JPS5910085B2 - 弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスの製造方法Info
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- JPS5910085B2 JPS5910085B2 JP53054512A JP5451278A JPS5910085B2 JP S5910085 B2 JPS5910085 B2 JP S5910085B2 JP 53054512 A JP53054512 A JP 53054512A JP 5451278 A JP5451278 A JP 5451278A JP S5910085 B2 JPS5910085 B2 JP S5910085B2
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- Japan
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- wafer
- acoustic wave
- surface acoustic
- manufacturing
- wave device
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばＬ Ｉ Ｎ ｂＯ ａなどの焦電性の
大きい圧電性基板を使用する弾性表面波デバイスその他
の機能デバイスの製造方法に関するものである。
大きい圧電性基板を使用する弾性表面波デバイスその他
の機能デバイスの製造方法に関するものである。
第１図は、従来使用されている弾性表面波デバイスの構
成を示す図である。
成を示す図である。
図示のように、従来使用されている弾性表面波デバイス
は、圧電性基板１の面上に励振用の入力インタデイジタ
ルトランスデューサ電極２（以下入力ＩＤＴ電極２と称
する）及び、受信用の出力インタディジタルトランスデ
ューサ電極３（以下出力ＩＤＴ電極３と称する）が形成
された構造を有している。
は、圧電性基板１の面上に励振用の入力インタデイジタ
ルトランスデューサ電極２（以下入力ＩＤＴ電極２と称
する）及び、受信用の出力インタディジタルトランスデ
ューサ電極３（以下出力ＩＤＴ電極３と称する）が形成
された構造を有している。
この人力ＩＤＴ電極２及び出力ＩＤＴ電極３の形成に際
しては、ＩＣと同様にホトエッチングの技術が適用され
ている。
しては、ＩＣと同様にホトエッチングの技術が適用され
ている。
この場合、圧電性基板１としては、Ｌ ｔ Ｎ ｂ０
３ ＋Ｌ ｓ Ｔ ａ ０ ３、水晶、圧電セラミクス
、ＺｎＯ薄膜などが使用されるが、特にＬｉＮｂＯ３は
電気機械結合係数が犬で、且つ量産性に富んでいるため
、高性能弾性表面波デバイスの製造には多く用いられて
いる。
３ ＋Ｌ ｓ Ｔ ａ ０ ３、水晶、圧電セラミクス
、ＺｎＯ薄膜などが使用されるが、特にＬｉＮｂＯ３は
電気機械結合係数が犬で、且つ量産性に富んでいるため
、高性能弾性表面波デバイスの製造には多く用いられて
いる。
しかし、Ｌ ｉＮ ｂｏ ｓは電気機械結合係数が大で
あると共に焦電性も大きいため、Ｌ ｔ Ｎ ｂＯ ｓ
ウエー・・を加熱冷却する際に表面に電荷が生ずる。
あると共に焦電性も大きいため、Ｌ ｔ Ｎ ｂＯ ｓ
ウエー・・を加熱冷却する際に表面に電荷が生ずる。
この表面電荷は、製造工程に過程において雰囲気中の塵
を吸着することがあシ、ホトレジスト膜の形成工程での
歩留りを低下させる原因となる。
を吸着することがあシ、ホトレジスト膜の形成工程での
歩留りを低下させる原因となる。
又、このウエーハが帯電している場合には、ベーキング
装置、露光装置、エッチング装置などの、ウエーハの通
過する平坦な金属部分にウエーハが静電吸着して、その
操作が困難になることがある。
装置、露光装置、エッチング装置などの、ウエーハの通
過する平坦な金属部分にウエーハが静電吸着して、その
操作が困難になることがある。
これは特に、自動制御操作される装置を用いる場合に問
題となる。
題となる。
通常の弾性表面波デバイスの製造過程においては、少な
くとも二回のペーキング工程が必要なので、従来の方法
では表面電荷の影響を防ぐために、ベーキング工程中も
しくはベーキング工程直後に、ウエーハ表面に帯電した
電荷をリークする必要がある。
くとも二回のペーキング工程が必要なので、従来の方法
では表面電荷の影響を防ぐために、ベーキング工程中も
しくはベーキング工程直後に、ウエーハ表面に帯電した
電荷をリークする必要がある。
このため従来は、平坦な金属板上にウエーハを配置し、
ウエーハ表面に形成された電極用金属薄膜とこの金属板
とを短絡させた状態でペーキングを行なっていた。
ウエーハ表面に形成された電極用金属薄膜とこの金属板
とを短絡させた状態でペーキングを行なっていた。
しかし、この方法では金属板とウエー・・の裏面が充分
に接触せず、表面電荷を完全に取り除くことが出来ず、
又金属膜及びホトレジスト膜の一部に欠陥が生じ易く、
製造歩留りの面でも難点を有していた。
に接触せず、表面電荷を完全に取り除くことが出来ず、
又金属膜及びホトレジスト膜の一部に欠陥が生じ易く、
製造歩留りの面でも難点を有していた。
本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方法は，これら
従来の方法での難点を解決し、圧電性基板の表面、裏面
及び側面に金属薄膜を形成する工程を製造過程に含ませ
て、ウエー・・の表面と裏面間の導電性を向上させ、表
面電荷を完全に取り除いて、ホトレジストパターン作成
上の歩留りを高め、製造工程の自動化での品質の向上を
実現したものである。
従来の方法での難点を解決し、圧電性基板の表面、裏面
及び側面に金属薄膜を形成する工程を製造過程に含ませ
て、ウエー・・の表面と裏面間の導電性を向上させ、表
面電荷を完全に取り除いて、ホトレジストパターン作成
上の歩留りを高め、製造工程の自動化での品質の向上を
実現したものである。
以下本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方法を、そ
の実施例に基づいて詳細に説明する。
の実施例に基づいて詳細に説明する。
第２図ａ，ｂ，ｃは、本発明に係る弾性表面波デバイス
の製造方法の実施例の各工程を示す原理図である。
の製造方法の実施例の各工程を示す原理図である。
この実施例においては、圧電性基板１として、１２８°
回転ＹカットのＬｉＮｂＯ３ウェーハを使用し、ウエー
・・を自公転させながら電極金属を真空蒸着することに
より、ウエー・・表面及び側面に膜厚が約１μｍのＡＩ
金属薄膜を形成する。
回転ＹカットのＬｉＮｂＯ３ウェーハを使用し、ウエー
・・を自公転させながら電極金属を真空蒸着することに
より、ウエー・・表面及び側面に膜厚が約１μｍのＡＩ
金属薄膜を形成する。
次いで、同様にしてウエーハの裏面及び側面に膜厚が約
１μｍのＡ１金属薄膜を形成して、第２図ａに示すよう
にＬ ｉＮ ｂ Ｏ ｓウエーハで形成される圧電性基
板１の表面、裏面及び側面に金属薄膜４を被覆形成する
第１の工程が完了する。
１μｍのＡ１金属薄膜を形成して、第２図ａに示すよう
にＬ ｉＮ ｂ Ｏ ｓウエーハで形成される圧電性基
板１の表面、裏面及び側面に金属薄膜４を被覆形成する
第１の工程が完了する。
第２図ａに示すように金属薄膜４を被覆形成したウエー
ハの表面と裏面間の電気抵抗は１Ω以下であることが確
認され、この方法でウエーハの表面と裏面間の導電性が
充分保持されていることが知られる。
ハの表面と裏面間の電気抵抗は１Ω以下であることが確
認され、この方法でウエーハの表面と裏面間の導電性が
充分保持されていることが知られる。
次いで、電極を形成するウエー・・表面のみにホトレジ
ストを塗布し、ホトリゾグラフイ技術を使用して所定形
状のホトレジスト膜５を、圧電性基板１上の金属薄膜４
上に形成する第２の工程を施す。
ストを塗布し、ホトリゾグラフイ技術を使用して所定形
状のホトレジスト膜５を、圧電性基板１上の金属薄膜４
上に形成する第２の工程を施す。
最後に、燐酸系のエッチング液を使用しウエーハ表面の
不要金属を除去する第３の工程により、所望のＩＤＴ電
極６を形成する。
不要金属を除去する第３の工程により、所望のＩＤＴ電
極６を形成する。
このホトエッチング工程において、ＬｉＮｂ０３ウエー
・・は常に表面電荷を放電することが可能でウエー・・
の帯電は生じないためＬｉＮｂ０３ウエー・・の焦電性
の影響を考慮する必・要はなくなる。
・・は常に表面電荷を放電することが可能でウエー・・
の帯電は生じないためＬｉＮｂ０３ウエー・・の焦電性
の影響を考慮する必・要はなくなる。
又、圧電性基板の表面、裏面及び側面に金属薄膜を形成
する第１の工程においては、ウエーハの表面と裏面との
金属薄膜が、電気的に短絡した状態にあり表面と裏面間
の電気抵抗値が１００Ω以下であれば、実用上は充分な
効果を得ることが出来る。
する第１の工程においては、ウエーハの表面と裏面との
金属薄膜が、電気的に短絡した状態にあり表面と裏面間
の電気抵抗値が１００Ω以下であれば、実用上は充分な
効果を得ることが出来る。
従って、ウエーハ側面の金属薄膜の厚みは均一である必
要はなく、部分的に金属薄膜が付着していない部分が存
在していてもよい。
要はなく、部分的に金属薄膜が付着していない部分が存
在していてもよい。
第３図は、本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方法
の他の実施例で得られた弾性表面波デバイスの構造を示
す図である。
の他の実施例で得られた弾性表面波デバイスの構造を示
す図である。
この他の実施例においては、圧電性基板の表面、裏面及
び側面に金属薄膜を形成する第１の工程において、電極
を形成するウエー・・表面に膜厚が約１μｍのＡＩ膜を
形成し、ウエー・・裏面及び側面に膜厚が約２μｍのＡ
Ｉ膜を形成する。
び側面に金属薄膜を形成する第１の工程において、電極
を形成するウエー・・表面に膜厚が約１μｍのＡＩ膜を
形成し、ウエー・・裏面及び側面に膜厚が約２μｍのＡ
Ｉ膜を形成する。
次に第２図に示す実施例と同様に、第１の工程が施され
た圧電性基板の表面の１部に所定形状のホトレジスト膜
を第２の工程で形成する。
た圧電性基板の表面の１部に所定形状のホトレジスト膜
を第２の工程で形成する。
最後に、第３の工程において第２の工程が施された圧電
性基板に、ホトレジスト膜をマスクとしてエッチングを
施すと、第３図に示すようにウエー・・の裏面に膜厚が
約１μｍの一様なＡ１膜からなる接地電極７が残る。
性基板に、ホトレジスト膜をマスクとしてエッチングを
施すと、第３図に示すようにウエー・・の裏面に膜厚が
約１μｍの一様なＡ１膜からなる接地電極７が残る。
この場合、第１の工程においてＩＤＴ電極用として膜厚
が約１μｍのＡＩ膜をウエーノ・表面に形成し、ウエー
ハ裏面には膜厚が約０．２μｍのＣ『膜を形成し、第２
の工程を経てから第３の工程において、ホトレジスト膜
をマスクとしてエッチングを施し所定のＡＩのＩＤＴ電
極と、Ｏｒの接地電極を形成することも出来る。
が約１μｍのＡＩ膜をウエーノ・表面に形成し、ウエー
ハ裏面には膜厚が約０．２μｍのＣ『膜を形成し、第２
の工程を経てから第３の工程において、ホトレジスト膜
をマスクとしてエッチングを施し所定のＡＩのＩＤＴ電
極と、Ｏｒの接地電極を形成することも出来る。
その他、ＩＤＴ電極用金属及び接地電極用金属として、
ＡＩ，Ａｕ，Ｏｕ，Ｏｒ，Ｎｉ なとの金属を任意の組
合せで使用することも無論可能である。
ＡＩ，Ａｕ，Ｏｕ，Ｏｒ，Ｎｉ なとの金属を任意の組
合せで使用することも無論可能である。
以上詳細に説明したように、本発明に係る弾性表面波デ
バイスの製造方法によれば、製造工程においてウエー・
・の表面電荷を完全に取り除くことが可能で、ホトレジ
ス パターン作成上の歩留りを高め、製造工程の自動化
に際しても高品質の弾性表面波デバイスを提供すること
が可能である。
バイスの製造方法によれば、製造工程においてウエー・
・の表面電荷を完全に取り除くことが可能で、ホトレジ
ス パターン作成上の歩留りを高め、製造工程の自動化
に際しても高品質の弾性表面波デバイスを提供すること
が可能である。
第１図は従来使用されている弾性表面波デバイスの構成
を示す図、第２図ａ，ｂ，ｃは本発明に係る弾性表面波
デバイスの製造方法の実施例の各工程を示す原理図、第
３図は本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方法の他
の実施例で得られた弾性表面波デバイスの構造を示す図
である。 符号の説明、１・・・・・・圧電性基板、２・・・・・
・入力ＩＤＴ電極、３・・・・・・出力ＩＤＴ電極、４
・・・・・・金属薄膜、５・・・・・・ホトレジスト膜
、６・・・・・・ＩＤＴ電極、７・・・・・・接地電極
。
を示す図、第２図ａ，ｂ，ｃは本発明に係る弾性表面波
デバイスの製造方法の実施例の各工程を示す原理図、第
３図は本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方法の他
の実施例で得られた弾性表面波デバイスの構造を示す図
である。 符号の説明、１・・・・・・圧電性基板、２・・・・・
・入力ＩＤＴ電極、３・・・・・・出力ＩＤＴ電極、４
・・・・・・金属薄膜、５・・・・・・ホトレジスト膜
、６・・・・・・ＩＤＴ電極、７・・・・・・接地電極
。
Claims (1)
- １ ウエーハの表面、裏面及び側面に金属薄膜を形成す
る第１の工程と、前記第１の工程が施された前記圧電性
ウエーハの表面に所定形状のホトレジスト膜を形成する
第２の工程と、前記第２の工程が施された前記圧電性ウ
エーハに前記ホトレジスト膜をマスクとしてエッチング
を施す第３の工程とを有することを特徴とする弾性表面
波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53054512A JPS5910085B2 (ja) | 1978-05-10 | 1978-05-10 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53054512A JPS5910085B2 (ja) | 1978-05-10 | 1978-05-10 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54146990A JPS54146990A (en) | 1979-11-16 |
| JPS5910085B2 true JPS5910085B2 (ja) | 1984-03-07 |
Family
ID=12972686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53054512A Expired JPS5910085B2 (ja) | 1978-05-10 | 1978-05-10 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910085B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1982001790A1 (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Lewis Meirion F | Improvements in or relating to methods of producing devices comprising metallised regions on dielectric substrates |
| JPS61206316U (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-26 | ||
| JPH02260907A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Hoya Corp | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JPWO2002031974A1 (ja) * | 2000-10-12 | 2004-04-15 | 富士通株式会社 | 弾性表面波素子及びその形成方法 |
| US7389570B2 (en) * | 2004-06-28 | 2008-06-24 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device manufacturing method, surface acoustic wave device, and communications equipment |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057559A (ja) * | 1973-09-20 | 1975-05-20 |
-
1978
- 1978-05-10 JP JP53054512A patent/JPS5910085B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057559A (ja) * | 1973-09-20 | 1975-05-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54146990A (en) | 1979-11-16 |
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