JPS6240141B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6240141B2 JPS6240141B2 JP54082055A JP8205579A JPS6240141B2 JP S6240141 B2 JPS6240141 B2 JP S6240141B2 JP 54082055 A JP54082055 A JP 54082055A JP 8205579 A JP8205579 A JP 8205579A JP S6240141 B2 JPS6240141 B2 JP S6240141B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wrapping
- ceramic
- mirror
- polishing
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミツクあるいは結晶基板の研磨方
法に関する。
法に関する。
表面弾性波素子に利用されているセラミツクあ
るいは結晶基板材料としては例えば、ジルコンチ
タン酸鉛（PZT）、タンタル酸リチウム
（LiTaO3）、ニオブ酸リチウム（LiNbO3）等があ
るが、これらの材料を所定の形状の素子用基板に
加工するには次のような工程を経て行なわれてい
る。
るいは結晶基板材料としては例えば、ジルコンチ
タン酸鉛（PZT）、タンタル酸リチウム
（LiTaO3）、ニオブ酸リチウム（LiNbO3）等があ
るが、これらの材料を所定の形状の素子用基板に
加工するには次のような工程を経て行なわれてい
る。
まず、それぞれの材料のインゴツトからスライ
シングマシンにより薄板にして切断し、前加工と
してラツピングを行なつた後片方の面に鏡面仕上
げを施すことにより得られる。
シングマシンにより薄板にして切断し、前加工と
してラツピングを行なつた後片方の面に鏡面仕上
げを施すことにより得られる。
しかし、この方法では鏡面仕上げ工程後表面波
伝播面となる鏡面仕上げ面に反りが生ずる欠点が
あり、以後の加工工程での歩留り低下をもたら
す。
伝播面となる鏡面仕上げ面に反りが生ずる欠点が
あり、以後の加工工程での歩留り低下をもたら
す。
本発明はこのような欠点を解消しようとするも
のである。
のである。
本発明はセラミツクあるいは結晶基板に対し、
弾性を有するゴム等のリング状スペーサを介して
荷重をかけた状態でラツピングを行なつた後、該
ラツピング面に鏡面仕上げを施すようにした研磨
方法であり、あらかじめラツピング時において基
板に対し鏡面仕上げ時に予想される反りと逆の反
りを与えておくようにしたものである。
弾性を有するゴム等のリング状スペーサを介して
荷重をかけた状態でラツピングを行なつた後、該
ラツピング面に鏡面仕上げを施すようにした研磨
方法であり、あらかじめラツピング時において基
板に対し鏡面仕上げ時に予想される反りと逆の反
りを与えておくようにしたものである。
以下に本発明の実施例を従来例と比較しつつ説
明する。
明する。
第１図は従来実施されている片面式のラツピン
グ装置による研磨加工を説明するための断面図で
ある。
グ装置による研磨加工を説明するための断面図で
ある。
図において、１は定盤、２及び３はそれぞれ研
磨されるべき基板４を囲んで位置を確保するキヤ
リア及び修正リング、５はおもりである。
磨されるべき基板４を囲んで位置を確保するキヤ
リア及び修正リング、５はおもりである。
研磨加工は、定盤１上における修正リング３内
にキヤリア２及び基板４をセツトすると共に、上
からおもり５によつて基板４に荷重をかけ、この
状態で基板４との間に研磨砥粒（GC＃3000）を
供給しながら定盤１を回転させる。
にキヤリア２及び基板４をセツトすると共に、上
からおもり５によつて基板４に荷重をかけ、この
状態で基板４との間に研磨砥粒（GC＃3000）を
供給しながら定盤１を回転させる。
このようなラツピングにより、第２図ａに示す
ように、比較的平面度の良い基板４が得られる
が、この後ダイヤモンドペーストによりラツピン
グされた面４ａに鏡面仕上げを行なうと、第２図
ｂに示すように、基板４に反りが生じてしまう。
例えば、２インチ径で厚さ0.6mmのPZT基板４の
場合、ラツピング終了段階で平面度δが２μ以内
であつたのに対し、鏡面仕上げ後はδ＝９〜10μ
となるような反りが生じた。
ように、比較的平面度の良い基板４が得られる
が、この後ダイヤモンドペーストによりラツピン
グされた面４ａに鏡面仕上げを行なうと、第２図
ｂに示すように、基板４に反りが生じてしまう。
例えば、２インチ径で厚さ0.6mmのPZT基板４の
場合、ラツピング終了段階で平面度δが２μ以内
であつたのに対し、鏡面仕上げ後はδ＝９〜10μ
となるような反りが生じた。
第３図は本発明による研磨方法の中のラツピン
グ加工を説明するための断面図である。
グ加工を説明するための断面図である。
本発明では、定盤１、キヤリア２及び修正リン
グ３等に特に変更は無いが、キヤリア２及び修正
リング３により定盤１上にセツトされた円形の基
板４に対し、ゴム等の弾性を有するリング状のス
ペーサ６を介しておもり５による荷重をかけるよ
うにしている。
グ３等に特に変更は無いが、キヤリア２及び修正
リング３により定盤１上にセツトされた円形の基
板４に対し、ゴム等の弾性を有するリング状のス
ペーサ６を介しておもり５による荷重をかけるよ
うにしている。
このようにセツトしてラツピングを行なうと基
板４は、リング状スペーサ６による被荷重部分と
無荷重部分の応力の差にもとずいて第４図ａに示
すように、ラツピングされた面４ａ側が凸になる
ような反りが生ずる。
板４は、リング状スペーサ６による被荷重部分と
無荷重部分の応力の差にもとずいて第４図ａに示
すように、ラツピングされた面４ａ側が凸になる
ような反りが生ずる。
ところが、このような反りが生じた基板４に対
してその凸面４ａ側にダイヤモンドペーストによ
り鏡面仕上げを施すと、これによつて生ずる第２
図ｂのような凹状の変形分と凸状の反り分とが相
殺され、第４図ｂに示すように、平面度の極めて
良好な基板４を得ることができた。
してその凸面４ａ側にダイヤモンドペーストによ
り鏡面仕上げを施すと、これによつて生ずる第２
図ｂのような凹状の変形分と凸状の反り分とが相
殺され、第４図ｂに示すように、平面度の極めて
良好な基板４を得ることができた。
その一例として、２インチ径で厚さ0.6mmの
PZT基板４に対し、スペーサ６として外径50mm、
内径38mm、厚さ５mmのシリコーンゴムを用い、25
ｇ／cm2の荷重をかけて15分間ラツピングを行なつ
たところ、平面度δが８〜10μとなるような反り
が生じたが、更に凸状になつたラツピング面に鏡
面仕上げを行なつた結果δ＝２μ以下となるよう
な良好な平面度の基板が得られた。
PZT基板４に対し、スペーサ６として外径50mm、
内径38mm、厚さ５mmのシリコーンゴムを用い、25
ｇ／cm2の荷重をかけて15分間ラツピングを行なつ
たところ、平面度δが８〜10μとなるような反り
が生じたが、更に凸状になつたラツピング面に鏡
面仕上げを行なつた結果δ＝２μ以下となるよう
な良好な平面度の基板が得られた。
更に、同様な条件下で２インチ径の単結晶
LiNbO3基板４の厚さが0.8mmの場合、従来方法で
は鏡面仕上げ後の平面度δが４〜５μであるのに
対し1.5μ以下にすることができ、厚さ0.5mmの場
合でも従来方法では平面度δが10μ以上であるの
に対し２μ以下にすることができた。
LiNbO3基板４の厚さが0.8mmの場合、従来方法で
は鏡面仕上げ後の平面度δが４〜５μであるのに
対し1.5μ以下にすることができ、厚さ0.5mmの場
合でも従来方法では平面度δが10μ以上であるの
に対し２μ以下にすることができた。
以上のことから理解できるように、本発明によ
れば簡単な方法でセラミツクあるいは結晶基板を
極めて良好な平面度に仕上げて提供することがで
き、以後の素子加工工程での歩留りを向上させる
ことができる。
れば簡単な方法でセラミツクあるいは結晶基板を
極めて良好な平面度に仕上げて提供することがで
き、以後の素子加工工程での歩留りを向上させる
ことができる。
なお、ラツピング工程による凸状の反り量は、
おもりによる荷重、加工時間、リング状スペーサ
の内径を変えることで任意に調整することがで
き、あらかじめ鏡面仕上げ時に生ずる反り量を相
殺するように設定される。また、セラミツクある
いは結晶基板材料としては、前述したものに限ら
ず、例えば磁気バブルメモリ用基板として用いら
れるガドリウム・ガリウム・ガーネツト
（GGG）や光変調に用いられるモリブデン酸鉛等
があり、この他種々の基板にも適用可能である
し、スペーサの形状を変えれば円形基板に限らず
方形基板等にも適用することができる。
おもりによる荷重、加工時間、リング状スペーサ
の内径を変えることで任意に調整することがで
き、あらかじめ鏡面仕上げ時に生ずる反り量を相
殺するように設定される。また、セラミツクある
いは結晶基板材料としては、前述したものに限ら
ず、例えば磁気バブルメモリ用基板として用いら
れるガドリウム・ガリウム・ガーネツト
（GGG）や光変調に用いられるモリブデン酸鉛等
があり、この他種々の基板にも適用可能である
し、スペーサの形状を変えれば円形基板に限らず
方形基板等にも適用することができる。
第１図は従来の研磨方法を示す断面図、第２図
ａ，ｂはそれぞれ、従来の研磨方法による鏡面仕
上げ前後の基板の断面図、第３図は本発明の研磨
方法を示す断面図、第４図ａ，ｂはそれぞれ、本
発明による鏡面仕上げ前後の基板の断面図。 図中、１は定盤、２はキヤリア、３は修正リン
グ、４は基板、５はおもり、６はスペーサ。
ａ，ｂはそれぞれ、従来の研磨方法による鏡面仕
上げ前後の基板の断面図、第３図は本発明の研磨
方法を示す断面図、第４図ａ，ｂはそれぞれ、本
発明による鏡面仕上げ前後の基板の断面図。 図中、１は定盤、２はキヤリア、３は修正リン
グ、４は基板、５はおもり、６はスペーサ。
Claims (1)
- １ 両面を粗研磨されたセラミツクあるいは結晶
基板に、該基板に対応したリング状スペーサを介
して荷重をかけてラツピングを行なつた後、該ラ
ツピング面側に鏡面仕上げを施すようにしたこと
を特徴とするセラミツクあるいは結晶基板の研磨
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8205579A JPS569161A (en) | 1979-06-30 | 1979-06-30 | Grinding method for ceramic or crystallized substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8205579A JPS569161A (en) | 1979-06-30 | 1979-06-30 | Grinding method for ceramic or crystallized substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS569161A JPS569161A (en) | 1981-01-30 |
| JPS6240141B2 true JPS6240141B2 (ja) | 1987-08-26 |
Family
ID=13763820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8205579A Granted JPS569161A (en) | 1979-06-30 | 1979-06-30 | Grinding method for ceramic or crystallized substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS569161A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62106752U (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-08 | ||
| JP2000084838A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-28 | Nec Kansai Ltd | 研磨装置及び研磨方法 |
-
1979
- 1979-06-30 JP JP8205579A patent/JPS569161A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS569161A (en) | 1981-01-30 |
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