JPH0410422A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体基板に形成されたスパッタ８１０２ヲ
異方性スパツタエツチング法によシエッチングする半導
体装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図（１）〜（０）は従来の半導体装置の製造方法の
工程断面図である。図において、（１）は半導体基板、
（２）は絶縁膜、（３）はコンタクトホー〃段差部、（
７）は配線金属である。

次にその製造工程について説明する。

まず第２図（ａ）に示すように、半導体基板（１）上に
絶縁膜（２）を形成した後、露光・現像・エツチング等
によりコンタクトホー２段差部（３）を形成する（第２
図（ｂ））ｏ次いで、全面に配線金属（７）を形成する
（第２図（Ｃ））。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の配線金属は以上のように形成されていたので、段
差部において配線段切れが発生し信頼性が低下するなど
の問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、段差部の傾斜を緩やかにし配線段切れのない
半導体装置を得るととを目的とする０ 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置は、全面にスパッタＳｉＯ２
を形成した後、異方性スパッタエッチにより段差部にの
みスパッタ５ｔｏ２を残すようにしたものである。

〔作用〕

この発明における半導体装置は、段差部のスパッタＢ１
０２によ）傾斜が緩やかＫなシ、配線段切れが無くなり
信頼性が向上する。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図（１）〜（、ｅ）はこの発明の半導体装置の一実施例
を示す工程断面図である。図中、符号は前記従来のもの
と同一符号は同一部分を示しその説明は省略する。

第１図において、（４）はスパッタ８１０２、（５）は
異方性スパッタイオンビーム、（６）は段差部スパッタ
ＳｉＯ２を示す。

次に製造工程について説明する０ まず第１図（＆）に示すように、半導体基板（１）上に
絶縁膜（２）を形成した後、露光・現像・エツチング等
によりコンタクトホール段差（３）を形成する（第１図
（ｂ））ｏ次いで第１図（０）のように、全面にスパッ
タ５１ｏ２膜（４）を形成し、さらに第１図（＋１）の
如く、異方性スパッタエッチイオンビーム（５）を照射
し段差部スパッタＳｉＯ２膜を形成した後、配線金属（
７）を形成する（第１図（ｅ））。

なお、上記実施例ではスパッタ５ｉｏ２膜（４）を形成
した場合を示したが、段差部を完全に覆うことが出来る
絶縁膜であればどのようなものでも同等の効果を得るこ
とが出来る。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれは、半導体基板上の段差部
の傾斜を緩やかにしたので、配線段切れが無くなり信頼
性の高い半導体装置が得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（＆）〜（・）はこの発明の一実施例による半導
体装置の製造方法の工程断面図、第２図（＆）〜（Ｑ）
は従来の半導体装置の製造方法の工程断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）は絶縁膜、（
３）はコンタクトホール段差部、（４）バスバッタ５ｉ
０２膜、（５）　ハＭ　方性スパッタエツチングイオン
ビーム、（６）は段差部スパッタＳｉＯ２膜、（７）は
配線金属を示す。 なお、図中、同一符号は同一　または相当部分を示す０

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体装置の段差部に配線金属を形成する工程におい
   て、段差部にスパッタＳｉＯ＿２を形成し段差部傾斜を
   緩くしたことを特徴とする半導体装置。