JPH1180953A - 基板の冷却状態検知方法 - Google Patents
基板の冷却状態検知方法Info
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- JPH1180953A JPH1180953A JP26283797A JP26283797A JPH1180953A JP H1180953 A JPH1180953 A JP H1180953A JP 26283797 A JP26283797 A JP 26283797A JP 26283797 A JP26283797 A JP 26283797A JP H1180953 A JPH1180953 A JP H1180953A
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- Japan
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- electrostatic chuck
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電チャック上の基板の冷却状態を正確に検
知することができる方法を提供する。 【解決手段】 静電チャック１０に吸着保持された基板
６の温度または当該基板６の表面に形成された膜の温度
を、放射温度計２６で測定することによって、基板６の
冷却状態を検知する。
知することができる方法を提供する。 【解決手段】 静電チャック１０に吸着保持された基板
６の温度または当該基板６の表面に形成された膜の温度
を、放射温度計２６で測定することによって、基板６の
冷却状態を検知する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、基板を静電チャ
ックに吸着保持した状態で当該基板にイオンビームを照
射して、基板にイオン注入、イオンビームエッチング、
薄膜形成等の処理を施す際の静電チャック上の基板の冷
却状態を検知する方法に関する。
ックに吸着保持した状態で当該基板にイオンビームを照
射して、基板にイオン注入、イオンビームエッチング、
薄膜形成等の処理を施す際の静電チャック上の基板の冷
却状態を検知する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のイオンビーム照射装置の
一例を示す図である。この装置は、真空容器２内に静電
チャック１０を設け、これに吸着保持した基板（例えば
半導体ウェーハ）６にイオンビーム４を照射して、基板
６にイオン注入、イオンビームエッチング、薄膜形成等
の処理を施すよう構成されている。
一例を示す図である。この装置は、真空容器２内に静電
チャック１０を設け、これに吸着保持した基板（例えば
半導体ウェーハ）６にイオンビーム４を照射して、基板
６にイオン注入、イオンビームエッチング、薄膜形成等
の処理を施すよう構成されている。
【０００３】真空容器２内は、図示しない真空排気装置
によって真空に排気される。イオンビーム４は、図示し
ないイオン源から引き出され、必要に応じて質量分離、
加速、走査等が行われた後に基板６に照射される。基板
６の表面には、例えば図４に示すように、所要のパター
ンをしたレジスト８が形成されていることが多い。
によって真空に排気される。イオンビーム４は、図示し
ないイオン源から引き出され、必要に応じて質量分離、
加速、走査等が行われた後に基板６に照射される。基板
６の表面には、例えば図４に示すように、所要のパター
ンをしたレジスト８が形成されていることが多い。
【０００４】静電チャック１０は、この例では双極型と
呼ばれるものであり、二つの電極１４および１６を絶縁
体１２内の表面近くに埋め込んで成る。電極１４および
１６は、例えば、共に半円形をしていて両者が相対向し
て円形を成すように配置されている。
呼ばれるものであり、二つの電極１４および１６を絶縁
体１２内の表面近くに埋め込んで成る。電極１４および
１６は、例えば、共に半円形をしていて両者が相対向し
て円形を成すように配置されている。
【０００５】静電チャック１０上に基板６を供給しかつ
吸着用電源１８から静電チャック１０（より具体的には
その電極１４、１６）に電圧（この例では同値で逆極性
の直流電圧＋Ｖおよび−Ｖ）を印加すると、基板６と電
極１４、１６間に正負の電荷が溜まり、その間に働く静
電力（またはジョンソンラーベック力）によって、基板
６が静電チャック１０に吸着保持される。なお、このよ
うな静電チャック１０および吸着用電源１８の部分を、
基板保持装置と呼ぶ場合がある。
吸着用電源１８から静電チャック１０（より具体的には
その電極１４、１６）に電圧（この例では同値で逆極性
の直流電圧＋Ｖおよび−Ｖ）を印加すると、基板６と電
極１４、１６間に正負の電荷が溜まり、その間に働く静
電力（またはジョンソンラーベック力）によって、基板
６が静電チャック１０に吸着保持される。なお、このよ
うな静電チャック１０および吸着用電源１８の部分を、
基板保持装置と呼ぶ場合がある。
【０００６】静電チャック１０上の基板６は、イオンビ
ーム４の照射によって熱入力を受ける。その場合、基板
６が静電チャック１０に正しく吸着されていると、基板
６に加えられた熱は静電チャック１０を経由して運び去
られるので、即ち基板６は静電チャック１０によって冷
却されるので、基板６の温度上昇が抑えられるけれど
も、基板６の吸着状態が悪いと基板６の冷却状態が悪く
なり基板６の温度上昇が過大になる。基板６の温度上昇
が過大になると、例えば、その表面のレジスト８が熱に
よって損傷を受けて変質、変形等を起こす。
ーム４の照射によって熱入力を受ける。その場合、基板
６が静電チャック１０に正しく吸着されていると、基板
６に加えられた熱は静電チャック１０を経由して運び去
られるので、即ち基板６は静電チャック１０によって冷
却されるので、基板６の温度上昇が抑えられるけれど
も、基板６の吸着状態が悪いと基板６の冷却状態が悪く
なり基板６の温度上昇が過大になる。基板６の温度上昇
が過大になると、例えば、その表面のレジスト８が熱に
よって損傷を受けて変質、変形等を起こす。
【０００７】これを防止するために、図３に示すよう
に静電チャック１０の電極１４、１６と基板６との間の
静電容量を静電容量計２２によって測定して、その静電
容量の大きさによって静電チャック１０への基板６の吸
着状態を検知する方法や、静電チャック１０の電極１
４と１６との間の漏洩電流を測定して、その漏洩電流の
大きさによって静電チャック１０への基板６の吸着状態
を検知する方法が既に提案されている。例えば、の方
法は特開平４−２１６６５０号公報を、の方法は特開
昭５９−７９５４５号公報を、それぞれ参照。
に静電チャック１０の電極１４、１６と基板６との間の
静電容量を静電容量計２２によって測定して、その静電
容量の大きさによって静電チャック１０への基板６の吸
着状態を検知する方法や、静電チャック１０の電極１
４と１６との間の漏洩電流を測定して、その漏洩電流の
大きさによって静電チャック１０への基板６の吸着状態
を検知する方法が既に提案されている。例えば、の方
法は特開平４−２１６６５０号公報を、の方法は特開
昭５９−７９５４５号公報を、それぞれ参照。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記や
の方法は、静電容量や漏洩電流の測定によって基板６の
吸着状態を検知、しかもそれを間接的に検知しており、
この吸着状態から基板６の冷却状態を推定することは一
応可能であるけれども、最終目的である基板６の冷却状
態を直接検知しているのではないので、測定量と基板６
の冷却状態との間の隔たりが大きく、従って基板６の冷
却状態を正確に検知することができないという課題があ
る。
の方法は、静電容量や漏洩電流の測定によって基板６の
吸着状態を検知、しかもそれを間接的に検知しており、
この吸着状態から基板６の冷却状態を推定することは一
応可能であるけれども、最終目的である基板６の冷却状
態を直接検知しているのではないので、測定量と基板６
の冷却状態との間の隔たりが大きく、従って基板６の冷
却状態を正確に検知することができないという課題があ
る。
【０００９】例えば、上記の静電容量を測定する方法
では、基板６の種類等によって測定結果が変化する。例
えば、高誘電体膜を表面に有する基板６の場合は、高誘
電体膜が静電容量の増大を惹き起こすので、基板６の所
定の吸着性能が得られていなくても静電容量が所定量得
られることがある。また、ドープドポリシリコン（ｐ−
Ｓｉ）膜を表面に有する基板６の場合は、当該膜が静電
チャック１０の表面近傍に設けられている導体部分に接
触して静電容量増大を惹き起こし、所定の吸着性能が得
られていなくても静電容量が所定量得られることがあ
る。従って、基板６の吸着状態を、ましてや基板６の冷
却状態を、正確に検知することはできない。
では、基板６の種類等によって測定結果が変化する。例
えば、高誘電体膜を表面に有する基板６の場合は、高誘
電体膜が静電容量の増大を惹き起こすので、基板６の所
定の吸着性能が得られていなくても静電容量が所定量得
られることがある。また、ドープドポリシリコン（ｐ−
Ｓｉ）膜を表面に有する基板６の場合は、当該膜が静電
チャック１０の表面近傍に設けられている導体部分に接
触して静電容量増大を惹き起こし、所定の吸着性能が得
られていなくても静電容量が所定量得られることがあ
る。従って、基板６の吸着状態を、ましてや基板６の冷
却状態を、正確に検知することはできない。
【００１０】また、上記の漏洩電流を測定する方法で
も、基板６の種類等によって測定結果が変化する。例え
ば、酸化膜（例えばＳｉＯ2 膜）を表面に有する基板６
の場合は、基板６を正しく吸着していても、当該酸化膜
の存在によって漏洩電流が増加せず吸着状態を正しく検
知できないことがある。従って、基板６の冷却状態を正
確に検知することはできない。
も、基板６の種類等によって測定結果が変化する。例え
ば、酸化膜（例えばＳｉＯ2 膜）を表面に有する基板６
の場合は、基板６を正しく吸着していても、当該酸化膜
の存在によって漏洩電流が増加せず吸着状態を正しく検
知できないことがある。従って、基板６の冷却状態を正
確に検知することはできない。
【００１１】そこでこの発明は、静電チャック上の基板
の冷却状態を正確に検知することができる方法を提供す
ることを主たる目的とする。
の冷却状態を正確に検知することができる方法を提供す
ることを主たる目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明の検知方法は、
静電チャックに吸着保持された基板または当該基板の表
面に形成された膜の温度を放射温度計によって測定する
ことを特徴としている。
静電チャックに吸着保持された基板または当該基板の表
面に形成された膜の温度を放射温度計によって測定する
ことを特徴としている。
【００１３】上記方法によれば、従来技術のように基板
の静電チャックへの吸着状態から基板の冷却状態を間接
的に推定するのではなく、静電チャック上の基板または
その表面の膜の温度そのものを放射温度計によって測定
するので、静電チャック上の基板の冷却状態を正確に検
知することができる。
の静電チャックへの吸着状態から基板の冷却状態を間接
的に推定するのではなく、静電チャック上の基板または
その表面の膜の温度そのものを放射温度計によって測定
するので、静電チャック上の基板の冷却状態を正確に検
知することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係る検知方法
を実施するイオンビーム照射装置の一例を示す図であ
る。図３の従来例と同一または相当する部分には同一符
号を付し、以下においては当該従来例との相違点を主に
説明する。
を実施するイオンビーム照射装置の一例を示す図であ
る。図３の従来例と同一または相当する部分には同一符
号を付し、以下においては当該従来例との相違点を主に
説明する。
【００１５】この例では、真空容器２の壁面であって、
静電チャック１０に吸着保持してイオンビーム４を照射
して処理を施している最中の基板６の表面を覗くことが
できる位置に、透明の窓板２４を設け、更にその外側に
（即ち真空容器２外に）同静電チャック１０に吸着保持
された基板６の温度または当該基板６の表面に形成され
たレジスト８（図４参照。以下同じ）等の膜の温度を非
接触で測定する放射温度計２６を設けている。なお、従
来例で設けていた静電容量計２２およびコンデンサＣ
は、この例では省略している。
静電チャック１０に吸着保持してイオンビーム４を照射
して処理を施している最中の基板６の表面を覗くことが
できる位置に、透明の窓板２４を設け、更にその外側に
（即ち真空容器２外に）同静電チャック１０に吸着保持
された基板６の温度または当該基板６の表面に形成され
たレジスト８（図４参照。以下同じ）等の膜の温度を非
接触で測定する放射温度計２６を設けている。なお、従
来例で設けていた静電容量計２２およびコンデンサＣ
は、この例では省略している。
【００１６】放射温度計２６は、物体の放射するエネル
ギーを測定してその物体の温度を非接触で測定するもの
である。具体的にはこの例では、この放射温度計２６と
して、物体の放射する赤外線を検出する赤外線放射温度
計を用いている。窓板２４には、測定する放射線の、具
体的にはこの例では赤外線の透過特性に優れた材質、例
えばフッ化カルシウム（ＣａＦ2 ）、サファイアガラス
等を用いるのが好ましい。
ギーを測定してその物体の温度を非接触で測定するもの
である。具体的にはこの例では、この放射温度計２６と
して、物体の放射する赤外線を検出する赤外線放射温度
計を用いている。窓板２４には、測定する放射線の、具
体的にはこの例では赤外線の透過特性に優れた材質、例
えばフッ化カルシウム（ＣａＦ2 ）、サファイアガラス
等を用いるのが好ましい。
【００１７】上記放射温度計２６によって、静電チャッ
ク１０上の例えば処理中（イオンビーム照射中）または
処理前後の基板６または当該基板６の表面に形成された
膜の温度を測定する。即ち、基板６の表面に前述したレ
ジスト８や酸化膜（例えばＳｉＯ2 膜）等の膜が形成さ
れている場合は、この膜の温度を放射温度計２６によっ
て測定し、このような膜が形成されていない場合は、放
射温度計２６によって基板６自体の温度を測定する。具
体的には、放射温度計２６の測定波長を、これらの測定
対象物に応じたものに設定しておく。
ク１０上の例えば処理中（イオンビーム照射中）または
処理前後の基板６または当該基板６の表面に形成された
膜の温度を測定する。即ち、基板６の表面に前述したレ
ジスト８や酸化膜（例えばＳｉＯ2 膜）等の膜が形成さ
れている場合は、この膜の温度を放射温度計２６によっ
て測定し、このような膜が形成されていない場合は、放
射温度計２６によって基板６自体の温度を測定する。具
体的には、放射温度計２６の測定波長を、これらの測定
対象物に応じたものに設定しておく。
【００１８】この方法によれば、従来技術のように基板
６の静電チャック１０への吸着状態から基板６の冷却状
態を間接的に推定するのではなく、静電チャック１０上
の基板６またはその表面の膜の温度そのものを放射温度
計２６によって測定するので、静電チャック１０上の基
板６の冷却状態を正確に検知することができる。従っ
て、検知の信頼性が高い。例えば、前述したように、基
板６の表面に形成されているレジスト８は温度上昇によ
って損傷を受けやすく、この最も温度を上げたくないレ
ジスト８の温度を、この方法によれば直接測定すること
ができるので、検知の信頼性が高い。
６の静電チャック１０への吸着状態から基板６の冷却状
態を間接的に推定するのではなく、静電チャック１０上
の基板６またはその表面の膜の温度そのものを放射温度
計２６によって測定するので、静電チャック１０上の基
板６の冷却状態を正確に検知することができる。従っ
て、検知の信頼性が高い。例えば、前述したように、基
板６の表面に形成されているレジスト８は温度上昇によ
って損傷を受けやすく、この最も温度を上げたくないレ
ジスト８の温度を、この方法によれば直接測定すること
ができるので、検知の信頼性が高い。
【００１９】なお、上記方法によって基板６やレジスト
８の過大な温度上昇を検知したときは、例えば速やかに
基板６の処理（即ちイオンビーム照射）を中止すること
によって、複数枚の基板を連続して処理する場合の処理
不良の続出を防止することができる。
８の過大な温度上昇を検知したときは、例えば速やかに
基板６の処理（即ちイオンビーム照射）を中止すること
によって、複数枚の基板を連続して処理する場合の処理
不良の続出を防止することができる。
【００２０】基板６へのイオンビーム照射を中止する
と、基板６への熱入力がなくなるので、基板６の温度が
徐々に下がる。その一例を図２に示す。その場合、イオ
ンビーム照射中止後の基板温度の下がり方によって、基
板６の温度上昇が過大になった原因を推定することが可
能である。例えば、図２中のカーブＡのように、イオン
ビーム照射中止後の基板温度の下がり方が緩やかな場合
は、静電チャック１０の吸着不良によって基板６に対す
る冷却性能が悪くて基板６の温度上昇が過大になったと
推定することができる。また、カーブＢのように基板温
度の下がり方が急な場合は、静電チャック１０による基
板の冷却性能は悪くなく、静電チャック１０の吸着不良
以外の原因（例えばイオンビーム４のビーム量やエネル
ギーの異常等）によって基板６の温度上昇が過大になっ
たと推定することができる。基板表面のレジスト８等の
膜の温度を測定する場合も同様である。このような原因
推定は、前述した従来技術では不可能である。
と、基板６への熱入力がなくなるので、基板６の温度が
徐々に下がる。その一例を図２に示す。その場合、イオ
ンビーム照射中止後の基板温度の下がり方によって、基
板６の温度上昇が過大になった原因を推定することが可
能である。例えば、図２中のカーブＡのように、イオン
ビーム照射中止後の基板温度の下がり方が緩やかな場合
は、静電チャック１０の吸着不良によって基板６に対す
る冷却性能が悪くて基板６の温度上昇が過大になったと
推定することができる。また、カーブＢのように基板温
度の下がり方が急な場合は、静電チャック１０による基
板の冷却性能は悪くなく、静電チャック１０の吸着不良
以外の原因（例えばイオンビーム４のビーム量やエネル
ギーの異常等）によって基板６の温度上昇が過大になっ
たと推定することができる。基板表面のレジスト８等の
膜の温度を測定する場合も同様である。このような原因
推定は、前述した従来技術では不可能である。
【００２１】また、放射温度計２６がごく狭い領域の
温度を測定するものの場合は当該放射温度計２６または
基板６を保持した静電チャック１０を相対的に機械的に
走査することによって、または放射温度計２６に二次
元の温度分布を測定できるものを用いることによって、
静電チャック１０上の基板６の面内における温度分布を
測定することができる。これによって、基板面内におけ
る冷却性能の分布の測定、ひいては静電チャック１０へ
の基板６の吸着状態の分布の測定が可能になる。
温度を測定するものの場合は当該放射温度計２６または
基板６を保持した静電チャック１０を相対的に機械的に
走査することによって、または放射温度計２６に二次
元の温度分布を測定できるものを用いることによって、
静電チャック１０上の基板６の面内における温度分布を
測定することができる。これによって、基板面内におけ
る冷却性能の分布の測定、ひいては静電チャック１０へ
の基板６の吸着状態の分布の測定が可能になる。
【００２２】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、従来技
術のように基板の静電チャックへの吸着状態から基板の
冷却状態を間接的に推定するのではなく、静電チャック
上の基板またはその表面の膜の温度そのものを放射温度
計によって測定するので、静電チャック上の基板の冷却
状態を正確に検知することができる。従って、検知の信
頼性が高い。
術のように基板の静電チャックへの吸着状態から基板の
冷却状態を間接的に推定するのではなく、静電チャック
上の基板またはその表面の膜の温度そのものを放射温度
計によって測定するので、静電チャック上の基板の冷却
状態を正確に検知することができる。従って、検知の信
頼性が高い。
【図１】この発明に係る検知方法を実施するイオンビー
ム照射装置の一例を示す図である。
ム照射装置の一例を示す図である。
【図２】イオンビーム照射中および照射中止後の基板温
度の時間変化の一例を示す概略図である。
度の時間変化の一例を示す概略図である。
【図３】従来のイオンビーム照射装置の一例を示す図で
ある。
ある。
【図４】表面にレジストを有する基板の一例を示す概略
断面図である。
断面図である。
４ イオンビーム ６ 基板 ８ レジスト １０ 静電チャック ２６ 放射温度計
Claims (1)
- 【請求項１】 静電チャックに吸着保持された基板また
は当該基板の表面に形成された膜の温度を放射温度計に
よって測定することを特徴とする基板の冷却状態検知方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26283797A JPH1180953A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 基板の冷却状態検知方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26283797A JPH1180953A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 基板の冷却状態検知方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1180953A true JPH1180953A (ja) | 1999-03-26 |
Family
ID=17381315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26283797A Pending JPH1180953A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 基板の冷却状態検知方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1180953A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003038384A1 (fr) * | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de mesure de temperature, procede de traitement thermique et procede de fabrication de dispositif a semi-conducteur |
| JP2006069643A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Asahi Soft Drinks Co Ltd | 容器洗浄装置 |
| KR100636016B1 (ko) * | 2000-11-06 | 2006-10-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조를 위한 기판의 온도를 측정하는 방법 및 장치 |
| US8573836B2 (en) * | 2006-10-26 | 2013-11-05 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for evaluating a substrate mounting device |
-
1997
- 1997-09-09 JP JP26283797A patent/JPH1180953A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100636016B1 (ko) * | 2000-11-06 | 2006-10-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조를 위한 기판의 온도를 측정하는 방법 및 장치 |
| WO2003038384A1 (fr) * | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de mesure de temperature, procede de traitement thermique et procede de fabrication de dispositif a semi-conducteur |
| US7037733B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for measuring temperature, annealing method and method for fabricating semiconductor device |
| JP2006069643A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Asahi Soft Drinks Co Ltd | 容器洗浄装置 |
| JP4603321B2 (ja) * | 2004-09-03 | 2010-12-22 | アサヒ飲料株式会社 | 容器洗浄装置 |
| US8573836B2 (en) * | 2006-10-26 | 2013-11-05 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for evaluating a substrate mounting device |
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