JP2002009569A

JP2002009569A - 弾性表面波装置の製造方法

Info

Publication number: JP2002009569A
Application number: JP2000191736A
Authority: JP
Inventors: Takashi Yamashita; 高志山下
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-06-26
Filing date: 2000-06-26
Publication date: 2002-01-11

Abstract

(57)【要約】【課題】圧電基板内の放電を抑制して、歩留りの高い
弾性表面波装置の製造方法を提供する。【解決手段】強い焦電性を有する圧電基板１と、この
圧電基板１の上に形成された金属膜２とを有する弾性表
面波装置の製造方法であって、圧電基板１とホットプレ
ート１２を同電位にして行うことで圧電基板１に帯電す
る電荷を除去しながら、圧電基板１の温度を５０度以上
変化させる加熱冷却工程を少なくとも有する。圧電基板
１の温度変化によって生じる圧電基板１内の分極電荷を
除去することができる。分極電荷を除去することで圧電
基板１内の電界強度を弱め、圧電基板１内で発生する放
電を抑制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は移動体通信機器など
で利用される弾性表面波装置の製造方法に係り、特に、
圧電基板の温度変化を伴う工程を圧電基板に帯電する電
荷を除去しながら行うことで圧電基板の放電を防ぐ弾性
表面波装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】結晶基板の表面のみにエネルギーが集中
した弾性表面波を利用した弾性表面波装置（ＳＡＷデバ
イス：Surface Acoustic Wave）は、電磁波に比べて伝
搬速度が１０^−５倍遅く、またデバイスの小型化が可能
であるため、近年、フィルター、振動子、遅延素子など
に応用され、ＴＶ、ＶＴＲ、移動体通信機などの広範な
分野において用いられるようになってきた。

【０００３】弾性表面波装置は、圧電基板と、圧電基板
の上に形成されたアルミニウム（Ａｌ）膜とを有する。
Ａｌ膜は、互いにかみ合う２つの櫛歯型のＡｌ電極、バ
スバー、電極パッドなどで構成されている。弾性表面波
装置は、Ａｌ膜を圧電基板上に一様に成膜し、リソグラ
フィ技術、エッチング技術を用いてＡｌ膜を所定の形状
にパターンニングすることで製造される。具体的には、
Ａｌ膜の成膜後、Ａｌ膜上にレジストなどの有機樹脂膜
を塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて有機樹脂膜
をパターンニングする。そして、この有機樹脂膜をマス
クとしてウェットエッチングもしくはドライエッチング
をＡｌ膜に対して施すことで、Ａｌ電極、電極パッドな
どが形成される。なお、有機樹脂膜は、塗布された後に
高温でベークされ（プリベーク工程）、有機樹脂膜中に
含まれる溶剤を揮発させる。また、有機樹脂膜を現像し
た後には、有機樹脂膜のエッチング耐性を向上させるた
めに再度ベークされる（ポストベーク）。これらのベー
ク工程は、ホットプレートによって裏面から圧電基板ご
と加熱して行われる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、弾性表面波
装置に用いる圧電基板は、ベーク温度を高くすると基板
割れなどの問題を発生しやすいという問題点がある。こ
の要因の一つとして、圧電基板が強い焦電性を有するこ
とが挙げられる。強い焦電性を有する圧電基板は温度の
変化により自発分極し、その表面に分極電荷が現れて圧
電基板内に電界が生じる。この温度変化が大きくなると
分極電荷が圧電基板内で放電してしまう。その際、圧電
基板にクラックが入り、基板割れの原因となる。また放
電の際、有機樹脂膜がダストとして飛散することで、Ａ
ｌ電極のショート不良が発生し、歩留まりの低下を招
く。

【０００５】また、Ａｌ膜のパターンニング後に、電極
パッド上へ金バンプを形成する際、圧電基板の温度が上
昇して同様の放電が生じると、Ａｌ電極に高電界がかか
った事による電極の破壊（溶断）が起こる。その結果、
ウェハの一部で歩留まりが極端に低下する。このよう
に、圧電基板内の放電が、有機塗布膜のベーク工程に限
らず、圧電基板の温度変化を伴う製造工程において発生
する惧れがあり、製品の歩留まりに与える影響は大き
い。

【０００６】本発明はこのような従来技術の問題点を解
決するために成されたものであり、その目的は、圧電基
板内の放電を抑制して、歩留りの高い弾性表面波装置の
製造方法を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の特徴は、強い焦電性を有する圧電基
板と、この圧電基板の上に形成された金属膜とを有する
弾性表面波装置の製造方法であって、圧電基板の温度を
５０度以上変化させる加熱冷却工程を有し、この加熱冷
却工程において圧電基板に帯電する電荷を除去する弾性
表面波装置の製造方法であることである。つまり、圧電
基板に帯電する電荷を除去しながら、この圧電基板の温
度を５０度以上変化させる加熱冷却工程を少なくとも有
することを特徴としている。ここで、「圧電基板の温度
を５０度以上変化させる加熱冷却工程」とは、有機樹脂
膜のベーク工程及びバンプ形成工程などの工程を示し、
スパッタリング法などによる金属膜の成膜工程などの５
０度未満の温度変化を伴う工程を除く意である。有機樹
脂膜のベーク工程は、有機樹脂膜の塗布した後、露光す
る前に行うプリベーク工程、露光した後、現像する前に
行うミドルベーク工程、現像後に行うポストベーク工程
などである。有機樹脂膜は、金属膜上に塗布される反射
防止膜あるいはレジストなどである。金バンプ形成工程
は、金属膜のパターンニング後に、電極パッドなどの所
定の金属膜上に溶解した金属塊（バンプ）を形成する工
程である。また、圧電基板の温度が室温からベーク工程
などのベーク温度まで上昇するとき（加熱工程）、及び
ベーク温度から室温まで下降するとき（冷却工程）、圧
電基板に帯電する電荷を除去する。

【０００８】本発明の特徴によれば、圧電基板の温度を
５０度以上変化させる加熱冷却工程を、圧電基板に帯電
する電荷を除去しながら行うことで、圧電基板の温度変
化によって生じる圧電基板内の分極電荷を除去すること
ができる。分極電荷を除去することで圧電基板内の電界
強度を弱め、圧電基板内で発生する放電を抑制すること
ができる。したがって、圧電基板内の放電を抑制して、
圧電基板のクラック、ダストの発生、及び金属膜の溶断
などを防ぐことができる。

【０００９】本発明の特徴において、加熱冷却工程は、
有機樹脂膜のベーク工程、あるいは金属膜上に融解され
た金属塊を形成するバンプ形成工程であることが望まし
い。また、弾性表面波装置の製造方法を構成する総ての
加熱冷却工程において、圧電基板に帯電する電荷を取り
除くことが望ましいが、放電の惧れが高い加熱冷却工程
においてのみ、圧電基板に帯電する電荷を取り除いても
構わない。

【００１０】また、圧電基板を圧電基板が載置されたス
テージと同じ電位にすることにより、圧電基板に帯電す
る電荷を取り除くことが望ましい。ここで、「圧電基板
が載置されたステージ」とは、例えば、ホットプレー
ト、クーリングプレートなどの加熱冷却工程時に載置さ
れる試料台の意である。また、圧電基板に帯電する電荷
に対して逆極性の荷電粒子を、圧電基板に向けて吹き付
けることにより、圧電基板に帯電する電荷を取り除いて
も構わない。さらに、加熱冷却工程において、圧電基板
の表面と圧電基板が載置されたステージの表面の間の電
位差は、２ｋＶ以下になるように、圧電基板に帯電する
電荷を取り除くことが望ましい。

【００１１】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下図面を
参照して、本発明の実施の形態を説明する。図１（ａ）
は、本発明の第１の実施の形態に係る弾性表面波装置の
構成を示す平面図である。図１（ａ）に示すように、本
発明の第１の実施の形態に係る弾性表面波装置は、圧電
基板１と、圧電基板１上に配置され、それぞれ所定の形
状を有する金属膜２と、金属膜２の上に配置され、装置
外部との接続に使用する金バンプ１１とを有する。金属
膜２は、互いにかみ合う２組の櫛歯型の金属電極８と、
各金属電極８にそれぞれ接続され、弾性表面波装置の信
号入出力端子が接続される電極パッド９と、金属電極８
の両側を弾性表面波の進行方向に囲うように配置され、
縦横の長さの比が大きい方形状の平面形状を複数の金属
からなる反射器１０とからなる。金バンプ１１は、電極
パッド９の上に配置されている。圧電基板１は、タンタ
ル酸リチウム基板（ＬｉＴａＯ_３）を使用する。図１
（ｂ）は、図１（ａ）に示したＡ−Ａ切断面に沿った断
面図である。図１（ｂ）に示すように、圧電基板１の上
に電極パッド９が配置され、電極パッド９の上に金バン
プ１１が配置されている。

【００１２】次に、図１（ａ）および図１（ｂ）に示し
た弾性表面波装置の製造方法を、図２を参照して説明す
る。図２は、本発明の第１の実施の形態に係る弾性表面
波装置の製造方法を示すフローチャートである。

【００１３】（１）まず、図２に示すようにステップＳ
０１において、金属膜２を圧電基板１上に成膜する。金
属膜２の成膜方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、
化学的気相成長法（ＣＶＤ法）などを用いればよい。な
お、圧電基板１は３インチのウェハ状態で処理される。

【００１４】（２）次に、ステップＳ０２において、金
属膜２の上に反射防止膜を塗布する。反射防止膜は液体
状の有機樹脂膜の一つであるため、スピンナーによって
高速で回転するウェハ表面に反射防止膜を数滴落とすと
表面全体に広がり、一様な厚さの反射防止膜が形成され
る。

【００１５】（３）次に、ステップＳ０３において、圧
電基板１を高温でプリベークして、反射防止膜に含まれ
る溶剤を揮発させる。また、圧電基板１を室温（２３
℃）からプリベーク温度（１００±１０℃）まで加熱す
る間、及びプリベーク温度から室温まで冷却する間、圧
電基板１に帯電する電荷を除去する。

【００１６】具体的には、室温の圧電基板１を、ホット
プレートの上に載置して、ベーク温度（１００±１０
℃）まで加熱する間、圧電基板１をホットプレートと同
じ電位にする。圧電基板１に帯電する電荷がクーリング
プレートに移動することで、圧電基板１に帯電する電荷
を取り除くことができる。図３（ａ）は、圧電基板１を
ホットプレート１２と同じ電位にする方法を示すホット
プレート１２の斜視図である。図３（ａ）に示すよう
に、ホットプレート１２と圧電基板１を電気的に接続
し、さらにこれを接地電位に落とす。接地電位に落とす
ことで、圧電基板１に帯電する電荷を接地電位に逃がす
ことができる。図３（ｂ）は、図３（ａ）の断面図であ
る。圧電基板１の表面に現れる分極電荷は金属膜２に移
動し得るため、図（ｂ）に示すように、電気的な接続
は、ホットプレート１２と金属膜２との間に取ればよ
い。

【００１７】同様に、反射防止膜３のプリベークが終了
した後、プリベーク温度の圧電基板１を、クーリングプ
レートの上に載置して、室温（２３℃）まで冷却する
間、圧電基板１をクーリングプレートと同じ電位にす
る。圧電基板１に帯電する電荷がクーリングプレートに
移動することで、圧電基板１に帯電する電荷を取り除く
ことができる。クーリングプレートを、図３（ａ）及び
図３（ｂ）に示したホットプレート１２と同じ構成にす
ることにより、圧電基板１をクーリングプレートと同じ
電位にして、且つ圧電基板１に帯電する電荷を接地電位
に逃がすことができる。

【００１８】（４）次に、ステップＳ０４において、反
射防止膜３の上にレジスト４を塗布する。レジスト４
は、反射防止膜３と同様に液体状の有機樹脂膜の一つで
あるため、スピンナーによって高速で回転するウェハ表
面にレジスト４を数滴落とすと表面全体に広がり、一様
な厚さのレジスト４が形成される。

【００１９】（５）次に、ステップＳ０５において、圧
電基板１を高温でプリベークして、レジスト４に含まれ
る溶剤を揮発させる。また、圧電基板を室温（２３℃）
からプリベーク温度（１００±１０℃）まで加熱するす
る間、及びプリベーク温度から室温まで冷却する間、ス
テップＳ０３における反射防止膜３のプリベーク工程と
同様にして、圧電基板１に帯電する電荷を除去する。

【００２０】（６）次に、ステップＳ０６において、金
属電極８、電極パッド９、及び反射器１０などのパター
ンが形成されたフォトマスクあるいはレチクルを用い
て、反射防止膜３及びレジスト４を露光する。

【００２１】（７）次に、ステップＳ０７において、圧
電基板１を高温でミドルベークして、反射防止膜３及び
レジスト４内の定在波効果を低減する。また、圧電基板
１を室温（２３℃）からミドルベーク温度まで加熱する
する間、及びミドルベーク温度から室温まで冷却する
間、ステップＳ０３における反射防止膜４のプリベーク
工程と同様にして、圧電基板１に帯電する電荷を除去す
る。

【００２２】（８）次に、ステップＳ０８において、所
定のレジスト現像液及び所定の反射防止膜現像液を用い
て、レジスト３及び反射防止膜４の露光された部分を選
択的に除去する。

【００２３】（９）次に、ステップＳ０９において、圧
電基板１を高温でポストベークして、反射防止膜３及び
レジスト４のエッチング耐性を向上させる。また、圧電
基板１を室温（２３℃）からポストベーク温度（１３０
±１０℃）まで加熱するする間、及びポストベーク温度
から室温まで冷却する間、ステップＳ０３における反射
防止膜３のプリベーク工程と同様にして、圧電基板１に
帯電する電荷を除去する。

【００２４】（１０）次に、ステップＳ１０において、
レジスト３及び反射防止膜４をマスクとしてウェットエ
ッチングあるいはドライエッチングを金属膜２に対して
施して、金属電極８、電極パッド９、及び反射器１０な
どのパターンニングを行う。その後、所定の溶剤を用い
て、レジスト３及び反射防止膜４を除去する。

【００２５】（１１）最後に、ステップＳ１１におい
て、電極パッド９上に金バンプ１１を形成する。この金
バンプ形成工程において、圧電基板１の温度は２５０度
程度まで上昇する。したがって、圧電基板１を室温（２
３℃）から金バンプ形成温度（２５０℃）まで加熱する
する間、及び金バンプ形成温度から室温まで冷却する
間、ステップＳ０３における反射防止膜３のプリベーク
工程と同様にして、圧電基板１に帯電する電荷を除去す
る。以上の工程を経て図１（ａ）及び図１（ｂ）に示し
た弾性表面波装置を製造することができる。

【００２６】図４は、圧電基板１を２３℃のクーリング
プレート（以下「ＣＰ」という）上からホットプレート
（以下「ＨＰ」という）へ移動させた後の電位差の変化
を示すグラフである。横軸は圧電基板１をＨＰに移動さ
せた時からの経過時間を示し、縦軸はＨＰに対する圧電
基板１の表面電位、つまりＨＰと圧電基板１間の電位差
を示す。なお、圧電基板１は、３インチのタンタル酸リ
チウム基板（ＬｉＴａＯ_３）にＡｌ膜が成膜されたもの
である。また、図４において、菱形の点はＨＰの温度が
５０℃の場合を示し、正方形の点はＨＰの温度が６０℃
の場合を示す。図４に示すように、ＨＰの温度が５０℃
の場合、移動後約５秒でＨＰに対する圧電基板１の表面
電位が０ｋＶから−２ｋＶへ下降する。そして、移動後
約２０秒で−２．５乃至−３ｋＶまで下降して、圧電基
板１の表面電位は定常状態となる。また、ＨＰの温度が
６０℃の場合、５０℃の場合に比して表面電位の下降速
度が増加し、移動後１０秒で約−３ｋＶまで下降する。
そして移動後約２０秒経ったところで放電が起こってい
る。なお、逆に圧電基板１を６０℃のＨＰから２３℃の
ＣＰに移動させると、圧電基板１の表面電位は０ｋＶか
ら２．５乃至３ｋＶへ上昇することが分かっている。プ
リベーク工程の温度（１００±１０℃）、ポストベーク
工程の温度（１３０±１０℃）、金バンプ形成工程の温
度（２５０℃）などの加熱冷却工程の温度は更に高いの
で、圧電基板１の表面電位は更に大きくなり、放電が生
じる可能性が高い。放電が起こる条件としては、圧電基
板１や圧電基板１周辺の装置構成にもよるが、通常の圧
電基板１の場合、基板表面とＨＰの電位差が約３ｋＶを
越えると放電が生じる可能性が非常に高くなる。図３に
示した電荷の除去方法を用いて、ＣＰから５０℃のＨＰ
に圧電基板１を移動させた場合、圧電基板１とＨＰ間に
電位差は生じなかった。逆に、５０℃のＨＰからＣＰに
移動させた場合も電位差は生じなかった。したがって、
図３に示した電荷の除去方法を用いることで、圧電基板
１内の分極電荷を除去する効果があることがわかった。

【００２７】以上説明したように、本発明の第１の実施
の形態によれば、圧電基板１の温度を５０度以上変化さ
せる加熱冷却工程を、圧電基板１とホットプレート１２
あるいはクーリングプレートを同電位にして接地電位に
落として行うことで、圧電基板１の温度変化によって生
じる圧電基板１内の分極電荷を除去することができる。
分極電荷を除去することで圧電基板１内の電界強度を弱
め、圧電基板１内で発生する放電を抑制することができ
る。したがって、圧電基板１内の放電を抑制して、圧電
基板１のクラック、ダストの発生、及び金属電極８の溶
断などを防ぐことができる。

【００２８】なお、第１の実施の形態において、圧電基
板１はタンタル酸リチウム基板（ＬｉＴａＯ_３）を使用
した場合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではない。圧電基板１は、ニオブ酸リチウム基板
（ＬｉＮｂＯ_３）、バリウム酸リチウム基板（Ｌｉ_２Ｂ
_４Ｏ_７）、水晶、サファイアなどの他の圧電性材料から
なっても構わない。また、金属膜２がＡｌ膜である場合
について説明したが、他の金属材料であっても構わない
ことは言うまでもない。

【００２９】また、第１の実施の形態において、「圧電
基板１の温度を５０度以上変化させる加熱冷却工程」と
して、プリベーク工程（ステップＳ０３、Ｓ０５）、ミ
ドルベーク工程（ステップＳ０７）、ポストベーク工程
（ステップＳ０９）、及び金バンプ形成工程（ステップ
Ｓ１１）をそれぞれ示し、これらの総ての加熱冷却工程
を図３に示した電荷の除去方法を用いながら行った。し
かし、これらの加熱冷却工程のうち、特に放電の惧れが
高い加熱冷却工程を実施者の判断で選定し、その選定さ
れた任意の工程に対してのみ図３に示した電荷除去方法
を用いたとしても、本発明の作用効果は十分に奏され
る。

【００３０】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態においては、圧電基板１とＨＰ１２あるいはＣＰ
を同電位にして接地電位に落とす代わりに、圧電基板１
に荷電粒子１４を吹きつけること（イオンブロー）で、
圧電基板１に帯電した電荷を除去する方法について説明
する。図５（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る
電荷除去方法を示す斜視図である。図５（ａ）に示すよ
うに、ＨＰ１２上に載置された圧電基板１は温度が上昇
して、マイナスの分極電荷がその表面に現れる。前述し
たように、このまま圧電基板１の温度を上昇させると、
圧電基板１の表面電位は５０℃の時点で既に−３ｋＶを
越えてしまう。そこで、基板表面に対してイオナイザー
（Ionizer）１３から放射されるプラスの荷電粒子１４
を吹き付けながら、５０℃のＨＰ１２上で圧電基板１を
加熱する。図５（ｂ）は、図５（ａ）の断面図である。
図５（ｂ）に示すように、圧電基板１の上には金属膜
２、反射防止膜３、レジスト４が成膜されている。圧電
基板１のマイナスの分極電荷はレジスト４の表面に現
れ、イオンブローされたプラスイオンと中和されて、結
果的にマイナスの分極電荷が圧電基板１から除去され
る。なお、逆に圧電基板１をＨＰ１２からＣＰに移動し
て冷却すると、圧電基板１の表面にはプラスの分極電荷
が現れるため、マイナスの極性を有する荷電粒子１４を
イオンブローする。つまり、圧電基板１に帯電する電荷
に対して逆極性の荷電粒子１４を、圧電基板１に向けて
吹き付ける。

【００３１】図６は、イオンブローが有る場合と無い場
合におけるＨＰ１２と圧電基板１間の電位差の時間変化
を示すグラフである。横軸は圧電基板１をＨＰに移動さ
せた時からの経過時間を示し、縦軸はＨＰ１２に対する
圧電基板１の表面電位を示す。なお、圧電基板１は、３
インチのタンタル酸リチウム基板（ＬｉＴａＯ_３）にＡ
ｌ膜が成膜されたものである。また、図６において、菱
形の点はイオンブローが無い場合を示し、正方形の点は
イオンブローが有る場合を示す。図６に示すように、イ
オンブローが無い場合は、図４の５０℃の場合と同様
に、移動後約５秒でＨＰに対する圧電基板１の表面電位
が０ｋＶから−２ｋＶへ下降する。そして、移動後約２
０秒で−２．５乃至−３ｋＶまで下降して、圧電基板１
の表面電位は定常状態となる。一方、イオンブローが有
る場合、無い場合に比して表面電位の下降速度が減少
し、表面電位は移動後１５秒で約−１．５ｋＶまで下降
して定常状態になる。１．５ｋＶの電位差では放電が生
じることはない。なお、ＨＰ１２からＣＰへ圧電基板１
を移動させて冷却するときに、マイナスの荷電粒子１４
を圧電基板１表面に対して吹きつけることで、圧電基板
１とＣＰとの電位差は最大で１．２ｋＶに抑えられ、放
電は起こらなかった。したがって、圧電基板１に帯電す
る電荷に対して逆極性の荷電粒子１４をイオンブローす
ることで、圧電基板１の放電を抑制する効果があること
が分かった。

【００３２】以上説明したように、本発明の第２の実施
の形態によれば、圧電基板１の温度を５０度以上変化さ
せる加熱冷却工程を、圧電基板１に帯電する電荷に対し
て逆極性の荷電粒子１４をイオンブローすることで、圧
電基板１の温度変化によって生じる圧電基板１内の分極
電荷を除去することができる。分極電荷を除去すること
で圧電基板１内の電界強度を弱め、圧電基板１内で発生
する放電を抑制することができる。したがって、圧電基
板１内の放電を抑制して、圧電基板１のクラック、ダス
トの発生、及び金属電極８の溶断などを防ぐことができ
る。

【００３３】なお、第２の実施の形態においても、圧電
基板１はタンタル酸リチウム基板（ＬｉＴａＯ_３）を使
用した場合について説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。圧電基板１は、ニオブ酸リチウム基
板（ＬｉＮｂＯ_３）、バリウム酸リチウム基板（Ｌｉ_２
Ｂ_４Ｏ_７）、水晶、サファイアなどの他の圧電性材料か
らなっても構わない。また、金属膜２がＡｌ膜である場
合について説明したが、他の金属材料であっても構わな
いことは言うまでもない。

【００３４】また、第２の実施の形態においても、「圧
電基板１の温度を５０度以上変化させる加熱冷却工程」
は、図２に示したプリベーク工程（ステップＳ０３、Ｓ
０５）、ミドルベーク工程（ステップＳ０７）、ポスト
ベーク工程（ステップＳ０９）、及び金バンプ形成工程
（ステップＳ１１）をそれぞれ示し、これらの総ての加
熱冷却工程を図５に示した電荷の除去方法を用いながら
行うことが望ましい。しかし、これらの加熱冷却工程の
うち、特に放電の惧れが高い加熱冷却工程を実施者の判
断で選定し、その選定された任意の工程に対してのみ図
５に示した電荷除去方法を用いたとしても、本発明の作
用効果は十分に奏される。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、圧
電基板内の放電を抑制して、歩留りの高い弾性表面波装
置の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は、本発明の第１及び第２の実施の
形態に係る弾性表面波装置の構成を示す平面図である。
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ切断面に沿った断面
図である。

【図２】本発明の第１及び第２の実施の形態に係る弾性
表面波装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図３】図３（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係
る圧電基板に帯電する電荷を除去する方法を示す斜視図
である。図３（ｂ）は、図３（ａ）の断面図である。

【図４】ホットプレート上に載置された圧電基板の表面
電位（電位差）の時間変化を、ホットプレートの温度を
変化させて測定した結果を示すグラフである。

【図５】図５（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係
る圧電基板に帯電する電荷を除去する方法を示す斜視図
である。図５（ｂ）は、図５（ａ）の断面図である。

【図６】ホットプレート上に載置された圧電基板の表面
電位（電位差）の時間変化を、イオンブローが有る場合
と無い場合とで測定した結果を示すグラフである。

【符号の説明】

１圧電基板２金属膜３反射防止膜４レジスト８金属電極９電極パッド１０反射器１１金バンプ１２ホットプレート（ＨＰ）１３イオナイザー（Ionizer）１４荷電粒子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】強い焦電性を有する圧電基板と、当該圧
電基板の上に形成された金属膜とを有する弾性表面波装
置の製造方法であって、前記圧電基板の温度を５０度以上変化させる加熱冷却工
程を有し、前記加熱冷却工程において前記圧電基板に帯電する電荷
を除去することを特徴とする弾性表面波装置の製造方
法。
【請求項２】前記加熱冷却工程は、有機樹脂膜のベー
ク工程であることを特徴とする請求項１記載の弾性表面
波装置の製造方法。
【請求項３】前記加熱冷却工程は、前記金属膜上に融
解された金属塊を形成するバンプ形成工程であることを
特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項４】前記圧電基板を当該圧電基板が載置され
たステージと同じ電位にすることにより、当該圧電基板
に帯電する電荷を取り除くことを特徴とする請求項１記
載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項５】前記圧電基板に帯電する電荷に対して逆
極性の荷電粒子を、当該圧電基板に向けて吹き付けるこ
とにより、当該圧電基板に帯電する電荷を取り除くこと
を特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置の製造方
法。
【請求項６】前記加熱冷却工程において、前記圧電基
板の表面と当該圧電基板が載置されたステージの表面の
間の電位差は、２ｋＶ以下であることを特徴とする請求
項１記載の弾性表面波装置の製造方法。