JP2010161697A - 弾性表面波素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】弾性表面波素子は、弾性波を伝搬可能なLT基板10と、LT基板の表面に設けられ弾性表面波を励振可能な櫛形電極16,17と、LT基板と貼り合わせられ圧電基板の裏面よりも粗く且つこのLT基板から伝搬してきたバルク波を散乱させる粗さの裏面を有し熱膨張係数がLT基板よりも小さいシリコン基板12と、LT基板10とシリコン基板12とを接着する有機接着層14とを備える。
【選択図】図2
Description
弾性波を伝搬可能な圧電基板と、
前記圧電基板の表面に設けられた弾性表面波を励振可能な櫛形電極と、
前記圧電基板と貼り合わせられ、該圧電基板の裏面よりも粗く且つ該圧電基板から伝搬してきたバルク波を散乱させる粗さの裏面を有し、熱膨張係数が前記圧電基板よりも小さい支持基板と、
前記圧電基板と前記支持基板とを接着する有機接着層と、
を備えたものである。
図1は、本実施例の複合基板の製造プロセスを模式的に示す断面図である。まず、支持基板に切り出す前の基板として、オリエンテーションフラット部(OF部)を有し、直径が100mm、厚さが350μmのシリコン基板12を用意した。また、圧電基板に切り出す前の基板として、OF部を有し、直径が100mm、厚さが250μmのタンタル酸リチウム基板(LT基板)10を用意した(図1(a)参照)。LT基板10は、弾性表面波(SAW)の伝搬方向をXとし、切り出し角が回転Yカット板である36°YカットX伝搬LT基板を用いた。次いで、LT基板10の裏面にスピンコートによりエポキシ系接着剤13を塗布し、シリコン基板12の表面に重ね合わせ180℃で加熱し、貼り合わせ基板20を得た。この貼り合わせ基板20の有機接着層14は、エポキシ系接着剤13が固化してできたものである(図1(b)参照)。このときの有機接着層14の厚さは0.3μmであった。
図1(c)の工程でLT基板10を研磨したあと、シリコン基板12の裏面を荒らすことなく、櫛形電極16,17及び反射器18を形成した以外は実施例1と同様にして弾性表面波素子を作製した。このときのシリコン基板12の裏面の算術平均粗さRaは0.3nmであり、最大高さRzは、1nmであった。このとき、算術平均粗さRa及び最大高さRzの測定には、実施例1と同様の表面粗さ計を用いた。
実施例1及び比較例1の弾性表面波素子をネットワークアナライザに接続し、弾性表面波素子の減衰量を、周波数を変えて測定した。その測定結果を図4に示す。図中、実線が実施例1の弾性表面波素子の測定結果であり、点線が比較例1の弾性表面波素子の測定結果である。図示するように、比較例1の測定結果に表れている高周波側(おおよそ2.02〜2.2GHz)のスプリアスが、実施例1の測定結果では抑制されている。
図1(d)の工程において使用する研磨砥粒の番手を1000番又は1200番とした以外は、実施例1と同様にして弾性表面波素子を作製した。シリコン基板12の裏面の算術平均粗さRaは、研磨砥粒の番手が1000番のときには0.35μm、1200番のときには0.25μmであった。また、シリコン基板12の裏面の最大高さRzは、研磨砥粒の番手が1000番のときには3.5μm(算術平均粗さRa0.35μmの10倍)、1200番のときには3.0μm(算術平均粗さRa0.25の12倍)であった。これらの場合も、実施例1と同様の周波数特性が得られた。
図1(d)の工程において使用する研磨砥粒の番手を1300番とした以外は、実施例1と同様にして弾性表面波素子を作製した。シリコン基板12の裏面の算術平均粗さ(Ra)は、0.2μmであった。また、シリコン基板12の裏面の最大高さRzは、2.4μm(算術平均粗さRaの12倍)であった。この場合も、比較例1と同様の周波数特性が得られ、スプリアスの発生を抑制できていないことが確認できた。
有機接着層14の厚さを表2に示すように変更した以外は、実施例1と同様にして弾性表面波素子を作製した。そして、その熱膨張係数と周波数温度特性とを測定した。その測定結果を表2に示す。ここで、LT基板のSAWの伝搬方向Xの線熱膨張係数は16ppm/℃である。また、単結晶シリコン基板のSAWの伝搬方向Xの線膨張係数は3ppm/℃である。この表1の結果から明らかなように、有機接着層の厚さを0.1〜1.0μmとすることで、周波数温度特性(温度特性)が臨界的に著しく向上することが分かった。
Claims (4)
- 弾性波を伝搬可能な圧電基板と、
前記圧電基板の表面に設けられた弾性表面波を励振可能な櫛形電極と、
前記圧電基板と貼り合わせられ、該圧電基板の裏面よりも粗く且つ該圧電基板から伝搬してきたバルク波を散乱させる粗さの裏面を有し、熱膨張係数が前記圧電基板よりも小さい支持基板と、
前記圧電基板と前記支持基板とを接着する有機接着層と、
を備えた弾性表面波素子。 - 前記圧電基板は、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム及びニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶からなる群より選ばれた材質からなり、
前記支持基板は、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、アルミナ、ホウ珪酸ガラス及び石英ガラスからなる群より選ばれた材質からなる、
請求項1に記載の弾性表面波素子。 - 前記有機接着層は、厚さが0.1〜1.0μmである、
請求項1又は2に記載の弾性表面波素子。 - 前記バルク波を散乱させる粗さは、算術平均粗さRaが0.25〜0.55μmであり、且つ、最大高さRzが前記算術平均粗さRaの9〜12倍である、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性表面波素子。
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