JPS6244995A - 静電気除去装置 - Google Patents

静電気除去装置

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JPS6244995A
JPS6244995A JP18421385A JP18421385A JPS6244995A JP S6244995 A JPS6244995 A JP S6244995A JP 18421385 A JP18421385 A JP 18421385A JP 18421385 A JP18421385 A JP 18421385A JP S6244995 A JPS6244995 A JP S6244995A
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JP
Japan
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static electricity
semiconductor substrate
electric field
wafer
charges
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Pending
Application number
JP18421385A
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English (en)
Inventor
斉藤 令嗣
河西 厚
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6244995A publication Critical patent/JPS6244995A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は静電気除去技術、特に、半導体ウェハに帯電さ
れる静電気を除去するために適用して効果のある技術に
関する。
〔背景技術〕
半導体素子、特に、ノンドープポリシリコンを使用した
高抵抗の半導体素子やEPROMのように微少電荷の帯
電によっても素子破壊を生じ易い半導体素子等にあって
は、ウェハの処理中にウェハに静電気を帯電することが
重大な問題となる。
たとえば、ノンドープポリシリコンを使用する高抵抗半
導体素子においては、プラズマナイ1ライド(P−3N
T))等の膜中チャージにより抵抗値が変動して不良を
生じることになる。
そこで、このような帯電を除去するために、ウェハに紫
外線照射を行い、紫外線を膜中に透過させることによっ
て電荷を消去することが考えられる。
しかしながら、この方法では、パンシベーシ日ン膜の膜
質、特にその吸収端波長の差によって必ずしも十分な消
去を行うことができず、たとえば膜の透過率が悪い場合
には不完全な消去しか得られないために素子の静電破壊
や異物付着を完全に回避することができないおそれがあ
ることを本発明者は見い出した。
なお、半導体ウェハへの静電気の帯電に関しては、株式
会社工業調査会、昭和56年11月lO日発行、[電子
材料J19B1年別冊、P95〜P2O3に記載されて
いる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、半導体基板に帯電される静電気を確実
に除去することのできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、半導体基板に紫外線を照射する紫外線照射手
段と、半導体基板に高電界を印加する電界印加手段とを
備えてなることにより、電界印加手段から半導体基板に
印加される高電界で基板に帯電した電荷をファイナルパ
ッシベーション膜等の膜表面に引き上げ、その電荷に対
して紫外線を照射することができるので、紫外線照射に
よる効果を最大限に発揮させ、基板に帯電した静電気を
確実に除去することができるものである。
〔実施例〕
第1図は本発明による一実施例である静電気除去装置の
概略説明図である。
本実施例は半導体基板の一例として、シリコン(Si)
の如き半導体材料の基体1の上に二酸化ケイ素(Sin
g)層2を介してプラズマナイトライドの如きファイナ
ルパッシベーション膜3を形成したウェハ4に帯電され
る静電気を除去するために適用されたものである。
このウェハ4に帯電した静電気を紫外線の照射による光
の透過力で消去するため、うエバ4の集積回路形成面側
(図の上側)には、紫外線照射手段である水銀灯5が設
けられている。
一方、本実施例におけるウェハ4の上下両側にはそれぞ
れ高電界印加用の上側電極6と下側電極7とが互いに一
対の平行平板電極状に設けられている。この場合、上側
電極6は、水銀灯5からの! 外線がウェハ4のファイ
ナルパッシベーション膜3に照射されるのを妨害しない
ようにスリット状電極として形成することができる。
前記電極6,7はたとえばDClooOVの直流電源8
に接続され、この直流電源8と上側電極6との間には短
絡保護用の抵抗9が介設されている。
次に、本実施例の作用について説明する。
まず、帯電した電荷を除去されるウェハをファイナルパ
ッシベーション膜3が上側になるようにして一ト側電極
6と下側電極7との間において下側電極7上に載置する
ファイナルパッシベーション膜3のような絶縁膜中にお
ける電荷は通常マイナス(−)にチャージされているの
で、直流電源8から電極6,7に通電すると、上側電極
6からウェハ4にプラス(+)の高電界が印加されるこ
とにより、ファイナルパッシベーション膜3中のマイナ
ス電荷は該ファイナルパッシベーション膜3の上面(表
面)側に引き上げられる。
したがって、この状態で水銀灯5からの紫外線をファイ
ナルパッシベーション膜3の表面に照射すれば、膜表面
に引き上げられたマイリース電荷はファイナルパッシベ
ーション膜3の吸収端波長等に関係なく、紫外線照射の
効率を最大限に受け、効率良く除去される。
なお、その際に静電気除去効果をさらに高めるためには
、ウェハ4を100℃程度の高温雰囲気において処理を
行えば電荷が活性化されるので、極めて良好である。ま
た、処理の手順も、まず高電界の印加を行った後に紫外
線の照射を行い、その後にプローブ検査や組立等の処理
を行うのが有益である。もっとも、本発明はこれらの手
順や雰囲気条件に限定されるものではない。
〔効果〕
(1)、半導体基板に紫外線を照射する紫外線照射手段
と、半導体基板に高電界を印加する電界印加手段とを備
えてなることにより、電界印加手段から半導体基板に印
加される高電界で基板に帯電した電荷を表面に引き−ヒ
げ、その表面に引き上げられた電荷に対して紫外線を照
射することができるので、紫外線照射による効果を最大
限に発揮させ、吸収端波長等の材質の差に左右されるこ
となく、基板に帯電した静電気を確実に除去することが
できる。
(2)2前記(1)により、半導体基板に帯電した静電
気による異物付着を防止することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、紫外線照射手段としては水銀灯以外のものを
用いてもよい。
また、電極の構造も前記実施例のものに限定されるもの
ではない。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である高抵抗半導体素子や
EPROMに適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、たとえば、それ以外の半導体
基板であっても、半導体基板からの静電気の除去が必要
な分野に広く適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による一実施例である静電気除去装置の
概略説明図である。 ■・・・基体、2・・・二酸化ケイ素、3・・・ファイ
ナルパッシベーション膜、4・・・ウェハ(半導体基板
)、5・・・水銀灯(紫外線照射手段)、6・・・上側
電極(電界印加手段)、7・・・下側電極(電界印加手
段)、8・・・直流電源、9・・・抵抗。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体基板に帯電される静電気を除去する装置であ
    って、半導体基板に紫外線を照射する紫外線照射手段と
    、半導体基板に高電界を印加する電界印加手段とを備え
    てなることを特徴とする静電気除去装置。 2、半導体基板が半導体ウェハであることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の静電気除去装置。
JP18421385A 1985-08-23 1985-08-23 静電気除去装置 Pending JPS6244995A (ja)

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