JPH03257926A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03257926A JPH03257926A JP5721390A JP5721390A JPH03257926A JP H03257926 A JPH03257926 A JP H03257926A JP 5721390 A JP5721390 A JP 5721390A JP 5721390 A JP5721390 A JP 5721390A JP H03257926 A JPH03257926 A JP H03257926A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路の配線工程において、高性能
、高信頼性の配線を実現するための製造方法に関するも
のである。
、高信頼性の配線を実現するための製造方法に関するも
のである。
従来の技術
近年素子の微細化、高密度化に伴って、コンタクト部分
のアスペクト比（開孔深さ／開孔径）が大きくなってき
ている。そのため、コンタクトの側壁及び底部に配線金
属が充分に回り込む様に、ＣＶＤアルミニウム法、ウェ
ハーを回転させてのスパッタ法等が検討されている。
のアスペクト比（開孔深さ／開孔径）が大きくなってき
ている。そのため、コンタクトの側壁及び底部に配線金
属が充分に回り込む様に、ＣＶＤアルミニウム法、ウェ
ハーを回転させてのスパッタ法等が検討されている。
しかし、前記の両方法とも、まだ開発途中であるため、
実デバイスでの評価は困難であり、実際には通常のＤＣ
マグネトロンスパッタ法によって金属を堆積して【る。
実デバイスでの評価は困難であり、実際には通常のＤＣ
マグネトロンスパッタ法によって金属を堆積して【る。
ここでは例として、−船釣なりＣマグネトロンスパッタ
法でアスペクト比の大きな垂直段差を有するコンタクト
にアルミニウムをスパッタした場合について説明する。
法でアスペクト比の大きな垂直段差を有するコンタクト
にアルミニウムをスパッタした場合について説明する。
第２図はアスペクト比の大きな垂直段差を有するコンタ
クトに、アルミニウムをスパッタした場合の断面図であ
る。第２図において１は燐がドープされたポリシリコン
、２は二酸化珪素、４はアルミニウムである。ここで、
二酸化珪素２中のコンタクトを介して、燐がドープされ
たポリシリコン１とアルミニウム４が電気的に接続して
いる。
クトに、アルミニウムをスパッタした場合の断面図であ
る。第２図において１は燐がドープされたポリシリコン
、２は二酸化珪素、４はアルミニウムである。ここで、
二酸化珪素２中のコンタクトを介して、燐がドープされ
たポリシリコン１とアルミニウム４が電気的に接続して
いる。
以上の構造のアルミニウム配線においては、二酸化珪素
２の垂直段差によるシャー効果で、コンタクト側壁及び
底部で、アルミニウム４の膜厚が著しく減少していた。
２の垂直段差によるシャー効果で、コンタクト側壁及び
底部で、アルミニウム４の膜厚が著しく減少していた。
発明が解決しようとする課題
従来の配線形成方法では、アスペクト比の大きな垂直段
差を有するコンタクトにおいて、コンタクトの側壁及び
底部で配線の膜厚が薄く、素子の性能及び信頼性で課題
があった。
差を有するコンタクトにおいて、コンタクトの側壁及び
底部で配線の膜厚が薄く、素子の性能及び信頼性で課題
があった。
本発明はこの様な課題を解決するもので、アスペクト比
の大きな垂直段差を有するコンタクトにおいて側壁及び
底部で充分な膜厚の配線金属を堆積することを目的とす
るものである。
の大きな垂直段差を有するコンタクトにおいて側壁及び
底部で充分な膜厚の配線金属を堆積することを目的とす
るものである。
課題を解決するための手段
上記の課題を解決できる本発明の半導体装置の製造方法
は、導電膜上に形成された開孔を有する絶縁膜上に、第
一金属を堆積する工程と前記第一金属を異方性ドライエ
ッチによって開孔部の側壁にのみ残す工程と、前記絶縁
膜上及び開孔部に第一金属を堆積する工程からなるもの
である。
は、導電膜上に形成された開孔を有する絶縁膜上に、第
一金属を堆積する工程と前記第一金属を異方性ドライエ
ッチによって開孔部の側壁にのみ残す工程と、前記絶縁
膜上及び開孔部に第一金属を堆積する工程からなるもの
である。
作用
本発明は、アスペクト比の大きな垂直段差を有するコン
タクトに配線金属を堆積する際に、金属堆積後、異方性
トライエッチで金属をエツチングし、コンタクトの側壁
に金属を残し、スパッタのシャドー効果を低減させ、コ
ンタクト側壁及び底部で、充分な膜厚配線金属を堆積で
きることを利用して、半導体装置の高性能、高信頼性化
をはかったものである。
タクトに配線金属を堆積する際に、金属堆積後、異方性
トライエッチで金属をエツチングし、コンタクトの側壁
に金属を残し、スパッタのシャドー効果を低減させ、コ
ンタクト側壁及び底部で、充分な膜厚配線金属を堆積で
きることを利用して、半導体装置の高性能、高信頼性化
をはかったものである。
実施例
本発明の半導体装置の一実施例を第１図（ａ）〜（Ｃ）
を参照して説明する。
を参照して説明する。
第１図（ａ）はまず、燐がドープされたポリシリコン１
上に、常圧ＣＶＤ法で３０００〜８０００Ａの二酸化珪
素２を４００〜４５０℃堆積する。
上に、常圧ＣＶＤ法で３０００〜８０００Ａの二酸化珪
素２を４００〜４５０℃堆積する。
次に、レジスト（図示せず）を全面に０．５から１．５
μｍ逐布６、マスク合わせ、露光、現像によって所定の
場所のみレジストを開孔する。開孔後、ＣＨＦ３１０２
混合ガスで、圧力１００〜３００ｍＴｏｒｒ、パワー１
〜２ｋＷで二酸化珪素膜２をエツチングする。エツチン
グ後、酸素またはオゾンプラズマで、前記レジストを灰
化して除去する。１〜５％のフッ酸水溶液でポリシリコ
ン１上の自然酸化膜を除去後、減圧ＣＶＤ法でダンゲス
テン３を２０００〜５０００Ａ堆積する。
μｍ逐布６、マスク合わせ、露光、現像によって所定の
場所のみレジストを開孔する。開孔後、ＣＨＦ３１０２
混合ガスで、圧力１００〜３００ｍＴｏｒｒ、パワー１
〜２ｋＷで二酸化珪素膜２をエツチングする。エツチン
グ後、酸素またはオゾンプラズマで、前記レジストを灰
化して除去する。１〜５％のフッ酸水溶液でポリシリコ
ン１上の自然酸化膜を除去後、減圧ＣＶＤ法でダンゲス
テン３を２０００〜５０００Ａ堆積する。
この時の条件は、温度４００〜６００℃、圧力０．１〜
１０Ｔｏｒｒ、ガスＷＦｅ／Ｈ２／Ｓ ｉ Ｈ４である
。減圧ＣＶＤ法のため、タングステン３はコンタクトの
側壁および底部にも充分回り込む。
１０Ｔｏｒｒ、ガスＷＦｅ／Ｈ２／Ｓ ｉ Ｈ４である
。減圧ＣＶＤ法のため、タングステン３はコンタクトの
側壁および底部にも充分回り込む。
第１図（ｂ）は、ＨＢｒ／ＨＣＩ混合ガスで、圧力５０
〜２００ｍＴｏｒｒ、パワー２００〜５００Ｗで前記タ
ングステン３を異方的にドライエッチする。異方性ドラ
イエッチのため、コンタクトの側壁には、タングステン
３が残る。
〜２００ｍＴｏｒｒ、パワー２００〜５００Ｗで前記タ
ングステン３を異方的にドライエッチする。異方性ドラ
イエッチのため、コンタクトの側壁には、タングステン
３が残る。
第１図（Ｃ）にＡｒプラズマによるスパッタエッチ法で
燐がドープされたポリシリコン１上と、タングステン３
上の酸化物を除去後、スパッタ法で０．５〜１．５μｍ
のアルミニウム４を堆積する。
燐がドープされたポリシリコン１上と、タングステン３
上の酸化物を除去後、スパッタ法で０．５〜１．５μｍ
のアルミニウム４を堆積する。
スパッタ条件は、圧力５〜１０ｍＴｏｒｒ、ＤＣ電圧５
〜１０ｋＷで行う。
〜１０ｋＷで行う。
以上の構造のコンタクトにおいては、アルミニウム４を
堆積する前のコンタクト形状が、タングステン３によっ
て改善され、スパッタ時のシャドー効果が低減されるた
め、アルミニウム４のカバレッジが向上する。
堆積する前のコンタクト形状が、タングステン３によっ
て改善され、スパッタ時のシャドー効果が低減されるた
め、アルミニウム４のカバレッジが向上する。
発明の効果
本発明の半導体装置の製造方法によれば、コンタクト部
の垂直段差がなくなり、スパッタのシャドー効果を低減
できるのでアスペクト比の大きなコンタクトにおいても
側壁及び底部で充分な膜厚の配線金属を得ることができ
、高性能、高信頼性の半導体装置の製造方法が可能とな
る。
の垂直段差がなくなり、スパッタのシャドー効果を低減
できるのでアスペクト比の大きなコンタクトにおいても
側壁及び底部で充分な膜厚の配線金属を得ることができ
、高性能、高信頼性の半導体装置の製造方法が可能とな
る。
第１図は本発明のコンタクト部分の工程断面図、第２図
は従来のコンタクト部分の断面図である。 １・・・・・・燐がドープされたポリシリコン、２・・
・・・・−酸化珪素、３・・・・・・タングステン、４
・・・・・・アルミニウム。
は従来のコンタクト部分の断面図である。 １・・・・・・燐がドープされたポリシリコン、２・・
・・・・−酸化珪素、３・・・・・・タングステン、４
・・・・・・アルミニウム。
Claims (2)
- （１）導電膜上に形成された開孔を有する絶縁膜上に、
第一金属を堆積する工程と、前記第一金属を異方性ドラ
イエツチによって開孔部の側壁にのみ残す工程と、前記
絶縁膜上および開孔部に第二金属を堆積する工程とを具
備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）第一金属をタングステン、モリブデン等の高融点
金属、第二金属をアルミニウムとすることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5721390A JPH03257926A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5721390A JPH03257926A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03257926A true JPH03257926A (ja) | 1991-11-18 |
Family
ID=13049246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5721390A Pending JPH03257926A (ja) | 1990-03-08 | 1990-03-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03257926A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0684911A (ja) * | 1992-01-23 | 1994-03-25 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-08 JP JP5721390A patent/JPH03257926A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0684911A (ja) * | 1992-01-23 | 1994-03-25 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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