JPWO2021055324A5 - 弾性表面波デバイスとその製造方法、 - Google Patents

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Claims (20)

  1. 波長λを有する弾性表面波の共振を与える弾性表面波デバイスであって、
    水晶基板と、
    ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成されて前記水晶基板の上に配置される圧電板であって、２λよりも大きな厚さを有する圧電板と、
    前記圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極と
    を含み、
    前記インターディジタルトランスデューサ電極は、１．５０ｇ／ｃｍ３＜ρ≦６．００ｇ／ｃｍ３、６．００ｇ／ｃｍ３＜ρ≦１２．０ｇ／ｃｍ３、又は１２．０ｇ／ｃｍ３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ３の範囲にある質量密度ρと、それぞれに対応して０．１４８λよりも大きな、０．０７９λよりも大きな、又は０．０３６λよりも大きな厚さとを有する、弾性表面波デバイス。
  2. 前記インターディジタルトランスデューサ電極は、近似的に０．５のメタライゼーション比（ＭＲ）を有し、
    ここで、ＭＲ＝Ｆ／（Ｆ＋Ｇ）であり、Ｆは電極指の幅であり、Ｇは２つの電極指間の間隙寸法である、請求項１の弾性表面波デバイス。
  3. 前記インターディジタルトランスデューサ電極は、アルミニウム、チタン、マグネシウム、銅、ニッケル、銀、モリブデン、金、白金、タングステン、タンタル、ハフニウム、他の金属、複数の金属から形成される合金、又は複数の層を有する構造物を含んで質量密度範囲１．５０ｇ／ｃｍ３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ３を有する、請求項１の弾性表面波デバイス。
  4. 前記圧電板はＬｉＴａＯ３（ＬＴ）板である、請求項１の弾性表面波デバイス。
  5. 前記ＬＴ板は、オイラー角（０±５°，８０～１５５°，０±５°）、（９０±５°，９０°±５°，０～１８０°）、又はこれと等価な配向角を有するように構成される、請求項４の弾性表面波デバイス。
  6. 前記圧電板はＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）板である、請求項１の弾性表面波デバイス。
  7. 前記ＬＮ板は、オイラー角（０±５°，６０～１６０°，０±５°）、（９０±５°，９０°±５°，０～１８０°）、又はこれらと等価な配向角を有するように構成される、請求項６の弾性表面波デバイス。
  8. 前記水晶基板は、オイラー角（０±５°，θ，３５°±８°）、（１０°±５°，θ，４２°±８°）、（２０°±５°，θ，５０°±８°）、（０°±５°，θ，０°±５°）、（１０°±５°，θ，０°±５°）、（２０°±５°，θ，０°±５°）、（０°±５°，θ，９０°±５°）、（１０°±５°，θ，９０°±５°）、（２０°±５°，θ，９０°±５°）、（９０°±５°，９０°±５°，ψ）、又はこれらと等価な配向角を有するように構成され、θ及びψはそれぞれが範囲０°～１８０°にある値を有する、請求項１の弾性表面波デバイス。
  9. 波長λを有する弾性表面波の共振を与える弾性表面波デバイスを製造する方法であって、
    水晶基板を形成すること又は与えることと、
    ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成される圧電板を、水晶基板の上に存在するように実装することであって、前記圧電板は２λよりも大きな厚さを有することと、
    インターディジタルトランスデューサ電極を前記圧電板の上に形成することと
    を含み、
    前記インターディジタルトランスデューサ電極は、１．５０ｇ／ｃｍ３＜ρ≦６．００ｇ／ｃｍ３、６．００ｇ／ｃｍ３＜ρ≦１２．０ｇ／ｃｍ３、又は１２．０ｇ／ｃｍ３＜ρ≦２３．０ｇ／ｃｍ３の範囲にある質量密度ρを有し、それぞれに対応して０．１４８λよりも大きな、０．０７９λよりも大きな、又は０．０３６λよりも大きな厚さを有する、方法。
  10. 前記圧電板を実装することは、相対的に厚い圧電板と、水晶板とのアセンブリを形成すること又は与えることを含む、請求項９の方法。
  11. 前記圧電板を実装することはさらに、前記相対的に厚い圧電板に対して薄化プロセスを行って、２λよりも大きな厚さを有する圧電板を与えることを含み、
    前記圧電板は、前記水晶板に係合する第１表面と、前記第１表面とは反対側の、前記薄化プロセスから得られる第２表面とを含む、請求項１０の方法。
  12. 前記圧電板を実装することは、相対的に厚い圧電板と、ハンドリング基板とのアセンブリを形成すること又は与えることを含む、請求項９の方法。
  13. 前記圧電板を実装することはさらに、前記相対的に厚い圧電板に対して薄化プロセスを行って、２λよりも大きな厚さを有する薄化圧電板を与えることを含み、
    前記薄化圧電板は、前記薄化プロセスから得られる第１表面と、前記第１表面とは反対側の、前記ハンドリング基板に係合する第２表面とを含む、請求項１２の方法。
  14. 前記圧電板を実装することはさらに、水晶板を前記薄化圧電板の第１表面に取り付けることを含む、請求項１３の方法。
  15. 前記圧電板を実装することはさらに、前記ハンドリング基板を除去して前記薄化圧電板の第２表面を露出させることを含む、請求項１４の方法。
  16. 波長λを有する弾性表面波の共振を与える弾性表面波デバイスであって、
    水晶基板と、
    ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３から形成されて前記水晶基板の上に配置される圧電板であって、２λよりも大きな厚さを有する圧電板と、
    前記圧電板の上に形成されるインターディジタルトランスデューサ電極と
    を含み、
    前記インターディジタルトランスデューサ電極は、質量密度ρ、及び
    Figure 2021055324000001
    よりも大きな厚さＴを有し、
    ＭＲは前記インターディジタルトランスデューサ電極のメタライゼーション比であり、ａは０．１９０９１λ±δａの値を有し、ｂは０．１７６５８λ±δｂの値を有し、ｃは９．０８２８２ｇ／ｃｍ３±δｃの値を有する、弾性表面波デバイス。
  17. 前記メタライゼーション比（ＭＲ）は近似的に０．５の値を有する、請求項１６の弾性表面波デバイス。
  18. 数量δａは、（０．１０）０．１９０９１λ、（０．０９）０．１９０９１λ、（０．０８）０．１９０９１λ、（０．０７）０．１９０９１λ、（０．０６）０．１９０９１λ、（０．０５）０．１９０９１λ、（０．０４）０．１９０９１λ、（０．０３）０．１９０９１λ、（０．０２）０．１９０９１λ、又は（０．０１）０．１９０９１λ未満の値を有する、請求項１６の弾性表面波デバイス。
  19. 数量δｂは、（０．１０）０．１７６５８λ、（０．０９）０．１７６５８λ、（０．０８）０．１７６５８λ、（０．０７）０．１７６５８λ、（０．０６）０．１７６５８λ、（０．０５）０．１７６５８λ、（０．０４）０．１７６５８λ、（０．０３）０．１７６５８λ、（０．０２）０．１７６５８λ、又は（０．０１）０．１７６５８λ未満の値を有する、請求項１６の弾性表面波デバイス。
  20. 数量δｃは、（０．１０）９．０８２８２ｇ／ｃｍ３、（０．０９）９．０８２８２ｇ／ｃｍ３、（０．０８）９．０８２８２ｇ／ｃｍ３、（０．０７）９．０８２８２ｇ／ｃｍ３、（０．０６）９．０８２８２ｇ／ｃｍ３、（０．０５）９．０８２８２ｇ／ｃｍ３、（０．０４）９．０８２８２ｇ／ｃｍ３、（０．０３）９．０８２８２ｇ／ｃｍ３、（０．０２）９．０８２８２ｇ／ｃｍ３、又は（０．０１）９．０８２８２ｇ／ｃｍ３ 未満の値を有する、請求項１６の弾性表面波デバイス。
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