ｍｍ） が望まし
い。
その厚みは、被研磨ウェーハ厚み×（１〜２）＋プレー
ト厚み であり、メカノケミカルポリッシングを有効に
するように選定される。さらに、キャリアホール内径
は、プレート直径＋（０．５ｍｍ〜２ｍｍ） が望まし
い。
【００１４】この発明では、被研磨ウェーハをプレート
の両面に貼り合わせた後、キャリアホールにセットする
ため、ウェーハ端面がキャリアホール内径面に接触しな
いことにより、ウェーハ端面に加工歪みを加えること
も、傷を発生させることもないため、後工程やデバイス
プロセスで端面からの発塵が防止できる。また、プレー
トとキャリアの接触による発塵の影響は、両者の接触面
が双方ともに平面円周面であることと、上述のごとくセ
ラミック材と樹脂材の接触であるため、何らの問題も生
じない。
の両面に貼り合わせた後、キャリアホールにセットする
ため、ウェーハ端面がキャリアホール内径面に接触しな
いことにより、ウェーハ端面に加工歪みを加えること
も、傷を発生させることもないため、後工程やデバイス
プロセスで端面からの発塵が防止できる。また、プレー
トとキャリアの接触による発塵の影響は、両者の接触面
が双方ともに平面円周面であることと、上述のごとくセ
ラミック材と樹脂材の接触であるため、何らの問題も生
じない。
【００１５】この発明は、両面鏡面研磨装置を利用して
鏡面研磨することにより、片面鏡面ウェーハでありなが
ら、鏡面研磨が定盤の運動、ウェーハの公転、自転運動
によって進むため、高精度のウェーハを得られる。その
理由には、被研磨ウェーハをプレートの両面に貼り合わ
せることにより反りが発生し難いことがあり、また、接
着に際しては、ワックスをプレートにスピンコーターで
塗布してシリコンゴムで押圧するため、極めて均一かつ
薄く塗布でき、表裏面での接着厚みのばらつきが生じな
い点が挙げられる。
鏡面研磨することにより、片面鏡面ウェーハでありなが
ら、鏡面研磨が定盤の運動、ウェーハの公転、自転運動
によって進むため、高精度のウェーハを得られる。その
理由には、被研磨ウェーハをプレートの両面に貼り合わ
せることにより反りが発生し難いことがあり、また、接
着に際しては、ワックスをプレートにスピンコーターで
塗布してシリコンゴムで押圧するため、極めて均一かつ
薄く塗布でき、表裏面での接着厚みのばらつきが生じな
い点が挙げられる。
【００１６】
実施例１ 片面鏡面研磨装置並びに両面鏡面研磨装置を用いて、８
インチのシリコンウェーハを鏡面加工を行った。研磨布
はポリウレタン、研磨面圧は２００ｇ／ｃｍ2、研磨液
はコロイダルシリカ１０％溶液、ｐＨ１０〜１０．５、
温度２０℃であり、研磨液量は両面研磨の場合は２０ｌ
／ｍｉｎ、片面研磨の場合は１０ｌ／ｍｉｎであった。
両面鏡面研磨装置は、セラミックプレートの両面にウェ
ーハを貼り合わせてキャリアホールにセットするこの発
明方法と、従来のキャリアホールに１枚のウェーハをセ
ットする場合をそれぞれ実施した。
インチのシリコンウェーハを鏡面加工を行った。研磨布
はポリウレタン、研磨面圧は２００ｇ／ｃｍ2、研磨液
はコロイダルシリカ１０％溶液、ｐＨ１０〜１０．５、
温度２０℃であり、研磨液量は両面研磨の場合は２０ｌ
／ｍｉｎ、片面研磨の場合は１０ｌ／ｍｉｎであった。
両面鏡面研磨装置は、セラミックプレートの両面にウェ
ーハを貼り合わせてキャリアホールにセットするこの発
明方法と、従来のキャリアホールに１枚のウェーハをセ
ットする場合をそれぞれ実施した。
【００１７】上記の３方法で各１００枚ずつを研磨した
後、各シリコンウェーハ厚みを測定し、厚みのばらつき
を調査した。その結果を図２のグラフに示す。ａはこの
発明、ｂは片面鏡面研磨、ｃは両面同時鏡面研磨の場合
を示す。図２から明らかなように、この発明方法は、従
来の両面鏡面研磨と同等以上で、片面鏡面研磨に比べて
より高精度の鏡面研磨が実現できた。
後、各シリコンウェーハ厚みを測定し、厚みのばらつき
を調査した。その結果を図２のグラフに示す。ａはこの
発明、ｂは片面鏡面研磨、ｃは両面同時鏡面研磨の場合
を示す。図２から明らかなように、この発明方法は、従
来の両面鏡面研磨と同等以上で、片面鏡面研磨に比べて
より高精度の鏡面研磨が実現できた。
【００１８】実施例２ 実施例１における各シリコンウェーハの端面粗度を測定
し、図３に示す。シリコンウェーハは実施例１の鏡面研
磨前に端面の鏡面研磨を施してあり、その端面粗度は図
３のＡに示すとおりであり、片面鏡面研磨とこの発明の
鏡面研磨を施したウェーハはそれぞれ図３のＣとＤに示
すとおり、Ａと同等で端面に何ら変化がないが、従来の
両面鏡面研磨の場合のＢは、ウェーハの端面粗度は２．
５〜３．５倍程度悪化していることが分かる。
し、図３に示す。シリコンウェーハは実施例１の鏡面研
磨前に端面の鏡面研磨を施してあり、その端面粗度は図
３のＡに示すとおりであり、片面鏡面研磨とこの発明の
鏡面研磨を施したウェーハはそれぞれ図３のＣとＤに示
すとおり、Ａと同等で端面に何ら変化がないが、従来の
両面鏡面研磨の場合のＢは、ウェーハの端面粗度は２．
５〜３．５倍程度悪化していることが分かる。
【００１９】実施例３ 実施例１の両面鏡面研磨装置は、１つのキャリアに３枚
のウェーハがセットでき、５つキャリアを備えているた
め、従来の両面鏡面研磨方法では１ロットで１５枚、こ
の発明の研磨方法では、プレートの両面にウェーハを貼
り合わせてキャリアホールにセットして鏡面研磨を行う
ため３０枚と、従来の両面鏡面研磨方法の２倍へ生産性
を向上できた。また、片面鏡面研磨装置は、前記の両面
鏡面研磨装置とほぼ同等の設置面積を有するもので、研
磨布を設けた下定盤にはウェーハ５枚を１ヘッドとする
４ヘッドの上定盤が当接する構成で、１ロットで２０枚
であるが、この片面鏡面研磨方法との比較でも、本発明
は１．５倍へ生産性を向上できた。
のウェーハがセットでき、５つキャリアを備えているた
め、従来の両面鏡面研磨方法では１ロットで１５枚、こ
の発明の研磨方法では、プレートの両面にウェーハを貼
り合わせてキャリアホールにセットして鏡面研磨を行う
ため３０枚と、従来の両面鏡面研磨方法の２倍へ生産性
を向上できた。また、片面鏡面研磨装置は、前記の両面
鏡面研磨装置とほぼ同等の設置面積を有するもので、研
磨布を設けた下定盤にはウェーハ５枚を１ヘッドとする
４ヘッドの上定盤が当接する構成で、１ロットで２０枚
であるが、この片面鏡面研磨方法との比較でも、本発明
は１．５倍へ生産性を向上できた。
【００２０】
【発明の効果】この発明による半導体ウェーハの研磨方
法は、両面鏡面研磨装置を用いて、プレートの両面にウ
ェーハを貼り合わせてキャリアホールにセットして鏡面
研磨を行うため、両面同時鏡面研磨の運動を利用して高
精度の片面鏡面ウェーハを、キャリアによるウェーハ端
面の粗さや傷等の不具合を生じることなく、効率よく加
工できる。
法は、両面鏡面研磨装置を用いて、プレートの両面にウ
ェーハを貼り合わせてキャリアホールにセットして鏡面
研磨を行うため、両面同時鏡面研磨の運動を利用して高
精度の片面鏡面ウェーハを、キャリアによるウェーハ端
面の粗さや傷等の不具合を生じることなく、効率よく加
工できる。
【図１】この発明による半導体ウェーハの研磨方法を示
す研磨定盤の縦断説明図である。
す研磨定盤の縦断説明図である。
【図２】ウェーハ精度を示すＴＴＶと占有率との関係を
示すグラフであり、ａは本発明、ｂは片面鏡面研磨、ｃ
は両面同時鏡面研磨の場合を示す。
示すグラフであり、ａは本発明、ｂは片面鏡面研磨、ｃ
は両面同時鏡面研磨の場合を示す。
【図３】ウェーハの端面粗さを示すグラフであり、Ａは
端面鏡面研磨後で主面の鏡面研磨前、Ｂは両面鏡面研磨
後、Ｃは片面鏡面研磨後、Ｄはこの発明の鏡面研磨後の
端面粗さを示す。
端面鏡面研磨後で主面の鏡面研磨前、Ｂは両面鏡面研磨
後、Ｃは片面鏡面研磨後、Ｄはこの発明の鏡面研磨後の
端面粗さを示す。
【図４】両面鏡面研磨装置の斜視説明図である。
１，２ 定盤 ３ 研磨布 ４ キャリア ５ ホール ６ 太陽歯車 ７ プレート ８ ウェーハ
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のホールを有するキャリアを用い複
数のウェーハを同時に研磨する両面同時研磨装置を用い
る半導体ウェーハの研磨方法において、ウェーハの直径
より大きいプレートの両面にそれぞれ被研磨用ウェーハ
を接着した後、キャリアホールに該プレートを装着して
両面同時研磨を行い、多数の片面鏡面ウェーハを得る半
導体ウェーハの研磨方法。 - 【請求項２】 プレートがウェーハの直径より１〜５ｍ
ｍ程大きく、厚みが１〜５ｍｍのセラミックである請求
項１の半導体ウェーハの研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8098995A JPH09262761A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8098995A JPH09262761A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09262761A true JPH09262761A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=14234569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8098995A Pending JPH09262761A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09262761A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001328063A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 研磨装置及びその装置を用いた研磨方法 |
| JP2007090515A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-04-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ウェーハの研磨方法及びウェーハ |
| JP2007253390A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Seiko Epson Corp | ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法 |
| JP2015039033A (ja) * | 2006-12-28 | 2015-02-26 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | サファイア基板 |
| CN105127881A (zh) * | 2015-07-30 | 2015-12-09 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 一种用于晶片双面磨抛机的承载盘及其磨抛机和磨抛方法 |
| CN115464484A (zh) * | 2022-10-14 | 2022-12-13 | 杭州乾晶半导体有限公司 | 一种碳化硅晶片双面加工方法以及相应的装置 |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP8098995A patent/JPH09262761A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001328063A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-27 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 研磨装置及びその装置を用いた研磨方法 |
| JP2007090515A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-04-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ウェーハの研磨方法及びウェーハ |
| JP2007253390A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Seiko Epson Corp | ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法 |
| JP2015039033A (ja) * | 2006-12-28 | 2015-02-26 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | サファイア基板 |
| CN105127881A (zh) * | 2015-07-30 | 2015-12-09 | 洛阳金诺机械工程有限公司 | 一种用于晶片双面磨抛机的承载盘及其磨抛机和磨抛方法 |
| CN115464484A (zh) * | 2022-10-14 | 2022-12-13 | 杭州乾晶半导体有限公司 | 一种碳化硅晶片双面加工方法以及相应的装置 |
| CN115464484B (zh) * | 2022-10-14 | 2024-06-07 | 杭州乾晶半导体有限公司 | 一种碳化硅晶片双面加工方法以及相应的装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3620554B2 (ja) | 半導体ウェーハ製造方法 | |
| KR100737879B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 제조방법 | |
| TWI424484B (zh) | Wafer grinding method and wafer | |
| JP2002305168A (ja) | 研磨方法及び研磨装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPWO2002035593A1 (ja) | ウェーハの製造方法及び研磨装置並びにウェーハ | |
| JPH09270401A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JPH09262761A (ja) | 半導体ウェーハの研磨方法 | |
| JPH08274285A (ja) | Ｓｏｉ基板及びその製造方法 | |
| JP2013129023A (ja) | サファイア基板の製造方法及びサファイア基板 | |
| US7291055B2 (en) | Wafer polishing method and apparatus | |
| JP3463345B2 (ja) | 研磨装置および研磨方法と張り合わせ方法 | |
| JPH05315305A (ja) | ウェーハ研磨方法 | |
| JPH08274286A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP3821944B2 (ja) | ウェーハの枚葉式研磨方法とその装置 | |
| JPH10256201A (ja) | 半導体の製造方法 | |
| JPH11189500A (ja) | 酸化物単結晶基板の製造方法 | |
| JPS62264864A (ja) | 基体の研摩方法 | |
| JP3916212B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
| JP2002018705A (ja) | 半導体ウエーハの両面同時ポリッシュ方法 | |
| JPS5972139A (ja) | 薄板材の加工方法 | |
| JP4339494B2 (ja) | ウェーハの研磨方法及びウェーハの研磨装置 | |
| JPH11277445A (ja) | 基板研磨用砥石及び研磨装置 | |
| JPH06103679B2 (ja) | 半導体ウェーハの研磨用ホルダー | |
| JP2001244159A (ja) | 片面鏡面ウェーハ | |
| JPH0645301A (ja) | 半導体素子用シリコンウェハ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20031226 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040204 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20040217 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080305 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090305 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110305 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120305 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |