JP2001211044A - 弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスの製造方法Info
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- JP2001211044A JP2001211044A JP2000015311A JP2000015311A JP2001211044A JP 2001211044 A JP2001211044 A JP 2001211044A JP 2000015311 A JP2000015311 A JP 2000015311A JP 2000015311 A JP2000015311 A JP 2000015311A JP 2001211044 A JP2001211044 A JP 2001211044A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイシング工程において電極の腐食や破壊を
防止できる弾性表面波デバイスの製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 ウエハ１２上に弾性表面波素子５を複数
個形成する第１工程と、次にこのウエハ１２に軟Ｘ線を
照射して除電処理を行う第２工程と、次いでウエハ１２
を個々の弾性表面波素子５に切断する第３工程とを備え
た弾性表面波デバイスの製造方法である。
防止できる弾性表面波デバイスの製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 ウエハ１２上に弾性表面波素子５を複数
個形成する第１工程と、次にこのウエハ１２に軟Ｘ線を
照射して除電処理を行う第２工程と、次いでウエハ１２
を個々の弾性表面波素子５に切断する第３工程とを備え
た弾性表面波デバイスの製造方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば携帯電話など
の無線機器に用いられる弾性表面波デバイスの製造方法
に関するものである。
の無線機器に用いられる弾性表面波デバイスの製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来ウエハ上に多数形成した弾性表面波
素子はウエハに水を吹き付けながらダイサーで個々の弾
性表面波素子に分割していた。
素子はウエハに水を吹き付けながらダイサーで個々の弾
性表面波素子に分割していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】個の方法によると、ウ
エハが過度に帯電していると、ウエハに吹き付ける水の
中のイオンと反応してインターデジタルトランスデュー
サ電極（以下ＩＤＴ電極と称す）などの電極が腐食する
恐れがあるという問題点を有していた。
エハが過度に帯電していると、ウエハに吹き付ける水の
中のイオンと反応してインターデジタルトランスデュー
サ電極（以下ＩＤＴ電極と称す）などの電極が腐食する
恐れがあるという問題点を有していた。
【０００４】そこで本発明は、電極の腐食を防止するこ
とのできる弾性表面波デバイスの製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
とのできる弾性表面波デバイスの製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、ウエハ上
に弾性表面波素子を複数個形成する第１工程と、次にこ
のウエハの除電処理を行う第２工程と、次いで前記ウエ
ハを個々の弾性表面波素子に切断する第３工程とを備え
たものであり、第３工程においてウエハはほとんど帯電
していないため、上記目的を達成することができる。
に本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、ウエハ上
に弾性表面波素子を複数個形成する第１工程と、次にこ
のウエハの除電処理を行う第２工程と、次いで前記ウエ
ハを個々の弾性表面波素子に切断する第３工程とを備え
たものであり、第３工程においてウエハはほとんど帯電
していないため、上記目的を達成することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、ウエハ上に弾性表面波素子を複数個形成する第１工
程と、次にこのウエハの除電処理を行う第２工程と、次
いで前記ウエハを個々の弾性表面波素子に切断する第３
工程とを備えた弾性表面波デバイスの製造方法であり、
第３工程において弾性表面波素子の電極の腐食を防止す
ることができる。
は、ウエハ上に弾性表面波素子を複数個形成する第１工
程と、次にこのウエハの除電処理を行う第２工程と、次
いで前記ウエハを個々の弾性表面波素子に切断する第３
工程とを備えた弾性表面波デバイスの製造方法であり、
第３工程において弾性表面波素子の電極の腐食を防止す
ることができる。
【０００７】請求項２に記載の発明は、除電処理は大気
中でウエハの弾性表面波素子の形成面に軟Ｘ線を照射す
ることによって行う請求項１に記載の弾性表面波デバイ
スの製造方法であり、弾性表面波素子に悪影響を及ぼす
ことなく、非接触で速やかに確実に除電することができ
る。
中でウエハの弾性表面波素子の形成面に軟Ｘ線を照射す
ることによって行う請求項１に記載の弾性表面波デバイ
スの製造方法であり、弾性表面波素子に悪影響を及ぼす
ことなく、非接触で速やかに確実に除電することができ
る。
【０００８】請求項３に記載の発明は、第２工程と第３
工程においてウエハの温度を略一致させる請求項１に記
載の弾性表面波デバイスの製造方法であり、温度変化に
よる電荷の蓄積を防止できる。
工程においてウエハの温度を略一致させる請求項１に記
載の弾性表面波デバイスの製造方法であり、温度変化に
よる電荷の蓄積を防止できる。
【０００９】以下、本発明の一実施の形態について、図
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施の形態における除電
処理工程の説明図であり、１０はステージ、１１は軟Ｘ
線照射装置、１２はウエハ、１３はダイサー、１４はブ
レードである。
処理工程の説明図であり、１０はステージ、１１は軟Ｘ
線照射装置、１２はウエハ、１３はダイサー、１４はブ
レードである。
【００１１】図２は本実施の形態における弾性表面波デ
バイスの製造工程図である。
バイスの製造工程図である。
【００１２】図３は一般的な弾性表面波デバイスの断面
図であり、１はパッケージ、２はパッケージ１に設けた
外部接続用端子、３は櫛型電極、４は接続電極、５は弾
性表面波素子、６はワイヤ、７はリッドである。
図であり、１はパッケージ、２はパッケージ１に設けた
外部接続用端子、３は櫛型電極、４は接続電極、５は弾
性表面波素子、６はワイヤ、７はリッドである。
【００１３】まず、図２の２１に示すようにウエハ１２
上にアルミニウムあるいはアルミニウム合金を蒸着して
金属薄膜を形成する。
上にアルミニウムあるいはアルミニウム合金を蒸着して
金属薄膜を形成する。
【００１４】次にこの金属薄膜上に図２の２２に示すよ
うにレジストを塗布し加熱して硬化させる。次いで図２
の２３に示すように所定の電極パターンを形成するよう
に露光、現像後、図２の２４に示すようにエッチングを
行う。その後図２の２５に示すようにウエハ１２上のレ
ジストを除去し、少なくとも櫛型電極３及びこれに接続
した接続電極４等の電極を有する多数の弾性表面波素子
５を形成する。次に図１に示すようにステージ１０の上
にウエハ１２を設置する。次いでウエハ１２の弾性表面
波素子５形成面に軟Ｘ線照射装置１１により、大気中で
軟Ｘ線を数分間照射し図２の２６に示すように除電す
る。この時軟Ｘ線の照射によりウエハ１２の表面の気体
が電離し帯電しているウエハ１２を中和することとな
る。そしてウエハ１２の電荷が図２の２７に示す次工程
であるダイシングにおいて弾性表面波素子５の電極が腐
食したり、破壊したりしない程度まで除去できた段階で
軟Ｘ線の照射を終了する。この時ウエハ１２の電荷を測
定するため測定装置を接続しておいても構わない。
うにレジストを塗布し加熱して硬化させる。次いで図２
の２３に示すように所定の電極パターンを形成するよう
に露光、現像後、図２の２４に示すようにエッチングを
行う。その後図２の２５に示すようにウエハ１２上のレ
ジストを除去し、少なくとも櫛型電極３及びこれに接続
した接続電極４等の電極を有する多数の弾性表面波素子
５を形成する。次に図１に示すようにステージ１０の上
にウエハ１２を設置する。次いでウエハ１２の弾性表面
波素子５形成面に軟Ｘ線照射装置１１により、大気中で
軟Ｘ線を数分間照射し図２の２６に示すように除電す
る。この時軟Ｘ線の照射によりウエハ１２の表面の気体
が電離し帯電しているウエハ１２を中和することとな
る。そしてウエハ１２の電荷が図２の２７に示す次工程
であるダイシングにおいて弾性表面波素子５の電極が腐
食したり、破壊したりしない程度まで除去できた段階で
軟Ｘ線の照射を終了する。この時ウエハ１２の電荷を測
定するため測定装置を接続しておいても構わない。
【００１５】除電後直ちに、ウエハ１２をステージ１０
ごと移動させて、図２の２７に示すようにダイサー１３
で水を掛けながらダイヤモンド粉末を付着させてブレー
ド１４を回転させて、個々の弾性表面波素子５に分割す
る。その後パッケージ１に弾性表面波素子５を図２の２
８に示すダイボンドで実装し、ワイヤ６で弾性表面波素
子５の接続電極４とパッケージ１に設けた外部接続用端
子２とを接続する図２の２９に示すワイヤボンドを行
う。最後にパッケージ１の開口部をリッド７で図２の３
０に示す封止を行い、図３に示す弾性表面波デバイスを
得る。
ごと移動させて、図２の２７に示すようにダイサー１３
で水を掛けながらダイヤモンド粉末を付着させてブレー
ド１４を回転させて、個々の弾性表面波素子５に分割す
る。その後パッケージ１に弾性表面波素子５を図２の２
８に示すダイボンドで実装し、ワイヤ６で弾性表面波素
子５の接続電極４とパッケージ１に設けた外部接続用端
子２とを接続する図２の２９に示すワイヤボンドを行
う。最後にパッケージ１の開口部をリッド７で図２の３
０に示す封止を行い、図３に示す弾性表面波デバイスを
得る。
【００１６】以下本発明のポイントについて説明する。
【００１７】（１）ウエハ１２は、ＬｉＴａＯ3、Ｌｉ
ＮｂＯ3、水晶などの圧電を有する材料で形成した単結
晶であり、本発明の特に圧電性、焦電性の強いＬｉＴａ
Ｏ3、ＬｉＮｂＯ3で形成したウエハ１２に銅等の異種金
属をドーピングしたアルミニウムを用いて櫛型電極３や
接続電極４などの電極を形成する場合に非常に効果があ
る。
ＮｂＯ3、水晶などの圧電を有する材料で形成した単結
晶であり、本発明の特に圧電性、焦電性の強いＬｉＴａ
Ｏ3、ＬｉＮｂＯ3で形成したウエハ１２に銅等の異種金
属をドーピングしたアルミニウムを用いて櫛型電極３や
接続電極４などの電極を形成する場合に非常に効果があ
る。
【００１８】（２）除電処理（図２の２６）は、ウエハ
１２が帯電していないようにすることが望ましいが、ダ
イシング（図２の２７）のときに櫛型電極３や接続電極
４などの電極が腐食したり破壊したりしない程度まで除
電を行えば効果がある。除電処理（図２の２６）のため
の軟Ｘ線の照射時間は、ウエハ１２の帯電状況、光の強
さ、光源からの距離、弾性表面波素子５の櫛型電極３や
接続電極４などの電極パターン、ダイシング（図２の２
７）の際に用いる水質、温度などによっても変わるが、
１〜２分で十分であった。
１２が帯電していないようにすることが望ましいが、ダ
イシング（図２の２７）のときに櫛型電極３や接続電極
４などの電極が腐食したり破壊したりしない程度まで除
電を行えば効果がある。除電処理（図２の２６）のため
の軟Ｘ線の照射時間は、ウエハ１２の帯電状況、光の強
さ、光源からの距離、弾性表面波素子５の櫛型電極３や
接続電極４などの電極パターン、ダイシング（図２の２
７）の際に用いる水質、温度などによっても変わるが、
１〜２分で十分であった。
【００１９】（３）除電処理（図２の２６）後、長時間
ウエハ１２を放置していると再び帯電する可能性があ
る。従って除電処理（図２の２６）後直ちにダイシング
（図２の２７）を行うことが望ましい。
ウエハ１２を放置していると再び帯電する可能性があ
る。従って除電処理（図２の２６）後直ちにダイシング
（図２の２７）を行うことが望ましい。
【００２０】（４）ウエハ１２は温度変化により電荷を
帯びやすい。従って上記実施の形態では、ウエハ１２を
ステージ１０に載せた状態で除電処理（図２の２６）を
行い、ステージ１０を移動させてダイシング（図２の２
７）を行い、除電後のウエハ１２の温度変化をできるだ
け小さくしている。
帯びやすい。従って上記実施の形態では、ウエハ１２を
ステージ１０に載せた状態で除電処理（図２の２６）を
行い、ステージ１０を移動させてダイシング（図２の２
７）を行い、除電後のウエハ１２の温度変化をできるだ
け小さくしている。
【００２１】（５）上記実施の形態ではウエハ１２の除
電を行うために、波長が０．１３ｎｍ以上の軟Ｘ線を照
射したが、これは光のエネルギーが高いため、ウエハ１
２の表面の気体分子を直接イオン化し、帯電したものを
電気的に中和することができるためである。またこの場
合コロナ放電を用いたイオナイザと違って、空間に正負
のイオンが均一に等量分布しているためウエハ１２の残
留電位をほぼ０Ｖにすることができる。さらに軟Ｘ線
は、ウエハ１２に直接照射したとしても、弾性表面波デ
バイスの特性に悪影響を及ぼすことがない。
電を行うために、波長が０．１３ｎｍ以上の軟Ｘ線を照
射したが、これは光のエネルギーが高いため、ウエハ１
２の表面の気体分子を直接イオン化し、帯電したものを
電気的に中和することができるためである。またこの場
合コロナ放電を用いたイオナイザと違って、空間に正負
のイオンが均一に等量分布しているためウエハ１２の残
留電位をほぼ０Ｖにすることができる。さらに軟Ｘ線
は、ウエハ１２に直接照射したとしても、弾性表面波デ
バイスの特性に悪影響を及ぼすことがない。
【００２２】（６）通常１枚のウエハ１２を切断するの
に１０分以上かかるので、ダイサー１３に軟Ｘ線照射装
置１１を組み込んで、待機しているウエハ１２に照射す
るようにすれば、効率よく除電（図２の２６）、ダイシ
ング(図２の２７)を行うことができる。
に１０分以上かかるので、ダイサー１３に軟Ｘ線照射装
置１１を組み込んで、待機しているウエハ１２に照射す
るようにすれば、効率よく除電（図２の２６）、ダイシ
ング(図２の２７)を行うことができる。
【００２３】
【発明の効果】以上本発明によると、個々の弾性表面波
素子に分割する際、電極の腐食あるいは破壊を防止する
ことのできる弾性表面波デバイスの製造方法を提供する
ことができる。
素子に分割する際、電極の腐食あるいは破壊を防止する
ことのできる弾性表面波デバイスの製造方法を提供する
ことができる。
【図１】本発明の一実施の形態におけるウエハ１２の除
電工程の説明図
電工程の説明図
【図２】本発明の一実施の形態における製造工程図
【図３】一般的な弾性表面波デバイスの断面図
１ パッケージ ２ 外部接続用端子 ３ 櫛型電極 ４ 接続電極 ５ 弾性表面波素子 ６ ワイヤ ７ リッド １０ ステージ １１ 軟Ｘ線照射装置 １２ ウエハ １３ ダイサー １４ ブレード
Claims (3)
- 【請求項１】 ウエハ上に弾性表面波素子を複数個形成
する第１工程と、次にこのウエハの除電処理を行う第２
工程と、次いで前記ウエハを個々の弾性表面波素子に切
断する第３工程とを備えた弾性表面波デバイスの製造方
法。 - 【請求項２】 除電処理は大気中でウエハの弾性表面波
素子の形成面に軟Ｘ線を照射することによって行う請求
項１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項３】 第２工程と第３工程においてウエハの温
度を略一致させる請求項１に記載の弾性表面波デバイス
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000015311A JP2001211044A (ja) | 2000-01-25 | 2000-01-25 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000015311A JP2001211044A (ja) | 2000-01-25 | 2000-01-25 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001211044A true JP2001211044A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18542632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000015311A Pending JP2001211044A (ja) | 2000-01-25 | 2000-01-25 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001211044A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006008829A1 (ja) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置の製造方法 |
| WO2007058262A1 (ja) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法 |
| KR101533443B1 (ko) * | 2007-10-12 | 2015-07-02 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 가공 대상물 절단 방법 |
-
2000
- 2000-01-25 JP JP2000015311A patent/JP2001211044A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006008829A1 (ja) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置の製造方法 |
| CN100440444C (zh) * | 2004-07-22 | 2008-12-03 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体器件的制造方法 |
| US7998793B2 (en) | 2004-07-22 | 2011-08-16 | Renesas Electronics Corporation | Light illumination during wafer dicing to prevent aluminum corrosion |
| WO2007058262A1 (ja) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法 |
| US7754583B2 (en) | 2005-11-18 | 2010-07-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
| US8124500B2 (en) | 2005-11-18 | 2012-02-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
| KR101341675B1 (ko) | 2005-11-18 | 2013-12-16 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공방법 |
| KR101533443B1 (ko) * | 2007-10-12 | 2015-07-02 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 가공 대상물 절단 방법 |
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