WO2024019142A1 - 弾性波装置、通信装置、および製造方法 - Google Patents

Abstract

ＩＤＴ電極が微細なため、マイグレーションに対する耐電力性を向上する必要がある。圧電体層と、圧電体層の上に設けられた電極と、電極の側面の少なくとも一部を覆い、酸素および窒素以外の圧電体層を構成する元素を含むカバー部と、を有する。

Description

弾性波装置、通信装置、および製造方法

　本開示は弾性波装置に関する。

　弾性波装置では、圧電基板上に、ＩＤＴ電極をアルミニウム膜によって形成している。

日本国特開２００３－０７８３８４号公報

　本開示の一態様によれば、圧電体層と、前記圧電体層の上に設けられた電極と、前記電極の側面の少なくとも一部を覆うカバー部と、を有し、前記カバー部は、前記圧電体層を構成する酸素および窒素以外の元素を含む。

　本開示の別の態様によれば、圧電体層を形成するステップと、前記圧電体層の上に設けられた電極を形成するステップと、前記圧電体層と前記電極とをドライエッチングするステップと、を含む。

実施形態１に係る弾性波装置の断面構造を示す模式図である。 比較例と実施形態１とに係る弾性波装置を並べて比較した図である。 図１に記載の弾性波装置に対して、保護膜を形成した図である。 実施形態１に係る弾性波装置の断面構造を示す一例である。 図４の一部を拡大した写真である。 図５における特定の線分上のタンタルの組成量を示すグラフである。 ドライエッチングをした場合としていない場合での、耐電力を比較した結果である。 実施形態２に係る弾性波装置の断面構造を示す模式図である。 実施形態３における通信装置の概略的な構成を例示する図である。 弾性波装置の断面構造を示す模式図である。

　ＩＤＴ電極が微細なため、エレクトロマイグレーションによる耐電力性が小さいという課題があった。また、エレクトロマイグレーションによる耐電力性を向上させるために、ＩＤＴ電極の側面を覆うカバー部を形成する工程を追加する場合、製造プロセスに複数の工程を追加する必要があり、製造コストが上昇するという課題があった。

　〔実施形態１〕
　（板波）
　弾性波装置は、例えば、板波を励振する。または、弾性波装置は、バルク波を励振してもよい。板波は、その振動面が板表面に対して垂直であるラム波と、その振動面が板表面に対して平行であるＳＨ波と、に分類される。ラム波は、対称モードであるＳモードと、反対称モードであるＡモードと、に分類される。Ａ１モードは、１次の反対称モードに該当する。本実施形態では、Ａ１モードラム波を用いた弾性波装置に関して記載するが、これに限定されない。例えば、厚み滑りモードのバルク波を用いた弾性波装置であってもよい。板波は、種々の波の中で、後述する圧電体層３の厚みが変化する場合、共振特性の変化が大きい。バルク波もまた、後述する圧電体層３の厚みが変化する場合、共振特性の変化が大きい。

　弾性波装置の断面構造の一例に関して説明する。図９は、弾性波装置１００の断面構造を示す模式図である。弾性波装置１００は、支持基板２と、多層膜６と、圧電体層３と、電極４と、をこの順に重畳して構成される。

　支持基板２は、圧電体層３および電極４を支持する基板である。支持基板２はシリコンによって構成されてもよいし、サファイア、またはガラス等の種々の材料が用いられてもよい。

　多層膜６は、低音響インピーダンス層６ａおよび高音響インピーダンス層６ｂが多数交互に積層された、音響反射膜である。図９においては、低音響インピーダンス層６ａおよび高音響インピーダンス層６ｂが４層ずつ交互に積層されている。すなわち、多層膜６は、弾性波装置１００の上方から伝播してきたラム波を、低音響インピーダンス層６ａおよび高音響インピーダンス層６ｂの界面で反射することになる。また、低音響インピーダンス層６ａは、ＳｉＯ２を含んでいてもよい。高音響インピーダンス層６ｂは、ＨｆＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、およびＺｒＯ_２の少なくとも１つを含んでいてもよく、例えばＨｆＯ_２である。多層膜６はなくてもよい。

　圧電体層３は、比較的薄く形成されている。圧電体層３の厚みＷは、後述する電極４のピッチによって定まる、電極４が励振する板波の１波長以下であってもよい。圧電体層３としては、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、または水晶である。また、圧電体層３は、これらに限定されず種々の圧電材料が用いられてもよい。以降の説明では、圧電体層３は、タンタル酸リチウムとして説明する。

　電極４は、櫛歯状のＩＤＴ（interdigital transducer）電極、すなわち多数の電極指が形成されている。また、電極４が形成されていない部分においては、圧電体層３が露出している。ＩＤＴ電極のピッチによって、圧電体層３が励振する板波の波長は決定される。電極４は、アルミニウム、銅、またはこれらを用いた合金である。

　また、圧電体層３は、電極４に交流が印加されることによって、圧電体層３に板波が励振するように構成されてもいる。

　（比較例の構成）
　比較例に係る弾性波装置１００では、図９に示すように、圧電体層３の表面と、圧電体層３および電極４の界面と、はほぼ一致する。すなわち、圧電体層３の上に、電極４が形成され、その後、エッチング等は行われていない。

　（周波数特性の調整方法の概要）
　比較例の弾性波装置１００では、支持基板２の位置に応じて、圧電体層３および／または電極４の厚みが異なっている。支持基板２は、例えばシリコンウエハである。そのため、弾性波装置１００は、支持基板２の位置に応じて周波数特性が異なってくる。

　弾性波装置１００の周波数特性を調整するために、圧電体層３および電極４の厚みをエッチングなどによって削って調整することができる。

　（弾性波装置１の概要）
　実施形態１に係る弾性波装置１では、事前に計測した厚みを基にして、各弾性波装置の素子ごと、または素子の部分ごとに、異なる厚みでドライエッチングする。図１は、実施形態１に係る弾性波装置１の断面構造を示す模式図である。また、図２は、比較例と実施形態１とに係る弾性波装置１００および１を並べて比較した図である。

　図２に示すように、弾性波装置１では、圧電体層３と電極４が、弾性波装置１００よりも薄くなっている。そのため、当該弾性波装置１は、所望の周波数特性が得られるように調整されて、周波数特性が改善している。また、図３は、実施形態１に係る弾性波装置１の断面構造を示す一例である。図３では、撮像方法として、ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）を用いた。

　特に、圧電体層３の表面と、電極４が位置した圧電体層３と電極４との界面とでは、圧電体層３の表面が露出した領域の方が薄く、その厚みの差は、５０ｎｍ以下である。すなわち、圧電体層３における電極４の領域の厚みは、圧電体層３におけるその表面が露出した領域の厚みより、大きくなっており、電極４の領域の厚みと、圧電体層３の表面が露出した領域の厚みと、の差は５０ｎｍ以下である。

　また、図２に示すように、ドライエッチングによって電極４の端部のエッジが削れ、符号４３において、ベベリングされたことがわかる。これにより、電極４の振動によるストレスマイグレーションを低減するという効果が得られる。

　（カバー部５の形成）
　また、弾性波装置１は、電極４の側面の少なくとも一部を覆うカバー部５が形成されている。このカバー部５は、弾性波装置１００には存在しない部分である。ここで、支持基板２は、圧電体層３、電極４およびカバー部５を支持する。

　カバー部５における、最も厚い部分の厚みは、３ｎｍ以上である。また、カバー部５は、第１部分５１と、第１部分５１より電極４の上方側に位置しており、第１部分より薄い第２部分と、を有する。すなわち、カバー部５は一様な厚さを有するのではなく、第１部分５１と第２部分５２とでは、カバー部５は異なる厚みである。また、電極４の上方側に行くほど薄くなってもよい。

　また、電極４の側面は、圧電体層３の表面に対して非垂直の、第１面４１を有する。当該第１面は、電極４の上方側に位置する。第１面にも、カバー部５は接している。

　さらに、電極４の側面は、圧電体層３の表面の近傍に、第１面４１よりも、圧電体層３の表面に対して垂直に近い、第２面４２を有する。第１面と第２面とは連続している。当該第２面４２にも、カバー部は接している。

　ここで、第１面４１に第２部分５２が含まれており、第２面４２に第１部分５１が含まれる。すなわち、圧電体層３の表面に対して垂直な方向と第２面４２とがなす角度は、圧電体層３の表面に対して垂直な方向と第１面４１とがなす角度よりも小さい。そのため、第２面４２は、カバー部５の厚みが大きくなり易い。

　第１面４１が、圧電体層３の表面に対して傾斜していることによって、電極４とカバー部５との接触面積は増加している。これにより、電極４の表面におけるヒロック（突出部）の形成を低減することができ、エレクトロマイグレーションに対する耐電力性を向上させる効果が得られる。また、第２面４２は、圧電体層３の表面に対して垂直に近いため、カバー部５の堆積量が大きくなる。そのため、圧電体層３および電極４を覆う保護膜を作成した場合、第２面４２の近傍における保護膜の被覆性が良くなり、電蝕を低減する効果が得られる。

　図３は、図１に記載の弾性波装置１に対して、保護膜７を形成した図である。保護膜７は、圧電体層３、および電極４の少なくとも一部を覆う。具体的には、保護膜７は、第１部分５１を介して、電極４の下方側、すなわち電極４における、圧電体層３に近い部分を覆う。保護膜７は、ＳｉＯ_２，ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＮ、ＺｒＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、およびＨｆＯ_２等の種々の材料が考えられ、例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＡｌＮ、Ｔａ_２Ｏ_５等である。

　（カバー部５の組成）
　図３に示すようにＳＥＭ画像において、圧電体層３とカバー部５との組成が類似している可能性が高い。これは、ドライエッチングによって削られた部分がリデポジションしたと考えられる。すなわち、カバー部５によって電極４がカバレッジされたと考えられる。

　次に、カバー部５の組成を詳細に分析するために、図３の写真の一部（符号８）を拡大したものが図４である。また、図４における符号９に示す線分上のタンタルの組成量を測定したものが図５である。

　図５の下側に示すように、６０ｎｍから８０ｎｍの間において、タンタルの構成量において計測値が大きくなっている。すなわち、カバー部５の当該区間において、タンタル元素が含まれることがわかる。実際に、当該区間と、それに対応した図５の上側において、濃淡が変化し、組成が変化しているであろうことから、タンタル元素を計測していると考えられる。

　圧電体層３の組成によって、電極４はカバレッジしたと考えられる。圧電体層３がタンタル酸リチウムであるとき、カバー部５を構成する元素としては、リチウムまたはタンタルを含んでもよい。圧電体層３がニオブ酸リチウムであるとき、カバー部５を構成する元素としては、リチウムまたはニオブを含んでもよい。圧電体層３が水晶であるとき、カバー部５を構成する元素としては、シリコンを含んでもよい。圧電体層３が、その他の圧電材料であるとき、カバー部５は、当該圧電材料が含む種々の元素を含んでもよい。種々の元素は、例えば金属元素である。すなわち、カバー部５は、酸素および窒素以外の圧電体層３を構成する元素を含む。本記載は、カバー部５が、圧電体層３を構成する元素のうち酸素および窒素とは別の元素を含んでいれば十分であり、カバー部５が酸素および窒素を含むことを否定するものではない。

　また、圧電体層３がタンタル酸リチウムであるとき、カバー部５はタンタル酸リチウムつまり酸化タンタルであってもよい。圧電体層３がニオブ酸リチウムであるとき、カバー部５はニオブ酸リチウムつまり酸化ニオブであってもよい。

　（耐電力の向上）
　図６は、ドライエッチングをした場合としていない場合での、耐電力を比較した結果である。すなわち、ドライエッチングをした場合は弾性波装置１を試験した場合であり、ドライエッチングをしていない場合は弾性波装置１００を試験した場合である。また、試験は弾性波装置１または１００の素子の破壊電力の測定と、電極４においてエレクトロマイグレーションが起こり始めるマイグレーション電力の測定の２種類で行った。

　図６に示すように、ドライエッチングを行うことで、破壊電力およびマイグレーション電力は大きくなっている。すなわち、ドライエッチングによって、耐電力が向上していることがわかる。

　これは、カバー部５が電極４をカバレッジした効果だと考えられる。すなわち、電極４を構成するアルミニウムよりも高密度な元素である、タンタルまたはニオブなどによって電極４がカバレッジされることで、エレクトロマイグレーションが起き辛くなったためである。

　また、カバー部５によって電極４がカバレッジされることによって、絶縁距離が大きくなってもいる。更に、カバー部５によって電極４がカバレッジされることによって、ヒロックが形成される可能性を低減する。

　また、第１面４１および第２面４２における、圧電体層３に対する傾斜角度の違いによって、カバー部５の堆積量またはカバー部５に接する面積をかせぐことができる。その結果、エレクトロマイグレーションが起こり辛くなる。

　（製造方法）
　弾性波装置１は、次の工程で製造される。まず、支持基板２の上に、圧電体層３を形成する。さらに、圧電体層３の上に、アルミニウム膜を形成し、当該アルミニウム膜をフォトレジストのマスクを用いてエッチングすることによって、電極４を形成する。

　その後、種々の厚みを計測する方法によって、圧電体層３および電極４の厚みを計測する。これは周波数特性を所望の値に合わせ込んだ弾性波装置１を得るために、どの程度エッチングすればよいかを算出するためである。

　計測した厚みから、所望の周波数特性にするためのエッチング量を求め、素子ごとに異なるエッチング量で、圧電体層３および電極４をドライエッチングして、弾性波装置１を得る。ここで、ドライエッチングによって圧電体層３から離脱した材料を電極４の側面の少なくとも一部に付着させることで、カバー部５を形成する。つまり、ドライエッチングすることで、所望の周波数特性にするために圧電体層３の厚みの調整を行うと同時に、耐電力性を向上させるカバー部５を形成することができる。そのため、所望の周波数特性を得る工程なため元から必要な必要最小限の工程であり、製造プロセスに複数の工程を追加する必要がない。

　〔実施形態２〕
　図７は、実施形態２に係る弾性波装置１ａの断面構造を示す模式図である。弾性波装置１ａは、弾性波装置１と異なり、電極４の一部が圧電体層３に埋め込まれている。その上で、実施形態１と同様にドライエッチングされ、その結果としてカバー部５が形成されている。

　そのため、電極４はカバー部５に加えて、埋め込まれている部分において圧電体層３によってカバレッジされている、すなわち、電極４はアルミニウムよりも高密度な元素である、タンタルまたはニオブなどによってカバレッジされている。その結果、電極４はエレクトロマイグレーションが起き辛くなっており、耐電力が向上している。

　〔実施形態３〕
　図８は、実施形態３における通信装置１５１の概略的な構成を例示する図である。通信装置１５１は、本開示の一態様に係る弾性波装置の一適用例であり、電波を利用した無線通信を行う。通信装置１５１は、送信フィルタ１０９としての１つの分波器１０１と、受信フィルタ１１１としての別の１つの分波器１０１とを含んでいてよい。２つの分波器１０１のそれぞれは、本開示の一態様に係る弾性波装置を含んでいてよい。弾性波装置としては、弾性波装置１または弾性波装置１ａであってもよい。このように、通信装置１５１は、本開示の一態様に係る弾性波装置を含んでいてよい。

　通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ－ＩＣ（Radio Frequency-Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げがなされ、送信信号ＴＳへと変換されてよい。変調および周波数の引き上げとは、搬送波周波数を有する高周波信号への変換であってもよい。バンドパスフィルタ１５５は、ＴＳについて、送信用の通過帯以外の不要成分を除去してよい。次いで、不要成分除去後のＴＳは、増幅器１５７によって増幅されて、送信フィルタ１０９に入力されてよい。

　送信フィルタ１０９は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去してよい。送信フィルタ１０９は、アンテナ端子を介して、不要成分除去後のＴＳをアンテナ１５９に出力してよい。アンテナ端子としては、例えば、上述したＴＣｉｎなどであってもよい。アンテナ１５９は、自身に入力された電気信号であるＴＳを、無線信号としての電波に変換し、当該電波を通信装置１５１の外部に送信してよい。

　また、アンテナ１５９は、受信した外部からの電波を、電気信号である受信信号ＲＳに変換し、アンテナ端子を介して当該ＲＳを受信フィルタ１１１に入力してよい。受信フィルタ１１１は、入力されたＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去してよい。受信フィルタ１１１は、不要成分除去後の受信信号ＲＳを増幅器１６１へ出力してよい。出力されたＲＳは、増幅器１６１によって増幅されてよい。バンドパスフィルタ１６３は、増幅後のＲＳについて、受信用の通過帯以外の不要成分を除去してよい。不要成分除去後のＲＳは、ＲＦ－ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされ、受信情報信号ＲＩＳへと変換されてよい。

　ＴＩＳおよびＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）であってよい。例えば、ＴＩＳおよびＲＩＳは、アナログ音声信号であってもよいし、あるいはデジタル化された音声信号であってよい。無線信号の通過帯は、適宜に設定されてよく、公知の各種の規格に準拠してよい。

　〔まとめ〕
　本開示の態様１に係る弾性波装置は、圧電体層と、前記圧電体層の上に設けられた電極と、前記電極の側面の少なくとも一部を覆い、酸素および窒素以外の前記圧電体層を構成する元素を含むカバー部と、を有している。

　上記の構成によれば、カバー部によって電極のエレクトロマイグレーションの恐れを低減することができ、弾性波装置の耐電力が向上する。

　本開示の態様２に係る弾性波装置は、前記態様１において、前記圧電体層が、タンタル酸リチウムを含み、前記元素はリチウムまたはタンタルであってもよい。

　本開示の態様３に係る弾性波装置は、前記態様１において、前記圧電体層が、ニオブ酸リチウムを含み、前記元素はリチウムまたはニオブであってもよい。

　本開示の態様４に係る弾性波装置は、前記態様１において、前記圧電体層が、水晶を含み、前記元素はシリコンであってもよい。

　上記の構成によれば、カバー部は、圧電体層を構成する元素の一部を含む。そのため、ドライエッチングによってリデポジションした圧電体層の構成元素が電極をカバレッジする。

　本開示の態様５に係る弾性波装置は、前記態様１または２において、前記圧電体層が、タンタル酸リチウムであり、前記カバー部は酸化タンタルを含んでもよい。

　本開示の態様６に係る弾性波装置は、前記態様１または３において、前記圧電体層が、ニオブ酸リチウムであり、前記カバー部は酸化ニオブを含んでもよい。

　上記の構成によれば、カバー部は、圧電体層を構成する元素の化合物を含む。そのため、ドライエッチングによってリデポジションした圧電体層に関係した化合物が電極をカバレッジする。

　本開示の態様７に係る弾性波装置は、前記態様１から６のいずれか１つにおいて、前記カバー部の密度は、前記電極の密度より大きくてもよい。

　上記の構成によれば、電極よりも高密度な元素で構成されたカバー部によって、電極がカバレッジされることによって、電極のエレクトロマイグレーションを防ぐことができる。

　本開示の態様８に係る弾性波装置は、前記態様１から７のいずれか１つにおいて、前記カバー部における最も厚い部分の厚みは、３ｎｍ以上であってもよい。

　上記の構成によれば、カバー部を３ｎｍ以上とすることができ、十分なカバー部の厚さで電極をカバレッジすることができる。そのため、弾性波装置の耐電力を向上させることができる。

　本開示の態様９に係る弾性波装置は、前記態様１から８のいずれか１つにおいて、前記カバー部は、第１部分と、前記第１部分より前記電極の上方側に位置しており前記第１部分より薄い第２部分と、を有してもよい。

　上記の構成によれば、カバー部は、圧電体層側に厚くすることができる。

　本開示の態様１０に係る弾性波装置は、前記態様１から９のいずれか１つにおいて、前記圧電体層、および前記電極の少なくとも一部を覆う保護膜を有し、前記保護膜は、第１部分を介して、前記電極における、前記圧電体層に近い部分を覆ってもよい。

　上記の構成によれば、保護膜の電極の下方側近傍における被覆性がよくなり、電蝕を低減する効果が得られる。

　本開示の態様１１に係る弾性波装置は、前記態様１から１０のいずれか１つにおいて、前記電極の側面は、前記圧電体層の表面に対して非垂直の、第１面を有し、前記第１面に前記カバー部が接してもよい。

　上記の構成によれば、電極の側面は、圧電体層の表面に対して非垂直な第１面を有することができる。そのため、電極とカバー部との接触面積を大きくすることができる。

　本開示の態様１２に係る弾性波装置は、前記態様１１において、前記電極の側面は、前記圧電体層の表面の近傍に位置しており、第１面と連続した第２面を更に有し、前記圧電体層の表面に対して垂直な方向と前記第２面とがなす角度は、前記垂直な方向と前記第１面とがなす角度よりも小さく、前記第２面に前記カバー部が接してもよい。

　上記の構成によれば、電極の側面は、圧電体層の表面の近傍に、第１面よりも垂直に近い第２面を有することができる。そのため、第２面において、カバー部の堆積量を大きくすることができる。

　本開示の態様１３に係る弾性波装置は、前記態様１から１２のいずれか１つにおいて、前記圧電体層における前記電極の領域の厚みは、前記圧電体層におけるその表面が露出した領域の厚みより大きくてもよい。

　上記の構成によれば、電極が重なった領域よりも、圧電体層の表面が露出した領域の方が、圧電体層の厚みを薄くすることができる。すなわち、圧電体層も電極とまとめてドライエッチングすることができ、加工が容易である。

　本開示の態様１４に係る弾性波装置は、前記態様１から１３のいずれか１つにおいて、前記電極の領域の厚みと、前記圧電体層の表面が露出した領域の厚みと、の差は、５０ｎｍ以下であってもよい。

　上記の構成によれば、電極が重なった領域の圧電体層の厚みと、圧電体層の表面が露出した領域の圧電体層の厚みの差を５０ｎｍ以下とすることができる。

　本開示の態様１５に係る弾性波装置は、前記態様１から１４のいずれか１つにおいて、前記圧電体層、前記電極、および前記カバー部を支持する支持基板を更に有し、前記電極は電極指であり、前記圧電体層の厚みは、前記電極指のピッチによって定まる１波長以下であり、前記圧電体層は、板波を励振するように構成されてもよい。

　上記の構成によれば、弾性波装置として機能するように弾性波装置を構成することができる。
　本開示の態様１６に係る弾性波装置は、前記態様１から１４のいずれか１つにおいて、波を励振してもよい。
　本開示の態様１７に係る弾性波装置は、前記態様１から１４のいずれか１つにおいて、バルク波を励振してもよい。

　本開示の態様１８に係る通信装置は、前記態様１から１７のいずれか１つに記載の弾性波装置を備えてもよい。

　本開示の態様１９に係る製造方法は、圧電体層を形成するステップと、前記圧電体層の上に電極を形成するステップと、前記圧電体層と前記電極とをドライエッチングし、当該ドライエッチングによって前記圧電体層から離脱した材料を前記電極の側面の少なくとも一部に付着させるステップと、を含む。

　〔付記事項〕
　以上、本開示に係る発明について、諸図面および実施例に基づいて説明してきた。しかし、本開示に係る発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。すなわち、本開示に係る発明は本開示で示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示に係る発明の技術的範囲に含まれる。つまり、当業者であれば本開示に基づき種々の変形または修正を行うことが容易であることに注意されたい。また、これらの変形または修正は本開示の範囲に含まれることに留意されたい。

　１、１００　弾性波装置
　２　支持基板
　３　圧電体層
　４　電極
　５　カバー部
　６　多層膜
　６ａ　低音響インピーダンス層
　６ｂ　高音響インピーダンス層
　７　保護膜
　４１　第１面
　４２　第２面
　５１　第１部分
　５２　第２部分

Claims (19)

1. 　圧電体層と、
   　前記圧電体層の上に設けられた電極と、
   　前記電極の側面の少なくとも一部を覆い、酸素および窒素以外の前記圧電体層を構成する元素を含むカバー部と、を有している、弾性波装置。
2. 　前記圧電体層が、タンタル酸リチウムを含み、前記元素はリチウムまたはタンタルである、請求項１に記載の弾性波装置。
3. 　前記圧電体層が、ニオブ酸リチウムを含み、前記元素はリチウムまたはニオブである、請求項１に記載の弾性波装置。
4. 　前記圧電体層が、水晶を含み、前記元素はシリコンである、請求項１に記載の弾性波装置。
5. 　前記圧電体層が、タンタル酸リチウムであり、前記カバー部は酸化タンタルを含む、請求項１または２に記載の弾性波装置。
6. 　前記圧電体層が、ニオブ酸リチウムであり、前記カバー部は酸化ニオブを含む、請求項１または３に記載の弾性波装置。
7. 　前記カバー部の密度は、前記電極の密度より大きい、請求項１から６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
8. 　前記カバー部における最も厚い部分の厚みは、３ｎｍ以上である、請求項１から７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
9. 　前記カバー部は、第１部分と、前記第１部分より前記電極の上方側に位置しており前記第１部分より薄い第２部分と、を有する、請求項１から８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
10. 　前記圧電体層、および前記電極の少なくとも一部を覆う、保護膜を有し、
    　前記保護膜は、第１部分を介して、前記電極における、前記圧電体層に近い部分を覆う、請求項１から９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
11. 　前記電極の側面は、前記圧電体層の表面に対して非垂直の、第１面を有し、
    　前記第１面に前記カバー部が接している、請求項１から１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
12. 　前記電極の側面は、前記圧電体層の表面の近傍に位置しており、第１面と連続した第２面を更に有し、
    　前記圧電体層の表面に対して垂直な方向と前記第２面とがなす角度は、前記垂直な方向と前記第１面とがなす角度よりも小さく、
    　前記第２面に前記カバー部が接している、請求項１１に記載の弾性波装置。
13. 　前記圧電体層における前記電極の領域の厚みは、前記圧電体層におけるその表面が露出した領域の厚みより大きい、請求項１から１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
14. 　前記電極の領域の厚みと、前記圧電体層の表面が露出した領域の厚みと、の差は、５０ｎｍ以下である、請求項１から１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
15. 　前記圧電体層、前記電極、および前記カバー部を支持する支持基板を更に有し、
    　前記電極は電極指であり、
    　前記圧電体層の厚みは、前記電極指のピッチによって定まる１波長以下であり、
    　前記圧電体層は、板波を励振するように構成された、請求項１から１４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
16. 　波を励振する、請求項１から１４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
17. 　バルク波を励振する、請求項１から１４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
18. 　請求項１から１５のいずれか１項に記載の弾性波装置を備えた、通信装置。
19. 　圧電体層を形成するステップと、
    　前記圧電体層の上に電極を形成するステップと、
    　前記圧電体層と前記電極とをドライエッチングし、当該ドライエッチングによって前記圧電体層から離脱した材料を前記電極の側面の少なくとも一部に付着させるステップと、を含む製造方法。

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