JPH03230532A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03230532A JPH03230532A JP2652090A JP2652090A JPH03230532A JP H03230532 A JPH03230532 A JP H03230532A JP 2652090 A JP2652090 A JP 2652090A JP 2652090 A JP2652090 A JP 2652090A JP H03230532 A JPH03230532 A JP H03230532A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体集積回路の配線工程において、高性能
、高信頼性の配線を実現するための製造方法に関するも
のである。
、高信頼性の配線を実現するための製造方法に関するも
のである。
従来の技術
近年素子の微細化、高密度化に伴って、コンタクト部分
のアスペクト比（開孔深さ／開孔径）が大きくなってき
ている。そのため、コンタクトの側壁及び底部に配線金
属が充分に回り込むように、ＣＶＤアルミニウム法、ウ
ェハーを回転させてのスパッタ法等が検討されている。
のアスペクト比（開孔深さ／開孔径）が大きくなってき
ている。そのため、コンタクトの側壁及び底部に配線金
属が充分に回り込むように、ＣＶＤアルミニウム法、ウ
ェハーを回転させてのスパッタ法等が検討されている。
しかし、前記の両方法とも、まだ開発途中であるため、
実デバイスでの評価は困難であり、実際には通常のＤＣ
マグネトロンスパッタ法によって金属を堆積している。
実デバイスでの評価は困難であり、実際には通常のＤＣ
マグネトロンスパッタ法によって金属を堆積している。
ここでは例として、−射的なりＣマグネトロンスパッタ
法でアスペクト比の大きな垂直段差を有するコンタクト
にアルミニウムをスパッタした場合について説明する。
法でアスペクト比の大きな垂直段差を有するコンタクト
にアルミニウムをスパッタした場合について説明する。
第２図は、アスペクト比の大きな垂直段差を有するコン
タクトにアルミニウムをスパッタした場合の断面図であ
る。図２において、１は燐がド−ブされたポリンリコン
、２は二酸化珪素、５はアルミニウムである。ここで、
二酸化珪素２中のコンタクトを介して、燐がドープされ
たポリンリコン１とアルミニウム５が電気的に接続して
いる。
タクトにアルミニウムをスパッタした場合の断面図であ
る。図２において、１は燐がド−ブされたポリンリコン
、２は二酸化珪素、５はアルミニウムである。ここで、
二酸化珪素２中のコンタクトを介して、燐がドープされ
たポリンリコン１とアルミニウム５が電気的に接続して
いる。
以上の構造のアルミニウム配線においては、二酸化珪素
２の垂直段差によるンヤドー効果でコンタクトの側壁お
よび底部でアルミニウム５の膜厚が著しく減少していた
。
２の垂直段差によるンヤドー効果でコンタクトの側壁お
よび底部でアルミニウム５の膜厚が著しく減少していた
。
発明が解決しようとする課題
従来の配線形成方法では、アスペクト比の大きな、垂直
段差を有するコンタクトにおいて、コンタクトの側壁お
よび底部で配線金属の膜厚が薄く、素子の性能および信
頼性で課題があった。
段差を有するコンタクトにおいて、コンタクトの側壁お
よび底部で配線金属の膜厚が薄く、素子の性能および信
頼性で課題があった。
本発明はこのような課題を解決するもので、アスペクト
比の大きな垂直段差を有するコンタクトにおいて側壁及
び底部で充分な膜厚の配線金属を堆積することを目的と
するものである。
比の大きな垂直段差を有するコンタクトにおいて側壁及
び底部で充分な膜厚の配線金属を堆積することを目的と
するものである。
課題を解決するための手段
上記の課題を解決できる本発明の半導体装置の製造方法
は、導電膜上に絶縁膜を堆積する工程と、前記導電膜上
に７オトリソ法により所定の場所のみレジストパターン
を形成する工程と、前記レジストをマスクにしてドライ
エッチ法で前記絶縁膜をエツチングする工程と、前記レ
ジスト及び開孔部に第一金属を堆積する工程と、レジス
トと同時にレジスト上の第一金属を除去する工程と、前
記絶縁膜及び第一金属上に第二金属を堆積する工程から
なるものである。
は、導電膜上に絶縁膜を堆積する工程と、前記導電膜上
に７オトリソ法により所定の場所のみレジストパターン
を形成する工程と、前記レジストをマスクにしてドライ
エッチ法で前記絶縁膜をエツチングする工程と、前記レ
ジスト及び開孔部に第一金属を堆積する工程と、レジス
トと同時にレジスト上の第一金属を除去する工程と、前
記絶縁膜及び第一金属上に第二金属を堆積する工程から
なるものである。
作用
本発明は、アスペクト比の大きな垂直段差を有するコン
タクトに配線金属を堆積する際に、コンタクトのバター
ニング後金属を堆積し、リフトオフでレジスト上の金属
を除去し、コンタクトの側壁および底部にのみ金属を残
すことで、垂直段差をなくシ、スパッタのンヤドー効果
を低減させ、コンタクトの側壁および底部で充分な膜厚
の配線金属を堆積できることを利用して、半導体の高性
能、高信頼性化をはかったものである。
タクトに配線金属を堆積する際に、コンタクトのバター
ニング後金属を堆積し、リフトオフでレジスト上の金属
を除去し、コンタクトの側壁および底部にのみ金属を残
すことで、垂直段差をなくシ、スパッタのンヤドー効果
を低減させ、コンタクトの側壁および底部で充分な膜厚
の配線金属を堆積できることを利用して、半導体の高性
能、高信頼性化をはかったものである。
実施例
本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を第１図（ａ
ｌ〜＋ＣＩを参照して説明する。
ｌ〜＋ＣＩを参照して説明する。
第１図（ａｌはまず、燐がドープされたポリシリコン１
上に常圧ＣＶＤ法で３０００〜８０００人の二酸化珪素
膜２を４００〜４５０℃で堆積する。
上に常圧ＣＶＤ法で３０００〜８０００人の二酸化珪素
膜２を４００〜４５０℃で堆積する。
第１図（ｂｌは次に、レジスト３を全面に０．１〜１μ
ｍ塗布し、マスク合わせ露光、現像によって所定の場所
のみ開孔する。開孔後、ＣＨＦ ３／ ０２混合ガスで
、圧力１００〜３００ｍＴｏ ｒ ｒ、パワー１〜２ｋ
ＷでＮＳＣ２をエツチングする。この時のレジスト膜厚
は、後のスパッタでコンタクト内にタングステンが堆積
し易いようにできる限り薄い方が好ましい。その後、１
〜５％のフン酸水溶液で、燐がドープされたポリシリコ
ン１上の自然酸化膜を除去し、エツチング後、パワー１
〜２ｋＷ、圧力５〜１０ｍＴＯｒｒでタングステン４を
３０００〜８０００λスパツタ法で堆積する。
ｍ塗布し、マスク合わせ露光、現像によって所定の場所
のみ開孔する。開孔後、ＣＨＦ ３／ ０２混合ガスで
、圧力１００〜３００ｍＴｏ ｒ ｒ、パワー１〜２ｋ
ＷでＮＳＣ２をエツチングする。この時のレジスト膜厚
は、後のスパッタでコンタクト内にタングステンが堆積
し易いようにできる限り薄い方が好ましい。その後、１
〜５％のフン酸水溶液で、燐がドープされたポリシリコ
ン１上の自然酸化膜を除去し、エツチング後、パワー１
〜２ｋＷ、圧力５〜１０ｍＴＯｒｒでタングステン４を
３０００〜８０００λスパツタ法で堆積する。
第１図（Ｃ１はタングステンスパッタ後、２０〜３０℃
の発煙硝酸に２０〜６０分浸漬し、前記レジスト３を除
去する。この時、レジスト３上のタングステンも同様に
除去し、コンタクトの側壁と底部にのみタングステン４
を残す。次に、水溶液で３０〜６０分洗浄後、Ａｒプラ
ズマによるスパッタエッチ法でタングステン４上の酸化
物を除去後、スパッタ法で０．５〜１．５μｍのアルミ
ニウム５を堆積する。
の発煙硝酸に２０〜６０分浸漬し、前記レジスト３を除
去する。この時、レジスト３上のタングステンも同様に
除去し、コンタクトの側壁と底部にのみタングステン４
を残す。次に、水溶液で３０〜６０分洗浄後、Ａｒプラ
ズマによるスパッタエッチ法でタングステン４上の酸化
物を除去後、スパッタ法で０．５〜１．５μｍのアルミ
ニウム５を堆積する。
スパッタ条件は、圧力５〜ｌ ＱｍＴｏ ｒ ｒ、 Ｄ
Ｃ電圧５〜１０ｋＷでおこなう。
Ｃ電圧５〜１０ｋＷでおこなう。
以上の構造のコンタクトにおいては、アルミニウム５を
堆積する前のコンタクト形状が、タングステン４によっ
て改善され、スパッタ時のンヤト・−効果が低減される
ため、アルミニウム５のカバレッジが向上する。
堆積する前のコンタクト形状が、タングステン４によっ
て改善され、スパッタ時のンヤト・−効果が低減される
ため、アルミニウム５のカバレッジが向上する。
発明の効果
本発明の半導体装置の製造方法によれば、コンタクト部
の垂直段差がなくなりスパッタのンヤドー効果が低減で
きるのでアスペクト比の大きなコンタクトにおいても側
壁及び底部で充分な膜厚の配線金属を得ることができ、
高性能、高信頼性の半導体装置が可能となる。
の垂直段差がなくなりスパッタのンヤドー効果が低減で
きるのでアスペクト比の大きなコンタクトにおいても側
壁及び底部で充分な膜厚の配線金属を得ることができ、
高性能、高信頼性の半導体装置が可能となる。
第１図は本発明のコンタクト部分の工程順断面図、第２
図は従来例のコンタクト部分の断面図である。 １・・・・・・燐がドープされたポリンリコン、２・・
・・・・二酸化珪素、３・・・・・・レジスト、４・・
・・・・タングステン、５・・・・・・アルミニウム。
図は従来例のコンタクト部分の断面図である。 １・・・・・・燐がドープされたポリンリコン、２・・
・・・・二酸化珪素、３・・・・・・レジスト、４・・
・・・・タングステン、５・・・・・・アルミニウム。
Claims (2)
- （１）導電膜上に絶縁膜を堆積する工程と、前記絶縁膜
上に写真食刻法により所定の場所のみレジストパターン
を形成する工程と、前記レジストをマスクにしてドライ
エッチ法で前記絶縁膜をエッチングする工程と、前記レ
ジスト及び開孔部に第一金属を堆積する工程と、レジス
トと同時にレジスト上の第一金属を除去する工程と、前
記絶縁膜及び第一金属上に第二金属を堆積する工程とを
具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）第一金属をタングステン、モリブデン等の高融点
金属、第二金属ともアルミニウムとする請求項１記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2652090A JPH03230532A (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2652090A JPH03230532A (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03230532A true JPH03230532A (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=12195756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2652090A Pending JPH03230532A (ja) | 1990-02-06 | 1990-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03230532A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160073839A (ko) | 2014-12-17 | 2016-06-27 | 주식회사 엘지화학 | 변성 공액디엔계 중합체의 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 변성 공액디엔계 중합체 |
| KR20160073924A (ko) | 2014-12-17 | 2016-06-27 | 주식회사 엘지화학 | 변성 공액디엔계 중합체 및 이를 포함하는 고무 조성물 |
-
1990
- 1990-02-06 JP JP2652090A patent/JPH03230532A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160073839A (ko) | 2014-12-17 | 2016-06-27 | 주식회사 엘지화학 | 변성 공액디엔계 중합체의 제조방법 및 이를 이용하여 제조한 변성 공액디엔계 중합체 |
| KR20160073924A (ko) | 2014-12-17 | 2016-06-27 | 주식회사 엘지화학 | 변성 공액디엔계 중합체 및 이를 포함하는 고무 조성물 |
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