JPS60101933A - 半導体スライス研削方法 - Google Patents
半導体スライス研削方法Info
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- JPS60101933A JPS60101933A JP20863883A JP20863883A JPS60101933A JP S60101933 A JPS60101933 A JP S60101933A JP 20863883 A JP20863883 A JP 20863883A JP 20863883 A JP20863883 A JP 20863883A JP S60101933 A JPS60101933 A JP S60101933A
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- Japan
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- slice
- wafer
- semiconductor
- projections
- grinding
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置製造工程に用いられる半導体スラ
イスの半導体形成面の裏面全研削する半導体スライス研
削方法および装置に関するものである。
イスの半導体形成面の裏面全研削する半導体スライス研
削方法および装置に関するものである。
従来この種の装置は、半導体スライス（以下ウェハーと
呼ぶ）の半導体装置形成面（以下表面と呼ぶ）を真空吸
着装置や保持治具等で固足し裏面を研Ｓ＋Ｊ′Ｔる方法
を採用していたため、ウェノ・−の表面に傷が発生する
ことを防ぐために表面保護用の薄膜全塗布する方法や、
軟質の薄板金ウェノ・−表面に接着する方法を採用する
ことが一般的であったが、突起物を有するウェハーの裏
面の研削の場合には、研削後のウェハーの厚さが突起物
の存在する部位だけ薄くなるという現象が生じ、また軟
質の薄板をウェハー表面に接着する方法を採用した場合
、研削途中に軟質の薄板が剥離すると、ウェハー表面に
ゴミが付着して半導体装置を破壊し、さらにウェハーが
割れる現象が発生ツーるといった種々の欠点があった。
呼ぶ）の半導体装置形成面（以下表面と呼ぶ）を真空吸
着装置や保持治具等で固足し裏面を研Ｓ＋Ｊ′Ｔる方法
を採用していたため、ウェノ・−の表面に傷が発生する
ことを防ぐために表面保護用の薄膜全塗布する方法や、
軟質の薄板金ウェノ・−表面に接着する方法を採用する
ことが一般的であったが、突起物を有するウェハーの裏
面の研削の場合には、研削後のウェハーの厚さが突起物
の存在する部位だけ薄くなるという現象が生じ、また軟
質の薄板をウェハー表面に接着する方法を採用した場合
、研削途中に軟質の薄板が剥離すると、ウェハー表面に
ゴミが付着して半導体装置を破壊し、さらにウェハーが
割れる現象が発生ツーるといった種々の欠点があった。
本発明は、上記の欠点を除去するため、ウェノ・−表面
に規則的配列で形成された突起物以外の部位で表面に接
するべく刻まれた溝を有する薄板を当該ウェハーの表面
上に規則的配列で形成された突起物以外の部位で接する
ように配置せしめ、つエバーの表面全保護し、ウェハー
の裏面全研削する研削方法全特赦とする。韮た不発明は
上記の研削方法において、当該半導体スライスの半導体
装置形成面を保護する半纏体スライス研削保護共をも特
徴とする。また上記の研削方法全採用し、かつ上記の半
導体スライス研削保護具を、当該半導体スライスの半導
体装置形成面上の突起物以外の部位で接触せしめる事が
可能な研削保護具を半導体スライスの半導体装置形成面
上に配置する機能全具備する研削装置上も特徴とする。
に規則的配列で形成された突起物以外の部位で表面に接
するべく刻まれた溝を有する薄板を当該ウェハーの表面
上に規則的配列で形成された突起物以外の部位で接する
ように配置せしめ、つエバーの表面全保護し、ウェハー
の裏面全研削する研削方法全特赦とする。韮た不発明は
上記の研削方法において、当該半導体スライスの半導体
装置形成面を保護する半纏体スライス研削保護共をも特
徴とする。また上記の研削方法全採用し、かつ上記の半
導体スライス研削保護具を、当該半導体スライスの半導
体装置形成面上の突起物以外の部位で接触せしめる事が
可能な研削保護具を半導体スライスの半導体装置形成面
上に配置する機能全具備する研削装置上も特徴とする。
以下図面に従って詳細に説明する。
第１図、第２図は従来の半導体スライス研削方法及び半
導体スライス研削装置に採用されている表面保護方法で
、第１図のウェハー１には規則的配列で形成された突起
物２と、表面保獲用薄膜３があり、定盤４の上に図のよ
うに配置されて裏面を研削するものである。したがって
突起物２のために研削中ウェハー１がたわみ、裏面の研
ｊ１１」後の仕上９面が凹凸になり、また突起物２への
応力集中が大きいため、ウェハー１に突起物２周辺から
亀裂が入るという現象が生じていた。第２図はウェハー
１ｖｃ軟質の薄板５を接着し１表間を保護し裏面を研削
する方法で、研削中に薄板５がウェハーから剥離し、研
削切粉がウェハー１の表面に付着して半導体装置全破壊
し、また軟質の薄板５のぴびり振動によって研削砥石の
ウェハーに与える研削圧の変化によりウェハーｌ全割る
といった現象全発生せしめた。
導体スライス研削装置に採用されている表面保護方法で
、第１図のウェハー１には規則的配列で形成された突起
物２と、表面保獲用薄膜３があり、定盤４の上に図のよ
うに配置されて裏面を研削するものである。したがって
突起物２のために研削中ウェハー１がたわみ、裏面の研
ｊ１１」後の仕上９面が凹凸になり、また突起物２への
応力集中が大きいため、ウェハー１に突起物２周辺から
亀裂が入るという現象が生じていた。第２図はウェハー
１ｖｃ軟質の薄板５を接着し１表間を保護し裏面を研削
する方法で、研削中に薄板５がウェハーから剥離し、研
削切粉がウェハー１の表面に付着して半導体装置全破壊
し、また軟質の薄板５のぴびり振動によって研削砥石の
ウェハーに与える研削圧の変化によりウェハーｌ全割る
といった現象全発生せしめた。
第３図乃至第５図は不発明の実施例で、第３図はウェハ
ーの表面を保護する保護共６と、当該保護具に規則的配
列でウェハー表面上に形成された突起物以外の部位でウ
ェハー表面に接するべく刻まれた溝７を示している。第
４図は保護共６全ウェハー１上の突起物２と溝７を整合
して配置したことを示す。第５図は、保護具６の上にウ
ェハー１を第４図の如く配置したのち定盤４の上に配設
。
ーの表面を保護する保護共６と、当該保護具に規則的配
列でウェハー表面上に形成された突起物以外の部位でウ
ェハー表面に接するべく刻まれた溝７を示している。第
４図は保護共６全ウェハー１上の突起物２と溝７を整合
して配置したことを示す。第５図は、保護具６の上にウ
ェハー１を第４図の如く配置したのち定盤４の上に配設
。
支持後１す［削用砥石８によってウェハー１の裏面を研
削することを示すものである・ 以上述べた如く不発明にはウェハー上の突起物以外の部
位で保護共とウェハーが接触するために突起物以外の部
位が研削圧によりたわみ、研削仕上り厚が不均一になる
といった現象全防止し、さらに保護具が硬質である為研
削中に保護具がウェハーから剥離しないためウェハーに
直接研削切粉が接触する現象も同時に防止し、半導体装
置の破壊やウェハー自体の亀裂１割れが皆無となり、ひ
いてはウェハーの品質１氏下を防止できる効果ｋｍする
といった種々の利点が発生する。
削することを示すものである・ 以上述べた如く不発明にはウェハー上の突起物以外の部
位で保護共とウェハーが接触するために突起物以外の部
位が研削圧によりたわみ、研削仕上り厚が不均一になる
といった現象全防止し、さらに保護具が硬質である為研
削中に保護具がウェハーから剥離しないためウェハーに
直接研削切粉が接触する現象も同時に防止し、半導体装
置の破壊やウェハー自体の亀裂１割れが皆無となり、ひ
いてはウェハーの品質１氏下を防止できる効果ｋｍする
といった種々の利点が発生する。
以上説明した如く５本発明はウェハー表面に規則的配列
で形成された突起物以外の部位でウェハー表面に接する
べく刻まれた溝を有する薄板金、当該ウェハーの表面に
規則的配列で形成された突起物以外の部位で接するよう
に配置せしめ、ウェハー表面を保役し、裏面全便Ｈｕす
るという方式を採用することにより、突起物が形成され
たウェハーの裏面の研削において従来技術では解決不可
能であった厚さの不均一性や亀裂１割れといった現象を
発生させる要因を取り除いた状態でウェハーの裏面を研
削することが可能な半導体スライス研削装置を提供する
ものである。
で形成された突起物以外の部位でウェハー表面に接する
べく刻まれた溝を有する薄板金、当該ウェハーの表面に
規則的配列で形成された突起物以外の部位で接するよう
に配置せしめ、ウェハー表面を保役し、裏面全便Ｈｕす
るという方式を採用することにより、突起物が形成され
たウェハーの裏面の研削において従来技術では解決不可
能であった厚さの不均一性や亀裂１割れといった現象を
発生させる要因を取り除いた状態でウェハーの裏面を研
削することが可能な半導体スライス研削装置を提供する
ものである。
第１図、第２図は従来の研削方法全示す断面図。
斜視図である。第３図、第４図、第５図はそれぞれ不発
明の実施例金示す平面図、斜視図である。 １・・・・・・ウェハー、２・・・・・・突起物、３・
・・・・・表面保獲用薄膜、■・・・・・定盤、５・・
・・・・軟質の薄板、６・・・・・・保護具、７・・・
・・・溝、８・・・・・・研削用砥石。 第 １ 図 第２ 凹 第３１２１ 第４ 図
明の実施例金示す平面図、斜視図である。 １・・・・・・ウェハー、２・・・・・・突起物、３・
・・・・・表面保獲用薄膜、■・・・・・定盤、５・・
・・・・軟質の薄板、６・・・・・・保護具、７・・・
・・・溝、８・・・・・・研削用砥石。 第 １ 図 第２ 凹 第３１２１ 第４ 図
Claims (1)
- （１） 半纏体スライス上に規則的配列で形成された突
起物以外の部位で半導体装置形成面に接するべく刻まれ
た溝を有する薄板金、当該半導体スライスの半導体装置
形成面上に、規則的配列で形成された突起物以外の部位
で接するように配置せしめて半導体スライスの半導体ｇ
：、置装成面を保設し、被保睦面の裏面全研削する半導
体スライス研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20863883A JPS60101933A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 半導体スライス研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20863883A JPS60101933A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 半導体スライス研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60101933A true JPS60101933A (ja) | 1985-06-06 |
Family
ID=16559549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20863883A Pending JPS60101933A (ja) | 1983-11-07 | 1983-11-07 | 半導体スライス研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60101933A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01222450A (ja) * | 1988-03-01 | 1989-09-05 | Shibayama Kikai Kk | Ｉｃの製造工程における半導体ウエハのチャック方法 |
| EP0985494A2 (en) * | 1998-09-08 | 2000-03-15 | Disco Corporation | Method of grinding semiconductor articles |
-
1983
- 1983-11-07 JP JP20863883A patent/JPS60101933A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01222450A (ja) * | 1988-03-01 | 1989-09-05 | Shibayama Kikai Kk | Ｉｃの製造工程における半導体ウエハのチャック方法 |
| EP0985494A2 (en) * | 1998-09-08 | 2000-03-15 | Disco Corporation | Method of grinding semiconductor articles |
| EP0985494A3 (en) * | 1998-09-08 | 2003-01-22 | Disco Corporation | Method of grinding semiconductor articles |
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