JPH04286332A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH04286332A JPH04286332A JP5151491A JP5151491A JPH04286332A JP H04286332 A JPH04286332 A JP H04286332A JP 5151491 A JP5151491 A JP 5151491A JP 5151491 A JP5151491 A JP 5151491A JP H04286332 A JPH04286332 A JP H04286332A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に適
する薄膜形成方法、特に内部応力を示す薄膜を基板に堆
積させる方法に関する。
する薄膜形成方法、特に内部応力を示す薄膜を基板に堆
積させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜の堆積によって基板に発生する歪み
を緩和する方法としては、ＳｉＯ２絶縁膜の形成に際し
て、Ｐ２Ｏ５を同時に堆積させてＰＳＧとすることが行
われている。これは特定の化合物の薄膜に応用できるが
、一般的な方法ではない。
を緩和する方法としては、ＳｉＯ２絶縁膜の形成に際し
て、Ｐ２Ｏ５を同時に堆積させてＰＳＧとすることが行
われている。これは特定の化合物の薄膜に応用できるが
、一般的な方法ではない。
【０００３】また特開昭６４−５９８０９ は薄膜の堆
積によって基板に発生する反りに対して、予め逆方向の
反りを機械的に与えておいて薄膜を堆積させる方法を開
示するが、特殊な基板支持具を使用し、その弯曲面を所
定の曲率に精密に研摩する必要がある。
積によって基板に発生する反りに対して、予め逆方向の
反りを機械的に与えておいて薄膜を堆積させる方法を開
示するが、特殊な基板支持具を使用し、その弯曲面を所
定の曲率に精密に研摩する必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、精密な治具
を使用せずに、基板に発生する歪みを解消できる薄膜形
成方法の提供を目的とする。
を使用せずに、基板に発生する歪みを解消できる薄膜形
成方法の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、内部応力を
示す薄膜を基板に形成する方法であって、目的とする薄
膜と同一傾向の内部応力を示す薄膜を基板の裏面に仮り
に堆積させて、目的とする薄膜が基板に発生させる歪み
を相殺できる歪みを予め基板に与えた後、目的とする薄
膜を基板の表面に堆積させ、次に基板の裏面から仮りの
薄膜を除去する工程を含むことを特徴とする方法によっ
て解決することができる。
示す薄膜を基板に形成する方法であって、目的とする薄
膜と同一傾向の内部応力を示す薄膜を基板の裏面に仮り
に堆積させて、目的とする薄膜が基板に発生させる歪み
を相殺できる歪みを予め基板に与えた後、目的とする薄
膜を基板の表面に堆積させ、次に基板の裏面から仮りの
薄膜を除去する工程を含むことを特徴とする方法によっ
て解決することができる。
【０００６】
【作用】予め基板の裏面に堆積させた仮りの薄膜が、目
的とする薄膜が基板の表面に発生させる歪みを相殺でき
る歪みを基板に発生させておくので、目的とする薄膜を
基板の表面に堆積させた後に、仮りの薄膜を基板の裏面
から除去すると、基板の歪みを解消することができる。
的とする薄膜が基板の表面に発生させる歪みを相殺でき
る歪みを基板に発生させておくので、目的とする薄膜を
基板の表面に堆積させた後に、仮りの薄膜を基板の裏面
から除去すると、基板の歪みを解消することができる。
【０００７】
【実施例】出力３５Ｗ、周波数２００ｋＨｚの枚葉式平
行平板型プラズマＣＶＤ装置内に、直径１０ｃｍ、厚み
０．６ｍｍのシリコンウェハ１の裏面がプラズマに接触
するように配置し、ＳｉＨ４ １０〜４０ＳＣＣＭ，
ＮＨ３ ５０〜２００ＳＣＣＭ 、およびＮ２ １０
０〜４００ＳＣＣＭ を流し、圧力を０．２〜２Ｔｏｒ
ｒ、温度を約 ４００℃として仮りの窒化けい素薄膜２
を堆積させた。このときの膜厚は、表面に堆積させる窒
化けい素の膜厚に対応して調整した。図１（ｂ）に示す
ように、ウェハ１は仮りの窒化けい素膜２を堆積させた
側に向けて引張り状態となった。
行平板型プラズマＣＶＤ装置内に、直径１０ｃｍ、厚み
０．６ｍｍのシリコンウェハ１の裏面がプラズマに接触
するように配置し、ＳｉＨ４ １０〜４０ＳＣＣＭ，
ＮＨ３ ５０〜２００ＳＣＣＭ 、およびＮ２ １０
０〜４００ＳＣＣＭ を流し、圧力を０．２〜２Ｔｏｒ
ｒ、温度を約 ４００℃として仮りの窒化けい素薄膜２
を堆積させた。このときの膜厚は、表面に堆積させる窒
化けい素の膜厚に対応して調整した。図１（ｂ）に示す
ように、ウェハ１は仮りの窒化けい素膜２を堆積させた
側に向けて引張り状態となった。
【０００８】次に、図１（ｃ）に示すように、ウェハ１
を上下反転させて同様な条件で、表面に目的とする窒化
けい素膜３を堆積させた。
を上下反転させて同様な条件で、表面に目的とする窒化
けい素膜３を堆積させた。
【０００９】さらに、ウェハ１を上下反転させて、出力
６００Ｗ、周波数１３．５６ＭＨｚの枚葉式平行平板
型反応性イオンエッチング装置内に、ウェハ１の裏面が
エッチングガスに接触するように配置し、 ＣＨＦ３
５０〜２００ＳＣＣＭ およびＣＦ４ ５０〜２００Ｓ
ＣＣＭ を流し、圧力を０．５〜１Ｔｏｒｒとして裏面
の仮りの窒化けい素薄膜２をエッチングした。このとき
シリコンウェハ１はエッチング速度が窒化けい素より小
さいので、オーバエッチングされ難い。こうして仮りの
窒化けい素薄膜２を除去し、目的とする表面の窒化けい
素膜３のみを残したウェハ１は図１（ｄ）に示すように
、反りは裏面に膜を付けなかった場合に比べ、非常に小
さかった。
６００Ｗ、周波数１３．５６ＭＨｚの枚葉式平行平板
型反応性イオンエッチング装置内に、ウェハ１の裏面が
エッチングガスに接触するように配置し、 ＣＨＦ３
５０〜２００ＳＣＣＭ およびＣＦ４ ５０〜２００Ｓ
ＣＣＭ を流し、圧力を０．５〜１Ｔｏｒｒとして裏面
の仮りの窒化けい素薄膜２をエッチングした。このとき
シリコンウェハ１はエッチング速度が窒化けい素より小
さいので、オーバエッチングされ難い。こうして仮りの
窒化けい素薄膜２を除去し、目的とする表面の窒化けい
素膜３のみを残したウェハ１は図１（ｄ）に示すように
、反りは裏面に膜を付けなかった場合に比べ、非常に小
さかった。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、機械的工具を使用する
ことなく、簡単な操作で、基板に歪みを与えずに薄膜を
形成することができる。
ことなく、簡単な操作で、基板に歪みを与えずに薄膜を
形成することができる。
【図１】本発明の薄膜形成方法の工程図である。
１…基板
２…仮りの薄膜
３…目的とする薄膜
Claims (2)
- 【請求項１】 内部応力を示す薄膜を基板に形成する
方法であって、目的とする薄膜と同一傾向の内部応力を
示す薄膜を基板の裏面に仮りに堆積させて、目的とする
薄膜が基板に発生させる歪みを相殺できる歪みを予め基
板に与えた後、目的とする薄膜を基板の表面に堆積させ
、次に基板の裏面から仮りの薄膜を除去する工程を含む
ことを特徴とする方法。 - 【請求項２】 基板がシリコンウェハであり、目的と
する薄膜および仮りの薄膜が窒化けい素薄膜である、請
求項１に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5151491A JPH04286332A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5151491A JPH04286332A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286332A true JPH04286332A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=12889118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5151491A Withdrawn JPH04286332A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04286332A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142193A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Applied Materials Inc | 膜形成方法 |
| JP2012212721A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Tokyo Electron Ltd | シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法、並びに成膜装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP5151491A patent/JPH04286332A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142193A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Applied Materials Inc | 膜形成方法 |
| JP2012212721A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Tokyo Electron Ltd | シリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法、並びに成膜装置及び半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |