JPH03268325A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03268325A JPH03268325A JP6756290A JP6756290A JPH03268325A JP H03268325 A JPH03268325 A JP H03268325A JP 6756290 A JP6756290 A JP 6756290A JP 6756290 A JP6756290 A JP 6756290A JP H03268325 A JPH03268325 A JP H03268325A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring metal
- oxide film
- silicon oxide
- ion beam
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 20
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体基板に形成された金属膜を異方性エツ
チング法によりパターン形成を行なう半導体装置に関す
るものである。
チング法によりパターン形成を行なう半導体装置に関す
るものである。
第２図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置の製造方法の
プロセスフローを示す断面図で、図において、（１）は
半導体基板、（２）はシリコン酸化膜、（３）は配線金
属膜、（４）は第１スパツタイオンビーム、（５）は段
差部配線金属である。
プロセスフローを示す断面図で、図において、（１）は
半導体基板、（２）はシリコン酸化膜、（３）は配線金
属膜、（４）は第１スパツタイオンビーム、（５）は段
差部配線金属である。
次に動作について説明する。
まず第２図（ａ）に示すように、半導体基板（１）上に
シリコン酸化膜（２）を形成した後、配線金属膜（３）
をスパッタ蒸着等により形成する。次いで、第１スパツ
タイオンビーム（４）を半導体基板（１）に対し入射角
９０°に照射することにより、半導体基板（１）上の配
線金属膜（３）を除去する。
シリコン酸化膜（２）を形成した後、配線金属膜（３）
をスパッタ蒸着等により形成する。次いで、第１スパツ
タイオンビーム（４）を半導体基板（１）に対し入射角
９０°に照射することにより、半導体基板（１）上の配
線金属膜（３）を除去する。
従来のエツチング方法では酸化膜段差部でのスパッタイ
オンビーム方向の配線金属膜厚が大きいため、段差部配
線金属膜がエツチングしきれず、後工程において剥離な
どが発生してその信頼性が低下するなどの問題点があっ
た。
オンビーム方向の配線金属膜厚が大きいため、段差部配
線金属膜がエツチングしきれず、後工程において剥離な
どが発生してその信頼性が低下するなどの問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、シリコン酸化膜段差部での配線金属膜を確実
に除去して、信頼性の高い半導体装置を得ることを目的
とする。
たもので、シリコン酸化膜段差部での配線金属膜を確実
に除去して、信頼性の高い半導体装置を得ることを目的
とする。
この発明に係る半導体装置は、スパッタイオンビーム入
射角を０°にしてシリコン酸化膜段差部の配線金属膜を
除去するようにしたものである。
射角を０°にしてシリコン酸化膜段差部の配線金属膜を
除去するようにしたものである。
この発明における半導体装置は、半導体基板のシリコン
酸化膜段差部の配線金属を半導体基板に対し入射角０°
のスパッタイオンビームで除去するようにしたので、後
工程での剥離がなくなり歩留り、信頼性がよくなる。
酸化膜段差部の配線金属を半導体基板に対し入射角０°
のスパッタイオンビームで除去するようにしたので、後
工程での剥離がなくなり歩留り、信頼性がよくなる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の一実施例である半導体装
置の製造工程を示す断面図である。
図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の一実施例である半導体装
置の製造工程を示す断面図である。
図中、符号（１）〜（５）は前記従来のものと同一につ
き説明は省略する。
き説明は省略する。
図において、（６）は第２スパツタイオンビームを示す
。
。
次に動作について説明する。
まず第１図（ａ）に示すように、半導体基板（１）上に
シリコン酸化膜（２）を形成した後、配線金属膜（３）
をスパッタ蒸着等により形成する。次いで第１図（ｂ）
のように、第１スパツタイオンビーム（４）を半導体基
板（１）上に対し入射角９０°にて照射することで、半
導体基板（１）上の平坦部の配線金属（３）を除去する
。
シリコン酸化膜（２）を形成した後、配線金属膜（３）
をスパッタ蒸着等により形成する。次いで第１図（ｂ）
のように、第１スパツタイオンビーム（４）を半導体基
板（１）上に対し入射角９０°にて照射することで、半
導体基板（１）上の平坦部の配線金属（３）を除去する
。
次に第１図（Ｃ）のように、半導体基板（１）に第２ス
パツタイオンビーム（６）を入射角０°にて照射するこ
とにより、シリコン酸化膜段差部に残った配線金属（５
）を除去する。
パツタイオンビーム（６）を入射角０°にて照射するこ
とにより、シリコン酸化膜段差部に残った配線金属（５
）を除去する。
なお、上記実施例ではスパッタイオンビームを使用した
場合を示したが、異方性エツチング特性を有するもので
あれば同等の効果を得ることが出来る。
場合を示したが、異方性エツチング特性を有するもので
あれば同等の効果を得ることが出来る。
以上のようにこの発明によれば、半導体基板上の配線金
属膜を除去するためにスパッタイオンビーム入射角を９
０°で平坦部の金属を除去、０°でシリコン酸化膜段差
部の配線金属を除去したので、完全に除去することが出
来るため、金属剥離をなくし歩留り、信頼性の高い半導
体装置が得られる効果がある。
属膜を除去するためにスパッタイオンビーム入射角を９
０°で平坦部の金属を除去、０°でシリコン酸化膜段差
部の配線金属を除去したので、完全に除去することが出
来るため、金属剥離をなくし歩留り、信頼性の高い半導
体装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の製造工
程を示す断面図、第２図は従来の半導体装置の製造工程
を示す断面図である。図において（１）は半導体基板、
（２）はシリコン酸化膜、（３）は配線金属膜、（４）
は第１スパツタイオンビーム、（５）は段差部配線金属
膜、（６）は第２スパツタイオンビームを示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 Ｊ：ｌ！ｌ！線ケ劇給
程を示す断面図、第２図は従来の半導体装置の製造工程
を示す断面図である。図において（１）は半導体基板、
（２）はシリコン酸化膜、（３）は配線金属膜、（４）
は第１スパツタイオンビーム、（５）は段差部配線金属
膜、（６）は第２スパツタイオンビームを示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 Ｊ：ｌ！ｌ！線ケ劇給
Claims (1)
- 半導体装置の酸化膜段差部の配線金属を除去する工程
において、異方性スパッタエッチのビーム入射角を０゜
で段差部金属を除去し、９０゜で平坦部金属を除去する
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6756290A JPH03268325A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6756290A JPH03268325A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268325A true JPH03268325A (ja) | 1991-11-29 |
Family
ID=13348526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6756290A Pending JPH03268325A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03268325A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6498833B2 (en) | 1998-12-07 | 2002-12-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Channel check test system |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP6756290A patent/JPH03268325A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6498833B2 (en) | 1998-12-07 | 2002-12-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Channel check test system |
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