JPH0498832A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関するもので、例えば
コンタクトホール（又はスルーホール）を絶縁膜に形成
する場合に用いられる。

〔従来の技術〕

従来技術を用いた半導体装置の製造方法における工程別
の素子断面図を第３図に示す。まず、基板１上に絶縁膜
２を形成した後、絶縁膜２のコンタクトホール形成領域
に開口を有するマスクパターン３を、絶縁膜２上に形成
する（同図（ａ）図示）。次にこのマスクパターン３の
開口を介して、絶縁膜２の所定の深さまで等方エツチン
グを施し、窪み４を形成する（同図（ｂ）図示）。その
後、前述のマスクパターン３の開口を介して窪み４の絶
縁膜２に対し異方性エツチングを施して、基板１を露出
させる（同図（Ｃ）図示）。エツチング終了後、前述の
マスクパターン３を除去し、コンタクトホールか形成さ
れた絶縁膜２上及び基板１上に、導電膜４を被着させる
（同図（ｄ）図示）。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の方法では第３図に示される様に、絶縁膜２にコン
タクトホールを形成する際、等方性エツチングした部分
と異方性エツチングした部分との境界部分６が鋭角とな
りやすい。従って、その鋭角部分上の導電膜５の膜厚か
極端に薄くなるために断線の原因となっていた。

本発明は、上記の問題点を解決した半導体装置の製造方
法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、基板上に絶縁膜を形成する第１の工程と、そ
の絶縁膜におけるコンタクトホール又はスルーホール形
成領域に開口を有するマスクパターンを前述の絶縁膜上
に形成する第２の工程と、その開口で露出した絶縁膜を
、等方性エツチングする第３の工程と、前述のエツチン
グされた絶縁膜を、前述のマスクパターンの開口を介し
、等方性か加味された異方性エツチングして基板を露出
させる第４の工程と、前述のマスクパターンヲ除去し、
導電膜を被着させる第５の工程とを備え、前述の第４の
工程は、異方性エツチング雰囲気中の圧力を高めること
により、好適に等方性を加味することを特徴とするもの
である。

〔作用〕

本発明によれば、絶縁膜の所定の深さまで等方性エツチ
ングした後、等方性を加味した異方性エツチング方法を
用いてコンタクトホールまたはスルーホールを形成する
ため、絶縁膜のエツチング部分から鋭角部分を除去する
ことができる。

〔実施例〕

以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は実施例にかかる半導体装置の製造方法を示す工
程別の素子断面図である。まず、ＳｉあるいはＡｌｌな
どの基板１上に、ＢＰＳＧ　（ボロンフォスフアシリケ
ードガラス）あるいはＮ５Ｃ（ノンドープシリケートガ
ラス）の絶縁膜２を形成する。その後、絶縁膜２上にフ
ォトレジストを塗布し、絶縁膜２におけるコンタクトホ
ール形成領域に開口を有するマスクパターン３を形成す
る（第１図（ａ）図示）。

次に、前述の開口を介し、絶縁膜２に対し等方性エツチ
ングを施す。本実施例ではＣＦ４を用いてケミカルドラ
イエツチング（ＣＤＥ）Ｌ、、絶縁膜２の１／２〜１／
３の深さの窪み４を形成した。

（同図（ｂ）図示）。

引き続き前述のマスクパターン３の開口を介し、すてに
ＣＤＥで形成された絶縁１ｉ２の窪み４に対し、異方性
エツチングを施す（同図（ｃ）図示）。

この場合はＣＨＦ　　及びＣ２Ｆ　ｅの混合活性ガスを
用い、前述の窪み４をリアクティブイオンエツチング（
ＲＩＥ）した。このエツチング雰囲気中の気圧と活性イ
オンの平均自由行程との間には、第２図に示される一定
の関係かある。従って、雰囲気中の圧力を高めることに
よって活性イオンの自由度が減少し、異方性エツチング
の異方度を下げることかできる。このエツチング雰囲気
中の圧力は、１．５〜３　ｔｏｒｒが適切であり、本実
施例では１．７ｔｏｒｒ下で異方性エツチングを行った
。その結果、第１図（ｃ）に示される様に、ＣＤＥ部分
とＲＩＥ部分との境界部分６は鋭角ではなくなる。

エツチング終了後、前述のマスクパターン３を除去し、
導電膜５としてＡＮをスパッタリングした（第１図（ｄ
）図示）。前述のエツチング部分に鋭角部分がなくなっ
たため、スパッタリングしたＡｊ？膜の膜厚は均一とな
り、従来に比ベステップ力バレッジが上昇した。

上記実施例では、第２段階での絶縁膜２のエツチング工
程、即ち異方性エツチング工程での等方性の加味を、雰
囲気の気圧を高めることにより行っているが、ガスの種
類等を選ぶことにより同様のことが実現できるのは言う
までもない。但し、ガス圧で等方性を加味することは、
他の手法に比べて制御が容易であり、かつ異方度の程度
も厳密に設定できる点て有利である。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明した通り本発明では、絶縁膜が異方性
エツチングされる過程において、例えばエツチング雰囲
気中の圧力を高めることにより異方度を下げ、等方性が
加味された異方性エツチングをおこなう。従って絶縁膜
のエツチング部分に鋭角部分かてきにくくなり、導電膜
を均一にスパッタリングすることができる。このため断
線の原因がなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる実施例の製造工程を示す図、第
２図はＲＩＥ工程での原料ガス圧力と平均自由行程の関
係を示すグラフ、第３図は従来の製造工程を示す図であ
る。 １・・・基板、２・・・絶縁膜、３・・・マスクパター
ン、４・・・等方性エツチングによる窪み、５・・・導
電膜、６・・・等方性及び異方性エツチングの境界部分
。 ＩＥ 工程での７原料ガス圧力と平均自由行程の関係第２図 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に絶縁膜を形成する第１の工程と、前記絶縁
   膜のコンタクトホール又はスルーホール形成領域に開口
   を有するマスクパターンを、前記絶縁膜上に形成する第
   ２の工程と、 前記開口で露出した前記絶縁膜を、所定の深さまで等方
   性エッチングする第３の工程と、 等方性エッチングされた前記絶縁膜に対し、前記開口を
   介して等方性が加味された異方性エッチングをおこない
   、前記基板を露出させる第４の工程と、 前記マスクパターンを除去して、前記絶縁膜及び基板上
   に導電膜を形成する第５の工程とを有することを特徴と
   する、半導体装置の製造方法。 ２、前記第４の工程における、等方性が加味された異方
   性エッチングでは、異方性エッチング雰囲気中の圧力を
   高めて等方性を加味することを特徴とする、請求項１記
   載の半導体装置の製造方法。