JPH0497611A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子の製造方法Info
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- JPH0497611A JPH0497611A JP21527990A JP21527990A JPH0497611A JP H0497611 A JPH0497611 A JP H0497611A JP 21527990 A JP21527990 A JP 21527990A JP 21527990 A JP21527990 A JP 21527990A JP H0497611 A JPH0497611 A JP H0497611A
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- acoustic wave
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、弾性表面波素子の製造方法に係るもので、特
にバルク波を抑制するための基板裏面加工方法の改良に
間するものである。
にバルク波を抑制するための基板裏面加工方法の改良に
間するものである。
［発明の概要コ
本発明は、異方性エツチングにより、基板裏面に、垂直
方向に対して斜めのエツチング面をもったバルク波抑制
溝を形成するものである。
方向に対して斜めのエツチング面をもったバルク波抑制
溝を形成するものである。
［従来の技術］
従来、弾性表面波コンボルバや弾性表面波フィルタにお
いては、基板裏面で反射したバルク波により、特性や歩
留りがしばしば低下することから、基板裏面に溝を形成
したり（実公昭５７−．３３６２７号公報参照）、基板
裏面をサンドブラスト処理で粗面に加工する対策が用い
られている。
いては、基板裏面で反射したバルク波により、特性や歩
留りがしばしば低下することから、基板裏面に溝を形成
したり（実公昭５７−．３３６２７号公報参照）、基板
裏面をサンドブラスト処理で粗面に加工する対策が用い
られている。
第２図および第３図に、従来の弾性表面波フィルタを示
す、同図で、ｌは基板、２，３は入出カドランスデュー
サ、２ａ、３ａは櫛形電極、４は基板裏面に形成された
バルク波抑制用溝である。
す、同図で、ｌは基板、２，３は入出カドランスデュー
サ、２ａ、３ａは櫛形電極、４は基板裏面に形成された
バルク波抑制用溝である。
［発明が解決しようとする課題］
基板の裏面に形成した溝の形状が、第２図に示すように
、断面矩形の溝（実公昭５７−３３６２７号公報参照）
であると、基板裏面で反射したバルク波が基板表面に対
して垂直に進むため、バルク波の抑制は不完成となり、
効果は小さい。
、断面矩形の溝（実公昭５７−３３６２７号公報参照）
であると、基板裏面で反射したバルク波が基板表面に対
して垂直に進むため、バルク波の抑制は不完成となり、
効果は小さい。
一方、サンドブラスト処理は、基板の割れを生じるとい
う問題があり、採用し難い。
う問題があり、採用し難い。
［発明の目的コ
本発明は、簡便にして効果的なバルク波抑制のための基
板裏面の加工方法を提供することを目的としているもの
である。
板裏面の加工方法を提供することを目的としているもの
である。
［課題を解決するための手段］
本発明の弾性表面波素子の製造方法は、少なくとも圧電
性膜を含む弾性表面波素子用基板のトランスデユーサが
形成される面に対して裏面にマスクを形成する第１の工
程と、前記マスクが形成された基板裏面を異方性エツチ
ングする第２の工程とを含むことを要旨としているもの
である。
性膜を含む弾性表面波素子用基板のトランスデユーサが
形成される面に対して裏面にマスクを形成する第１の工
程と、前記マスクが形成された基板裏面を異方性エツチ
ングする第２の工程とを含むことを要旨としているもの
である。
［作用コ
上記製造方法によれば、異方性エツチングにより、基板
裏面に、垂直方向に対して斜めのエツチング面をもつバ
ルク抑制用の溝が形成される。
裏面に、垂直方向に対して斜めのエツチング面をもつバ
ルク抑制用の溝が形成される。
［実施例］
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例による弾性
表面波素子の製造工程順を示したもので、面方位（１０
０）のシリコン基板を用いた弾性表面波コンボルバを例
にとったものである。
表面波素子の製造工程順を示したもので、面方位（１０
０）のシリコン基板を用いた弾性表面波コンボルバを例
にとったものである。
まず、第１図（ａ）に示すように、基板１０上にシリコ
ン酸化膜１１を形成する。
ン酸化膜１１を形成する。
次に第１図（ｂ）に示すように、シリコン酸化ＭＩＯ上
に、既知の技術を用いてレジストでコーティングして表
面マスク１２を形成し、さらに基板裏面に、同様な技術
を用いて所定のレジストパターンによるマスク１３を形
成する。
に、既知の技術を用いてレジストでコーティングして表
面マスク１２を形成し、さらに基板裏面に、同様な技術
を用いて所定のレジストパターンによるマスク１３を形
成する。
次に第１図（Ｃ）に示すように、シリコン基板を異方性
エツチングできるエツチング液、例えばＫＯＨ水溶液を
用いてエツチングする。この異方性エツチングにより、
基板裏面に、垂直方向に対して斜めのエツチング面をも
つａ１４が形成される。その際、基板裏面に平坦な部分
が残らないように、エツチング時間、レジストパターン
間隔を設定するのが望ましい。
エツチングできるエツチング液、例えばＫＯＨ水溶液を
用いてエツチングする。この異方性エツチングにより、
基板裏面に、垂直方向に対して斜めのエツチング面をも
つａ１４が形成される。その際、基板裏面に平坦な部分
が残らないように、エツチング時間、レジストパターン
間隔を設定するのが望ましい。
なお、本実施例では、レジストパターンをマスクとして
異方性エッチャントで異方性エツチングしているが、シ
リコン酸化膜をマスクにしてエツチングしてもよい６ 第１図（Ｃ）の工程以後は、基板裏面のレジストの除去
、基板表面の圧電膜形成、電極形成の各工程を経て第１
図（ｄ）の弾性表面波コンボルバが作製される。同図中
、２，３は入出カドランスデューサ、５は出力ゲート電
極である。
異方性エッチャントで異方性エツチングしているが、シ
リコン酸化膜をマスクにしてエツチングしてもよい６ 第１図（Ｃ）の工程以後は、基板裏面のレジストの除去
、基板表面の圧電膜形成、電極形成の各工程を経て第１
図（ｄ）の弾性表面波コンボルバが作製される。同図中
、２，３は入出カドランスデューサ、５は出力ゲート電
極である。
かくして、上記方法により、基板裏面に形成された溝１
４は、垂直方向に対して斜めのエツチング面をもつ溝で
ある。この形状の溝によれば、バルク波は斜めに反射さ
れるので、バルク波の影響が効率よく抑制される。
４は、垂直方向に対して斜めのエツチング面をもつ溝で
ある。この形状の溝によれば、バルク波は斜めに反射さ
れるので、バルク波の影響が効率よく抑制される。
［発明の効果］
本発明によれば、基板裏面に垂直方向に対し斜めのエツ
チング面をもつ溝の形成が、異方性エツチング液を用い
るという簡単な製造方法で実現できる。また、本発明に
よれば、サンドブラスト処理などのようにメカニカルな
力が加わらないため、基板が割れるといった間層も発生
しない。
チング面をもつ溝の形成が、異方性エツチング液を用い
るという簡単な製造方法で実現できる。また、本発明に
よれば、サンドブラスト処理などのようにメカニカルな
力が加わらないため、基板が割れるといった間層も発生
しない。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例による弾性
表面波コンボルバの製作工程順を示す説明図、第２図は
従来の弾性表面波コンボルバの平面図、第３図は断面図
である。 ｌＯ・・・・・・・・・基板、１１・・・・・・・・・
シリコン酸化膜、１２・・・・・・・・・表面マスク、
１３・・・・・・・・・レジストパターンによるマスク
、１４・・・・・・・・・溝、２，３・・・・・・・・
・入出カドランスデューサ、５・・・・・団・出力ゲー
ト電極。
表面波コンボルバの製作工程順を示す説明図、第２図は
従来の弾性表面波コンボルバの平面図、第３図は断面図
である。 ｌＯ・・・・・・・・・基板、１１・・・・・・・・・
シリコン酸化膜、１２・・・・・・・・・表面マスク、
１３・・・・・・・・・レジストパターンによるマスク
、１４・・・・・・・・・溝、２，３・・・・・・・・
・入出カドランスデューサ、５・・・・・団・出力ゲー
ト電極。
Claims (1)
- 少なくとも圧電膜を含む弾性表面波素子用基板のトラ
ンスデューサが形成される面に対して裏面にマスクを形
成する第１の工程と、前記マスクが形成された基板裏面
を異方性エッチングする第２の工程とを含むことを特徴
としている弾性表面波素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21527990A JPH0497611A (ja) | 1990-08-15 | 1990-08-15 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21527990A JPH0497611A (ja) | 1990-08-15 | 1990-08-15 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0497611A true JPH0497611A (ja) | 1992-03-30 |
Family
ID=16669687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21527990A Pending JPH0497611A (ja) | 1990-08-15 | 1990-08-15 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0497611A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008536395A (ja) * | 2005-04-06 | 2008-09-04 | バイオスケール・インコーポレーテッド | 電気的応答デバイス |
| JP2010161697A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Ngk Insulators Ltd | 弾性表面波素子 |
-
1990
- 1990-08-15 JP JP21527990A patent/JPH0497611A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008536395A (ja) * | 2005-04-06 | 2008-09-04 | バイオスケール・インコーポレーテッド | 電気的応答デバイス |
| JP2010161697A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Ngk Insulators Ltd | 弾性表面波素子 |
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