JP2022546951A

JP2022546951A - 質量負荷電極を有する弾性表面波デバイス

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Publication number: JP2022546951A
Application number: JP2022512795A
Authority: JP
Inventors: 道雄門田; 秀治田中; 弘幸中村
Original assignee: Skyworks Solutions Inc
Current assignee: Skyworks Solutions Inc
Priority date: 2019-09-16
Filing date: 2020-09-15
Publication date: 2022-11-10
Also published as: US11916533B2; WO2021055324A1; US11356075B2; GB2600887B; TW202118223A; GB202202155D0; US20220385264A1; GB2600887A; US20210083645A1

Abstract

質量負荷電極を有する弾性表面波デバイスである。いくつかの実施形態において、波長λを有する弾性表面波の共振を与える弾性表面波デバイスが、水晶基板と、ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成されて当該水晶基板の上に配置される圧電板とを含み得る。圧電板は２λよりも大きな厚さを有し得る。弾性表面波デバイスはさらに、圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含み得る。インターディジタルトランスデューサ電極は、１．５０ｇ／ｃｍ３＜ρ≦６．００ｇ／ｃｍ３、６．００ｇ／ｃｍ３＜ρ≦１２．０ｇ／ｃｍ３、又は１２．０ｇ／ｃｍ３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ３の範囲にある質量密度ρを有し、それぞれに対応して０．１４８λよりも大きな、０．０７９λよりも大きな、又は０．０３６λよりも大きな厚さを有し得る。

Description

関連出願の相互参照
本願は、２０１９年９月１６日の出願された「質量負荷電極を有する弾性表面波デバイス」との名称の米国仮出願第６２／９０１，２０２号の優先権を主張し、その開示は、全体が参照によりここに明示的に組み込まれる。

本開示は、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスのような弾性波デバイスに関する。

弾性表面波（ＳＡＷ）共振器は典型的に、圧電層の表面に実装されるインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含む。かかる電極は、２つの噛み合いセットの指を含み、かかる構成において、同じセットの２つの隣接指間の距離は、ＩＤＴ電極によりサポートされる弾性表面波の波長λと近似的に同じである。

多くのアプリケーションにおいて、上記ＳＡＷ共振器は、波長λに基づいて無線周波数（ＲＦ）フィルタとして利用することができる。かかるフィルタは、一定数の所望の特徴を与え得る。

いくつかの実装例によれば、本開示は、波長λを有する弾性表面波の共振を与える弾性表面波デバイスに関する。弾性表面波デバイスは、水晶基板と、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて当該水晶基板の上に配置される圧電板とを含む。圧電板は２λよりも大きな厚さを有する。弾性表面波デバイスはさらに、圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含む。インターディジタルトランスデューサ電極は、１．５０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦６．００ｇ／ｃｍ^３、６．００ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦１２．０ｇ／ｃｍ^３、又は１２．０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ^３の範囲にある質量密度ρを有し、それぞれに対応して０．１４８λよりも大きな、０．０７９λよりも大きな、又は０．０３６λよりも大きな厚さを有する。

いくつかの実施形態において、インターディジタルトランスデューサ電極は、近似的に０．５のメタライゼーション比（ＭＲ）を有し得る。ここで、ＭＲ＝Ｆ／（Ｆ＋Ｇ）であり、数量Ｆは電極指の幅であり、数量Ｇは２つの電極指間の間隙寸法である。いくつかの実施形態において、インターディジタルトランスデューサ電極は、質量密度範囲が１．５０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ^３であるアルミニウム、チタン、マグネシウム、銅、ニッケル、銀、モリブデン、金、白金、タングステン、タンタル、ハフニウム、他の金属、複数の金属から形成される合金、又は複数層の構造物を含む。

いくつかの実施形態において、圧電板はＬｉＴａＯ_３（ＬＴ）板としてよい。ＬＴ板は、（０±５°，８０～１５５°，０±５°）、（９０±５°，９０°±５°，０～１８０°）、又はこれらと等価な配向角のオイラー角を有するように構成され得る。

いくつかの実施形態において、圧電板はＬｉＮｂＯ_３（ＬＮ）板としてよい。ＬＴ板は、（０±５°，６０～１６０°，０±５°）、（９０±５°，９０°±５°，０～１８０°）、又はこれらと等価な配向角のオイラー角を有するように構成され得る。

いくつかの実施形態において、水晶基板は、（０±５°，θ，３５°±８°）、（１０°±５°，θ，４２°±８°）、（２０°±５°，θ，５０°±８°）、（０°±５°，θ，０°±５°）、（１０°±５°，θ，０°±５°）、（２０°±５°，θ，０°±５°）、（０°±５°，θ，９０°±５°）、（１０°±５°，θ，９０°±５°），（２０°±５°，θ，９０°±５°），（９０°±５°，９０°±５°，ψ）、又はこれらと等価な配向角のオイラー角を有するように構成され得る。ここで、θ及びψはそれぞれが、０°～１８０°の範囲にある値を有する。

いくつかの実装例において、本開示は、波長λを有する弾性表面波の共振を与える弾性表面波デバイスを製造する方法に関する。方法は、水晶基板を形成すること又は与えることと、実装ａ当該水晶基板の上にＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成される圧電板を、当該水晶基板の上に存在するように実装することとを含み、当該圧電板は２λよりも大きな厚さを有する。方法はさらに、圧電板の上にインターディジタルトランスデューサ電極を形成することを含み、当該インターディジタルトランスデューサ電極は、１．５０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦６．００ｇ／ｃｍ^３、６．００ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦１２．０ｇ／ｃｍ^３、又は１２．０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ^３の範囲にある質量密度ρを有し、それぞれに対応して０．１４８λよりも大きな、０．０７９λよりも大きな、又は０．０３６λよりも大きな厚さを有する。

いくつかの実施形態において、圧電板を実装することは、相対的に厚い圧電板と水晶板とのアセンブリを形成すること又は与えることを含み得る。圧電板を実装することはさらに、相対的に厚い圧電板に対して薄化プロセスを行って、２λよりも大きな厚さを有する圧電板を与えることを含み、当該圧電板は、水晶板に係合する第１表面と、第１表面とは反対側の、当該薄化プロセスから得られる第２表面とを含む。

いくつかの実施形態において、薄化プロセスは研磨プロセスを含み得る。いくつかの実施形態において、圧電板の上にインターディジタルトランスデューサ電極を形成することは、圧電板の第２表面にインターディジタルトランスデューサ電極を形成することを含み得る。いくつかの実施形態において、アセンブリの水晶板は、水晶基板と実質的に同じとしてよい。

いくつかの実施形態において、圧電板を実装することは、相対的に厚い圧電板とハンドリング基板とのアセンブリを形成すること又は与えることを含み得る。圧電板を実装することはさらに、相対的に厚い圧電板に対して薄化プロセスを行って、２λよりも大きな厚さを有する薄化圧電板を与えることを含み、当該薄化圧電板は、薄化プロセスから得られる第１表面と、第１表面とは反対側の、ハンドリング基板に係合する第２表面とを含む。薄化プロセスは、例えば研磨プロセスを含み得る。

いくつかの実施形態において、圧電板を実装することはさらに、水晶板を薄化圧電板の第１表面に取り付けることを含み得る。圧電板を実装することはさらに、ハンドリング基板を除去して薄化圧電板の第２表面を露出させることを含む。ハンドリング基板を除去することは、例えばエッチングプロセスを含み得る。

いくつかの実施形態において、圧電板の上にインターディジタルトランスデューサ電極を形成することは、圧電板の露出第２表面にインターディジタルトランスデューサ電極を形成することを含み得る。いくつかの実施形態において、圧電板の第１表面に取り付けられる水晶板は、水晶基板と実質的に同じとしてよい。

一定数の実装例において、本開示は、信号を受信する入力ノードと、フィルタリングされた信号を与える出力ノードとを含む無線周波数フィルタに関する。無線周波数フィルタはさらに、入力ノードと出力ノードとの間に電気的に存在するように実装される弾性表面波を含む。弾性表面波デバイスは、波長λを有する弾性表面波の共振を与えるように構成され、水晶基板と、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて当該水晶基板の上に配置される圧電板とを含む。圧電板は２λよりも大きな厚さを有する。弾性表面波デバイスはさらに、圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含む。インターディジタルトランスデューサ電極は、１．５０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦６．００ｇ／ｃｍ^３、６．００ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦１２．０ｇ／ｃｍ^３、又は１２．０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ^３の範囲にある質量密度ρを有し、それぞれに対応して０．１４８λよりも大きな、０．０７９λよりも大きな、又は０．０３６λよりも大きな厚さを有する。

一定数の実装例によれば、本開示は、無線－周波数モジュールに関する。複数のコンポーネントを受容するべく構成されるパッケージング基板と、当該パッケージング基板に実装されて信号の送信及び受信の一方又は双方をサポートするべく構成される無線周波数回路とを含む。無線周波数モジュールはさらに、当該信号の少なくともいくつかをフィルタリングするべく構成される無線周波数フィルタを含む。無線周波数フィルタは、波長λを有する弾性表面波の共振を与えるべく構成される弾性表面波デバイスを含み、この弾性表面波デバイスは、水晶基板と、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて当該水晶基板の上に配置される圧電板とを含む。圧電板は２λよりも大きな厚さを有する。弾性表面波デバイスはさらに、圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含む。インターディジタルトランスデューサ電極は、１．５０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦６．００ｇ／ｃｍ^３、６．００ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦１２．０ｇ／ｃｍ^３、又は１２．０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ^３の範囲にある質量密度ρを有し、それぞれに対応して０．１４８λよりも大きな、０．０７９λよりも大きな、又は０．０３６λよりも大きな厚さを有する。

いくつかの教示において、本開示は、送受信器と、アンテナと、当該送受信器と当該アンテナとの間に電気的に実装される無線システムとを含む無線デバイスに関する。無線システムは、無線システムのためにフィルタリング機能を与えるべく構成されるフィルタを含む。フィルタは、波長λを有する弾性表面波の共振を与えるべく構成される弾性表面波デバイスを含み、この弾性表面波デバイスは、水晶基板と、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて当該水晶基板の上に配置される圧電板とを含む。圧電板は２λよりも大きな厚さを有する。弾性表面波デバイスはさらに、圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含む。インターディジタルトランスデューサ電極は、１．５０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦６．００ｇ／ｃｍ^３、６．００ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦１２．０ｇ／ｃｍ^３、又は１２．０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ^３の範囲にある質量密度ρを有し、それぞれに対応して０．１４８λよりも大きな、０．０７９λよりも大きな、又は０．０３６λよりも大きな厚さを有する。

いくつかの実装例によれば、本開示は、波長λを有する弾性表面波の共振を与える弾性表面波デバイスに関する。弾性表面波デバイスは、水晶基板と、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて当該水晶基板の上に配置される圧電板とを含む。圧電板は２λよりも大きな厚さを有する。弾性表面波デバイスはさらに、圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含む。インターディジタルトランスデューサ電極は、質量密度ρ、及び

よりも大きな厚さＴを有する。ここで、数量ＭＲはインターディジタルトランスデューサ電極のメタライゼーション比であり、数量ａは０．１９０９１λ±δ_ａの値を有し、数量ｂは０．１７６５８λ±δ_ｂの値を有し、数量ｃは９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３±δ_ｃの値を有する。

いくつかの実施形態において、インターディジタルトランスデューサ電極のメタライゼーション比（ＭＲ）は、Ｆ／（Ｆ＋Ｇ）として見積もることができる。ここで、数量Ｆは電極指の幅であり、数量Ｇは２つの電極指間の間隙寸法である。いくつかの実施形態において、メタライゼーション比（ＭＲ）は近似的に０．５の値を有し得る。

いくつかの実施形態において、数量δ_ａは、（０．１０）０．１９０９１λ、（０．０９）０．１９０９１λ、（０．０８）０．１９０９１λ、（０．０７）０．１９０９１λ、（０．０６）０．１９０９１λ、（０．０５）０．１９０９１λ、（０．０４）０．１９０９１λ、（０．０３）０．１９０９１λ、（０．０２）０．１９０９１λ、（０．０１）０．１９０９１λ、又は近似的にゼロの値を有し得る。いくつかの実施形態において、数量δ_ｂは、（０．１０）０．１７６５８λ、（０．０９）０．１７６５８λ、（０．０８）０．１７６５８λ、（０．０７）０．１７６５８λ、（０．０６）０．１７６５８λ、（０．０５）０．１７６５８λ、（０．０４）０．１７６５８λ、（０．０３）０．１７６５８λ、（０．０２）０．１７６５８λ、（０．０１）０．１７６５８λ、又は近似的にゼロの値を有し得る。いくつかの実施形態において、数量δ_ｃは、（０．１０）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０９）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０８）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０７）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０６）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０５）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０４）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０３）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０２）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０１）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、又は近似的にゼロの値を有し得る。

いくつかの実施形態において、圧電板はＬｉＴａＯ_３（ＬＴ）板としてよい。いくつかの実施形態において、ＬＴ板は、（０±５°，８０～１５５°，０±５°）、（９０±５°，９０°±５°，０～１８０°）、又はこれらと等価な配向角のオイラー角を有するように構成され得る。

いくつかの教示例において、本開示は、波長λを有する弾性表面波の共振を与える弾性表面波デバイスを製造する方法に関する。方法は、水晶基板を形成すること又は与えることを含む。方法はさらに、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成される圧電板を、水晶基板の上に存在するように実装することを含み、当該圧電板は２λよりも大きな厚さを有する．方法はさらに、インターディジタルトランスデューサ電極を圧電板の上に形成することを含み、当該インターディジタルトランスデューサ電極は、質量密度ρ、及び

よりも大きな厚さＴを有する。数量ＭＲはインターディジタルトランスデューサ電極のメタライゼーション比であり、数量ａは０．１９０９１λ±δ_ａの値を有し、数量ｂは０．１７６５８λ±δ_ｂの値を有し、数量ｃは９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３±δ_ｃの値を有する。

いくつかの実施形態において、圧電板を実装することは、相対的に厚い圧電板と水晶板とのアセンブリを形成すること又は与えることを含み得る。圧電板を実装することはさらに、相対的に厚い圧電板に対して薄化プロセスを行って、２λよりも大きな厚さを有する圧電板を与えることを含み、当該圧電板は、水晶板に係合する第１表面と、第１表面とは反対側の、当該薄化プロセスから得られる第２表面とを含む。薄化プロセスは、例えば研磨プロセスを含み得る。

いくつかの実施形態において、インターディジタルトランスデューサ電極を圧電板の上に形成することは、圧電板の第２表面にインターディジタルトランスデューサ電極を形成することを含み得る。いくつかの実施形態において、アセンブリの水晶板は、水晶基板と実質的に同じとしてよい。

いくつかの実施形態において、圧電板を実装することは、相対的に厚い圧電板とハンドリング基板とのアセンブリを形成すること又は与えることを含み得る。圧電板を実装することはさらに、相対的に厚い圧電板に対して薄化プロセスを行って、２λよりも大きな厚さを有する薄化圧電板を与えることを含み、当該薄化圧電板は、薄化プロセスから得られる第１表面と、第１表面とは反対側の、ハンドリング基板に係合する第２表面とを含む。薄化プロセスは、例えば研磨プロセスを含む。

いくつかの実施形態において、圧電板を実装することはさらに、水晶板を薄化圧電板の第１表面に取り付けることを含み得る。圧電板を実装することはさらに、ハンドリング基板を除去して薄化圧電板の第２表面を露出させることを含む。ハンドリング基板を除去は、例えばエッチングプロセスを含む。

いくつかの実施形態において、インターディジタルトランスデューサ電極を圧電板の上に形成することは、圧電板の露出第２表面にインターディジタルトランスデューサ電極を形成することを含み得る。いくつかの実施形態において、圧電板の第１表面に取り付けられる水晶板は、水晶基板と実質的に同じとしてよい。

いくつかの実装例によれば、本開示は、信号を受信する入力ノードと、フィルタリングされた信号を与える出力ノードとを含む無線周波数フィルタに関する。無線周波数フィルタはさらに、入力ノードと出力ノードとの間に電気的に存在するように実装される弾性表面波デバイスを含む。弾性表面波デバイスは、波長λを有する弾性表面波の共振を与えるように構成され、水晶基板と、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて当該水晶基板の上に配置される圧電板とを含む。圧電板は２λよりも大きな厚さを有する。弾性表面波デバイスはさらに、圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含む。インターディジタルトランスデューサ電極は、質量密度ρ、及び

いくつかの実装例によれば、本開示は、複数のコンポーネントを受容するべく構成されるパッケージング基板と、当該パッケージング基板に実装されて信号の送信及び受信の一方又は双方をサポートするべく構成される無線周波数回路とを含む無線周波数モジュールに関する。無線周波数モジュールはさらに、当該信号の少なくともいくつかをフィルタリングするべく構成される無線周波数フィルタを含む。無線周波数フィルタは、波長λを有する弾性表面波の共振を与えるべく構成される弾性表面波デバイスを含む。弾性表面波デバイスは、水晶基板と、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて当該水晶基板の上に配置される圧電板とを含む。圧電板は２λよりも大きな厚さを有する。弾性表面波デバイスはさらに、圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含む。インターディジタルトランスデューサ電極は、質量密度ρ、及び

いくつかの教示において、本開示は、送受信器と、アンテナと、当該送受信器と当該アンテナとの間に電気的に実装される無線システムとを含む無線デバイスに関する。無線システムは、無線システムのためにフィルタリング機能を与えるべく構成されるフィルタを含む。フィルタは、波長λを有する弾性表面波の共振を与えるべく構成される弾性表面波デバイスを含む。弾性表面波デバイスは、水晶基板と、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて当該水晶基板の上に配置される圧電板とを含む。圧電板は２λよりも大きな厚さを有する。弾性表面波デバイスはさらに、圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含む。インターディジタルトランスデューサ電極は、質量密度ρ、及び

本開示をまとめることを目的として、本発明の所定の側面、利点、及び新規な特徴がここに記載されてきた。かかる利点の必ずしもすべてが、本発明のいずれかの特定の実施形態に従って達成されるわけではないことを理解すべきである。すなわち、本発明は、ここに教示又は示唆され得る他の利点を必ずしも達成することなく、ここに教示される一つの利点又は複数の利点の一群を達成又は最適化する態様で具体化し又は実施することができる。

圧電材料上に実装されるトランスデューサを含む弾性表面波デバイスを描く。トランスデューサを介して圧電材料に電磁（ＥＭ）エネルギーが適用されると、そのＥＭエネルギーの一部又はすべてが、弾性表面波としてトランスデューサから伝搬する音響エネルギーに変換される。圧電材料によりサポートされる弾性表面波に関連付けられる音響エネルギーの一部又はすべてが、トランスデューサを介してＥＭエネルギーに変換されるように、図１の弾性表面波デバイスが逆にも機能し得ることを示す。いくつかの実施形態において、弾性表面波デバイスが、図１及び図２のトランスデューサ機能の一部又はすべてを与えるべく構成された適合電極を含み得ることを示す。厚さＴを有する圧電層の表面に、適合電極がインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）として実装される弾性表面波デバイスの一例を示す。弾性表面波（ＳＡＷ）共振器として実装されるＳＡＷデバイスの一例を示す。図５のＳＡＷ共振器のＩＤＴ電極の、拡大かつ分離された平面図を示す。図６に標識される断面図を示す。図８Ａ～８Ｃは、薄いＬｉＴａＯ_３（ＬＴ）板のような薄い圧電板を取得するべく利用され得る薄化プロセスの一例を示す。図９Ａ～９Ｅは、薄いＬｉＴａＯ_３（ＬＴ）板のような薄い圧電板を取得するべく利用され得る薄化プロセスの他例を示す。図８Ａ～８Ｃのプロセス及び図９Ａ～９Ｅのプロセスのいずれかによって形成され得るＳＡＷ共振器の一例である。図８Ａ～８Ｃのプロセス及び図９Ａ～９Ｅのプロセスのいずれかによって形成され得るＳＡＷ共振器の他例である。図１１Ａ～１１Ｄは、厚いＬＴ板が薄いＬＴ板よりも好ましくなり得る複数例を示す。図１１Ａ～１１Ｄは、厚いＬＴ板が薄いＬＴ板よりも好ましくなり得る複数例を示す。図１１Ａ～１１Ｄは、厚いＬＴ板が薄いＬＴ板よりも好ましくなり得る複数例を示す。図１１Ａ～１１Ｄは、厚いＬＴ板が薄いＬＴ板よりも好ましくなり得る複数例を示す。一側に水晶板が取り付けられて他側に電極が形成されるＬＴ板を有するＳＡＷ共振器の一例を示す。図１２のＳＡＷ共振器のインピーダンス特性のプロットを示す。一側に水晶板が取り付けられて他側に電極が形成されるＬＴ板を有するＳＡＷ共振器の他例を示す。図１４のＳＡＷ共振器のインピーダンス特性のプロットを示す。一側に水晶板が取り付けられて他側に電極が形成されるＬＴ板を有するＳＡＷ共振器のさらなる他例を示す。図１６のＳＡＷ共振器のインピーダンス特性のプロットを示す。一側に水晶板が取り付けられて他側に電極が形成されるＬＴ板を有するＳＡＷ共振器のさらなる他例を示す。図１８のＳＡＷ共振器のインピーダンス特性のプロットを示す。銅（Ｃｕ）電極厚さが異なるときの、インピーダンス比のプロットをＬＴ板厚さの関数として示す。アルミニウム（Ａｌ）電極厚さが異なるときの、インピーダンス比のプロットをＬＴ板厚さの関数として示す。圧電板とそこに実装される電極との一般化された組み合わせを備えたＳＡＷ共振器の、インピーダンス比のプロットを圧電厚さの関数として示す。電極の厚さしきい値と、アルミニウム、銅及び金を含む電極材料の密度との関係の一例を描く。電極の厚さしきい値と、一定数の材料を含む電極材料の密度との関係の他例を描く。いくつかの実施形態において、ＳＡＷ共振器の多数ユニットを、アレイ形式にある間に作製できることを示す。いくつかの実施形態において、ここに記載される一以上の特徴を有するＳＡＷ共振器を、パッケージデバイスの一部として実装できることを示す。いくつかの実施形態において、図２６のＳＡＷ共振器ベースのパッケージデバイスがパッケージフィルタデバイスとなり得ることを示す。いくつかの実施形態において、無線周波数（ＲＦ）モジュールが、一以上のＲＦフィルタのアセンブリを含み得ることを示す。ここに記載される一以上の有利な特徴を有する無線デバイスの一例を描く。

ここに与えられる見出しは、あったとしても便宜上にすぎず、必ずしも特許請求される発明の範囲又は意味に影響を与えるわけではない。

図１は、圧電材料１４上に実装されるトランスデューサ１２を含む弾性表面波デバイス１０を描く。トランスデューサ１２を介して圧電材料１４に電磁（ＥＭ）エネルギーが適用されると、ＥＭエネルギーの一部又はすべてが、音響エネルギーに変換される。かかる音響エネルギーの少なくとも一部が弾性表面波１６としてトランスデューサ１２から伝搬する。

図２は、弾性表面波デバイス１０が逆にも機能し得ることを示す。その結果、圧電材料１４によりサポートされる弾性表面波１８に関連付けられる音響エネルギーの一部又はすべてが、トランスデューサ１２を介してＥＭエネルギーに変換される。わかることだが、図２のトランスデューサ１２は、図１のトランスデューサ１２と同じとしてよく、又は図１のトランスデューサ１２に付加される別個のトランスデューサとしてよい。２つのトランスデューサが設けられる後者の構成では、対応する弾性表面波デバイスを、例えば弾性表面波フィルタとして利用してよい。かかるアプリケーションにおいて、トランスデューサ１２は、弾性表面波が、選択された共振周波数を有するように構成され、その結果、ＥＭ信号の形態の入来ＥＭエネルギーが、当該弾性表面波の共振周波数に対応する送出ＥＭエネルギーを与えるようにフィルタリングされる。

図３は、いくつかの実施形態において、弾性表面波デバイス１００が、図１及び２のトランスデューサ機能を与えるべく構成される適合電極１０２を含み得ることを示す。詳しくは、適合電極１０２は、圧電材料１０４によりサポートされる弾性表面波１０６（電極１０２から離れるように進行、又は電極１０２へと進行）が、圧電材料１０４の所与の体積１０８に対する所望の性能特性を有するように構成され得る。フィルタリングアプリケーションの例の文脈において、弾性表面波１０６の当該所望の性能特性は、対応するフィルタリングされたＥＭ信号もまた所望の性能特性を有する結果をもたらし得る。

わかることだが、電極が体積（例えば体積１０８）に対して適合されない場合、体積１０８の中へと駆動される音響エネルギー、又は体積１０８から受信される音響エネルギーは、望ましくない影響を物理的態様で電極に与え得る。かかる状況では、得られるＥＭ信号は、望ましくないノイズ及び／又は他のアーチファクトを含み得ることとなり、対応する弾性表面波デバイスの性能を劣化させ得る。

すなわち、いくつかの実施形態において、図３の適合電極１０２は、音響エネルギーが圧電材料１０４の体積１０８の中へと駆動され又は体積１０８から受信されるときに物理的に安定となるように構成され得る。いくつかの実施形態において、そのような適合電極１０２の物理的に安定な特徴は、電極１０２が適切に質量増加することによって与えられ、圧電１０４に使用される材料、及び体積１０８のサイズのような一以上の因子に依存する。記載目的上、そのような適合電極１０２の適切に質量増加する特徴を、質量負荷と称してよい。どのようにして電極が質量負荷され得るのかの例がここに詳述される。

図４は、適合電極１０２が、厚さＴを有する圧電層１０４の表面１１０にインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）として実装される弾性表面波デバイス１００の一例を示す。かかる構成において、第１セットの一以上の指が第２セットの一以上の指と、噛み合い態様で配列され得る。（周波数ｆ_ＲＦを有する）無線周波数（ＲＦ）信号のようなＥＭ信号が、第１セット及び第２セットの指の各端子に適用されると、波長λ_{ＡＣＯＵＳＴＩＣ}を有する弾性表面波１０８が圧電層１０４に生成される。逆に、波長λ_{ＡＣＯＵＳＴＩＣ}を有する弾性表面波１０８が第１セット及び第２セットの指に入射すると、周波数ｆ_ＲＦを有するＲＦ信号が各端子に生成される。わかることだが、上述の構成において、波長λ_{ＡＣＯＵＳＴＩＣ}は、同じセットの２つの隣接指間の距離と近似的に同じである。

図４に示されるように、圧電層１０４は、電極１０２が適合される設計因子となり得る厚さＴを有する。少なくとも部分的には圧電層１０４の厚さ（Ｔ）に基づくこのような電極１０２の適合の例がここに詳述される。

図５は、弾性表面波（ＳＡＷ）共振器として実装されるＳＡＷデバイス１００の一例を示す。かかるＳＡＷ共振器は、例えばＬｉＴａＯ_３（ここではタンタル酸リチウム又はＬＴとも称する）又はＬｉＮｂＯ_３（ここではニオブ酸リチウム又はＬＮとも称する）から形成される圧電層１０４を含み得る。かかる圧電層は、第１表面１１０（例えばＳＡＷ共振器１００が図示のように配向されるときの上面）、及び反対側の第２表面を含み得る。圧電層１０４の第２表面は、例えば水晶基板１１２に取り付けられる。

圧電層１０４の第１表面１１０には、インターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１０２が、一以上の反射器アセンブリ（例えば１１４、１１６）とともに実装され得る。図６は、図５のＳＡＷ共振器１００のＩＤＴ電極１０２の例の、拡大かつ分離された平面図を示す。理解されることだが、図５及び６のＩＤＴ電極１０２は、これよりも多い又は少ない数の指を、２つの噛み合いセットの指に対して含んでよい。

図６の例において、ＩＤＴ電極１０２は、噛み合い態様で配列される第１セット１２０ａの指１２２ａ及び第２セット１２０ｂの指１２２ｂを含むように示される。ここに記載されるように、同じセットの２つの隣接指（例えば第１セット１２０ａの隣接指１２２ａ）間の距離は、ＩＤＴ電極１０２に関連付けられる弾性表面波の波長λと近似的に同じである。

図６の例において、指に関連付けられる様々な寸法が示される。詳しくは、各指（１２２ａ又は１２２ｂ）が側方幅Ｆを有するように示され、間隙距離Ｇが、２つの噛み合う隣接指（１２２ａ及び１２２ｂ）間に設けられるように示される。

図７は、図６に標識される断面図を示す。標識される寸法Ｆ及びＧは、図６を参照して記載されるものであり、各指（１２２ａ又は１２２ｂ）が厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}を有するように示される。図７はまた、圧電層１０４が厚さＴ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}を有することも示す。

わかることだが、図５～７を参照して記載されるＳＡＷ共振器１００は、例えば優れたフィルタリング機能を与えるように構成することができる。一例として、わかることだが、携帯電話機及びスマートフォンは、多くの周波数帯域（例えばほぼ８０の帯域）を利用し、かかる周波数帯域の一部又はすべてが３．４ＧＨｚ以下で輻輳しているため、隣接する周波数帯域同士の間隔が非常に狭くなっている。したがって、隣接する帯域間の干渉を防止するべく、急峻かつ良好な温度特性を有するＲＦフィルタが強く要求又は要望されている。

いくつかの実施形態において、所望の温度特性、高Ｑ、及び／又は高インピーダンス比を与えるフィルタは、負の周波数温度係数（ＴＣＦ）を有するＬｉＴａＯ_３（ここではＬＴとも称する）薄板又はＬｉＮｂＯ_３（ここではＬＮとも称する）薄板の、正のＴＣＦのための配向角を有する水晶との組み合わせを含み得る。かかる構成により、改善されたＴＣＦ及び高インピーダンス比のような所望の性能特徴を得ることができる。しかしながら、ＬＴ板又はＬＮ板は、相対的に薄い（例えば近似的に１μｍよりも薄い）のが典型的である。かかる薄いＬＴ板又はＬＮ板は、薄化プロセスによって得ることができる。したがって、研磨プロセスのような薄化プロセス中に、歩留まり及び／又はコストのような問題が生じ得る。

様々な例が、圧電層又は圧電板がＬＴ層又はＬＴ板である文脈でここに記載される。理解されることだが、本開示の一以上の特徴は、例えばＬＮ層又はＬＮ板を含む他の圧電層又は圧電板にも実装することができる。

図８Ａ～８Ｃは、上述した薄いＬＴ板を得るべく利用することができる薄化プロセスの一例を示す。理解されることだが、図８Ａ～８Ｃの薄化プロセスの例は、ここに記載される一以上の特徴を有する適合電極に関連付けられるＬＴ板を得るべく利用することもできる。

図９Ａ～９Ｅは、上述した薄いＬＴ板を得るべく利用され得る薄化プロセスの他例を示す。理解されることだが、図９Ａ～９Ｅの薄化プロセスの例は、ここに記載される一以上の特徴を有する適合電極に関連付けられるＬＴ板を得るべく利用することもできる。

第１例において、図８Ａが示すのは、いくつかの実施形態において、薄化プロセスが、相対的に厚いＬＴ板１３０と水晶板１１２とのアセンブリ１３２が形成され又は与えられるプロセスステップを含み得ることである。

図８Ｂは、アセンブリ１３６を形成するべく、相対的に厚いＬＴ板１３０の厚さが、薄いＬＴ板１３４になるまで低減されるプロセスステップを示す。いくつかの実施形態において、かかる薄化プロセスステップは、例えば、機械的研磨プロセス、化学機械的プロセス等のような研磨プロセスによって達成することができる。図８Ｂにおいて、薄いＬＴ板１３４は、（直接的に又は中間層を介して）水晶板１１２に係合する第１表面と、第１表面から反対側の、薄化プロセスステップから得られる第２表面とを含むように示される。

図８Ｃは、ＬＴ板１３４の第２表面に電極１０２が形成される結果、アセンブリ１３８が形成されるプロセスステップを示す。ここに記載されるように、かかる電極は、指１２２ａ、１２２ｂの噛み合い配列を含み得る。

いくつかの実施形態において、図８Ａ～８Ｃに関連付けられるプロセスステップの一部又はすべては、アセンブリ１３８の単数ユニットを製造するべく一の個別ユニットに対して実装することができ、アセンブリ１３８の複数の対応単数ユニットを製造するべく複数の個別ユニットに対して実装することができ、アセンブリ１３８の複数の個片ユニットを製造するべく個片化が追従する複数のユニットがアレイ形式（例えばウェハ形式）で取り付けられている間に実装することができ、又はこれらの何らかの組み合わせで実装することができる。

第２例において、図９Ａが示すのは、いくつかの実施形態において、薄化プロセスが、相対的に厚いＬＴ板１３０とハンドリング基板（例えばシリコン基板）１４０とのアセンブリ１４２が形成され又は与えられるプロセスステップを含み得る。

図９Ｂは、アセンブリ１４６を形成するべく、相対的に厚いＬＴ板１３０の厚さが、薄いＬＴ板１４４になるまで低減されるプロセスステップを示す。いくつかの実施形態において、かかる薄化プロセスステップは、例えば、機械的研磨プロセス、化学機械的プロセス等のような研磨プロセスによって達成することができる。図９Ｂにおいて、薄いＬＴ板１４４は、薄化プロセスステップにより得られる第１表面と、第１表面から反対側の、ハンドリング基板１４０に取り付けられる第２表面とを含むように示される。

図９Ｃは、ＬＴ板１４４の第１表面が水晶板１１２に取り付けられる結果、アセンブリ１４８が形成されるプロセスステップを示す。いくつかの実施形態において、ＬＴ板１４４の第１表面は、水晶板１１２に直接的に又は中間層を介して取り付けられる（例えば接合される）。

図９Ｄは、ハンドリング基板（図９Ｃにおける１４０）が除去される結果、部分的に又は完全にＬＴ板１４４が露出されてアセンブリ１５０が形成されるプロセスステップを示す。いくつかの実施形態において、このようなハンドリング基板（例えばシリコン基板）の除去は、例えばエッチングプロセスによって達成することができる。いくつかの実施形態において、図９Ｄのアセンブリ１５０におけるＬＴ板１４４は、図９Ｃのアセンブリ１４８におけるＬＴ板１４４と実質的に同じであってもよくそうでなくてもよい。記載目的上、理解されることだが、ハンドリング基板の除去から得られる露出面は、図９Ｂを参照して記載されたＬＴ板１４４の第２表面と同様である。

図９Ｅは、ＬＴ板１４４の第２表面に電極１０２が形成される結果、アセンブリ１５２が形成されるプロセスステップを示す。ここに記載されるように、かかる電極は、指１２２ａ、１２２ｂの噛み合い配列を含み得る。

いくつかの実施形態において、図９Ａ～９Ｅに関連付けられるプロセスステップの一部又はすべては、アセンブリ１５２の単数ユニットを製造するべく一の個別ユニットに対して実装することができ、アセンブリ１５２の複数の対応単数ユニットを製造するべく複数の個別ユニットに対して実装することができ、アセンブリ１５２の複数の個片ユニットを製造するべく個片化が追従する複数のユニットがアレイ形式（例えばウェハ形式）で取り付けられている間に実装することができ、又はこれらの何らかの組み合わせで実装することができる。

図１０Ａは、図８Ａ～８Ｃ及び図９Ａ～９Ｅを参照して記載されたプロセスのいずれかによって形成され得るＳＡＷ共振器１００を示す。図８Ａ～８Ｃのプロセスが利用される場合、図８Ｃのアセンブリ１３８は図１０ＡのＳＡＷ共振器１００としてよい。図９Ａ～９Ｅのプロセスが利用される場合、図９Ｅのアセンブリ１５２は図１０ＡのＳＡＷ共振器１００としてよい。記載目的上、厚さｄ１を有するＬＴ板１０４を、薄いＬＴ板とみなしてよい。かかる薄いＬＴ板の厚さ値及び／又は範囲の例が以下に与えられる。

図１０Ｂは、図８Ａ～８Ｃ及び図９Ａ～９Ｅを参照して記載されたプロセスのいずれかによって形成され得るＳＡＷ共振器１００を示す。図８Ａ～８Ｃのプロセスが利用される場合、図８Ｃのアセンブリ１３８は図１０ＡのＳＡＷ共振器１００としてよい。図９Ａ～９Ｅのプロセスが利用される場合、図９Ｅのアセンブリ１５２は図１０ＡのＳＡＷ共振器１００としてよい。記載目的上、厚さｄ２を有するＬＴ板１０４を、厚いＬＴ板とみなしてよい。かかる厚いＬＴ板の厚さ値及び／又は範囲の例が以下に与えられる。

図１１Ａ～１１Ｄは、厚いＬＴ板１０４ｂ（厚さｄ２）が薄いＬＴ板１０４ａ（厚さｄ１）よりも好ましい例を示す。かかる例において、ＬＴ板が単独で描かれているにもかかわらず、かかるＬＴ板が対応基板（例えばハンドリング基板及び／又は水晶基板）に取り付けられることが理解される。図１１Ａ～１１Ｄの例における効果の一部又はすべてが、対応ＬＴ板に対して、かかるＬＴ板が他の部品に取り付けられているか否かにかかわらず、現れることも理解される。

例えば、図１１Ａを参照すると、薄いＬＴ板１０４ａは典型的に、所与の力の適用に対して厚いＬＴ板１０４ｂよりも破損しやすい。他例において、図１１Ｂを参照すると、薄いＬＴ板１０４ａは典型的に、所与の反り条件に対して厚いＬＴ板１０４ｂよりも反りやすい。

わかることだが、いくつかのアプリケーションにおいて、ＳＡＷ共振器の性能は、ＬＴ板の厚さの均一性に依存し得る。すなわち、図１１Ｃを参照すると、ＬＴ板は、例えば傾斜した薄化工程の結果、不均一厚さを有し得る。例えば、薄いＬＴ板１０４ａ及び厚いＬＴ板１０４ｂをそれぞれ同様に傾けて薄化工程を与え、くさび状の側面形状をもたらしたとする。薄いＬＴ板１０４ａは、平均厚さ値ｄ１、高い厚さ値ｄ１＋Δｄ、低い厚さ値ｄ１－Δｄを有するように示される。同様に、厚いＬＴ板１０４ｂは、平均厚さ値ｄ２、高い厚さ値ｄ２＋Δｄ、低い厚さ値ｄ２－Δｄを有するように示される。各板に対し、厚さの相対誤差はΔｄ／（平均厚さ）と見積もることができる。すなわち、厚いＬＴ板１０４ｂは、所与の厚さ誤差条件Δｄに対し、薄いＬＴ板１０４ａよりも厚さの相対誤差が小さくなる。

図１１Ｃの例において、厚さ誤差条件Δｄは、薄化プロセスからもたらされる誤差に起因すると仮定される。図１１Ｄは、かかる薄化プロセスにより板に対し均一な平均厚さが得られても、当該板の表面は、例えば、薄化プロセス自体から、又は当該板に関するそれまでの作製ステップからもたらされる欠陥を有し得る。

図１１Ｄにおいて、かかる欠陥が、薄いＬＴ板１０４ａ（平均厚さｄ１）の各表面に、及び厚いＬＴ板１０４ｂ（平均厚さｄ２）の各表面に、誇張された態様で描かれる。かかる表面それぞれがδの欠陥誤差を有すると仮定すると、厚さの相対誤差は２δ／（平均厚さ）として見積もることができる。すなわち、厚いＬＴ板１０４ｂは、所与の表面欠陥誤差条件δに対し、薄いＬＴ板１０４ａよりも低い相対誤差を有することになる。

図１１Ａ～１１Ｄを参照して記載した例は、厚いＬＴ板が薄いＬＴ板よりも好ましいことを示す。しかしながら、単にＬＴ板を厚くするのみでは、性能の劣化をもたらし得る。

図１２～１９は、ＬＴ板と電極との異なる組み合わせを備えたＳＡＷ共振器の４つの例を示す。例えば、図１２は、水晶板が一側に取り付けられて電極が他側に取り付けられたＬＴ板を有するＳＡＷ共振器を示す。図７に示される寸法を参照すると、図１２のＬＴ板は厚さＴ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}＝０．１５λを有するように示され、銅から形成される電極は厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}＝０．０６λを有するように示される。

図１３は、図１２のＳＡＷ共振器のインピーダンス特性のプロットを示す。図１３において、共振周波数ｆ_ｒ及び反共振周波数ｆ_ａが示され、かかる周波数において対応するインピーダンス値がそれぞれＺ_ｒ及びＺ_ａとされる。図１２及び１３の例に対し、インピーダンス比（２０ｌｏｇ（Ｚ_ａ／Ｚ_ｒ））は７８ｄＢの値となり、帯域内リップルが本質的に存在せず、高い周波数において観測されるスプリアス応答はほとんど又はまったくない。

他例において、図１４は、水晶板が一側に取り付けられて電極が他側に取り付けられたＬＴ板を有するＳＡＷ共振器を示す。図７に示される寸法を参照すると、図１４のＬＴ板は厚さＴ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}＝３λを有するように示され、銅から形成される電極は厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}＝０．０６λを有するように示される。

図１５は、図１４のＳＡＷ共振器のインピーダンス特性のプロットを示す。図１５において、共振周波数ｆ_ｒ及び反共振周波数ｆ_ａが示され、かかる周波数において対応するインピーダンス値がそれぞれＺ_ｒ及びＺ_ａとされる。図１４及び１５の例に対し、インピーダンス比（２０ｌｏｇ（Ｚ_ａ／Ｚ_ｒ））は、図１２及び１３の例よりも低い値を有し、大きな帯域内リップル及び帯域外リップルが存在する。したがって、かかる性能特性によって図１４のＳＡＷ共振器は、多くのアプリケーションに対して実用的ではない。

さらなる他例において、図１６は、水晶板が一側に取り付けられて電極が他側に取り付けられたＬＴ板を有するＳＡＷ共振器を示す。図７に示される寸法を参照すると、図１６のＬＴ板は厚さＴ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}＝５λを有するように示され、銅から形成される電極は厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}＝０．１λを有するように示される。

図１７は、図１６のＳＡＷ共振器のインピーダンス特性のプロットを示す。図１７において、共振周波数ｆ_ｒ及び反共振周波数ｆ_ａが示され、かかる周波数において対応するインピーダンス値がそれぞれＺ_ｒ及びＺ_ａとされる。図１６及び１７の例に対し、インピーダンス比（２０ｌｏｇ（Ｚ_ａ／Ｚ_ｒ））は、図１４及び１５の例よりも高い値を有して帯域内リップルはほとんど又はまったく存在しないが、高い周波数において大きなスプリアス応答が存在する。すなわち、図１６のＳＡＷ共振器は、多くのアプリケーションに対して実用的とはならない可能性がある。

さらなる他例において、図１８は、水晶板が一側に取り付けられて電極が他側に取り付けられたＬＴ板を有するＳＡＷ共振器を示す。図７に示される寸法を参照すると、図１８のＬＴ板は厚さＴ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}＝５０λを有するように示され、銅から形成される電極は厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}＝０．１２λを有するように示される。

図１９は、図１８のＳＡＷ共振器のインピーダンス特性のプロットを示す。図１９において、共振周波数ｆ_ｒ及び反共振周波数ｆ_ａが示され、かかる周波数において対応するインピーダンス値がそれぞれＺ_ｒ及びＺ_ａとされる。図１８及び１９の例に対し、インピーダンス比（２０ｌｏｇ（Ｚ_ａ／Ｚ_ｒ））は、図１２及び１３の例と同様の値を有して帯域内リップルは実質的に存在せず、高い周波数において観測される振幅スプリアス応答は若干小さい。

図１２～１９の例から一定数の観測を行うことができる。第一に、図１２のＳＡＷ共振器がＬＴ板が薄い（Ｔ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}＝０．１５λ）とみなされて電極が当該薄いＬＴ板に対して適切な厚さ（Ｔ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}＝０．０６λ）を有するとすれば、ＳＡＷ共振器は、望ましい性能を与えることとなり、帯域内リップルがなく、高い周波数において観測されるスプリアス応答がほとんど又はまったく存在しない。しかしながら、ＬＴ板厚さがＴ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}＝３λまで有意に増加するが電極厚さはＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}＝０．０６λと同じままである図１４のＳＡＷ共振器を参照すると、ＳＡＷ共振器の性能は大きく損なわれることとなり、帯域内リップル及び帯域外リップルが大きくなる。かかる比較から、単にＬＴ板の厚さを増加させるだけでは、有意な性能劣化がもたらされ得ることが示される。

第二に、図１４のＳＡＷ共振器（Ｔ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}＝３λ、Ｔ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}＝０．０６λ）と図１６のＳＡＷ共振器（Ｔ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}＝５λ、Ｔ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}＝０．１λ）との比較から、電極厚さの（０．０６λから０．１λへの）増加により、たとえＬＴ板厚さが（Ｔ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}＝３λからＴ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}＝５λへの）さらなる増加であっても、有意な性能改善がもたらされることが示される。かかる比較から、電極厚さの増加が、厚いＬＴ板に対して性能を改善する因子となり得ることが示される。

第三に、図１６のＳＡＷ共振器（Ｔ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}＝５λ、Ｔ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}＝０．１λ）と図１８のＳＡＷ共振器（Ｔ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}＝５０λ、Ｔ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}＝０．１２λ）との比較から、電極厚さの（０．１λから０．１２λへの）２０％の増加により、たとえＬＴ板厚さが（Ｔ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}＝５λからＴ_{ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ}＝５０λへ）一桁だけさらに増加しても、性能改善がもたらされることが示される。かかる比較から、電極厚さ及びＬＴ板厚さの一方又は双方が、性能を改善する因子となり得ることが示される。

図２０は、銅（Ｃｕ）電極厚さが異なるときの、インピーダンス比のプロットをＬＴ板厚さの関数として示す。詳しくは、曲線１７０が、厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}が０．０６λから０．０７９λまでの範囲にある（よって図１２及び１４の例を含む）銅電極を有するＳＡＷ共振器に対応する。曲線１７２は、厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}が０．０８λの銅電極を有するＳＡＷ共振器に対応する。曲線１７４は、図１２～１９の銅電極の例のいずれよりも厚い厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}が０．２５λの銅電極を有するＳＡＷ共振器に対応する。

図２０の３つの曲線（１７０、１７２又は１７４）それぞれに対し、実線部分は、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにとって実用的となる（周波数の関数としての）リップル又はスプリアス応答がない（又は十分に低い振幅の）インピーダンス比応答に対応し、破線部分は、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにとって非実用的となる（周波数の関数としての）リップル及びスプリアス応答の一方又は双方を有するインピーダンス比応答に対応する。すなわち、上述した図１２のＳＡＷ共振器に対応する曲線１７０上のデータポイント１７６の例は、許容可能な性能を与えるとみなされ、上述した図１４のＳＡＷ共振器に対応する曲線１７０上のデータポイント１７８の例は、多くのアプリケーションにとって許容可能ではない性能を与えるとみなされる。

図２０のインピーダンス比プロットから一定数の観測を行うことができる。第一に、一定の値（例えば０．０７９λ又はその近傍）までの銅電極厚さに対し、インピーダンス比は、薄いＬＴ板（例えば０．１λ）のときに最高であり、ＬＴ板厚さが増加するにつれて次第に単調減少することがわかる。かかるインピーダンス比減少傾向において、ＬＴ板厚さの範囲（例えば０．１λ～約２λ）により、対応するＳＡＷ共振器の許容可能な性能が得られ、ＬＴ板の厚い範囲（例えば２λ超過）により、高いリップル及び／又はスプリアス応答がもたらされ、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにとって非実用的となる。後者の構成において、ＬＴ板は、対応する銅電極厚さとして厚すぎるとみなすことができる。

第二に、上述した値（例えば０．０７９λ又はその近傍）よりも大きな銅電極厚さに対し、インピーダンス比は、薄いＬＴ板（例えば０．１λ）のときに最高かもしれず又はそうでないかもしれず、ＬＴ板厚さが増加するにつれて最終的には、近似的に平坦なインピーダンス比に到達することがわかる。記載目的上、かかる銅電極厚さ値（例えば０．０７９λ又はその近傍）を、しきい厚さ値とみなし得る。

銅電極厚さが当該しきい値よりも大きいが近い（例えばインピーダンス比曲線１７２のような）場合、インピーダンス比は、当該しきい値未満の上述した銅電極厚さと同様に、薄いＬＴ板のときに最高値を有する。しかしながら、一定のＬＴ厚さ値（例えば約１λ）においてインピーダンス比は近似的に平坦になり、一般に、ＬＴ厚さが増加しても近似的に平坦なままである。

銅電極厚さが当該しきい値よりも有意に大きい場合、インピーダンス比は、薄いＬＴ板（例えば０．１λ）のときに最高値を有するかもしれず又はそうでないかもしれない。例えば、有意に大きな銅電極厚さ０．２５λに対応するインピーダンス比曲線１７４は、薄いＬＴ板厚さ０．１λのときのインピーダンス比値を有する。これは、高いＬＴ厚さ値で平坦になるインピーダンス比値とほぼ同じである。わかることだが、（銅電極厚さが当該しきい値よりも有意に大きい）かかる構成において、インピーダンス比は、一定のＬＴ厚さ値（例えば約１λ）を超えても近似的に平坦な応答を有する。

曲線１７２及び１７４のインピーダンス比の上述した傾向において、ＬＴ板の厚い（例えば約２λよりも大きい）範囲により、対応するＳＡＷ共振器の許容可能な性能が、許容可能なリップル及びスプリアス応答の点で得られ、ＬＴ板の薄い（例えば０．１λ～２λ）範囲によりリップル及び／又はスプリアス応答がもたらされ、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにとって非実用的となる。後者の構成において、ＬＴ板は、対応する銅電極厚さとして薄すぎるとみなすことができる。

図２０の例の上述した記載に基づくと、所与のＬＴ板の厚さに応じて、対応するＳＡＷ共振器に所望の性能を与えるように電極厚さを選択し又は適合させ得ることがわかる。例えば、ＬＴ板が一定の厚さ値よりも薄い場合、対応するＳＡＷ共振器が許容可能な性能を有するように薄い電極（例えばしきい電極厚さ値未満の厚さ）を与えることができる。他例において、ＬＴ板が一定の厚さ値よりも厚い場合、対応するＳＡＷ共振器が許容可能な性能を有するように厚い電極（例えばしきい電極厚さ値超過の厚さ）を与えることができる。

図２０を参照すると、銅電極厚さ範囲０．０６λ～０．０７９λに対し、ＬＴ板厚さ範囲０．１λ～約１．３λのときに高いインピーダンス比７０～７８ｄＢが得られ、ＬＴ板厚さ範囲１．３λ～約２λにおいて、図１２の例と同様にリップル又はスプリアス応答がわずか又はまったく存在しないわずかに低いインピーダンス比６８～７０ｄＢが得られることがわかる。銅電極厚さ範囲０．０８λ～０．２５λに対し、ＬＴ板厚さ範囲が約２λ～約２００λのときに、（図１８の例と同様に）スプリアス応答が十分に小さいインピーダンス比７１～７３ｄＢ（例えば銅電極厚さ０．０８λに対して７２～７３ｄＢ、銅電極厚さ０．２５λに対して７１ｄＢ）が得られ、これにより、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにおいて有用となる。

図１２～２０を参照してここに記載される様々な例において、電極は様々な厚さの銅電極である。かかる電極が同様のレイアウト寸法を有すると仮定すれば、厚い銅電極は薄い電極よりも多くの質量を有する。したがって、ＬＴ板の厚さが増加したＳＡＷ共振器に対して所望の性能を与えるべく、質量が増加した電極を利用することができる。

わかることだが、銅は、ＳＡＷ共振器のための電極として利用することができる材料の一例である。金属及び／又は合金のような他の導電性材料もＳＡＷ共振器電極として利用することができる。例えば、図２１は、異なるアルミニウム（Ａｌ）電極厚さに対し、ＬＴ板厚さの関数としてのインピーダンス比プロットを示す。詳しくは、曲線１８０が、厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}が範囲０．０８１λ～０．１４８λにあるアルミニウム電極を有するＳＡＷ共振器に対応し、曲線１８２が、厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}が０．１５λのアルミニウム電極を有するＳＡＷ共振器に対応し、曲線１８４が、厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}が０．３５λのアルミニウム電極を有するＳＡＷ共振器に対応する。

図２１の３つの曲線（１８０、１８２又は１８４）それぞれに対し、実線部分は、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにとって実用的となる（周波数の関数としての）リップル又はスプリアス応答がない（又は十分に低い振幅の）インピーダンス比応答に対応し、破線部分は、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにとって非実用的となる（周波数の関数としての）リップル及びスプリアス応答の一方又は双方を有するインピーダンス比応答に対応する。

図２１のインピーダンス比プロットから一定数の観測を行うことができる。第一に、一定の値（例えば０．１４８λ又はその近傍）までのアルミニウム電極厚さに対し、インピーダンス比は、薄いＬＴ板（例えば０．１λ）のときに最高であり、ＬＴ板厚さが増加するにつれて次第に単調減少することがわかる。かかるインピーダンス比減少傾向において、ＬＴ板の範囲（例えば０．１λ～約２λ）により、対応するＳＡＷ共振器の許容可能な性能が得られ、ＬＴ板の厚い範囲（例えば２λ超過）により、高いリップル及び／又はスプリアス応答がもたらされ、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにとって非実用的となる。後者の構成において、ＬＴ板は、対応するアルミニウム電極厚さとして厚すぎるとみなすことができる。

第二に、上述した値（例えば０．１４８λ又はその近傍）よりも大きなアルミニウム電極厚さに対し、インピーダンス比は、薄いＬＴ板（例えば０．１λ）のときに最高かもしれず又はそうでないかもしれず、ＬＴ板厚さが増加するにつれて最終的には、近似的に平坦なインピーダンス比に到達することがわかる。記載目的上、かかるアルミニウム電極厚さ値（例えば０．１４８λ又はその近傍）を、しきい厚さ値とみなし得る。

アルミニウム電極厚さが当該しきい値よりも大きいが近い場合、インピーダンス比は、当該しきい値未満の上述したアルミニウム電極厚さと同様に、薄いＬＴ板のときに最高値を有する。しかしながら、一定のＬＴ厚さ値（例えば約１λ）においてインピーダンス比は近似的に平坦になり、一般に、ＬＴ厚さが増加しても近似的に平坦なままである。インピーダンス比曲線１８２、１８４はそれぞれが、かかるインピーダンス比プロファイルの一例である。

アルミニウム電極厚さが当該しきい値よりも有意に大きい場合、インピーダンス比は、薄いＬＴ板（例えば０．１λ）のときに最高値を有するかもしれず又はそうでないかもしれない。例えば、アルミニウム電極が（曲線１８４の）０．３５λよりも有意に大きな厚さを有する場合、対応するインピーダンス比曲線も同様に、薄いＬＴ板厚さ０．１λのときのインピーダンス比値を有する。これは、高いＬＴ厚さ値で平坦になるインピーダンス比値とほぼ同じである。

曲線１８２及び１８４のインピーダンス比の上述した例において、ＬＴ板の厚い（例えば約２λよりも大きい）範囲により、対応するＳＡＷ共振器の許容可能な性能が、許容可能なリップル及びスプリアス応答の点で得られ、ＬＴ板の薄い（例えば０．１λ～２λ）範囲によりリップル及び／又はスプリアス応答がもたらされ、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにとって非実用的となる。後者の構成において、ＬＴ板は、対応するアルミニウム電極厚さとして薄すぎるとみなすことができる。

図２１を参照すると、アルミニウム電極厚さ範囲０．０８１λ～０．１４８λに対し、ＬＴ板厚さ範囲０．１λ～約１．３λのときに高いインピーダンス比７０～７８．５ｄＢが得られ、ＬＴ板厚さ範囲１．３λ～約２λにおいて、リップル又はスプリアス応答がわずか又はまったく存在しないわずかに低いインピーダンス比６７．５～７０ｄＢが得られることがわかる。アルミニウム電極厚さ範囲０．１５λ～０．３５λに対し、ＬＴ板厚さ範囲が０．１λ～約２λのときに大きな帯域外スプリアス応答が観測されるが、ＬＴ板厚さ範囲２λ～２００λに対しては、スプリアス応答が十分に小さいインピーダンス比７１～７２ｄＢが得られ、これにより、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにおいて有用となる。わかることだが、かかるインピーダンス比範囲（７１～７２ｄＢ）は、薄いアルミニウム電極を有する一般のＳＡＷ共振器により得られる約６５ｄＢのインピーダンス比よりも約６～８ｄＢだけ大きい。

他例において、厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}範囲が０．０２λ～０．０３６λにある金（Ａｕ）から形成される電極が、ＬＴ板厚さ範囲０．１λ～２λに対し、リップル又はスプリアス応答がほとんど又はまったく存在しないインピーダンス比６８～７８ｄＢを与え得る。これにより、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにとって実用的となる。かかる電極厚さに対し、ＬＴ板が厚いと、リップル及びスプリアス応答の一方又は双方が存在するので、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにとって非実用的となる。

他方、厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}が０．０３７λ～０．１２λの範囲にある金電極に対し、リップルがほとんど又はまったく存在せずスプリアス応答も小さい７０ｄＢ以上のインピーダンス比を得ることができる。これにより、厚さ２λよりも大きい（例えば２λ～２００λの）ＬＴ板に対し、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにとって実用的となる。かかる電極厚さに対し、ＬＴ板が薄いと、リップル及びスプリアス応答の一方又は双方が存在するので、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにとって非実用的となる。

図２０及び２１の例、並びに金電極構成の上述した記載に基づくと、所与のＬＴ板の厚さに応じて、対応するＳＡＷ共振器に所望の性能を与えるように電極の質量を選択し又は適合させ得ることがわかる。かかる質量は、例えば、電極密度及び／又は密度寸法に基づいて選択することができる。いくつかの実施形態において、電極密度は、電極の材料に基づいて選択することができる。いくつかの実施形態において、電極寸法は、電極の厚さに基づいて選択することができる。

図２２は、実装される圧電板（例えばＬＴ板又はＬＮ板）と電極（例えば金属電極）との一般的な組み合わせを有するＳＡＷ共振器に対する（圧電厚さの関数としての）インピーダンス比プロットを示す。詳しくは、インピーダンス比曲線１９１が、厚さしきい値Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}以下の厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}を有する電極に対応し、インピーダンス比曲線１９２が、厚さしきい値Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きな厚さＴ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}を有する電極に対応する。かかる厚さしきい値Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}の例がここに詳述される。

図２０及び２１の例と同様に、図２２の例において、曲線１９１、１９２それぞれの実線部分は、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにとって実用的となるリップル又はスプリアス応答がない（又は十分に低い振幅の）インピーダンス比応答に対応し、破線部分は、対応するＳＡＷ共振器が多くのアプリケーションにとって非実用的となるリップル及びスプリアス応答の一方又は双方を有するインピーダンス比応答に対応する。

図２０及び２１の例並びに金電極構成において、さらに図２２を参照してわかるように、厚さ値Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}が存在し、（曲線１９１においてのように）Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}以下の薄さの電極により、対応するＳＡＷ共振器が、Ｔ１_{ｐｉｅｚｏ}以下の厚さを有する薄い圧電板（ここでは圧電体とも称する）に対して（リップル又はスプリアス応答なしの（又は十分に低い振幅の））実線性能を与え、Ｔ１_{ｐｉｅｚｏ}未満の厚さを有する厚い圧電体に対して破線性能（リップル及びスプリアス応答の一方又は双方）を与える結果となる。さらに、（曲線１９２においてのように）Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも厚い電極により、対応するＳＡＷ共振器が、Ｔ２_{ｐｉｅｚｏ}よりも大きな厚さを有する厚い圧電体に対して（リップル又はスプリアス応答なしの（又は十分に低い振幅の））実線性能を与え、Ｔ２_{ｐｉｅｚｏ}以下の厚さを有する薄い圧電体に対して破線性能（リップル及びスプリアス応答の一方又は双方）を与える結果となる。

わかることだが、厚さ値Ｔ１_{ｐｉｅｚｏ}及びＴ２_{ｐｉｅｚｏ}は同じであってもよく、そうでなくともよいが、いくつかの特定例の記載目的上、かかる値は近似的に同じと仮定する。表１には、銅、アルミニウム及び金の電極に関連付けられる例に対し、かかる圧電厚さ値Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}≒Ｔ１_{ｐｉｅｚｏ}≒Ｔ２_{ｐｉｅｚｏ}，が、電極Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値とともに挙げられている。

表１の例において、圧電材料はＬＴであり、かかるＬＴ材料に対応する値Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}、及び異なる金属電極のＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値が挙げられる。理解されることだが、Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}及びＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}の値は、ＬＮ材料を含む他の圧電材料に対しても取得することができる。またも理解されることだが、Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}は材料依存であってもそうでなくてもよく、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}も材料依存であってもそうでなくてもよい。例えば、ＬＮ板を利用するＳＡＷ共振器に対し、厚さ値Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}は、ＬＴ板に関連付けられる厚さ値と同様であってもそうでなくてもよい。さらに、かかるＬＮ板ベースのＳＡＷ共振器に対し、異なる金属電極のＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値は、ＬＴ板ベースのＳＡＷ共振器に関連付けられるものと同様であってもそうでなくてもよい。

いくつかの実施形態において、記載目的上、圧電層（ここでは圧電板、圧電膜、又は単に圧電体若しくはｐｉｅｚｏとも称する）を、その厚さがＴ_{ｐｉｅｚｏ}以下であれば薄い圧電層とみなし、その厚さがＴ_{ｐｉｅｚｏ}よりも大きければ厚い圧電層とみなすことができる。またも記載目的上、上述した圧電層に対応する電極を、その厚さがＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}以下であれば薄い電極とみなし、その厚さがＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きければ厚い電極とみなすことができる。

ここに記載されるように、ＳＡＷ共振器の電極は、銅、アルミニウム及び金のような金属を含む一定数の導電材料から形成され得る。理解されることだが、他の金属、合金等を含む他の導電材料も、ここに記載される一以上の特徴を有するＳＡＷ共振器の電極として利用することができる。表２には、かかる電極として利用することができる金属の非限定的な例が挙げられている。

図２０～２２及び表１を参照してここに記載されるように、電極の厚さしきい値Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}は、電極材料密度が増加するにつれて減少する。図２３は、そのような関係をアルミニウム、銅及び金の例に対して描く。わかることだが、かかるデータポイントは、電極厚さしきい値Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}を電極材料の質量密度の関数として表す曲線１９４の一部となり得る。かかる曲線、及び／又はかかる曲線を表す一セットのデータポイントは、例えば、経験的測定、計算、外挿、補間、モデリング等によって得ることができる。またもわかることだが、かかる曲線、及び／又はかかる曲線を表す一セットのデータポイントは、一以上の圧電材料に対して得ることもできる。例えば、一セットのＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値を取得し、ＬＴ材料及びＬＮ材料の双方に対して適用可能としてよい。他例において、第１セットのＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値をＬＴ材料に対して利用してよく、第２セットのＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値をＬＮ材料に対して利用してよい。

図２４は、表２に挙げられた電極材料に対し、電極厚さしきい値Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}を円として示す。いくつかの実施形態において、かかるＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値は、式１に従う曲線（図２３における１９４）によって表すことができる。

式１において、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}ｉは電極に関連付けられる波長λを単位としており、ρは電極材料の質量密度（ｇ／ｃｍ^３）であり、ＭＲは、ここに記載される電極のメタライゼーション比（ＭＲ＝Ｆ／（Ｆ＋Ｇ））である。図２４及び表２の例に対し、パラメータａ、ｂ及びｃは、以下の近似値を有する。すなわち、ａ≒０．１９０９１、ｂ≒０．１７６５８、及びｃ≒９．０８２８２であり、ａ及びｂはλを単位とし、ｃは質量密度ρを単位とする。

わかることだが、所与の電極のメタライゼーション比ＭＲは（図１２～２１に関連付けられる様々な例においてのように）０．５であり、式１のＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}は式２へと低減することができる。

ここで、パラメータａ、ｂ、ｃ及びρは、式１を参照して上述されたとおりである。

いくつかの実施形態において、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}は、式１又は式２に従い、パラメータａ、ｂ及びｃの上述した特定例の値からの一つ以上のばらつきを伴って計算することができる。例えば、ａの上記例の値がａ_０＝０．１９０９１とみなされる場合、パラメータａは、ａ＝ａ_０±０．１０ａ_０、ａ＝ａ_０±０．０９ａ_０、ａ＝ａ_０±０．０８ａ_０、ａ＝ａ_０±０．０７ａ_０、ａ＝ａ_０±０．０６ａ_０、ａ＝ａ_０±０．０５ａ_０、ａ＝ａ_０±０．０４ａ_０、ａ＝ａ_０±０．０３ａ_０、ａ＝ａ_０±０．０２ａ_０、又はａ＝ａ_０±０．０１ａ_０の値を有し得る。同様に、ｂの上記例の値がｂ_０＝０．１７６５８とみなされる場合、パラメータｂは、ｂ＝ｂ_０±０．１０ｂ_０、ｂ＝ｂ_０±０．０９ｂ_０、ｂ＝ｂ_０±０．０８ｂ_０、ｂ＝ｂ_０±０．０７ｂ_０、ｂ＝ｂ_０±０．０６ｂ_０、ｂ＝ｂ_０±０．０５ｂ_０、ｂ＝ｂ_０±０．０４ｂ_０、ｂ＝ｂ_０±０．０３ｂ_０、ｂ＝ｂ_０±０．０２ｂ_０、又はｂ＝ｂ_０±０．０１ｂ_０の値を有し得る。同様に、ｃの上記例の値がｃ_０＝９．０８２８２とみなされる場合、パラメータｃは、ｃ＝ｃ_０±０．１０ｃ_０、ｃ＝ｃ_０±０．０９ｃ_０、ｃ＝ｃ_０±０．０８ｃ_０、ｃ＝ｃ_０±０．０７ｃ_０、ｃ＝ｃ_０±０．０６ｃ_０、ｃ＝ｃ_０±０．０５ｃ_０、ｃ＝ｃ_０±０．０４ｃ_０、ｃ＝ｃ_０±０．０３ｃ_０、ｃ＝ｃ_０±０．０２ｃ_０、又はｃ＝ｃ_０±０．０１ｃ_０の値を有し得る。

いくつかの実施形態において、特定例の値ａ_０＝０．１９０９１、ｂ_０＝０．１７６５８、及びｃ_０＝９．０８２８２を使用したときに式１又は式２のＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}曲線がＴ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}とみなされる場合、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}曲線は電極の厚さを設計するべく変わり得る。例えば、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}曲線は、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}＝Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}±０．１０Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}，Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}＝Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}±０．０９Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}＝Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}±０．０８Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}＝Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}±０．０７Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}＝Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}±０．０６Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}＝Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}±０．０５Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}＝Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}±０．０４Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}＝Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}±０．０３Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}＝Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}±０．０２Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}、又はＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}＝Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}±０．０１Ｔ^０ _{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}に従う範囲で変わり得る。

ここに記載されるように、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値よりも厚い電極を使用することによって、例えば２λよりも厚い圧電板を有するＳＡＷ共振器に対して良好な又は許容可能な周波数特性性能を得ることができる。材料が表２に挙げられている場合、対応するＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値を、例えばＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}．よりも大きな厚さを有する電極を設計するべく利用することができる。材料が表２に挙げられていない場合、対応するＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値を、式１又は式２に従って計算することができ、例えばＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きな厚さを有する電極を設計するべく、しきい値を利用することができる。

いくつかの実施形態において、ここに記載される一以上の特徴を有する電極は、複数の金属元素のような複数の元素の合金として形成することができる。かかる電極に対し、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値は、質量密度ρとして合金の平均密度を使用することにより、式１又は式２に従って計算することができる。かかるしきい値は、例えばＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きな厚さを有する電極を設計するべく利用することができる。

いくつかの実施形態において、ここに記載される一以上の特徴を有する電極は、複数の層（例えば複数の異なる材料）を含むように形成することができる。かかる電極に対し、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値は、質量密度ρとして複数層の平均密度を使用することにより、式１又は式２に従って計算することができる。かかるしきい値は、例えばＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きな厚さを有する電極を設計するべく利用することができる。

図２３及び２４を参照すると、いくつかの実施形態において、所与の電極材料に対し、電極を、その厚さが対応Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値以下の場合に薄い電極とみなすことができ、その厚さが対応Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値よりも大きい場合に厚い電極とみなすことができる。記載目的上、かかるＴ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}値は、測定又は計算される値、又はモデリング、外挿若しくは内挿される値としてよい。

したがって、図２３の例において、曲線１９４及びその曲線１９４の下の領域は、各質量密度材料に対して薄い電極を表すとみなすことができ、その曲線１９４の上の領域は、各質量密度材料に対して厚い電極とみなすことができる。同様に、図２４の例において、式１又は式２によって表される曲線及びその曲線の下の領域は、各質量密度材料に対して薄い電極を表すとみなすことができ、その曲線の上の領域は、各質量密度材料に対して厚い電極とみなすことができる。

いくつかの実施形態において、圧電層（ここでは圧電板、圧電膜、又は単に圧電体若しくはｐｉｅｚｏとも称する）を、その厚さが、Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}よりも大きい、１．０１Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}よりも大きい、１．０２Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}よりも大きい、１．０３Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}よりも大きい、１．０４Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}よりも大きい、１．０５Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}よりも大きい、１．１０Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}よりも大きい、１．２０Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}よりも大きい、１．３０Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}よりも大きい、１．４０Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}よりも大きい、１．５０Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}よりも大きい、又は２Ｔ_{ｐｉｅｚｏ}よりも大きい場合に厚い圧電層とみなすことができる。

いくつかの実施形態において、電極を、その厚さが、Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きい、１．０１Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きい、１．０２Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きい、１．０３Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きい、１．０４Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きい、１．０５Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きい、１．１０Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きい、１．２０Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きい、１．３０Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きい、１．４０Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きい、１．５０Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きい、又は２Ｔ_{ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ}よりも大きい場合に厚い電極とみなすことができる。

ここに与えられる様々な特定例は、各ＳＡＷ共振器のいくつかの特定構成の文脈で記載される。例えば、図１２～２１を参照して記載された様々な例は、メタライゼーション比（ＭＲ）０．５を有する電極に基づいている。ここで、図７に示されるように、ＭＲ＝Ｆ／（Ｆ＋Ｇ）であり、Ｆは電極指の幅であり、Ｇは２つの電極指間の間隙寸法である。

少なくとも寸法Ｆが電極のサイズに、ひいては電極の質量に影響を与えるので、いくつかの実施形態において、本開示の一以上の特徴は、メタライゼーション比（ＭＲ）に基づいて実装することもできる。例えば、電極には、（ＭＲ）×Ｔ_{ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ}＝（一定）との関係に基づいて望ましい質量（ここでは質量負荷とも称する）が与えられる。かかる構成において、電極の質量比が増加すると、厚い圧電層に対してであっても、電極の厚さの低減を利用することができる。

他例において、金属及び合金のような材料から形成される様々な電極例が記載される。理解されることだが、本開示の一以上の特徴を有する電極は、一以上の材料を利用する一以上の層に実装することができる。電極が、一つよりも多い材料による複数の層で形成される場合、当該材料の個々の質量密度に基づく実効質量密度（又は等価質量関連パラメータ）を利用することができる。

さらなる他例において、図１２～２１を参照して記載される様々な例は、ＬＴと水晶基板との組み合わせに基づく。理解されることだが、本開示の一以上の特徴は、圧電材料と基板との他の組み合わせを利用して実装することもできる。例えば、ＬＴ／水晶の組み合わせと同様に、質量負荷電極による機能を得るべくＬＮと水晶基板との組み合わせを利用することができる。

わかることだが、図１２～２０の例（ＬＴ／水晶と銅電極との組み合わせ）において、電極は、（０°，１１０°，０°）ＬＴ／（０°，１３２°４５’，９０°）水晶構造基板の組み合わせにおいて形成される。ここで、（φ，θ，ψ）はオイラー角を表す。図２１の例（ＬＴ／水晶とアルミニウム電極との組み合わせ）に対し、電極はまた、（０°，１１０°，０°）ＬＴ／（０°，１３２°４５’，９０°）水晶構造基板の組み合わせにおいて形成される。理解されることだが、ＬＴ及び／又は水晶基板の他の構造も利用することができる。例えば、配向角（０±５°，８０～１５５°，０±５°）、（９０±５°，９０±５°，０～１８０°）、及びこれらと等価の配向角をＬＴに対して利用して、所望の電気機械結合特性を与えることができる。

水晶との組み合わせにおいてＬＴの代わりにＬＮが使用される場合、異なる配向角が利用され得る。例えば、配向角（０±５°，６０～１６０°，０±５°）、（９０±５°，９０±５°，０～１８０°）、及びこれらと等価の配向角をＬＮに対して利用して、所望の電気機械結合特性を与えることができる。

またもわかることだが、いくつかの実施形態において、水晶基板の配向角は、ＳＡＷ共振器の伝搬方向が傾斜してパワーフロー角度が近似的にゼロとなるのを許容しないように選択することができる。例えば、水晶基板に対し、以下のような配向を利用することができる。すなわち、（０±５°，θ，３５°±８°）、（１０°±５°，θ，４２°±８°）、（２０°±５°，θ，５０°±８°）、（０°±５°，θ，０°±５°）、（１０°±５°，θ，０°±５°）、（２０°±５°，θ，０°±５°）、（０°±５°，θ，９０°±５°）、（１０°±５°，θ，９０°±５°）、（２０°±５°，θ，９０°±５°）、及び（９０°±５°，９０°±５°，ψ）である。ここで、θ及びψはそれぞれが、０°～１８０°の範囲にある値を有する。

いくつかの実施形態において、ここに記載される一以上の特徴を有するＳＡＷ共振器を、製品として実装することができ、かかる製品を他の製品に含ませることができる。かかる異なる製品の例が図２５～２９を参照して記載される。

図２５は、いくつかの実施形態において、ＳＡＷ共振器の多数ユニットを、アレイ形式にある間に作製できることを示す。例えば、ウェハ２００が、一アレイのユニット１００’を含み、かかるユニットが、一緒に結合されたまま一定数のプロセスステップを介して処理される。例えば、いくつかの実施形態において、図８Ａ～８Ｃのプロセスステップのすべてを、かかる一アレイのユニットが、異なる層（例えば水晶層１１２及びＬＴ層１３０、１３４）を有するウェハとして一緒に結合されている間に達成することができる。他例において、図９Ａ～９Ｅのプロセスステップのすべてを、かかる一アレイのユニットが、異なる層（例えばハンドル層１４０、ＬＴ層１３０、１４４、及び水晶層１１２）を有するウェハとして一緒に結合されている間に達成することができる。

上述したウェハ形式でのプロセスステップの完了時、当該一アレイのユニット１００’を個片化して多数のＳＡＷ共振器１００を与えることができる。図２５は、かかるＳＡＷ共振器１００の一つを描く。図２５の例において、個片化されたＳＡＷ共振器１００が、ＬＴ層のような圧電層１０４に形成される電極１０２を含むように示される。かかる電極及び圧電層は、ここに記載されるように構成されて望ましい特徴を与えることができる。理解されることだが、いくつかの実施形態において、圧電層上には、一以上の反射器とともに他の電極も与えることができる。

図２６は、いくつかの実施形態において、ここに記載される一以上の特徴を有するＳＡＷ共振器１００を、パッケージデバイス３００の一部として実装できることを示す。かかるパッケージデバイスは、ＳＡＷ共振器１００を含む一以上のコンポーネントを受容及び支持するべく構成されるパッケージング基板３０２を含み得る。

図２７は、いくつかの実施形態において、図２６のＳＡＷ共振器ベースのパッケージデバイス３００がパッケージフィルタデバイス３００となり得ることを示す。かかるフィルタデバイスは、ＲＦフィルタリング機能のようなフィルタリング機能を与えるべく構成されるＳＡＷ共振器１００を受容及び支持するのに適切なパッケージング基板３０２を含み得る。

図２８は、いくつかの実施形態において、無線周波数（ＲＦ）モジュール４００が、一以上のＲＦフィルタのアセンブリ４０６を含み得ることを示す。かかるフィルタは、ＳＡＷ共振器ベースのフィルタ１００、パッケージフィルタ３００、又はこれらの何らかの組み合わせとしてよい。いくつかの実施形態において、図２８のＲＦモジュール４００はまた、例えば、ＲＦ集積回路（ＲＦＩＣ）４０４及びアンテナスイッチモジュール（ＡＳＭ）４０８も含んでよい。かかるモジュールは、例えば、無線動作をサポートするべく構成されるフロントエンドモジュールとしてよい。いくつかの実施形態において、上述したコンポーネントの一部又はすべてが、パッケージング基板４０２によって取り付けられ及び支持されてよい。

いくつかの実装において、ここに記載される一以上の特徴を有するデバイス及び／又は回路が、無線デバイスのようなＲＦデバイスに含まれてよい。かかるデバイス及び／又は回路は、無線デバイスに直接実装し、ここに記載されるモジュラー形式で実装し、又はこれらの何らかの組み合わせで実装してよい。いくつかの実施形態において、かかる無線デバイスは、例えば、携帯電話機、スマートフォン、電話機能あり又はなしのハンドヘルド無線デバイス、無線タブレット等を含み得る。

図２９は、ここに記載される一以上の有利な特徴を有する無線デバイス５００の一例を描く。ここに記載される一以上の特徴を有するモジュールの文脈において、かかるモジュールは一般に破線の四角４００によって描かれ、例えばフロントエンドモジュール（ＦＥＭ）として実装することができる。かかる例において、ここに記載される一以上のＳＡＷフィルタは、例えば、デュプレクサ５２６のようなフィルタのアセンブリに含まれてよい。

図２９を参照すると、複数の電力増幅器（ＰＡ）５２０が、対応するＲＦ信号を送受信器５１０から受信し得る。送受信器５１０は、増幅及び送信されるＲＦ信号を生成するべく、及び受信した信号を処理するべく、周知の態様で構成され及び動作し得る。送受信器５１０は、ベース帯域サブシステム４０８と相互作用するように示される。ベース帯域サブシステム４０８は、ユーザにとって適切なデータ及び／又は音声信号と、送受信器５１０にとって適切なＲＦ信号との変換を与えるように構成される。送受信器５１０はまた、無線デバイス５００の動作のための電力を管理するように構成される電力管理コンポーネント５０６と通信することができる。かかる電力管理はまた、ベース帯域サブシステム５０８及びモジュール４００の動作も制御することができる。

ベース帯域サブシステム５０８は、ユーザへ与えられ及びユーザから受信される音声及び／又はデータの様々な入出力を容易にするべくユーザインタフェイス５０２に接続されるように示される。ベース帯域サブシステム５０８はまた、無線デバイスの動作を容易にするべく、及び／又はユーザのために情報を格納するべく、データ及び／又は命令を格納するように構成されるメモリ５０４にも接続される。

無線デバイス５００の例において、複数のＰＡ５２０の出力は、対応するデュプレクサ５２６に引き回されるように示される。かかる増幅及びフィルタリングされた信号は、送信を目的として、アンテナスイッチ５１４を介してアンテナ５１６へと引き回される。いくつかの実施形態において、デュプレクサ５２６により、共通アンテナ（例えば５１６）を使用しての送信動作及び受信動作が同時に行われるようになる。図２９において、受信信号は、例えば低雑音増幅器（ＬＮＡ）を含み得る「Ｒｘ」経路（図示せず）へと引き回されるように示される。

文脈が明確にそうでないことを要求しない限り、明細書及び特許請求の範囲全体を通して、「含む」、「備える」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは逆の、包括的な意味で、すなわち「～を含むがこれに限られない」意味で解釈されるべきである。ここで一般に使用される用語「結合」は、２つ以上の要素が、直接に接続されるか、又は一以上の中間要素を経由して接続されるかのいずれかとなり得ることを言及する。付加的に、本願において使用される場合、用語「ここで」、「上」、「下」、及び同様の意味の用語は、本願全体を言及するものとし、本願のいずれか特定の部分を言及するわけではない。文脈上許容される場合、単数又は複数の数を使用する上記の詳細な説明における用語は、それぞれ複数又は単数の数も含み得る。２つ以上の項目のリストを参照する「又は」及び「若しくは」という用語は、その用語の以下の解釈、すなわち、リスト内の項目のいずれか、リスト内の項目のすべて、及びリスト内の項目の任意の組み合わせ、のすべてをカバーする。

本発明の実施形態の上記説明は、網羅的であることを意図したものではなく、又は上記開示の正確な形態に本発明を限定することを意図したものでもない。本発明の特定の実施形態及び例は、説明目的のために上述されているが、当業者が認識するように、本発明の範囲内で様々な等価な修正例が可能である。例えば、プロセス又はブロックが所与の順序で提示される一方、代替の実施形態が異なる順序でステップを有するルーチンを実行し又はブロックを有するシステムを用いることができ、いくつかのプロセス又はブロックは、削除、移動、追加、細分化、結合及び／又は修正され得る。これらのプロセス又はブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装してよい。また、プロセス又はブロックは、直列に実行されるように示されることがある一方、これらのプロセス又はブロックは、その代わりに並列に実行されてもよく、又は異なる時刻に実行されてもよい。

ここに与えられる本発明の教示は、必ずしも上述のシステムというわけではない他のシステムに適用することができる。上述の様々な実施形態の要素及び作用は、さらなる実施形態を与えるべく組み合わせてよい。

本発明の一定の実施形態が記載されてきたが、これらの実施形態は例としてのみ提示されており、本開示の範囲を限定することを意図しない。実際のところ、ここに記載される新規な方法及びシステムは、様々な他の形式で具体化してよく、さらには、ここに記載される方法及びシステムの形式の様々な省略、置換及び変更を、本開示の要旨から逸脱することなく行ってよい。添付の特許請求の範囲及びそれらの均等物は、本開示の範囲及び要旨に収まるような形式又は修正をカバーすることが意図される。

Claims

波長λを有する弾性表面波の共振を与える弾性表面波デバイスであって、
水晶基板と、
ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて前記水晶基板の上に配置される圧電板であって、２λよりも大きな厚さを有する圧電板と、
前記圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極と
を含み、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、１．５０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦６．００ｇ／ｃｍ^３、６．００ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦１２．０ｇ／ｃｍ^３、又は１２．０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ^３の範囲にある質量密度ρと、それぞれに対応して０．１４８λよりも大きな、０．０７９λよりも大きな、又は０．０３６λよりも大きな厚さとを有する、弾性表面波デバイス。
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、近似的に０．５のメタライゼーション比（ＭＲ）を有し、
ここで、ＭＲ＝Ｆ／（Ｆ＋Ｇ）であり、数量Ｆは電極指の幅であり、数量Ｇは２つの電極指間の間隙寸法である、請求項１の弾性表面波デバイス。
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、アルミニウム、チタン、マグネシウム、銅、ニッケル、銀、モリブデン、金、白金、タングステン、タンタル、ハフニウム、他の金属、複数の金属から形成される合金、又は複数の層を有する構造物を含んで質量密度範囲１．５０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ^３を有する、請求項１の弾性表面波デバイス。
前記圧電板はＬｉＴａＯ_３（ＬＴ）板である、請求項１の弾性表面波デバイス。
前記ＬＴ板は、オイラー角（０±５°，８０～１５５°，０±５°）、（９０±５°，９０°±５°，０～１８０°）、又はこれと等価な配向角を有するように構成される、請求項４の弾性表面波デバイス。
前記圧電板はＬｉＮｂＯ_３（ＬＮ）板である、請求項１の弾性表面波デバイス。
前記ＬＮ板は、オイラー角（０±５°，６０～１６０°，０±５°）、（９０±５°，９０°±５°，０～１８０°）、又はこれらと等価な配向角を有するように構成される、請求項６の弾性表面波デバイス。
前記水晶基板は、オイラー角（０±５°，θ，３５°±８°）、（１０°±５°，θ，４２°±８°）、（２０°±５°，θ，５０°±８°）、（０°±５°，θ，０°±５°）、（１０°±５°，θ，０°±５°）、（２０°±５°，θ，０°±５°）、（０°±５°，θ，９０°±５°）、（１０°±５°，θ，９０°±５°）、（２０°±５°，θ，９０°±５°）、（９０°±５°，９０°±５°，ψ）、又はこれらと等価な配向角を有するように構成され、θ及びψはそれぞれが範囲０°～１８０°にある値を有する、請求項１の弾性表面波デバイス。
波長λを有する弾性表面波の共振を与える弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
水晶基板を形成すること又は与えることと、
ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成される圧電板を、水晶基板の上に存在するように実装することであって、前記圧電板は２λよりも大きな厚さを有することと、
インターディジタルトランスデューサ電極を前記圧電板の上に形成することと
を含み、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、１．５０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦６．００ｇ／ｃｍ^３、６．００ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦１２．０ｇ／ｃｍ^３、又は１２．０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ^３の範囲にある質量密度ρを有し、それぞれに対応して０．１４８λよりも大きな、０．０７９λよりも大きな、又は０．０３６λよりも大きな厚さを有する、方法。
前記圧電板を実装することは、相対的に厚い圧電板と、水晶板とのアセンブリを形成すること又は与えることを含む、請求項９の方法。
前記圧電板を実装することはさらに、前記相対的に厚い圧電板に対して薄化プロセスを行って、２λよりも大きな厚さを有する圧電板を与えることを含み、
前記圧電板は、前記水晶板に係合する第１表面と、前記第１表面とは反対側の、前記薄化プロセスから得られる第２表面とを含む、請求項１０の方法。
前記薄化プロセスは研磨プロセスを含む、請求項１１の方法。
前記インターディジタルトランスデューサ電極を前記圧電板の上に形成することは、前記インターディジタルトランスデューサ電極を前記圧電板の第２表面に形成することを含む、請求項１１の方法。
前記アセンブリの水晶板は前記水晶基板と実質的に同じである、請求項１１の方法。
前記圧電板を実装することは、相対的に厚い圧電板と、ハンドリング基板とのアセンブリを形成すること又は与えることを含む、請求項９の方法。
前記圧電板を実装することはさらに、前記相対的に厚い圧電板に対して薄化プロセスを行って、２λよりも大きな厚さを有する薄化圧電板を与えることを含み、
前記薄化圧電板は、前記薄化プロセスから得られる第１表面と、前記第１表面とは反対側の、前記ハンドリング基板に係合する第２表面とを含む、請求項１５の方法。
前記薄化プロセスは研磨プロセスを含む、請求項１６の方法。
前記圧電板を実装することはさらに、水晶板を前記薄化圧電板の第１表面に取り付けることを含む、請求項１６の方法。
前記圧電板を実装することはさらに、前記ハンドリング基板を除去して前記薄化圧電板の第２表面を露出させることを含む、請求項１８の方法。
前記ハンドリング基板を除去することはエッチングプロセスを含む、請求項１９の方法。
前記インターディジタルトランスデューサ電極を前記圧電板の上に形成することは、前記インターディジタルトランスデューサ電極を前記圧電板の露出した第２表面に形成することを含む、請求項１９の方法。
前記圧電板の第１表面に取り付けられる水晶板は前記水晶基板と実質的に同じである、請求項１９の方法。
無線周波数フィルタであって、
信号を受信する入力ノードと、
フィルタリングされた信号を与える出力ノードと、
電気的に前記入力ノードと前記出力ノードとの間に存在するように実装される弾性表面波デバイスと
を含み、
前記弾性表面波デバイスは、波長λを有する弾性表面波の共振を与えるように構成され、
前記弾性表面波デバイスは、水晶基板と、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて前記水晶基板の上に配置される圧電板とを含み、
前記圧電板は２λよりも大きな厚さを有し、
前記弾性表面波デバイスはさらに、前記圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含み、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、１．５０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦６．００ｇ／ｃｍ^３、６．００ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦１２．０ｇ／ｃｍ^３、又は１２．０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ^３の範囲にある質量密度ρと、それぞれに対応して０．１４８λよりも大きな、０．０７９λよりも大きな、又は０．０３６λよりも大きな厚さとを有する、無線周波数フィルタ。
無線周波数モジュールであって、
複数のコンポーネントを受容するべく構成されるパッケージング基板と、
前記パッケージング基板に実装されて複数の信号の送信及び受信の一方又は双方をサポートするべく構成される無線周波数回路と、
前記信号の少なくともいくつかをフィルタリングするべく構成される無線周波数フィルタと
を含み、
前記無線周波数フィルタは、波長λを有する弾性表面波の共振を与えるように構成される弾性表面波デバイスを含み、
前記弾性表面波デバイスは、水晶基板と、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて前記水晶基板の上に配置される圧電板とを含み、前記圧電板は２λよりも大きな厚さを有し、
前記弾性表面波デバイスはさらに、前記圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含み、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、１．５０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦６．００ｇ／ｃｍ^３、６．００ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦１２．０ｇ／ｃｍ^３、又は１２．０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ^３の範囲にある質量密度ρと、それぞれに対応して０．１４８λよりも大きな、０．０７９λよりも大きな、又は０．０３６λよりも大きな厚さとを有する、無線周波数モジュール。
無線デバイスであって、
送受信器と、
アンテナと、
電気的に前記送受信器と前記アンテナとの間に存在するように実装される無線システムと
を含み、
前記無線システムは、前記無線システムのためのフィルタリング機能を与えるべく構成されるフィルタを含み、
前記無線周波数フィルタは、波長λを有する弾性表面波の共振を与えるように構成される弾性表面波デバイスを含み、
前記弾性表面波デバイスは、水晶基板と、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて前記水晶基板の上に配置される圧電板とを含み、
前記圧電板は２λよりも大きな厚さを有し、
前記弾性表面波デバイスはさらに、前記圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含み、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、１．５０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦６．００ｇ／ｃｍ^３、６．００ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦１２．０ｇ／ｃｍ^３、又は１２．０ｇ／ｃｍ^３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ^３の範囲にある質量密度ρと、それぞれに対応して０．１４８λよりも大きな、０．０７９λよりも大きな、又は０．０３６λよりも大きな厚さとを有する、無線デバイス。
波長λを有する弾性表面波の共振を与える弾性表面波デバイスであって、
水晶基板と、
ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて前記水晶基板の上に配置される圧電板であって、２λよりも大きな厚さを有する圧電板と、
前記圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極と
を含み、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、質量密度ρ、及び

よりも大きな厚さＴを有し、
数量ＭＲは前記インターディジタルトランスデューサ電極のメタライゼーション比であり、数量ａは０．１９０９１λ±δ_ａの値を有し、数量ｂは０．１７６５８λ±δ_ｂの値を有し、数量ｃは９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３±δ_ｃの値を有する、弾性表面波デバイス。
前記インターディジタルトランスデューサ電極のメタライゼーション比（ＭＲ）はＦ／（Ｆ＋Ｇ）として見積もられ、
数量Ｆは電極指の幅であり、数量Ｇは２つの電極指間の間隙寸法である、請求項２６の弾性表面デバイス。
前記メタライゼーション比（ＭＲ）は近似的に０．５の値を有する、請求項２７の弾性表面デバイス。
数量δ_ａは、（０．１０）０．１９０９１λ、（０．０９）０．１９０９１λ、（０．０８）０．１９０９１λ、（０．０７）０．１９０９１λ、（０．０６）０．１９０９１λ、（０．０５）０．１９０９１λ、（０．０４）０．１９０９１λ、（０．０３）０．１９０９１λ、（０．０２）０．１９０９１λ、（０．０１）０．１９０９１λ、又は近似的にゼロの値を有する、請求項２６の弾性表面デバイス。
数量δ_ｂは、（０．１０）０．１７６５８λ、（０．０９）０．１７６５８λ、（０．０８）０．１７６５８λ、（０．０７）０．１７６５８λ、（０．０６）０．１７６５８λ、（０．０５）０．１７６５８λ、（０．０４）０．１７６５８λ、（０．０３）０．１７６５８λ、（０．０２）０．１７６５８λ、（０．０１）０．１７６５８λ、又は近似的にゼロの値を有する、請求項２６の弾性表面デバイス。
数量δ_ｃは、（０．１０）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０９）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０８）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０７）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０６）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０５）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０４）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０３）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０２）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、（０．０１）９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３、又は近似的にゼロの値を有する、請求項２６の弾性表面デバイス。
前記圧電板はＬｉＴａＯ_３（ＬＴ）板である、請求項２６の弾性表面デバイス。
前記ＬＴ板は、オイラー角（０±５°，８０～１５５°，０±５°）、（９０±５°，９０°±５°，０～１８０°）、又はこれと等価な配向角を有するように構成される、請求項３２の弾性表面デバイス。
前記圧電板はＬｉＮｂＯ_３（ＬＮ）板である、請求項２６の弾性表面デバイス。
前記ＬＴ板は、オイラー角（０±５°，６０～１６０°，０±５°）、（９０±５°，９０°±５°，０～１８０°）、又はこれと等価な配向角を有するように構成される、請求項３４の弾性表面デバイス。
前記水晶基板は、オイラー角（０±５°，θ，３５°±８°）、（１０°±５°，θ，４２°±８°）、（２０°±５°，θ，５０°±８°）、（０°±５°，θ，０°±５°）、（１０°±５°，θ，０°±５°）、（２０°±５°，θ，０°±５°）、（０°±５°，θ，９０°±５°）、（１０°±５°，θ，９０°±５°）、（２０°±５°，θ，９０°±５°）、（９０°±５°，９０°±５°，ψ）、又はこれらと等価な配向角を有するように構成され、
θ及びψはそれぞれが範囲０°～１８０°にある値を有する、請求項２６の弾性表面デバイス。
波長λを有する弾性表面波の共振を与える弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
水晶基板を形成すること又は与えることと、
ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成される圧電板を、水晶基板の上に存在するように実装することであって、前記圧電板は２λよりも大きな厚さを有することと、
インターディジタルトランスデューサ電極を前記圧電板の上に形成することと
を含み、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、質量密度ρ、及び

よりも大きな厚さＴを有し、
数量ＭＲは前記インターディジタルトランスデューサ電極のメタライゼーション比であり、数量ａは０．１９０９１λ±δ_ａの値を有し、数量ｂは０．１７６５８λ±δ_ｂの値を有し、数量ｃは９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３±δ_ｃの値を有する、方法。
前記圧電板を実装することは、相対的に厚い圧電板と、水晶板とのアセンブリを形成すること又は与えることを含む、請求項３７の方法。
前記圧電板を実装することはさらに、前記相対的に厚い圧電板に対して薄化プロセスを行って、２λよりも大きな厚さを有する圧電板を与えることを含み、
前記圧電板は、前記水晶板に係合する第１表面と、前記第１表面とは反対側の、前記薄化プロセスから得られる第２表面とを含む、請求項３８の方法。
前記薄化プロセスは研磨プロセスを含む、請求項３９の方法。
前記インターディジタルトランスデューサ電極を前記圧電板の上に形成することは、前記インターディジタルトランスデューサ電極を前記圧電板の第２表面に形成することを含む、請求項３９の方法。
前記アセンブリの水晶板は前記水晶基板と実質的に同じである、請求項３９の方法。
前記圧電板を実装することは、相対的に厚い圧電板と、ハンドリング基板とのアセンブリを形成すること又は与えることを含む、請求項３７の方法。
前記圧電板を実装することはさらに、前記相対的に厚い圧電板に対して薄化プロセスを行って、２λよりも大きな厚さを有する薄化圧電板を与えることを含み、
前記薄化圧電板は、前記薄化プロセスから得られる第１表面と、前記第１表面とは反対側の、前記ハンドリング基板に係合する第２表面とを含む、請求項４３の方法。
前記薄化プロセスは研磨プロセスを含む、請求項４４の方法。
前記圧電板を実装することはさらに、水晶板を前記薄化圧電板の第１表面に取り付けることを含む、請求項４４の方法。
前記圧電板を実装することはさらに、前記ハンドリング基板を除去して前記薄化圧電板の第２表面を露出させることを含む、請求項４６の方法。
前記ハンドリング基板を除去することはエッチングプロセスを含む、請求項４７の方法。
前記インターディジタルトランスデューサ電極を前記圧電板の上に形成することは、前記インターディジタルトランスデューサ電極を前記圧電板の露出した第２表面に形成することを含む、請求項４７の方法。
前記圧電板の第１表面に取り付けられる水晶板は前記水晶基板と実質的に同じである、請求項４７の方法。
無線周波数フィルタであって、
信号を受信する入力ノードと、
フィルタリングされた信号を与える出力ノードと、
電気的に前記入力ノードと前記出力ノードとの間に存在するように実装される弾性表面波デバイスと
を含み、
前記弾性表面波デバイスは、波長λを有する弾性表面波の共振を与えるように構成され、
前記弾性表面波デバイスは、水晶基板と、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて前記水晶基板の上に配置される圧電板とを含み、
前記圧電板は２λよりも大きな厚さを有し、
前記弾性表面波デバイスはさらに、前記圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含み、前記インターディジタルトランスデューサ電極は、質量密度ρ、及び

よりも大きな厚さＴを有し、
数量ＭＲは前記インターディジタルトランスデューサ電極のメタライゼーション比であり、数量ａは０．１９０９１λ±δ_ａの値を有し、数量ｂは０．１７６５８λ±δ_ｂの値を有し、数量ｃは９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３±δ_ｃの値を有する、無線周波数フィルタ。
無線周波数モジュールであって、
複数のコンポーネントを受容するべく構成されるパッケージング基板と、
前記パッケージング基板に実装されて複数の信号の送信及び受信の一方又は双方をサポートするべく構成される無線周波数回路と、
前記信号の少なくともいくつかをフィルタリングするべく構成される無線周波数フィルタと
を含み、
前記無線周波数フィルタは、波長λを有する弾性表面波の共振を与えるべく構成される弾性表面波デバイスを含み、
前記弾性表面波デバイスは、水晶基板と、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて前記水晶基板の上に配置される圧電板とを含み、
前記圧電板は２λよりも大きな厚さを有し、
前記弾性表面波デバイスはさらに、前記圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含み、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、質量密度ρ、及び

よりも大きな厚さＴを有し、
数量ＭＲは前記インターディジタルトランスデューサ電極のメタライゼーション比であり、数量ａは０．１９０９１λ±δ_ａの値を有し、数量ｂは０．１７６５８λ±δ_ｂの値を有し、数量ｃは９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３±δ_ｃの値を有する、無線周波数モジュール。
無線デバイスであって、
送受信器と、
アンテナと、
電気的に前記送受信器と前記アンテナとの間に存在するように実装される無線システムと
を含み、
前記無線システムは、前記無線システムのためにフィルタリング機能を与えるべく構成されるフィルタを含み、
前記フィルタは、波長λを有する弾性表面波の共振を与えるべく構成される弾性表面波デバイスを含み、
前記弾性表面波デバイスは、水晶基板と、ＬｉＴａＯ_３又はＬｉＮｂＯ_３から形成されて前記水晶基板の上に配置される圧電板とを含み、
前記圧電板は２λよりも大きな厚さを有し、
前記弾性表面波デバイスはさらに、前記圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極を含み、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は、質量密度ρ、及び

よりも大きな厚さＴを有し、
数量ＭＲは前記インターディジタルトランスデューサ電極のメタライゼーション比であり、数量ａは０．１９０９１λ±δ_ａの値を有し、数量ｂは０．１７６５８λ±δ_ｂの値を有し、数量ｃは９．０８２８２ｇ／ｃｍ^３±δ_ｃの値を有する、無線デバイス。