JPH05109668A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05109668A JPH05109668A JP27275391A JP27275391A JPH05109668A JP H05109668 A JPH05109668 A JP H05109668A JP 27275391 A JP27275391 A JP 27275391A JP 27275391 A JP27275391 A JP 27275391A JP H05109668 A JPH05109668 A JP H05109668A
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- Japan
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- etching
- degrees
- resist
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】Ｐｔなどを用いた半導体装置の製造方法で、特
にアルゴンイオンビームを用いたＰｔのエッチングにお
いて、アルゴンイオンビームの基板への入射角が５度以
内としてエッチングする工程と、アルゴンイオンビーム
の基板への入射角が３０度以上としてエッチングする工
程が連続的に行なう。 【効果】第一のエッチング工程により、かりに比エッチ
ング物であるＰｔがレジストの側面に再付着しても、第
２のエッチング工程は、再度低角度でアルゴンビームが
入射するため、第２のエッチング工程により再付着物は
エッチングされてなくなる。このためＰｔの突起上の再
付着物を防ぐことができる。
にアルゴンイオンビームを用いたＰｔのエッチングにお
いて、アルゴンイオンビームの基板への入射角が５度以
内としてエッチングする工程と、アルゴンイオンビーム
の基板への入射角が３０度以上としてエッチングする工
程が連続的に行なう。 【効果】第一のエッチング工程により、かりに比エッチ
ング物であるＰｔがレジストの側面に再付着しても、第
２のエッチング工程は、再度低角度でアルゴンビームが
入射するため、第２のエッチング工程により再付着物は
エッチングされてなくなる。このためＰｔの突起上の再
付着物を防ぐことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｐｔなどを用いた半導
体装置の製造方法、特に、Ｐｔなどの蒸気圧が低い金属
のエッチング方法に関するものである。
体装置の製造方法、特に、Ｐｔなどの蒸気圧が低い金属
のエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＰｔ電極の形成方法としては、Ｐ
ｔを例えばスパッタ法などで形成した後、レジストでＰ
ｔ上に所定のパターンを形成した後、イオンビームエッ
チングや、スパッタエッチにより、Ｐｔのパターンを形
成していた。
ｔを例えばスパッタ法などで形成した後、レジストでＰ
ｔ上に所定のパターンを形成した後、イオンビームエッ
チングや、スパッタエッチにより、Ｐｔのパターンを形
成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、イオンビーム
エッチングやスパッタエッチなどのエッチング方法は、
反応性エッチングではないため、エッチングされたＰｔ
がレジストの側面に付着し、レジストの剥離後に、突起
上にＰｔが残ってしまうという問題がある。そこで、例
えば、レジストを２００度ぐらいに加熱することによ
り、レジストをフローさせてテーパー化させ、レジスト
の側面に付着しないようにしたりする方法が取られてい
る。しかし、この場合には、テーパー化させるため、微
細化には向かないという課題が残る。反応性エッチング
を用いれば再付着の問題はないが、Ｐｔ等の金属は蒸気
圧が低いため、反応性のガスがないため、ここで説明し
たようにイオンビームエッチングやスパッタエッチなど
のエッチング方法が用いられているのが普通である。
エッチングやスパッタエッチなどのエッチング方法は、
反応性エッチングではないため、エッチングされたＰｔ
がレジストの側面に付着し、レジストの剥離後に、突起
上にＰｔが残ってしまうという問題がある。そこで、例
えば、レジストを２００度ぐらいに加熱することによ
り、レジストをフローさせてテーパー化させ、レジスト
の側面に付着しないようにしたりする方法が取られてい
る。しかし、この場合には、テーパー化させるため、微
細化には向かないという課題が残る。反応性エッチング
を用いれば再付着の問題はないが、Ｐｔ等の金属は蒸気
圧が低いため、反応性のガスがないため、ここで説明し
たようにイオンビームエッチングやスパッタエッチなど
のエッチング方法が用いられているのが普通である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｐｔなどを用
いた半導体装置、特にアルゴンイオンビームを用いたＰ
ｔのエッチングにおいて、アルゴンイオンビームの基板
への入射角が５度以内としてエッチングする工程と、ア
ルゴンイオンビームの基板への入射角が３０度以上とし
てエッチングする工程が連続的に行われるようにしたこ
とを特徴とする。
いた半導体装置、特にアルゴンイオンビームを用いたＰ
ｔのエッチングにおいて、アルゴンイオンビームの基板
への入射角が５度以内としてエッチングする工程と、ア
ルゴンイオンビームの基板への入射角が３０度以上とし
てエッチングする工程が連続的に行われるようにしたこ
とを特徴とする。
【０００５】
【作用】Ｐｔをイオンビームエッチングでエッチングす
る場合の入射角とエッチングレートとの関係は、図１の
ように入射角が大きくなるとエッチングレートが小さく
なる関係がある。イオンビームエッチングにより、レジ
スト側壁に再付着した場合には、再付着したＰｔに対し
ては、入射角が非常に大きくなり、エッチング終了後も
残ってしまう。
る場合の入射角とエッチングレートとの関係は、図１の
ように入射角が大きくなるとエッチングレートが小さく
なる関係がある。イオンビームエッチングにより、レジ
スト側壁に再付着した場合には、再付着したＰｔに対し
ては、入射角が非常に大きくなり、エッチング終了後も
残ってしまう。
【０００６】これに対し、本発明の製造方法によると、
第一のエッチング工程により、かりに比エッチング物で
あるＰｔがレジストの側面に再付着しても、第２のエッ
チング工程は、再度低角度でアルゴンビームが入射する
ため、第２のエッチング工程により再付着物はエッチン
グされてなくなる。
第一のエッチング工程により、かりに比エッチング物で
あるＰｔがレジストの側面に再付着しても、第２のエッ
チング工程は、再度低角度でアルゴンビームが入射する
ため、第２のエッチング工程により再付着物はエッチン
グされてなくなる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の詳細を実施例を基に説明す
る。 図２に、本発明の製造方法の工程断面図を示す。
る。 図２に、本発明の製造方法の工程断面図を示す。
【０００８】図２（ａ） ２０１は基板となる例えばＳｉである。２０２はＳｉ上
に形成されたＰｔである。２０２のＰｔ上にレジスト２
０３により所定のパターンを形成する。
に形成されたＰｔである。２０２のＰｔ上にレジスト２
０３により所定のパターンを形成する。
【０００９】図２（ｂ） 約２００℃で高温ベークすることにより、レジストをフ
ローさせて、２０４の形状を得る。
ローさせて、２０４の形状を得る。
【００１０】図２（ｃ） アルゴンイオンビームを、例えば入射角０度で基板にぶ
つけ、アルゴンイオンビームにより、Ｐｔのスパッタエ
ッチを、例えば被エッチング膜厚の７０％、同じ角度で
行う。このさいに、エッチングされたＰｔの一部分は再
度レジストの側壁に２０５のように付着する。
つけ、アルゴンイオンビームにより、Ｐｔのスパッタエ
ッチを、例えば被エッチング膜厚の７０％、同じ角度で
行う。このさいに、エッチングされたＰｔの一部分は再
度レジストの側壁に２０５のように付着する。
【００１１】図２（ｄ） 次にウェハを傾け、例えば入射角２０７が約３０度とな
るようにして残りのＰｔ、約３０％をエッチングする。
この際に、ウェハを回転させると（２０６はウェハの回
転の様子を示す。）さらによい。このエッチングに於
て、２０７の入射角と、２０５の再付着物のエッチング
のされかたには、ある相関が認められ、入射角として
は、２０度以上とする必要があることも判った。
るようにして残りのＰｔ、約３０％をエッチングする。
この際に、ウェハを回転させると（２０６はウェハの回
転の様子を示す。）さらによい。このエッチングに於
て、２０７の入射角と、２０５の再付着物のエッチング
のされかたには、ある相関が認められ、入射角として
は、２０度以上とする必要があることも判った。
【００１２】図２（ｅ） ２０４のレジストを剥離した後、２０８の再付着が無い
Ｐｔのパターンを得る。
Ｐｔのパターンを得る。
【００１３】また、図１の説明においてはＰｔを使用し
た場合について説明したが、Ｐｔ以外にもＰｄ等の蒸気
圧が低い金属のエッチングにも本発明が適用できること
も言うまでもない。
た場合について説明したが、Ｐｔ以外にもＰｄ等の蒸気
圧が低い金属のエッチングにも本発明が適用できること
も言うまでもない。
【００１４】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の製造
方法によれば、Ｐｔなどのエッチング方法において、ア
ルゴンイオンビームの基板への入射角が５度以内として
エッチングする工程と、アルゴンイオンビームの基板へ
の入射角が３０度以上としてエッチングする工程が連続
的に行われるようにしたため、Ｐｔなどの再付着が防げ
るという効果がある。
方法によれば、Ｐｔなどのエッチング方法において、ア
ルゴンイオンビームの基板への入射角が５度以内として
エッチングする工程と、アルゴンイオンビームの基板へ
の入射角が３０度以上としてエッチングする工程が連続
的に行われるようにしたため、Ｐｔなどの再付着が防げ
るという効果がある。
【図１】エッチング速度と入射角との関係である。
【図２】本発明の実施例の工程断面図である。
２０１ Ｓｉ基板 ２０２ Ｐｔ膜 ２０３、２０４ レジスト ２０５ Ｐｔの再付着物 ２０６ ウェハの回転方向 ２０７ アルゴンイオンビームの入射角 ２０８ エッチングされたＰｔ
Claims (1)
- 【請求項１】Ｐｔ、またはＰｄを主成分とする薄膜をア
ルゴンイオンによりスパッタエッチングする工程におい
て、 レジストにより所定のパターンを形成する工程と、 アルゴンイオンビームの基板への入射角が５度以内とし
て前記薄膜をエッチングする工程と、 前記エッチング工程に続き、アルゴンイオンビームの基
板への入射角が３０度以上として前記薄膜をエッチング
する工程を、 含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27275391A JPH05109668A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27275391A JPH05109668A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109668A true JPH05109668A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17518276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27275391A Pending JPH05109668A (ja) | 1991-10-21 | 1991-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109668A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5515984A (en) * | 1994-07-27 | 1996-05-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for etching PT film |
| WO2001047714A1 (fr) * | 1999-12-24 | 2001-07-05 | Fujitsu Limited | Tete d'enregistrement a jet d'encre et son procede de fabrication |
| WO2001047716A1 (fr) * | 1999-12-24 | 2001-07-05 | Fujitsu Limited | Procede de fabrication d'une tete d'enregistrement a jet d'encre |
| US6278582B1 (en) | 1995-05-17 | 2001-08-21 | Hiatchi, Ltd | Magnetic head and magnetic head manufacturing method |
| WO2005071832A1 (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電共振部品の周波数調整方法及び圧電共振部品 |
| US7148072B2 (en) | 2004-05-28 | 2006-12-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for oxidizing conductive redeposition in TMR sensors |
-
1991
- 1991-10-21 JP JP27275391A patent/JPH05109668A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5515984A (en) * | 1994-07-27 | 1996-05-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for etching PT film |
| US6278582B1 (en) | 1995-05-17 | 2001-08-21 | Hiatchi, Ltd | Magnetic head and magnetic head manufacturing method |
| US6504680B2 (en) | 1995-05-17 | 2003-01-07 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head and magnetic head manufacturing method |
| US6690544B2 (en) | 1995-05-17 | 2004-02-10 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head and magnetic head manufacturing method |
| WO2001047714A1 (fr) * | 1999-12-24 | 2001-07-05 | Fujitsu Limited | Tete d'enregistrement a jet d'encre et son procede de fabrication |
| WO2001047716A1 (fr) * | 1999-12-24 | 2001-07-05 | Fujitsu Limited | Procede de fabrication d'une tete d'enregistrement a jet d'encre |
| US6672713B2 (en) | 1999-12-24 | 2004-01-06 | Fujitsu Limited | Ink-jet recording head and method of producing the same |
| US6769177B2 (en) | 1999-12-24 | 2004-08-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of producing ink-jet recording head |
| EP1504903A1 (en) * | 1999-12-24 | 2005-02-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of producing ink-jet recording head |
| WO2005071832A1 (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電共振部品の周波数調整方法及び圧電共振部品 |
| US7148072B2 (en) | 2004-05-28 | 2006-12-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for oxidizing conductive redeposition in TMR sensors |
| US8045299B2 (en) | 2004-05-28 | 2011-10-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for oxidizing conductive redeposition in TMR sensors |
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