JPS62297064A - 半導体等のウエ−ハ保持用積層体 - Google Patents
半導体等のウエ−ハ保持用積層体Info
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- JPS62297064A JPS62297064A JP61141170A JP14117086A JPS62297064A JP S62297064 A JPS62297064 A JP S62297064A JP 61141170 A JP61141170 A JP 61141170A JP 14117086 A JP14117086 A JP 14117086A JP S62297064 A JPS62297064 A JP S62297064A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 title abstract 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 46
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 claims description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 32
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 48
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 2
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000001007 puffing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体等のウェーハを研磨する際に研磨機
の回転貼付盤にウェーハを保持するために使用する積層
体に関するものである。
の回転貼付盤にウェーハを保持するために使用する積層
体に関するものである。
ICやLSI等に使用する半導体のウェーハは、少(と
も片面は研磨して鏡面仕上げされなければならない。通
常、この研磨は、研磨機の回転貼付盤につ2−ハを保持
し、同様に回転する定盤の上に敷設された研磨布上に研
磨液を供給しなからウェーハを押圧して行われる。
も片面は研磨して鏡面仕上げされなければならない。通
常、この研磨は、研磨機の回転貼付盤につ2−ハを保持
し、同様に回転する定盤の上に敷設された研磨布上に研
磨液を供給しなからウェーハを押圧して行われる。
従来、回転貼付盤へのウェーハの保持は、パラフィンや
ワックス等を用いて行っていた。しかしこの方法は、ウ
ェーハの着脱のみならず研磨したウェーハ及び回転貼付
盤のクリーニングが煩雑であり、非常に手間と時間のか
かるものであった。
ワックス等を用いて行っていた。しかしこの方法は、ウ
ェーハの着脱のみならず研磨したウェーハ及び回転貼付
盤のクリーニングが煩雑であり、非常に手間と時間のか
かるものであった。
この難点を解消する方法として、ワックス等を使用する
ことなく、人工皮革状シートやポリエステル繊維等の不
織布にポリウレタン樹脂を含浸させ、その表面を微細発
泡構造としたシートを用いた積層体を研磨機の回転貼付
盤に貼着し、この積層体によりウェーハを保持するワッ
クスレスマウント法が開発され、現在はこの方法が広(
採用されいてる。
ことなく、人工皮革状シートやポリエステル繊維等の不
織布にポリウレタン樹脂を含浸させ、その表面を微細発
泡構造としたシートを用いた積層体を研磨機の回転貼付
盤に貼着し、この積層体によりウェーハを保持するワッ
クスレスマウント法が開発され、現在はこの方法が広(
採用されいてる。
上記従来の積層体は、第5図に示すような構造が一般的
である。すなわち、下面にウェーハを接触・保持する保
持バッキング(1)、補強材(2)、キャリア(3)及
び剥離紙(4)をこの順に積層し、各層の間に粘着剤ま
たは接着剤(5)(6)(7)を介在させて相互に密着
させている。
である。すなわち、下面にウェーハを接触・保持する保
持バッキング(1)、補強材(2)、キャリア(3)及
び剥離紙(4)をこの順に積層し、各層の間に粘着剤ま
たは接着剤(5)(6)(7)を介在させて相互に密着
させている。
ただし、#I離紙(4)は、研磨機の回転貼付盤に貼着
する際に粘着剤または接着剤(7)の層からヱ1工離・
除去可能となっている。
する際に粘着剤または接着剤(7)の層からヱ1工離・
除去可能となっている。
ところが、近年、ICやLSI等の高集積化が急速に進
み、これらに使用する半導体ウェーハの研磨仕上げに従
前より高度の平面度が要求されている。ここに平面度と
は、TTV (Total Th1ckness Va
riation)で表わした平面度をいい、研磨後のウ
ェーハを真空吸引盤に保持させたときのその表面に存在
する凹凸の最高点と最低点との距離で表わす。従来の6
4にビット用ICやLSIには、平面度が5μm程度で
あれば使用可能であるが、256にビット用としては使
用することはできない。256にビット用としては3μ
m程度以下の平面度が必要である。
み、これらに使用する半導体ウェーハの研磨仕上げに従
前より高度の平面度が要求されている。ここに平面度と
は、TTV (Total Th1ckness Va
riation)で表わした平面度をいい、研磨後のウ
ェーハを真空吸引盤に保持させたときのその表面に存在
する凹凸の最高点と最低点との距離で表わす。従来の6
4にビット用ICやLSIには、平面度が5μm程度で
あれば使用可能であるが、256にビット用としては使
用することはできない。256にビット用としては3μ
m程度以下の平面度が必要である。
上記従来の積層体を用いたウェーハを研磨した場合、平
面度は5μm程度であり、それ以下にすることができな
いという問題点があった。これは、従来の積層体が剥離
紙(4)を使用していること、及び層の数が多いことに
起因すると考えられる。
面度は5μm程度であり、それ以下にすることができな
いという問題点があった。これは、従来の積層体が剥離
紙(4)を使用していること、及び層の数が多いことに
起因すると考えられる。
すなわち、剥離紙(4)はそれ自体の表面にかなり大き
な凹凸やうねりを有しており、しかも、キャリア(3)
表面に密着させつつ粘着剤(7)を塗工した上に剥離紙
(4)を積層して巻き取る工程で空気が混入するので、
粘着剤または接着剤(7)の層の厚さが均一とならない
。このため、回転貼付盤に貼着した際に保持バッキング
(1)の表面が平坦にならなかった。
な凹凸やうねりを有しており、しかも、キャリア(3)
表面に密着させつつ粘着剤(7)を塗工した上に剥離紙
(4)を積層して巻き取る工程で空気が混入するので、
粘着剤または接着剤(7)の層の厚さが均一とならない
。このため、回転貼付盤に貼着した際に保持バッキング
(1)の表面が平坦にならなかった。
また、従来の積層体は層の数が多い(図示したものでは
剥離紙(4)を含めて7層)ため、たとえ各層が可能な
限り厚さを均一に製作されていても積層後には各層の厚
さの不均一さが累積され、その結果、保持バッキング(
1)の表面に形成される凹凸あるいはうねりが太き(な
ってしまう。
剥離紙(4)を含めて7層)ため、たとえ各層が可能な
限り厚さを均一に製作されていても積層後には各層の厚
さの不均一さが累積され、その結果、保持バッキング(
1)の表面に形成される凹凸あるいはうねりが太き(な
ってしまう。
この発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、
その目的とするところは、粘着剤または接着剤の層の厚
さの不均一さが非常に少ないつ工−ハ保持用積層体を提
供することにある。
その目的とするところは、粘着剤または接着剤の層の厚
さの不均一さが非常に少ないつ工−ハ保持用積層体を提
供することにある。
この発明の他の目的は、研摩機の回転貼付盤に貼着して
研磨した際に研磨したウェーハが非常に優れた平面度を
持つことができるウェーハ保持用積層体を提供すること
である。
研磨した際に研磨したウェーハが非常に優れた平面度を
持つことができるウェーハ保持用積層体を提供すること
である。
この発明が上記目的を達成するため講じた技術的手段は
、次の通りである。
、次の通りである。
ウレタン重合体シートよりなる保持バッキング(11)
と、熱可塑性樹脂よりなる補強材(12)と、熱可塑性
樹脂フィルムよりなるセパレータ(13)を各層の間に
粘着剤または接着剤(14) (15)を介在してこの
順に積層し、さらにセパレータ(13)を剥離可能とし
たことである。
と、熱可塑性樹脂よりなる補強材(12)と、熱可塑性
樹脂フィルムよりなるセパレータ(13)を各層の間に
粘着剤または接着剤(14) (15)を介在してこの
順に積層し、さらにセパレータ(13)を剥離可能とし
たことである。
保持バッキング(11)は、その片面にウェーハを接触
し、表面張力や摩擦力あるいは真空吸着作用によってウ
ェーハを保持するもので、ウレタン重合体シートにより
形成される。ウレタン重合体シートとしては、フオーム
状及びフィルム状いずれも使用可能である。
し、表面張力や摩擦力あるいは真空吸着作用によってウ
ェーハを保持するもので、ウレタン重合体シートにより
形成される。ウレタン重合体シートとしては、フオーム
状及びフィルム状いずれも使用可能である。
フオーム状シートを使用する場合は、湿式凝固法により
製造されかつ表面層が微細発泡構造となっているものが
適当であり、さらに表面にパフ加工を施すことが好まし
い。シートの厚さは50〜500μmとするのが適当で
あり、できるだけ薄いものを使用する。
製造されかつ表面層が微細発泡構造となっているものが
適当であり、さらに表面にパフ加工を施すことが好まし
い。シートの厚さは50〜500μmとするのが適当で
あり、できるだけ薄いものを使用する。
フィルム状シートを使用する場合は、好ましくは5〜1
00 μmの厚さのものとする。
00 μmの厚さのものとする。
これらのシートへのウェーハの保持は、フオーム状シー
トでは水等の液体をウェーハとシートの間に介在させ、
表面張力あるいはシート表面の微細気泡の真空吸着作用
によって行い、フィルム状シートでは水等の表面張力ま
たはシート自身の持つ自己粘着性によって行う。
トでは水等の液体をウェーハとシートの間に介在させ、
表面張力あるいはシート表面の微細気泡の真空吸着作用
によって行い、フィルム状シートでは水等の表面張力ま
たはシート自身の持つ自己粘着性によって行う。
補強材(12)は、保持バッキング(11)の補強及び
これらの間に形成される粘着剤あるいは接着剤(14)
の層の補強と支持を行うもので、熱可塑性樹脂により形
成される。ここで使用する熱可塑性樹脂としては、エチ
レン重合体、プロピレン重合体、ポリアミド樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂があり、強度、平
面性、厚み精度等を考慮して適宜選択する。好ましくは
二軸延伸処理の有無を問わずポリエステル樹脂が用いら
れ、特にフィルム状としたものが最適である。フィルム
の厚さは、ウェーハ保持機能、取扱いの容易性、作業性
等の観点から決定するが、40〜350μmの範囲が好
ましく、特に50〜200μ鴎とするのがよい。
これらの間に形成される粘着剤あるいは接着剤(14)
の層の補強と支持を行うもので、熱可塑性樹脂により形
成される。ここで使用する熱可塑性樹脂としては、エチ
レン重合体、プロピレン重合体、ポリアミド樹脂、ポリ
エステル樹脂、ポリカーボネート樹脂があり、強度、平
面性、厚み精度等を考慮して適宜選択する。好ましくは
二軸延伸処理の有無を問わずポリエステル樹脂が用いら
れ、特にフィルム状としたものが最適である。フィルム
の厚さは、ウェーハ保持機能、取扱いの容易性、作業性
等の観点から決定するが、40〜350μmの範囲が好
ましく、特に50〜200μ鴎とするのがよい。
保持パフキング(11)と補強材(12)の間の粘着剤
または接着剤(14)としては、アクリル樹脂を主成分
とし、剥離強度が1200 g / in以上で、さら
に研磨液のアルカリ性に耐えるものを用いるのが好まし
い。補強材(12)の保持バッキング(11)と反対側
の面に形成した粘着剤または接着剤(15)の層は、積
層体(10)を研磨機の回転貼付盤に貼着するためのも
のであるが、この層も保持バッキング(11)と補強材
(12)の間の粘着材または接着材(14)と同様のも
のを用いることができる。これらの層の厚さは、実用的
に可能な限り薄い方が好ましく、乾燥後において5〜5
0μmとなるようにする。
または接着剤(14)としては、アクリル樹脂を主成分
とし、剥離強度が1200 g / in以上で、さら
に研磨液のアルカリ性に耐えるものを用いるのが好まし
い。補強材(12)の保持バッキング(11)と反対側
の面に形成した粘着剤または接着剤(15)の層は、積
層体(10)を研磨機の回転貼付盤に貼着するためのも
のであるが、この層も保持バッキング(11)と補強材
(12)の間の粘着材または接着材(14)と同様のも
のを用いることができる。これらの層の厚さは、実用的
に可能な限り薄い方が好ましく、乾燥後において5〜5
0μmとなるようにする。
セパレータ(13)は、積層体(10)を回転貼付盤に
貼着するまで粘着材または接着材(15)の層を保護す
るためのもので、熱可塑性樹脂フィルムにより形成され
る。熱可塑性樹脂フィルムとしては、特にポリエステル
フィルム(二軸延伸の有無を問わない)やポリプロピレ
ンフィルムが好ましく、離型処理して使用する。フィル
ム厚さは20〜50μm程度で、薄いものがより好まし
い。
貼着するまで粘着材または接着材(15)の層を保護す
るためのもので、熱可塑性樹脂フィルムにより形成され
る。熱可塑性樹脂フィルムとしては、特にポリエステル
フィルム(二軸延伸の有無を問わない)やポリプロピレ
ンフィルムが好ましく、離型処理して使用する。フィル
ム厚さは20〜50μm程度で、薄いものがより好まし
い。
保護バッキング(11)、補強材(12)及び粘着材ま
たは接着材(14) (15)の層は積層され接着され
るが、この際に必要に応じて加熱処理を行ってもよい〔
作用〕 セパレータ(13)は、表面が平滑であると共に厚みも
均一であり、しかも粘着剤または接着剤(15)の層と
セパレータ(13)を積層する際に空気が混入すること
がないため、粘着剤または接着剤(15)の層の厚さを
均一にすることができる。しかも、この発明に係る積層
体(10)は、セパレータ(13)を含めて5層であり
、従来のものよりも層の数が少ないので、各層の厚さの
不均一さの累積によって保持バッキング(11)の表面
に生ずる凹凸やうねりが少なくなる。
たは接着材(14) (15)の層は積層され接着され
るが、この際に必要に応じて加熱処理を行ってもよい〔
作用〕 セパレータ(13)は、表面が平滑であると共に厚みも
均一であり、しかも粘着剤または接着剤(15)の層と
セパレータ(13)を積層する際に空気が混入すること
がないため、粘着剤または接着剤(15)の層の厚さを
均一にすることができる。しかも、この発明に係る積層
体(10)は、セパレータ(13)を含めて5層であり
、従来のものよりも層の数が少ないので、各層の厚さの
不均一さの累積によって保持バッキング(11)の表面
に生ずる凹凸やうねりが少なくなる。
さらに、上述の理由により、セパレータ(13)を剥離
して研磨機の回転貼付盤に貼着すると、保持バッキング
(11)表面は凹凸やうねりが非常に少くなり、研磨し
たウェーハ(17)の平面度を非常に優れたものとする
ことが可能となる。
して研磨機の回転貼付盤に貼着すると、保持バッキング
(11)表面は凹凸やうねりが非常に少くなり、研磨し
たウェーハ(17)の平面度を非常に優れたものとする
ことが可能となる。
C実施例〕
以下添付図面に基いて、この発明の実施例について説明
する。
する。
第1図はこの発明の第1実施例を示したもので、このウ
ェーハ保持用積層体(10)は、ウェーハ保持バッキン
グ(11)、補強材(12)及びセパレータ(13)を
各層の間に粘着剤または接着剤(14) (15)を介
在して積層して形成されている。保持バッキング(11
)と補強材(12)は接着されて分離不能であるが、セ
パレータ(13)は粘着剤または接着剤(15)の層か
ら711離可能となっている。
ェーハ保持用積層体(10)は、ウェーハ保持バッキン
グ(11)、補強材(12)及びセパレータ(13)を
各層の間に粘着剤または接着剤(14) (15)を介
在して積層して形成されている。保持バッキング(11
)と補強材(12)は接着されて分離不能であるが、セ
パレータ(13)は粘着剤または接着剤(15)の層か
ら711離可能となっている。
保持バッキング(11)は、湿式凝固法で製造したウレ
タン重合体フオームのシートで、上記粘着剤(14)の
層の上面に積層し密着したものである。このシートは、
JIS−に6505による測定値で厚さ0.39龍、重
さ108g/rr?、見掛比重0.28g/cd、引張
強度0.17kgf /am” (warp) 、0
.15kgf/鵬@2(woof)のものを使用した。
タン重合体フオームのシートで、上記粘着剤(14)の
層の上面に積層し密着したものである。このシートは、
JIS−に6505による測定値で厚さ0.39龍、重
さ108g/rr?、見掛比重0.28g/cd、引張
強度0.17kgf /am” (warp) 、0
.15kgf/鵬@2(woof)のものを使用した。
補強材(12)は、厚さ約1OOlII11の二輪延伸
ポリエステルフィルムであり、粘着剤(14)は、アク
リル樹脂粘着剤(固型分濃度40重量%)であって、厚
さ約40μmにコーティングした後乾燥させて厚さ約1
6μmの粘着剤層としたものである。
ポリエステルフィルムであり、粘着剤(14)は、アク
リル樹脂粘着剤(固型分濃度40重量%)であって、厚
さ約40μmにコーティングした後乾燥させて厚さ約1
6μmの粘着剤層としたものである。
セパレータ(13)は゛、シリコン離型処理をした厚さ
約40μmのポリプロピレンフィルムから成り、その離
型処理面に上記したアクリル樹脂粘着剤を厚さ約55μ
mに塗工し、乾燥させて厚さ約22μmの粘着剤(15
)の層を形成した後、補強材(12)上にこの粘着剤(
15)の層を積重し密着したものであるこの積層体(1
0)を直径373 amの円板状に切断し、その厚さを
ダイヤルゲージにて測定した(測定点29点、測定圧3
5g/cnl)ところ、平均厚さは564μm、厚さの
最大値と最小値との差は9μmであった。
約40μmのポリプロピレンフィルムから成り、その離
型処理面に上記したアクリル樹脂粘着剤を厚さ約55μ
mに塗工し、乾燥させて厚さ約22μmの粘着剤(15
)の層を形成した後、補強材(12)上にこの粘着剤(
15)の層を積重し密着したものであるこの積層体(1
0)を直径373 amの円板状に切断し、その厚さを
ダイヤルゲージにて測定した(測定点29点、測定圧3
5g/cnl)ところ、平均厚さは564μm、厚さの
最大値と最小値との差は9μmであった。
第2図及び第3図は、ウェーハ保持用積層体(10)の
保持バッキング(11)の表面に円板状のテンプレート
(16)を貼着し、研磨するウェーハ(17)を保持し
た状態を示している。このテンプレート(16)は、ウ
ェーハ位置決め用の3個の穴(18)を有しており、こ
れらの穴(18)の中で片面に水を付けたウェーハ(1
7)を積層体(10)の保持バッキング(11)に接触
させることにより、ウェーハ(17)を保持している。
保持バッキング(11)の表面に円板状のテンプレート
(16)を貼着し、研磨するウェーハ(17)を保持し
た状態を示している。このテンプレート(16)は、ウ
ェーハ位置決め用の3個の穴(18)を有しており、こ
れらの穴(18)の中で片面に水を付けたウェーハ(1
7)を積層体(10)の保持バッキング(11)に接触
させることにより、ウェーハ(17)を保持している。
ウェーハ(17)の保持は、水の表面張力によって行わ
れている。テンプレート(16)は、上記積層体(10
)とフィルム状接着剤(19)によって接着されている
。
れている。テンプレート(16)は、上記積層体(10
)とフィルム状接着剤(19)によって接着されている
。
ウェーハ(17)を研磨する際には、テンプレート(1
6)を貼着した積層体(10)を、セパレータ(13)
を剥離除去して粘着剤(15)を研磨機(20)の回転
貼付盤(21)の下面に貼着させることにより、この回
転貼付盤(21)に固定して行う。研磨機(20)は、
第4図に見るように回転貼付ffi (21)の下方に
これと対向して回転定盤(22)を有しており、その上
面には研磨布(23)を敷設している。研磨布(23)
には、研磨液供給管(24)から研磨液(25)が供給
される。回転貼付盤(21)は、下降して研磨布(23
)に押圧され、回転貼付盤(21)と回転定盤(22)
双方の回転によって生ずる摩擦力により、ウェーハ(1
7)を研磨する。
6)を貼着した積層体(10)を、セパレータ(13)
を剥離除去して粘着剤(15)を研磨機(20)の回転
貼付盤(21)の下面に貼着させることにより、この回
転貼付盤(21)に固定して行う。研磨機(20)は、
第4図に見るように回転貼付ffi (21)の下方に
これと対向して回転定盤(22)を有しており、その上
面には研磨布(23)を敷設している。研磨布(23)
には、研磨液供給管(24)から研磨液(25)が供給
される。回転貼付盤(21)は、下降して研磨布(23
)に押圧され、回転貼付盤(21)と回転定盤(22)
双方の回転によって生ずる摩擦力により、ウェーハ(1
7)を研磨する。
上記研磨機(20)にてシリコンウェーハを研磨したと
ころ、研磨後のウェーハの平面度は3μmであり、25
6にビット用として十分使用可能な研磨仕上げをするこ
とができた。
ころ、研磨後のウェーハの平面度は3μmであり、25
6にビット用として十分使用可能な研磨仕上げをするこ
とができた。
第2実施例として、保持バッキング(11)を自己粘着
性のあるウレタン重合体フィルム(厚さ0.031−、
ショアーA硬度846、引張強さ72MPa )とし、
他は第1実施例と同様にしてウェーハ保持用積層体(l
O)を製造した。
性のあるウレタン重合体フィルム(厚さ0.031−、
ショアーA硬度846、引張強さ72MPa )とし、
他は第1実施例と同様にしてウェーハ保持用積層体(l
O)を製造した。
この積層体(10)の厚さを第1実施例と同様にしてダ
イヤルゲージで測定したところ、厚さの平均値は223
μm、厚さの最大値と最小値の差は5μmであった・ さらに、この積層体(10)を用いて第1実施例と同じ
方法でシリコンウェーハを研磨した。研磨後のウェーハ
の平面度は1μmであった。
イヤルゲージで測定したところ、厚さの平均値は223
μm、厚さの最大値と最小値の差は5μmであった・ さらに、この積層体(10)を用いて第1実施例と同じ
方法でシリコンウェーハを研磨した。研磨後のウェーハ
の平面度は1μmであった。
第2実施例の積層体(10)を用いた方が平面度が良い
のは、積層体(10)の厚さの不均一さが第1実施例よ
り少ないためと考えられる。
のは、積層体(10)の厚さの不均一さが第1実施例よ
り少ないためと考えられる。
厚さ約190μmの二輪延伸ポリエステルフィルム(補
強材)の片面に第1実施例と同じアクリル樹脂粘着剤を
厚さ約50μmにコーティングし、乾燥させて厚さ約2
0μmの粘着剤層を形成した。
強材)の片面に第1実施例と同じアクリル樹脂粘着剤を
厚さ約50μmにコーティングし、乾燥させて厚さ約2
0μmの粘着剤層を形成した。
次に、この粘着剤層の表面に第1実施例と同じウレタン
重合体フオームのシート(保持バッキング)を積層して
密着した。
重合体フオームのシート(保持バッキング)を積層して
密着した。
他方、二軸延伸ポリエステルフィルム(キャリア)の両
面に上記と同じ粘着剤をコーティングし、乾燥させて全
体厚さ120μmとした。さらに、いずれか一方の粘着
剤層の表面に剥離紙を貼着するとともに、他方の粘着剤
層の表面に上記のポリエステルフィルムとウレタン重合
体フオームのシートとを積層したもののポリエステルフ
ィルムの表面を密着させ、ウェーハ保持用積層体を完成
した。
面に上記と同じ粘着剤をコーティングし、乾燥させて全
体厚さ120μmとした。さらに、いずれか一方の粘着
剤層の表面に剥離紙を貼着するとともに、他方の粘着剤
層の表面に上記のポリエステルフィルムとウレタン重合
体フオームのシートとを積層したもののポリエステルフ
ィルムの表面を密着させ、ウェーハ保持用積層体を完成
した。
この積層体の厚さを第1実施例と同じ方法で測定したと
ころ、厚さの最大値と最小値の差は40μm以上であっ
た。
ころ、厚さの最大値と最小値の差は40μm以上であっ
た。
そして、この積層体にテンブレー1− (16)を貼着
し、剥離紙を除去して研磨機(20)の回転貼付盤(2
1)に貼着し、第1実施例と同様にしてシリコンウェー
ハを研磨した。研磨後のウェーハの平面度は5μmであ
り、256 Kビット用としては使用できないものであ
った。
し、剥離紙を除去して研磨機(20)の回転貼付盤(2
1)に貼着し、第1実施例と同様にしてシリコンウェー
ハを研磨した。研磨後のウェーハの平面度は5μmであ
り、256 Kビット用としては使用できないものであ
った。
尚、上述の説明ではウェーハ(17)をシリコン、ガリ
ウム砒素、インジウム燐等の半恵体結晶のつ工−ハとし
て説明したが、この発明はニオブ酸すチウムやタンタル
酸リチウム等の誘電体結晶のウェーハ、サファイヤ、水
晶、GGG等の各種素子用のウェーハ、フェライト等に
も適用しうろことは勿論である。
ウム砒素、インジウム燐等の半恵体結晶のつ工−ハとし
て説明したが、この発明はニオブ酸すチウムやタンタル
酸リチウム等の誘電体結晶のウェーハ、サファイヤ、水
晶、GGG等の各種素子用のウェーハ、フェライト等に
も適用しうろことは勿論である。
以上の説明から明らかなように、この発明は粘着剤(1
5)の層の厚さを均一とすることにより、積層体(10
)の厚さの最大値と最小値の差を少なくして厚さをほぼ
均一にすることができ、また、セパレータ(13)を剥
離して研磨機(20)の回転貼付盤(21)に貼着した
際に保持バッキング(11)表面が平坦となり、従って
この保持バッキング(11)に接触・保持して研磨すれ
ば、研磨後の平面度が256にビット用として使用可能
な高度に研磨されたウェーハ(17)を容易に得ること
ができる効果を有する。
5)の層の厚さを均一とすることにより、積層体(10
)の厚さの最大値と最小値の差を少なくして厚さをほぼ
均一にすることができ、また、セパレータ(13)を剥
離して研磨機(20)の回転貼付盤(21)に貼着した
際に保持バッキング(11)表面が平坦となり、従って
この保持バッキング(11)に接触・保持して研磨すれ
ば、研磨後の平面度が256にビット用として使用可能
な高度に研磨されたウェーハ(17)を容易に得ること
ができる効果を有する。
第1図は、この発明に係るウェーハ保持用積層体の一実
施例の中央部を省略した断面図。第2図は、同積層体の
テンプレートを貼着しウェーハを保持した状態の底面図
。第3図は、第2図のA−A線に沿った中央部を省略し
た断面図。第4図は、研磨機の要部説明図。第5図は、
従来のウェーハ保持用積層体の中央部を省略した断面図
。 (lO)・・・ウェーハ保持用積層体 (11)・・・保持バッキング (12)・・・補強材
(I3)・・・セパレータ (14) (15)・・・粘着剤または接着剤(17)
・・・ウェーハ
施例の中央部を省略した断面図。第2図は、同積層体の
テンプレートを貼着しウェーハを保持した状態の底面図
。第3図は、第2図のA−A線に沿った中央部を省略し
た断面図。第4図は、研磨機の要部説明図。第5図は、
従来のウェーハ保持用積層体の中央部を省略した断面図
。 (lO)・・・ウェーハ保持用積層体 (11)・・・保持バッキング (12)・・・補強材
(I3)・・・セパレータ (14) (15)・・・粘着剤または接着剤(17)
・・・ウェーハ
Claims (1)
- 1、保持バッキング(11)の表面に半導体等のウェー
ハ(17)を接触・保持して当該ウェーハ(17)の表
面を研磨するためのものであって、ウレタン重合体シー
トよりなる保持バッキング(11)と、熱可塑性樹脂よ
りなる補強材(12)と、熱可塑性樹脂フィルムよりな
るセパレータ(13)を各層の間に粘着剤または接着剤
(14)(15)を介在してこの順に積層し、さらに上
記セパレータ(13)を剥離可能としたことを特徴とす
るウェーハ保持用積層体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61141170A JPS62297064A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | 半導体等のウエ−ハ保持用積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61141170A JPS62297064A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | 半導体等のウエ−ハ保持用積層体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62297064A true JPS62297064A (ja) | 1987-12-24 |
Family
ID=15285765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61141170A Pending JPS62297064A (ja) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | 半導体等のウエ−ハ保持用積層体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62297064A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999004931A1 (en) * | 1997-07-23 | 1999-02-04 | Speedfam-Ipec Corporation | Apparatus for holding workpieces during lapping, honing, and polishing |
JP2003060014A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状被加工物のための保持具 |
JP2006123092A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | ウエハ保持用バッキング材およびそれを備える研磨ヘッド構造 |
JP2006239786A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Fujibo Holdings Inc | 保持パッド |
EP1759810A1 (en) | 2005-08-31 | 2007-03-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer polishing method and polished wafer |
JP2015050653A (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-16 | 日本碍子株式会社 | 弾性波デバイス用複合基板、その製法及び弾性波デバイス |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5748243B2 (ja) * | 1980-12-01 | 1982-10-15 | ||
JPS5840356B2 (ja) * | 1980-06-17 | 1983-09-05 | 富士通株式会社 | レ−ザ光周波数の制御装置 |
-
1986
- 1986-06-16 JP JP61141170A patent/JPS62297064A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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