JP2001211041A - 弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスの製造方法Info
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- JP2001211041A JP2001211041A JP2000015308A JP2000015308A JP2001211041A JP 2001211041 A JP2001211041 A JP 2001211041A JP 2000015308 A JP2000015308 A JP 2000015308A JP 2000015308 A JP2000015308 A JP 2000015308A JP 2001211041 A JP2001211041 A JP 2001211041A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極の焦電破壊を防止できる弾性表面波デバ
イスの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 圧電基板１上に少なくともＩＤＴ電極２
と接続電極３とを有する弾性表面波素子４を得る第１工
程と、次にこの弾性表面波素子４に軟Ｘ線を照射しなが
ら接続電極３上に金属バンプ５を形成する第２工程と、
次いでパッケージ６の外部接続用電極７と金属バンプ５
とを接合させることにより弾性表面波素子４を実装する
第３工程と、その後パッケージ６をリッド８で封止する
第４工程とを備えたものである。
イスの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 圧電基板１上に少なくともＩＤＴ電極２
と接続電極３とを有する弾性表面波素子４を得る第１工
程と、次にこの弾性表面波素子４に軟Ｘ線を照射しなが
ら接続電極３上に金属バンプ５を形成する第２工程と、
次いでパッケージ６の外部接続用電極７と金属バンプ５
とを接合させることにより弾性表面波素子４を実装する
第３工程と、その後パッケージ６をリッド８で封止する
第４工程とを備えたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば携帯電話など
の無線機器に用いられる弾性表面波デバイスの製造方法
に関するものである。
の無線機器に用いられる弾性表面波デバイスの製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は一般的な弾性表面波デバイスの断
面図である。
面図である。
【０００３】まず大板状の圧電基板１上に少なくともイ
ンターディジタルトランスデューサ電極２（以下ＩＤＴ
電極と称する）とこのＩＤＴ電極２に接続した接続電極
３とを有する弾性表面波素子４を作製する。次に接続電
極３上に金等を用いて金属バンプ５を形成し、この金属
バンプ５とパッケージ６の外部接続用電極７とを超音波
により接合して弾性表面波素子４をパッケージ６内に実
装する。次いでパッケージ６をリッド８で封止する。
ンターディジタルトランスデューサ電極２（以下ＩＤＴ
電極と称する）とこのＩＤＴ電極２に接続した接続電極
３とを有する弾性表面波素子４を作製する。次に接続電
極３上に金等を用いて金属バンプ５を形成し、この金属
バンプ５とパッケージ６の外部接続用電極７とを超音波
により接合して弾性表面波素子４をパッケージ６内に実
装する。次いでパッケージ６をリッド８で封止する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この方法によると、金
属バンプ５の形成時や超音波接合時に弾性表面波素子４
が加熱されて帯電することにより焦電破壊を発生する恐
れが有った。
属バンプ５の形成時や超音波接合時に弾性表面波素子４
が加熱されて帯電することにより焦電破壊を発生する恐
れが有った。
【０００５】そこで本発明は、弾性表面波素子の焦電破
壊を防止できる弾性表面波デバイスの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
壊を防止できる弾性表面波デバイスの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、圧電基板
上に少なくともＩＤＴ電極とこのＩＤＴ電極に接続した
接続電極とを有する弾性表面波素子を得る第１工程と、
次にこの弾性表面波素子の除電を行いながら前記接続電
極上に金属バンプを形成する第２工程と、次いで外部接
続用電極を有するパッケージ内で前記外部接続用電極と
前記金属バンプとを接合させることにより前記弾性表面
波素子を実装する第３工程と、その後前記パッケージを
リッドで封止する第４工程とを備えたものであり、第２
工程において弾性表面波素子の帯電を防止できるので上
記目的を達成することができる。
に本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、圧電基板
上に少なくともＩＤＴ電極とこのＩＤＴ電極に接続した
接続電極とを有する弾性表面波素子を得る第１工程と、
次にこの弾性表面波素子の除電を行いながら前記接続電
極上に金属バンプを形成する第２工程と、次いで外部接
続用電極を有するパッケージ内で前記外部接続用電極と
前記金属バンプとを接合させることにより前記弾性表面
波素子を実装する第３工程と、その後前記パッケージを
リッドで封止する第４工程とを備えたものであり、第２
工程において弾性表面波素子の帯電を防止できるので上
記目的を達成することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、圧電基板上に少なくともＩＤＴ電極とこのＩＤＴ電
極に接続した接続電極とを有する弾性表面波素子を得る
第１工程と、次にこの弾性表面波素子の除電を行いなが
ら前記接続電極上に金属バンプを形成する第２工程と、
次いで外部接続用電極を有するパッケージ内で前記外部
接続用電極と前記金属バンプとを接合させることにより
前記弾性表面波素子を実装する第３工程と、その後前記
パッケージをリッドで封止する第４工程とを備えた弾性
表面波デバイスの製造方法であり、第２工程において弾
性表面波素子の焦電破壊を防止できる。
は、圧電基板上に少なくともＩＤＴ電極とこのＩＤＴ電
極に接続した接続電極とを有する弾性表面波素子を得る
第１工程と、次にこの弾性表面波素子の除電を行いなが
ら前記接続電極上に金属バンプを形成する第２工程と、
次いで外部接続用電極を有するパッケージ内で前記外部
接続用電極と前記金属バンプとを接合させることにより
前記弾性表面波素子を実装する第３工程と、その後前記
パッケージをリッドで封止する第４工程とを備えた弾性
表面波デバイスの製造方法であり、第２工程において弾
性表面波素子の焦電破壊を防止できる。
【０００８】請求項２に記載の発明は、第２工程におけ
る除電処理を大気中で軟Ｘ線を照射することにより行う
請求項１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法であ
り、弾性表面波素子に悪影響を及ぼすことなく、非接触
で速やかに確実に除電することができる。
る除電処理を大気中で軟Ｘ線を照射することにより行う
請求項１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法であ
り、弾性表面波素子に悪影響を及ぼすことなく、非接触
で速やかに確実に除電することができる。
【０００９】請求項３に記載の発明は、圧電基板上に少
なくともＩＤＴ電極とこのＩＤＴ電極に接続した接続電
極とを有する弾性表面波素子を得る第１工程と、次にこ
の接続電極上に金属バンプを形成する第２工程と、次い
で前記弾性表面波素子の除電処理を行う第３工程と、そ
の後外部接続用電極を有するパッケージ内で前記外部接
続用電極と前記金属バンプとを接合させることにより前
記弾性表面波素子を実装する第４工程と、その後前記パ
ッケージをリッドで封止する第５工程とを備えた弾性表
面波デバイスの製造方法であり、第４工程において弾性
表面波素子の焦電破壊を防止できる。
なくともＩＤＴ電極とこのＩＤＴ電極に接続した接続電
極とを有する弾性表面波素子を得る第１工程と、次にこ
の接続電極上に金属バンプを形成する第２工程と、次い
で前記弾性表面波素子の除電処理を行う第３工程と、そ
の後外部接続用電極を有するパッケージ内で前記外部接
続用電極と前記金属バンプとを接合させることにより前
記弾性表面波素子を実装する第４工程と、その後前記パ
ッケージをリッドで封止する第５工程とを備えた弾性表
面波デバイスの製造方法であり、第４工程において弾性
表面波素子の焦電破壊を防止できる。
【００１０】請求項４に記載の発明は、第３工程におけ
る除電処理を大気中で軟Ｘ線を照射することにより行う
請求項３に記載の弾性表面波デバイスの製造方法であ
り、弾性表面波素子に悪影響を及ぼすことなく、非接触
で速やかにかつ確実に除電することができる。
る除電処理を大気中で軟Ｘ線を照射することにより行う
請求項３に記載の弾性表面波デバイスの製造方法であ
り、弾性表面波素子に悪影響を及ぼすことなく、非接触
で速やかにかつ確実に除電することができる。
【００１１】以下、本発明の一実施の形態について、図
面を用いて説明する。
面を用いて説明する。
【００１２】（実施の形態１）図１〜図３は本発明の実
施の形態１における金属バンプ作製工程の説明図であ
り、１は圧電基板、５は金属バンプ、１０はステージ、
１１は軟Ｘ線照射装置、１２は金線、１３はキャピラリ
ーである。
施の形態１における金属バンプ作製工程の説明図であ
り、１は圧電基板、５は金属バンプ、１０はステージ、
１１は軟Ｘ線照射装置、１２は金線、１３はキャピラリ
ーである。
【００１３】図４は本実施の形態１における弾性表面波
デバイスの製造工程図である。
デバイスの製造工程図である。
【００１４】図５は一般的な弾性表面波デバイスの断面
図であり、１は圧電基板、２はＩＤＴ電極、３は接続電
極、４は弾性表面波素子、５は金属バンプ、６はパッケ
ージ、７は外部接続用端子、８はリッドである。
図であり、１は圧電基板、２はＩＤＴ電極、３は接続電
極、４は弾性表面波素子、５は金属バンプ、６はパッケ
ージ、７は外部接続用端子、８はリッドである。
【００１５】まず大板状の圧電基板１上に図４の２１に
示すようにアルミニウムあるいはアルミニウム合金を蒸
着して金属薄膜を形成する。
示すようにアルミニウムあるいはアルミニウム合金を蒸
着して金属薄膜を形成する。
【００１６】次に図４の２２に示すようにこの金属薄膜
上にレジストを塗布し加熱して硬化させる。次いで所定
の電極パターンを形成するように図４の２３に示すよう
に露光、現像後、図４の２４に示すようにエッチングを
行う。その後図４の２５に示すように圧電基板１上のレ
ジストを除去し、少なくともＩＤＴ電極２及びこれに接
続した接続電極３等の電極を有する多数の弾性表面波素
子４を形成する。
上にレジストを塗布し加熱して硬化させる。次いで所定
の電極パターンを形成するように図４の２３に示すよう
に露光、現像後、図４の２４に示すようにエッチングを
行う。その後図４の２５に示すように圧電基板１上のレ
ジストを除去し、少なくともＩＤＴ電極２及びこれに接
続した接続電極３等の電極を有する多数の弾性表面波素
子４を形成する。
【００１７】次に図２に示すように、圧電基板１をステ
ージ１０上で軟Ｘ線照射装置１１で軟Ｘ線を照射しなが
ら１５０〜２００℃程度に加熱し、次に図１に示すよう
に軟Ｘ線を照射しながら金線１２を用いてキャピラリー
１３により弾性表面波素子の接続電極３上に図４の２６
に示すように金属バンプ５を形成するとともに除電処理
する。この時もステージ１０は１５０〜２００℃程度に
加熱されたままである。次いで図３に示すように軟Ｘ線
を照射しながら徐々にステージ１０即ち圧電基板１を室
温まで冷却する。このように圧電基板１に電荷が発生す
ることによる電極の焦電破壊を防止するために、圧電基
板１の電極形成面に軟Ｘ線を照射しながら圧電基板１の
加熱、金属バンプ５の作製及び冷却を行う。
ージ１０上で軟Ｘ線照射装置１１で軟Ｘ線を照射しなが
ら１５０〜２００℃程度に加熱し、次に図１に示すよう
に軟Ｘ線を照射しながら金線１２を用いてキャピラリー
１３により弾性表面波素子の接続電極３上に図４の２６
に示すように金属バンプ５を形成するとともに除電処理
する。この時もステージ１０は１５０〜２００℃程度に
加熱されたままである。次いで図３に示すように軟Ｘ線
を照射しながら徐々にステージ１０即ち圧電基板１を室
温まで冷却する。このように圧電基板１に電荷が発生す
ることによる電極の焦電破壊を防止するために、圧電基
板１の電極形成面に軟Ｘ線を照射しながら圧電基板１の
加熱、金属バンプ５の作製及び冷却を行う。
【００１８】その後圧電基板１を個々の弾性表面波素子
４に分割する図４の２７に示すダイシングを行う。次に
パッケージ６の内底面に設けた外部接続用電極７と金属
バンプ５とを超音波により接合し、パッケージ６内に弾
性表面波素子４を図４の２８に示すダイボンドにより実
装する。
４に分割する図４の２７に示すダイシングを行う。次に
パッケージ６の内底面に設けた外部接続用電極７と金属
バンプ５とを超音波により接合し、パッケージ６内に弾
性表面波素子４を図４の２８に示すダイボンドにより実
装する。
【００１９】最後にパッケージ６の開口部をリッド８で
図４の２９に示すように封止して図５に示す弾性表面波
デバイスを得る。
図４の２９に示すように封止して図５に示す弾性表面波
デバイスを得る。
【００２０】なお、従来の方法でも金属バンプ５の作製
時に除電処理を行わなくても圧電基板１を徐々に昇温さ
せて金属バンプ５を形成し、徐々に降温させて圧電基板
１の急激な温度変化を防止することにより電極の破壊を
防止することができるが非常に時間がかかる。しかしな
がら本発明のように除電しながら行うと金属バンプ５の
形成工程時間を大幅に短縮することができ、生産性が向
上する。
時に除電処理を行わなくても圧電基板１を徐々に昇温さ
せて金属バンプ５を形成し、徐々に降温させて圧電基板
１の急激な温度変化を防止することにより電極の破壊を
防止することができるが非常に時間がかかる。しかしな
がら本発明のように除電しながら行うと金属バンプ５の
形成工程時間を大幅に短縮することができ、生産性が向
上する。
【００２１】（実施の形態２）図６は本発明の実施の形
態２における除電処理工程の説明図であり、図３と同要
素については同番号を付して説明を省略する。
態２における除電処理工程の説明図であり、図３と同要
素については同番号を付して説明を省略する。
【００２２】図７は本実施の形態２における弾性表面波
デバイスの製造工程図である。
デバイスの製造工程図である。
【００２３】まず図７の３１に示すように圧電基板１上
にアルミニウムあるいはアルミニウム合金を蒸着して金
属薄膜を形成する。
にアルミニウムあるいはアルミニウム合金を蒸着して金
属薄膜を形成する。
【００２４】次に図７の３２に示すようにこの金属薄膜
上にレジストを塗布し加熱して硬化させる。次いで所定
の電極パターンを形成するように図７の３３に示すよう
に露光、現像後、図７の３４に示すようにエッチングを
行う。その後図７の３５に示すように圧電基板１上のレ
ジストを除去し、少なくともＩＤＴ電極２及びこれに接
続した接続電極３等の電極を有する多数の弾性表面波素
子４を形成する。
上にレジストを塗布し加熱して硬化させる。次いで所定
の電極パターンを形成するように図７の３３に示すよう
に露光、現像後、図７の３４に示すようにエッチングを
行う。その後図７の３５に示すように圧電基板１上のレ
ジストを除去し、少なくともＩＤＴ電極２及びこれに接
続した接続電極３等の電極を有する多数の弾性表面波素
子４を形成する。
【００２５】次に実施の形態１で示したように図７の３
６に示すように除電処理を行いながら接続電極３上に金
属バンプ５を作製し、圧電基板１を個々の弾性表面波素
子４に図７の３７に示すダイシングにより分割する。
６に示すように除電処理を行いながら接続電極３上に金
属バンプ５を作製し、圧電基板１を個々の弾性表面波素
子４に図７の３７に示すダイシングにより分割する。
【００２６】次いで図６に示すようにこの弾性表面波素
子４の電極形成面に軟Ｘ線を照射して図７の３８に示す
除電処理を行う。この除電処理は次工程であるパッケー
ジ６の外部接続用電極７と金属バンプ５との超音波接合
により電極が焦電破壊を発生しない程度になるまで行
う。
子４の電極形成面に軟Ｘ線を照射して図７の３８に示す
除電処理を行う。この除電処理は次工程であるパッケー
ジ６の外部接続用電極７と金属バンプ５との超音波接合
により電極が焦電破壊を発生しない程度になるまで行
う。
【００２７】除電後直ちにパッケージ６の内底面に設け
た外部接続用電極７と金属バンプ５とを超音波により接
合し、パッケージ６内に弾性表面波素子４を図７の３９
に示すダイボンドにより実装する。
た外部接続用電極７と金属バンプ５とを超音波により接
合し、パッケージ６内に弾性表面波素子４を図７の３９
に示すダイボンドにより実装する。
【００２８】この超音波接合の時に外部接続用電極７と
金属バンプ５との摩擦熱で、弾性表面波素子４の表面に
電荷が発生することとなる。したがって超音波接合前の
弾性表面波素子４が帯電しているとさらに電荷が蓄積さ
れることとなるためＩＤＴ電極２間に大きな電位差が生
じ、破壊し易くなる。しかしながら本実施の形態２にお
いては、超音波接合前に除電処理を行っているので、例
え超音波接合により弾性表面波素子４が帯電したとして
も電極の焦電破壊を防止することができる。
金属バンプ５との摩擦熱で、弾性表面波素子４の表面に
電荷が発生することとなる。したがって超音波接合前の
弾性表面波素子４が帯電しているとさらに電荷が蓄積さ
れることとなるためＩＤＴ電極２間に大きな電位差が生
じ、破壊し易くなる。しかしながら本実施の形態２にお
いては、超音波接合前に除電処理を行っているので、例
え超音波接合により弾性表面波素子４が帯電したとして
も電極の焦電破壊を防止することができる。
【００２９】最後にパッケージ６の開口部をリッド８で
図７の４０に示すように封止して図５に示す弾性表面波
デバイスを得る。
図７の４０に示すように封止して図５に示す弾性表面波
デバイスを得る。
【００３０】なお本実施の形態２においては、除電処理
（図７の３８）は、圧電基板１が帯電していないように
することが望ましいが、超音波接合（図７の３９）の時
にＩＤＴ電極２や接続電極３などの電極が焦電破壊しな
い程度まで除電を行えば効果がある。また除電処理（図
７の３８）のための軟Ｘ線の照射時間は、弾性表面波素
子４の帯電状況、光の強さ、光源からの距離、弾性表面
波素子４のＩＤＴ電極２や接続電極３などの電極パター
ンなどにより異なることによっても変わるが、１〜２分
で十分であった。
（図７の３８）は、圧電基板１が帯電していないように
することが望ましいが、超音波接合（図７の３９）の時
にＩＤＴ電極２や接続電極３などの電極が焦電破壊しな
い程度まで除電を行えば効果がある。また除電処理（図
７の３８）のための軟Ｘ線の照射時間は、弾性表面波素
子４の帯電状況、光の強さ、光源からの距離、弾性表面
波素子４のＩＤＴ電極２や接続電極３などの電極パター
ンなどにより異なることによっても変わるが、１〜２分
で十分であった。
【００３１】また、除電処理（図７の３８）後、長時間
弾性表面波素子４を放置していると再び帯電する可能性
がある。従って除電処理（図７の３８）後、直ちに超音
波接合（図７の３９）を行うことが望ましい。
弾性表面波素子４を放置していると再び帯電する可能性
がある。従って除電処理（図７の３８）後、直ちに超音
波接合（図７の３９）を行うことが望ましい。
【００３２】以下本発明のポイントについて説明する。
【００３３】（１）圧電基板１は、ＬｉＴａＯ3，Ｌｉ
ＮｂＯ3、水晶などの圧電を有する材料で形成した単結
晶であり、本発明は特に圧電性、焦電性の強いＬｉＴａ
Ｏ3，ＬｉＮｂＯ3で形成した圧電基板１の場合に非常に
効果がある。
ＮｂＯ3、水晶などの圧電を有する材料で形成した単結
晶であり、本発明は特に圧電性、焦電性の強いＬｉＴａ
Ｏ3，ＬｉＮｂＯ3で形成した圧電基板１の場合に非常に
効果がある。
【００３４】（２）図５に示すような弾性表面波デバイ
スを製造する際、金属バンプ５の形成時あるいは超音波
接合前のいずれかにおいて除電処理を行うことにより、
従来よりも電極の焦電破壊の発生を防止することができ
るのであるが、実施の形態２で示したように金属バンプ
５の形成時あるいは超音波接合前の両方において除電処
理を行うことが好ましい。
スを製造する際、金属バンプ５の形成時あるいは超音波
接合前のいずれかにおいて除電処理を行うことにより、
従来よりも電極の焦電破壊の発生を防止することができ
るのであるが、実施の形態２で示したように金属バンプ
５の形成時あるいは超音波接合前の両方において除電処
理を行うことが好ましい。
【００３５】（３）上記各実施の形態では圧電基板１の
除電を行うために、波長が０．１３ｎｍ以上の軟Ｘ線を
照射したが、これは光のエネルギーが高いため、圧電基
板１の表面の気体分子を直接イオン化し、帯電したもの
を電気的に中和することができるためである。またこの
場合コロナ放電を用いたイオナイザと違って、空間に正
負のイオンが均一に等量分布しているため、圧電基板１
の残留電位をほぼ０Ｖにすることができる。さらに軟Ｘ
線は圧電基板１に直接照射したとしても、弾性表面波デ
バイスの特性に悪影響を及ぼすことがないものである。
除電を行うために、波長が０．１３ｎｍ以上の軟Ｘ線を
照射したが、これは光のエネルギーが高いため、圧電基
板１の表面の気体分子を直接イオン化し、帯電したもの
を電気的に中和することができるためである。またこの
場合コロナ放電を用いたイオナイザと違って、空間に正
負のイオンが均一に等量分布しているため、圧電基板１
の残留電位をほぼ０Ｖにすることができる。さらに軟Ｘ
線は圧電基板１に直接照射したとしても、弾性表面波デ
バイスの特性に悪影響を及ぼすことがないものである。
【００３６】
【発明の効果】以上本発明によると、電極の焦電破壊を
防止することのできる弾性表面波デバイスの製造方法を
提供することができる。
防止することのできる弾性表面波デバイスの製造方法を
提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態１における金属バンプ形成
工程の説明図
工程の説明図
【図２】本発明の実施の形態１における金属バンプ形成
工程の説明図
工程の説明図
【図３】本発明の実施の形態１における金属バンプ形成
工程の説明図
工程の説明図
【図４】本発明の実施の形態１における弾性表面波デバ
イスの製造工程図
イスの製造工程図
【図５】一般的な弾性表面波デバイスの断面図
【図６】本発明の実施の形態２における除電処理工程の
説明図
説明図
【図７】本発明の実施の形態２における弾性表面波デバ
イスの製造工程図
イスの製造工程図
１ 圧電基板 ２ ＩＤＴ電極 ３ 接続電極 ４ 弾性表面波素子 ５ 金属バンプ ６ パッケージ ７ 外部接続用電極 ８ リッド １０ ステージ １１ 軟Ｘ線照射装置 １２ 金線 １３ キャピラリー
Claims (4)
- 【請求項１】 圧電基板上に少なくともインターディジ
タルトランスデューサ電極とこのインターディジタルト
ランスデューサ電極に接続した接続電極とを有する弾性
表面波素子を得る第１工程と、次にこの弾性表面波素子
の除電を行いながら前記接続電極上に金属バンプを形成
する第２工程と、次いで外部接続用電極を有するパッケ
ージ内で前記外部接続用電極と前記金属バンプとを接合
させることにより前記弾性表面波素子を実装する第３工
程と、その後前記パッケージをリッドで封止する第４工
程とを備えた弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項２】 第２工程における除電処理を、大気中で
軟Ｘ線を照射することにより行う請求項１に記載の弾性
表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項３】 圧電基板上に少なくともインターディジ
タルトランスデューサ電極とこのインターディジタルト
ランスデューサ電極に接続した接続電極とを有する弾性
表面波素子を得る第１工程と、次にこの接続電極上に金
属バンプを形成する第２工程と、次いで前記弾性表面波
素子の除電処理を行う第３工程と、その後外部接続用電
極を有するパッケージ内で前記外部接続用電極と前記金
属バンプとを接合させることにより前記弾性表面波素子
を実装する第４工程と、その後前記パッケージをリッド
で封止する第５工程とを備えた弾性表面波デバイスの製
造方法。 - 【請求項４】 第３工程における除電処理を、大気中で
軟Ｘ線を照射することにより行う請求項３に記載の弾性
表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000015308A JP2001211041A (ja) | 2000-01-25 | 2000-01-25 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000015308A JP2001211041A (ja) | 2000-01-25 | 2000-01-25 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001211041A true JP2001211041A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18542628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000015308A Pending JP2001211041A (ja) | 2000-01-25 | 2000-01-25 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001211041A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009569A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JPWO2003096533A1 (ja) * | 2002-05-14 | 2005-09-15 | Tdk株式会社 | 弾性表面波素子、弾性表面波装置及び分波器 |
-
2000
- 2000-01-25 JP JP2000015308A patent/JP2001211041A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009569A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JPWO2003096533A1 (ja) * | 2002-05-14 | 2005-09-15 | Tdk株式会社 | 弾性表面波素子、弾性表面波装置及び分波器 |
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