CN113067560A - 一种新型saw滤波器的工艺制造流程 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 36
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 93
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 82
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 39
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 30
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 5
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 36
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000026683 transduction Effects 0.000 description 1
- 238000010361 transduction Methods 0.000 description 1
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
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Abstract
一种新型SAW滤波器的工艺制造流程，通过在晶圆层上表面的粘合层上采用不同的金属材质形成不同厚度的刻蚀线路件，能够有利于形成可控的良好的电路侧壁形貌，避免因同一材质而产生的对较薄层刻蚀线路件的过度刻蚀，从而提高SAW滤波器产品良率和产量。
Description
技术领域
本发明涉及声表面波(SAW)滤波器技术，特别是一种新型SAW滤波器的工艺制造流程，通过在晶圆层上表面的粘合层上采用不同的金属材质形成不同厚度的刻蚀线路件，能够有利于形成可控的良好的电路侧壁形貌，避免因同一材质而产生的对较薄层刻蚀线路件的过度刻蚀，从而提高SAW滤波器产品良率和产量。
背景技术
声表面波(SAW，surface acoustic wave)滤波器是利用压电材料例如钽酸锂、铌酸锂、石英等压电石英晶体振荡器材料的压电效应和声表面波传播的物理特性制成的一种换能式无源带通滤波器。该技术是声学和电子学相结合的一门学科，随着时代的发展，应用领域也从最开始的军用雷达发展到整个无限电通讯被广泛应用于电视机，手机，卫星通讯等设备中。一般认为，SAW滤波器具有性能稳定、尺寸小，Q值高(Q为品质因数)，高频段插损小，带外抑制高等优点，适应了现代通讯设备轻小化，高频化等方面的需求。但是，本发明人在一线生产中发现，SAW滤波器的制造确有其不足之处，例如，制造工艺要求高，产量低，良率低，基材昂贵等。现有的SAW滤波器制造工艺一般采用一层薄铝做IDT再加一层厚铝做PAD这种方式。如图1所示，图1中wafer表示晶圆，PAD表示焊盘，IDT(InterdigitalTransducer)表示叉指换能器。采用一层薄铝做IDT再加一层厚铝做PAD这种方式，在制造的过程中会产生诸多问题，例如，IDT过度刻蚀，薄铝厚铝无法用统一刻蚀工艺流程进行刻蚀、腐蚀，以及去胶难等，从而导致产能低，生产成本高，良率低下等一系列问题。本发明人认为，如果在晶圆层上表面的粘合层上采用不同的金属材质形成不同厚度的刻蚀线路件，则有利于形成可控的良好的电路侧壁形貌，避免因同一材质而产生的对较薄层刻蚀线路件的过度刻蚀，从而提高SAW滤波器产品良率和产量。有鉴于此，本发明人完成了本发明。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足，提供一种新型SAW滤波器的工艺制造流程，通过在晶圆层上表面的粘合层上采用不同的金属材质形成不同厚度的刻蚀线路件，能够有利于形成可控的良好的电路侧壁形貌，避免因同一材质而产生的对较薄层刻蚀线路件的过度刻蚀，从而提高SAW滤波器产品良率和产量。
本发明的技术解决方案如下：
一种新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，包括在晶圆层上表面的粘合层上采用不同的金属材质形成不同厚度的刻蚀线路件。
所述不同厚度的刻蚀线路件用于实现滤波器里的不同线路功能。
所述不同的金属材质包括Au和Al。
Al用于形成厚度较薄的薄铝层刻蚀件，Au用于形成厚度较厚的薄金层刻蚀件。
所述薄铝层刻蚀件为叉指换能器IDT刻蚀线路件，所述薄金层刻蚀件为焊盘PAD刻蚀线路件。
所述粘合层采用Ti。
包括以下步骤：
步骤1，对晶圆表面进行清洗；
步骤2，在晶圆表面溅射金属Ti以形成粘合层，在所述粘合层上溅射金属Al以形成薄铝层；
步骤3，通过光刻技术刻蚀形成薄铝层刻蚀件和所述薄铝层刻蚀件没有覆盖的裸露粘合层；
步骤4，通过涂胶技术涂覆一层光刻胶，所述光刻胶裹住所述薄铝层刻蚀件并覆盖所述裸露粘合层，并通过光刻技术刻蚀形成薄金层刻蚀件窗口；
步骤5，针对所述薄金层刻蚀件窗口溅射金属Au至形成覆盖所述光刻胶表面的薄金层；
步骤6，通过光刻技术刻蚀形成薄金层刻蚀件，并使所述薄金层刻蚀件和所述薄铝层刻蚀件没有覆盖的晶圆表面裸露。
所述工艺制造流程能够提高产品良率和产量，刻蚀后无残留且过程中不生成不挥发的、难以去除的刻蚀副产品和微粒。
所述工艺制造流程能够形成可控的良好的电路侧壁形貌。
所述工艺制造流程所制造出来的SAW滤波器能够使其插损更小和纹波更平。
本发明的技术效果如下：本发明一种新型SAW滤波器的工艺制造流程，关键点在于采用不同材质的金属做不同的线路。和现有的制造工艺相比，本发明具有提高产品良率和产量，刻蚀后无残留且过程中不生成不挥发的、难以去除的刻蚀副产品和微粒，形成可控的良好的电路侧壁形貌。所制造出来的器件插损更小，纹波更平等优点。
本发明提供的是一种新型的工艺：采用薄铝做IDT，薄金做PAD等线路，通过溅射不同材质的金属来制造滤波器里各种不同功能的线路，能够形成可控的良好的电路侧壁形貌，避免因同一材质而产生的对较薄层刻蚀线路件的过度刻蚀，从而提高SAW滤波器产品良率和产量。
附图说明
图1是实施本发明一种新型SAW滤波器的工艺制造流程所涉及的SAW滤波器侧壁结构示意图。SAW(surface acoustic wave)是声表面波或声表面。图1中wafer表示晶圆，PAD表示焊盘，IDT(Interdigital Transducer)表示叉指换能器。现有的SAW滤波器制造工艺一般采用一层薄铝做IDT再加一层厚铝做PAD这种方式。本发明的改进在于在同样SAW滤波器侧壁形貌下用Au做PAD，用Al做IDT，也就是说采用不同材质的金属做不同的线路。
图2是实施本发明一种新型SAW滤波器的工艺制造流程示意图。图2中包括以下步骤：步骤1，对晶圆表面进行清洗；步骤2，在晶圆表面溅射金属Ti以形成粘合层，在所述粘合层上溅射金属Al以形成薄铝层；步骤3，通过光刻技术刻蚀形成薄铝层刻蚀件和所述薄铝层刻蚀件没有覆盖的裸露粘合层；步骤4，通过涂胶技术涂覆一层光刻胶，所述光刻胶裹住所述薄铝层刻蚀件并覆盖所述裸露粘合层，并通过光刻技术刻蚀形成薄金层刻蚀件窗口；步骤5，针对所述薄金层刻蚀件窗口溅射金属Au至形成覆盖所述光刻胶表面的薄金层；步骤6，通过光刻技术刻蚀形成薄金层刻蚀件，并使所述薄金层刻蚀件和所述薄铝层刻蚀件没有覆盖的晶圆表面裸露。
具体实施方式
下面结合附图(图1-图2)和实施例对本发明进行说明。
图1是实施本发明一种新型SAW滤波器的工艺制造流程所涉及的SAW滤波器侧壁结构示意图。图2是实施本发明一种新型SAW滤波器的工艺制造流程示意图。参考图1至图2所示，一种新型SAW(surface acoustic wave，声表面波)滤波器的工艺制造流程，包括在晶圆层上表面的粘合层上采用不同的金属材质形成不同厚度的刻蚀线路件。所述不同厚度的刻蚀线路件用于实现滤波器里的不同线路功能。所述不同的金属材质包括Au(金)和Al(铝)。Al用于形成厚度较薄的薄铝层刻蚀件，Au用于形成厚度较厚的薄金层刻蚀件。所述薄铝层刻蚀件为叉指换能器IDT(Interdigital Transducer)刻蚀线路件，所述薄金层刻蚀件为焊盘PAD刻蚀线路件。所述粘合层采用Ti(钛)。
一种新型SAW滤波器的工艺制造流程，包括以下步骤：步骤1，对晶圆表面进行清洗；步骤2，在晶圆表面溅射金属Ti以形成粘合层，在所述粘合层上溅射金属Al以形成薄铝层；步骤3，通过光刻技术刻蚀形成薄铝层刻蚀件和所述薄铝层刻蚀件没有覆盖的裸露粘合层；步骤4，通过涂胶技术涂覆一层光刻胶，所述光刻胶裹住所述薄铝层刻蚀件并覆盖所述裸露粘合层，并通过光刻技术刻蚀形成薄金层刻蚀件窗口；步骤5，针对所述薄金层刻蚀件窗口溅射金属Au至形成覆盖所述光刻胶表面的薄金层；步骤6，通过光刻技术刻蚀形成薄金层刻蚀件，并使所述薄金层刻蚀件和所述薄铝层刻蚀件没有覆盖的晶圆表面裸露。所述工艺制造流程能够提高产品良率和产量，刻蚀后无残留且过程中不生成不挥发的、难以去除的刻蚀副产品和微粒。所述工艺制造流程能够形成可控的良好的电路侧壁形貌。所述工艺制造流程所制造出来的SAW滤波器能够使其插损更小和纹波更平。采用薄铝做IDT(Interdigital Transducer)，薄金做PAD等线路，通过溅射不同材质的金属来制造滤波器里各种不同功能的线路，能够形成可控的良好的电路侧壁形貌，避免因同一材质而产生的对较薄层刻蚀线路件的过度刻蚀，从而提高SAW(surface acoustic wave，声表面波)滤波器产品良率和产量。
本发明说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。在此指明，以上叙述有助于本领域技术人员理解本发明创造，但并非限制本发明创造的保护范围。任何没有脱离本发明创造实质内容的对以上叙述的等同替换、修饰改进和/或删繁从简而进行的实施，均落入本发明创造的保护范围。
Claims (10)
1.一种新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，包括在晶圆层上表面的粘合层上采用不同的金属材质形成不同厚度的刻蚀线路件。
2.根据权利要求1所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，所述不同厚度的刻蚀线路件用于实现滤波器里的不同线路功能。
3.根据权利要求1所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，所述不同的金属材质包括Au和Al。
4.根据权利要求3所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，Al用于形成厚度较薄的薄铝层刻蚀件，Au用于形成厚度较厚的薄金层刻蚀件。
5.根据权利要求4所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，所述薄铝层刻蚀件为叉指换能器IDT刻蚀线路件，所述薄金层刻蚀件为焊盘PAD刻蚀线路件。
6.根据权利要求1所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，所述粘合层采用Ti。
7.根据权利要求1所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，对晶圆表面进行清洗；
步骤2，在晶圆表面溅射金属Ti以形成粘合层，在所述粘合层上溅射金属Al以形成薄铝层；
步骤3，通过光刻技术刻蚀形成薄铝层刻蚀件和所述薄铝层刻蚀件没有覆盖的裸露粘合层；
步骤4，通过涂胶技术涂覆一层光刻胶，所述光刻胶裹住所述薄铝层刻蚀件并覆盖所述裸露粘合层，并通过光刻技术刻蚀形成薄金层刻蚀件窗口；
步骤5，针对所述薄金层刻蚀件窗口溅射金属Au至形成覆盖所述光刻胶表面的薄金层；
步骤6，通过光刻技术刻蚀形成薄金层刻蚀件，并使所述薄金层刻蚀件和所述薄铝层刻蚀件没有覆盖的晶圆表面裸露。
8.根据权利要求7所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，所述工艺制造流程能够提高产品良率和产量，刻蚀后无残留且过程中不生成不挥发的、难以去除的刻蚀副产品和微粒。
9.根据权利要求7所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，所述工艺制造流程能够形成可控的良好的电路侧壁形貌。
10.根据权利要求7所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，所述工艺制造流程所制造出来的SAW滤波器能够使其插损更小和纹波更平。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110254501.2A CN113067560A (zh) | 2021-03-09 | 2021-03-09 | 一种新型saw滤波器的工艺制造流程 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110254501.2A CN113067560A (zh) | 2021-03-09 | 2021-03-09 | 一种新型saw滤波器的工艺制造流程 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113067560A true CN113067560A (zh) | 2021-07-02 |
Family
ID=76559888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110254501.2A Pending CN113067560A (zh) | 2021-03-09 | 2021-03-09 | 一种新型saw滤波器的工艺制造流程 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113067560A (zh) |
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