JPH06103819B2 - 表面波デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、通信機器等のフィルタ，遅延線路として採用
される表面波デバイスに関し、特にリップルを低減して
周波数特性を向上できるようにした表面波デバイスの製
造方法に関する。

〔従来の技術〕 一般に、テレビジョン受像機のVIFフィルタとして採用
される表面波デバイスの一例として、第４図に示す構造
のものがある。この表面波デバイス１は、ガラス基板２
の表面に、Al電極膜からなるインターディジタル型の入
力トランスデューサ３を形成し、該入力トランスデュー
サ３と所定の間隔をあけて出力トランスデューサ４を形
成するとともに、上記入，出力トランスデューサ3,4に
それぞれ取出し電極5,6を接続形成して構成されてい
る。

このような表面波デバイス１を製造する場合、従来、上
記ガラス基板２の上面全面に蒸着によりAl膜を形成し、
該Al膜の上面の上記入，出力トランスデューサ3,4及び
取出し電極5,6部分に対応するレジスト膜を形成した後
エッチング処理を施し、このレジスト膜を剥離除去した
後、これの上面全面にスパッタリングによりZnO薄膜を
形成する方法が採用されている。

ところで、上記表面波デバイス１においては、入力トラ
ンスデューサ３で励振される表面波は出力側へ伝播し、
この大部分の表面波は出力トランスデューサ４で取り出
せるが、残りの表面波はガラス基板２の両端面2aや入，
出力トランスデューサ3,4の重み付け電極3a,4aの側端面
等で不要波として反射してくる。この不要波は、通過帯
域内にリップルを生じさせる原因となり、例えばテレビ
ジョン受像機の画質を低下させるという問題点がある。

そこで、従来から上記リップルの発生を防止するため
に、ガラス基板２の上面にシリコムゴムあるいはエポキ
シ系接着剤等からなる吸収剤を塗布したり、上記入，出
力トランスデューサ3,4にスプリット型電極を採用した
りして表面波の反射を抑制するようにしている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上記従来の吸収剤やスプリット型電極を
採用しただけでは、リップルの抑制効果は不十分である
という問題点がある。

本発明の目的は、上記リップルの発生をより確実に抑制
できる表面波デバイスの製造方法を提供することにあ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

そこで、本件発明者らは上記リップルが生じる原因につ
いて種々検討したところ、上記表面波の反射は、基板の
端面や入，出力トランスデューサ及び取出し電極の側端
面等による反射だけでなく、従来着目されていなかった
電極を覆うための、例えばZnOからなる薄膜の表面にお
いても表面波が反射していることを見出した。即ち、上
記表面波デバイスにおいては、ガラス基板の表面に、Al
電極膜の表面を覆うようにZnOを成膜する構造を採用し
ているが、このZnO薄膜の表面には、上記Al電極の厚み
分だけその表面がわずかであるが隆起して凹凸が生じる
こととなり、その結果表面波がZnO膜内を伝搬する際に
上記凹凸部分で反射されるものと考えられる。このこと
から、上記ZnO膜表面を平坦状にしてやればリップルの
発生を低減できることに想到し、本発明を成したもので
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

そこで本発明は、基板の表面に入，出力トランスデュー
サ電極膜を形成した後、これの表面にスパッタリングに
より薄膜を形成するようにした表面波デバイスの製造方
法において、上記薄膜の形成工程の後に、該薄膜の表面
を滑らかにするための研磨工程を付加したことを特徴と
している。

ここで、薄膜の形成においては、スパッタリングの不均
一性等によって凹凸が生じることが考えられるが、本発
明方法では、このような電極膜の厚みに起因する以外の
原因により生じた凹凸についても、これを研磨等によっ
て除去するものである。

〔作用〕 本発明に係る表面波デバイスの製造方法によれば、基板
上に電極膜を覆うように薄膜を形成した後、該表面を鏡
面状の滑らかにしたので、電極膜の厚みに起因する凹凸
及びその他の何らかの原因による凹凸が除去され、膜表
面を平坦状にすることができ、それだけ表面波の反射を
回避できる。その結果リップルの発生を低減でき、周波
数特性を向上できる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図について説明する。

第１図は本発明の一実施例による表面波デバイスの製造
方法を説明するためのものであり、図中、第４図と同一
符号は同一又は相当部分を示す。

以下、本実施例のスプリット型表面波デバイス１の製造
方法を順次説明する。

まず、ガラス基板２の上面全面に蒸着によりAl膜を
形成し、これの上面にレジスト膜７を形成した後エッチ
ングすることにより入，出力トランスデューサ3,4及び
引き出し電極5,6を形成する。

次に、上記ガラス基板２の上面に、各電極３〜６を
覆うようにスパッタリングによりZnO膜９を形成する
（第１図(b)）。この場合、上記ZnO膜９の表面には、上
記各電極３〜６の厚みによる隆起部10が形成されること
となる。

そして、上記ZnO膜９の表面を、例えばポリッシン
グマシンにより研磨液を供給しながら鏡面研磨する。こ
れにより上記隆起部10が削り取られ、表面が滑らかな表
面波デバイス１が製造されることとなる（第１図
(c)）。

このように本実施例の表面波デバイス１の製造方法によ
れば、ガラス基板２の入，出力トランスデューサ3,4及
び取出し電極5,6の上面にZnO膜９を形成した後、該ZnO
膜９表面を鏡面研磨して滑らかな平坦状にしたので、Zn
O膜９内を伝播する表面波の、膜表面からの反射を回避
でき、その結果リップルの発生を低減でき、また隣接ト
ラップも向上できる。

なお、上記実施例では、ガラス基板,Al電極,ZnO膜から
構成された表面波デバイスを例にとって説明したが、本
発明は勿論これ以外の材質のものからなる表面波デバイ
スにも採用できる。また、上述の凹凸は、必ずしも電極
に起因するものに限定されるものではなく、例えばスパ
ッタリングの不均一性に起因する凹凸も含まれ、このよ
うな場合にもリップル抑制効果が得られる。

次に、本発明方法による効果を確認するために行った実
験について説明する。

実験１ この実験は、上記実施例方法により製造された表面波デ
バイスをテストピースとして15個採用し、それぞれのテ
ストピースの鏡面研磨前，及び鏡面研磨後のリップル値
を測定した。なお、このリップル値は周波数43〜45MHz
でのピーク値を測定した。

第２図はその結果を示す特性図であり、図中、○印は鏡
面研磨前，●印は鏡面研磨後を示す。

同図からも明らかなように、ほとんどの実験サンプルに
おいて、鏡面研磨して表面を滑らかにすると、リップル
が大幅に小さくなることがわかる。例えば、研磨前（○
印）では、0.4dB以上のものが多く存在しているのに対
し、研磨後（●印）においては、ほとんどが0.3dB以下
におさまり、リップル低減効果が得られていることがわ
かる。

実験２ この実験は、上記実施例による表面波デバイスの鏡面研
磨前，及び鏡面研磨後のおけるVIFの隣接トランプ減衰
量の変化を測定した。

第３図はその結果を示す特性図であり、曲線Ａは鏡面研
磨後、曲線Ｂは鏡面研磨前を示す。

同図からも明らかなように、鏡前研磨前Ｂの減衰量は約
50dBとあまり落ちていないのに対して、鏡面研磨後Ａは
70dBまで落ちており、この結果からも隣接トラップの減
衰量の向上が得られていることがわかる。

〔発明の効果〕

以上のように本発明に係る表面はデバイスの製造方法に
よれば、基板上に電極膜を覆うように薄膜を形成した
後、これの表面を研磨することにより該表面の凹凸をな
くして滑らかにしたので、リップルを低減でき、周波数
特性を向上できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図(a)ないし第１図(c)は本発明の一実施例による表
面波デバイスの製造方法を説明するための工程図、第２
図及び第３図はそれぞれ本発明の効果を確認するために
行った実験結果を示す特性図、第４図は一般的な表面波
デバイスを示す平面図である。 図において、１は表面波デバイス、２はガラス基板（基
板）、3,4は入力，出力トランスデューサ電極、９はZnO
薄膜（薄膜）である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板の表面に入，出力トランスデューサ電
   極膜を形成した後、該基板の表面にトランスデューサ電
   極膜を覆うようにスパッタリングにより薄膜を形成する
   ようにした表面波デバイスの製造方法において、上記薄
   膜の形成工程の後に、該薄膜表面を滑らかにするための
   研磨工程を付加したことを特徴とする表面波デバイスの
   製造方法。