JP3390554B2 - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波共振器として電
気通信機器に用いられる弾性表面波装置及びその製造方
法に関するものである。
気通信機器に用いられる弾性表面波装置及びその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】圧電基板上にすだれ状電極（ＩＤＴ：In
terdigital Transducer ；以下ＩＤＴと略記する）およ
び該ＩＤＴにより励振される表面波を反射する反射器が
設けられた弾性表面波装置は、ＩＤＴや反射器が設けら
れた面および表面波が伝搬する伝搬路上が弾性的に開放
されかつ気密空間を有するように構成されている。図８
は弾性表面波素子１０１の構造を示す平面図である。図
８に示す如く、一般に弾性表面波素子１０１は、圧電基
板１０２上に、基板表面の所定の方向に表面波を励振す
るためのＩＤＴ１０３及びバスバー１０４，１０４’、
端子電極１０５，１０５’、さらにバスバー１０４，１
０４’と端子電極１０５，１０５’とを接続する引出し
電極１０６，１０６’等が配設されてる。電極材料とし
ては、通常、アルミニウム（Ａｌ）や金（Ａｕ）が用い
られる。
terdigital Transducer ；以下ＩＤＴと略記する）およ
び該ＩＤＴにより励振される表面波を反射する反射器が
設けられた弾性表面波装置は、ＩＤＴや反射器が設けら
れた面および表面波が伝搬する伝搬路上が弾性的に開放
されかつ気密空間を有するように構成されている。図８
は弾性表面波素子１０１の構造を示す平面図である。図
８に示す如く、一般に弾性表面波素子１０１は、圧電基
板１０２上に、基板表面の所定の方向に表面波を励振す
るためのＩＤＴ１０３及びバスバー１０４，１０４’、
端子電極１０５，１０５’、さらにバスバー１０４，１
０４’と端子電極１０５，１０５’とを接続する引出し
電極１０６，１０６’等が配設されてる。電極材料とし
ては、通常、アルミニウム（Ａｌ）や金（Ａｕ）が用い
られる。
【０００３】図８の場合は簡単のため、ＩＤＴ１０３の
みで構成された多対ＩＤＴ型弾性表面波共振子を例にと
ったが、表面波伝搬方向でＩＤＴの左右（図８ではＩＤ
Ｔ１０３の上下）に反射器を配した弾性表面波共振子、
又は、ＩＤＴを２個以上用いた２端子対弾性表面波共振
子、弾性表面波共振子を複数個用いた共振子型弾性表面
波フィルタ、さらには、２つの入出力ＩＤＴ間に表面波
伝搬路を持ついわゆるトランスバーサル型弾性表面波フ
ィルタ等の弾性表面波素子があり、以下に述べる問題
は、これらの素子に共通した問題である。
みで構成された多対ＩＤＴ型弾性表面波共振子を例にと
ったが、表面波伝搬方向でＩＤＴの左右（図８ではＩＤ
Ｔ１０３の上下）に反射器を配した弾性表面波共振子、
又は、ＩＤＴを２個以上用いた２端子対弾性表面波共振
子、弾性表面波共振子を複数個用いた共振子型弾性表面
波フィルタ、さらには、２つの入出力ＩＤＴ間に表面波
伝搬路を持ついわゆるトランスバーサル型弾性表面波フ
ィルタ等の弾性表面波素子があり、以下に述べる問題
は、これらの素子に共通した問題である。
【０００４】図８において、端子電極１０５，１０５’
を介してＩＤＴ１０３に高周波電圧が印加されると、圧
電作用により基板表面にＩＤＴ１０３の電極ピッチに対
応した歪が生じる。この歪が等周期で連続したものがい
わゆる基板表面にエネルギを集中して伝搬する表面波で
あり、基板表面は物理的に振動することになる。ＩＤＴ
によって励振された表面波は、ＩＤＴの左右（図８では
ＩＤＴ１０３の上下）方向に伝搬するが、ＩＤＴ自身が
反射器として動作するため、電極指の対数がある程度以
上多くなるとほぼ全反射され、励振波と反射波による共
振を呈し共振子が構成される。この共振状態では弾性表
面波のエネルギはほぼＩＤＴ内部に閉じ込められてお
り、エネルギが閉じ込められている部分は、バスバー１
０４，１０４’とバスバー１０４，１０４’の内側にあ
るＩＤＴ１０３の部分であり、バスバー１０４，１０
４’の外側では、そのエネルギは指数関数的に減少す
る。
を介してＩＤＴ１０３に高周波電圧が印加されると、圧
電作用により基板表面にＩＤＴ１０３の電極ピッチに対
応した歪が生じる。この歪が等周期で連続したものがい
わゆる基板表面にエネルギを集中して伝搬する表面波で
あり、基板表面は物理的に振動することになる。ＩＤＴ
によって励振された表面波は、ＩＤＴの左右（図８では
ＩＤＴ１０３の上下）方向に伝搬するが、ＩＤＴ自身が
反射器として動作するため、電極指の対数がある程度以
上多くなるとほぼ全反射され、励振波と反射波による共
振を呈し共振子が構成される。この共振状態では弾性表
面波のエネルギはほぼＩＤＴ内部に閉じ込められてお
り、エネルギが閉じ込められている部分は、バスバー１
０４，１０４’とバスバー１０４，１０４’の内側にあ
るＩＤＴ１０３の部分であり、バスバー１０４，１０
４’の外側では、そのエネルギは指数関数的に減少す
る。
【０００５】このような弾性表面波素子１０１を機器に
組み込んで用いるために、従来は一般にケースに収容さ
れて弾性表面波装置として実装される。すなわち、弾性
表面波素子１０１（共振子）が正常に動作するために
は、励振される表面波及びその表面波エネルギが閉じ込
められる部分の表面を弾性的（あるいは別の表現を用い
ると機械的）に開放（フリー）にする必要がある。従っ
て弾性表面波素子の封止（モールド）にはＩＣ等で用い
られているようなチップ全体を樹脂で隙間なく固定する
ような封止方法は用いられず、少なくとも弾性表面波素
子として正常に機能させるための振動機能面１０７、す
なわち、図８のＩＤＴ１０３，バスバー１０４，１０
４’及びバスバー１０４，１０４’の外側に数λ0 （λ
0 ；表面波の波長）程度の範囲の破線で囲まれた部分の
表面を弾性的に開放して中空状態にする必要がある。図
８はＩＤＴのみからなる共振子の例であるが、ＩＤＴの
両側（図８ではＩＤＴ１０３の上下）に反射器を有する
弾性表面波共振子、及び入出力ＩＤＴ間に伝搬路を持つ
トランスバーサル型フィルタの場合は反射器や伝搬路も
振動機能面に含まれることは言うまでもない。また、図
８のように引出し電極１０６，１０６’がある場合はバ
スバー１０４，１０４’との接続部付近を除けば振動機
能面ではない。また、温度特性を改善するために、ある
いは、表面を保護するために、弾性表面波素子１０１の
表面にＳｉＯ2 膜を付けることが行われるが、このＳｉ
Ｏ2 膜の膜厚が表面波の波長λ0 より十分小さい場合
は、ＳｉＯ2 膜の表面が、上述のＳｉＯ2 膜がない場合
の表面と、弾性的に開放する必要があるという意味で等
価と見なすことができ、振動機能面に要求される中空状
態にするという条件は同じと考えることができる。
組み込んで用いるために、従来は一般にケースに収容さ
れて弾性表面波装置として実装される。すなわち、弾性
表面波素子１０１（共振子）が正常に動作するために
は、励振される表面波及びその表面波エネルギが閉じ込
められる部分の表面を弾性的（あるいは別の表現を用い
ると機械的）に開放（フリー）にする必要がある。従っ
て弾性表面波素子の封止（モールド）にはＩＣ等で用い
られているようなチップ全体を樹脂で隙間なく固定する
ような封止方法は用いられず、少なくとも弾性表面波素
子として正常に機能させるための振動機能面１０７、す
なわち、図８のＩＤＴ１０３，バスバー１０４，１０
４’及びバスバー１０４，１０４’の外側に数λ0 （λ
0 ；表面波の波長）程度の範囲の破線で囲まれた部分の
表面を弾性的に開放して中空状態にする必要がある。図
８はＩＤＴのみからなる共振子の例であるが、ＩＤＴの
両側（図８ではＩＤＴ１０３の上下）に反射器を有する
弾性表面波共振子、及び入出力ＩＤＴ間に伝搬路を持つ
トランスバーサル型フィルタの場合は反射器や伝搬路も
振動機能面に含まれることは言うまでもない。また、図
８のように引出し電極１０６，１０６’がある場合はバ
スバー１０４，１０４’との接続部付近を除けば振動機
能面ではない。また、温度特性を改善するために、ある
いは、表面を保護するために、弾性表面波素子１０１の
表面にＳｉＯ2 膜を付けることが行われるが、このＳｉ
Ｏ2 膜の膜厚が表面波の波長λ0 より十分小さい場合
は、ＳｉＯ2 膜の表面が、上述のＳｉＯ2 膜がない場合
の表面と、弾性的に開放する必要があるという意味で等
価と見なすことができ、振動機能面に要求される中空状
態にするという条件は同じと考えることができる。
【０００６】以上のように、弾性表面波素子を正常に機
能させるためには、振動機能面を弾性的に開放しなけれ
ばならないが、それと同時に、電極表面が結露現象等に
より電気的に短絡されないように、又は外部から導電性
のゴミ等が侵入しないように気密性を持たせて弾性表面
波装置を構成する必要がある。そのため、従来から一般
的に用いられている封止構造として、ハーメティックケ
ースに封止した構造やセラミックパッケージに封止した
構造がある。
能させるためには、振動機能面を弾性的に開放しなけれ
ばならないが、それと同時に、電極表面が結露現象等に
より電気的に短絡されないように、又は外部から導電性
のゴミ等が侵入しないように気密性を持たせて弾性表面
波装置を構成する必要がある。そのため、従来から一般
的に用いられている封止構造として、ハーメティックケ
ースに封止した構造やセラミックパッケージに封止した
構造がある。
【０００７】図９はセラミックパッケージを用いた従来
の弾性表面波装置２０２の構造断面図であり、図１０は
ケースにキャップを載せる前の状態の斜視図である。図
９において、弾性表面波素子１０１は、セラミックケー
ス５０の凹部に接着剤４７でダイボンディングされ、弾
性表面波素子１０１はワイヤ４８で外部電極接続パター
ン５１ａに接続され外部電極５１と接続され、振動機能
面は中空部２０１により弾性的に開放されている。図１
０は従来の弾性表面波装置２０２の分解斜視図であり、
セラミックケース５０に弾性表面波素子１０１が収容さ
れた後、矢印に示すようにキャップ５２とセラミックケ
ース５０は、シーム溶接等により気密封止され内部の雰
囲気が通常Ｎ2 ガス等で置換される。
の弾性表面波装置２０２の構造断面図であり、図１０は
ケースにキャップを載せる前の状態の斜視図である。図
９において、弾性表面波素子１０１は、セラミックケー
ス５０の凹部に接着剤４７でダイボンディングされ、弾
性表面波素子１０１はワイヤ４８で外部電極接続パター
ン５１ａに接続され外部電極５１と接続され、振動機能
面は中空部２０１により弾性的に開放されている。図１
０は従来の弾性表面波装置２０２の分解斜視図であり、
セラミックケース５０に弾性表面波素子１０１が収容さ
れた後、矢印に示すようにキャップ５２とセラミックケ
ース５０は、シーム溶接等により気密封止され内部の雰
囲気が通常Ｎ2 ガス等で置換される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記セ
ラミックケースを用いた封止方法は、セラミックケース
がかなり高価なこと、及び、単体の弾性表面波装置２０
２を完成させるためには、一枚のウエハに作り込んだ多
数の弾性表面波素子１０１を分割した後それぞれ個別に
ケースに封止するいわゆる後工程が必要であり、この後
工程のコストは装置全体の半分以上を占めることから、
製造コストが上昇すること、また、図９，図１０のよう
に接続用ワイヤ４８がキャップ５２と接触しないように
ある程度の高さのケース５０が必要であり、かつセラミ
ックケース５０の底部の厚さが必要なために薄型化に制
約があること、ケース使用によって実装面積が増大する
ために小型化が難しいこと等の問題がある。
ラミックケースを用いた封止方法は、セラミックケース
がかなり高価なこと、及び、単体の弾性表面波装置２０
２を完成させるためには、一枚のウエハに作り込んだ多
数の弾性表面波素子１０１を分割した後それぞれ個別に
ケースに封止するいわゆる後工程が必要であり、この後
工程のコストは装置全体の半分以上を占めることから、
製造コストが上昇すること、また、図９，図１０のよう
に接続用ワイヤ４８がキャップ５２と接触しないように
ある程度の高さのケース５０が必要であり、かつセラミ
ックケース５０の底部の厚さが必要なために薄型化に制
約があること、ケース使用によって実装面積が増大する
ために小型化が難しいこと等の問題がある。
【０００９】また、従来のセラミックケースを用いた弾
性表面波装置２０２は、個別部品として取り扱うことを
前提としており、ＩＣのベアチップと同様に取り扱うこ
とができなかった。すなわち従来の装置では、弾性表面
波装置とＩＣベアチップ等を複数個同時に実装してマル
チチップモジュール（ＭＣＭ）を実現しようとした場
合、モジュール全体を気密封止構造としなければなら
ず、封止方法が限定されると同時にコストアップになる
欠点があった。
性表面波装置２０２は、個別部品として取り扱うことを
前提としており、ＩＣのベアチップと同様に取り扱うこ
とができなかった。すなわち従来の装置では、弾性表面
波装置とＩＣベアチップ等を複数個同時に実装してマル
チチップモジュール（ＭＣＭ）を実現しようとした場
合、モジュール全体を気密封止構造としなければなら
ず、封止方法が限定されると同時にコストアップになる
欠点があった。
【００１０】本発明の目的は、弾性表面波素子の機能面
の中空気密構造をウエハ処理工程で同時に実現すること
で前記従来構造の問題点のすべてを解決し、薄型化，小
型化，低コスト化を図ると同時に、ＩＣベアチップと同
様に取り扱うことのできる弾性表面波装置及びその製造
方法を提供することにある。
の中空気密構造をウエハ処理工程で同時に実現すること
で前記従来構造の問題点のすべてを解決し、薄型化，小
型化，低コスト化を図ると同時に、ＩＣベアチップと同
様に取り扱うことのできる弾性表面波装置及びその製造
方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本願の請求項１，２に記載した第１の弾性表面波装
置は、圧電基板と、該圧電基板上に形成されたすだれ状
電極を含み弾性表面波の振動に寄与する振動機能面をな
す電極部と前記すだれ状電極に連接された端子電極と、
前記振動機能面上の中空部分の端縁部を除いて覆うよう
に形成された絶縁膜と、前記端縁部を塞ぐように形成さ
れた樹脂とを備え、前記樹脂により塞がれる端縁部が、
前記振動機能面の外周上で、かつ前記端子電極が配設さ
れていない両端部に位置していることを特徴とするもの
である。さらに、前記絶縁膜は、酸化シリコンで構成さ
れたことを特徴とするものである。
に、本願の請求項１，２に記載した第１の弾性表面波装
置は、圧電基板と、該圧電基板上に形成されたすだれ状
電極を含み弾性表面波の振動に寄与する振動機能面をな
す電極部と前記すだれ状電極に連接された端子電極と、
前記振動機能面上の中空部分の端縁部を除いて覆うよう
に形成された絶縁膜と、前記端縁部を塞ぐように形成さ
れた樹脂とを備え、前記樹脂により塞がれる端縁部が、
前記振動機能面の外周上で、かつ前記端子電極が配設さ
れていない両端部に位置していることを特徴とするもの
である。さらに、前記絶縁膜は、酸化シリコンで構成さ
れたことを特徴とするものである。
【００１２】そして請求項３に記載した製造方法は、ウ
エハ状の圧電基板上に、すだれ状電極を含み弾性表面波
の振動に寄与する振動機能面をなす電極部と前記すだれ
状電極に連接された端子電極とを形成する電極形成工程
と、 前記振動機能面上に犠牲層をリフトオフ法により形
成する犠牲層形成工程と、次に、全面に絶縁膜を形成す
る絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜の上からフォトレジス
トを塗布し、前記振動機能面の端縁部に対応する部分と
前記端子電極に対応する部分が露出するように露光，現
像処理をした後、前記絶縁膜をエッチングして中空用窓
と接続用窓とを形成する第１のエッチング工程と、前記
中空用窓と接続用窓以外に残る余分の前記フォトレジス
トを剥離した後、該中空用窓を介して前記犠牲層を抽出
して取り除く第２のエッチング工程と、前記中空用窓を
封止用樹脂で塞ぐ封止工程と、前記ウエハ上に形成され
た多数の弾性表面波装置をチップ状に分割するダイシン
グ工程とを備えた弾性表面波装置の製造方法である。さ
らに、前記絶縁膜は、酸化シリコンで構成することがで
き、また、前記犠牲層は、クロムで構成することができ
る。
エハ状の圧電基板上に、すだれ状電極を含み弾性表面波
の振動に寄与する振動機能面をなす電極部と前記すだれ
状電極に連接された端子電極とを形成する電極形成工程
と、 前記振動機能面上に犠牲層をリフトオフ法により形
成する犠牲層形成工程と、次に、全面に絶縁膜を形成す
る絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜の上からフォトレジス
トを塗布し、前記振動機能面の端縁部に対応する部分と
前記端子電極に対応する部分が露出するように露光，現
像処理をした後、前記絶縁膜をエッチングして中空用窓
と接続用窓とを形成する第１のエッチング工程と、前記
中空用窓と接続用窓以外に残る余分の前記フォトレジス
トを剥離した後、該中空用窓を介して前記犠牲層を抽出
して取り除く第２のエッチング工程と、前記中空用窓を
封止用樹脂で塞ぐ封止工程と、前記ウエハ上に形成され
た多数の弾性表面波装置をチップ状に分割するダイシン
グ工程とを備えた弾性表面波装置の製造方法である。さ
らに、前記絶縁膜は、酸化シリコンで構成することがで
き、また、前記犠牲層は、クロムで構成することができ
る。
【００１３】また、本願の請求項４，５に記載された弾
性表面波装置は、圧電基板と、該圧電基板上に形成され
たすだれ状電極を含み弾性表面波の振動に寄与する振動
機能面をなす電極部と前記すだれ状電極に連接された端
子電極と、前記電極が形成された圧電基板上の全面に弾
性表面波の波長に比べて十分小さい膜厚で形成された第
１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に前記振動機能面
上の中空部分の端縁部を除いて覆うように形成された第
２の絶縁膜と、前記端縁部を塞ぐように形成された樹脂
とを備え、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜には、
前記端子電極部分が露出するように接続用窓が設けられ
た構成を有している。さらに、前記第１及び第２の絶縁
膜は、酸化シリコンで構成することができる。
性表面波装置は、圧電基板と、該圧電基板上に形成され
たすだれ状電極を含み弾性表面波の振動に寄与する振動
機能面をなす電極部と前記すだれ状電極に連接された端
子電極と、前記電極が形成された圧電基板上の全面に弾
性表面波の波長に比べて十分小さい膜厚で形成された第
１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に前記振動機能面
上の中空部分の端縁部を除いて覆うように形成された第
２の絶縁膜と、前記端縁部を塞ぐように形成された樹脂
とを備え、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜には、
前記端子電極部分が露出するように接続用窓が設けられ
た構成を有している。さらに、前記第１及び第２の絶縁
膜は、酸化シリコンで構成することができる。
【００１４】また、請求項６，７及び８に記載された製
造方法は、ウエハ状の圧電基板上に、すだれ状電極を含
み弾性表面波の振動に寄与する振動機能面をなす電極部
と前記すだれ状電極に連接された端子電極とを形成する
電極形成工程と、前記電極が形成された圧電基板上の全
面に弾性表面波の波長に比べて十分小さい膜厚の第１の
絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工程と、 前記振動機
能面に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、次に、全面
に第２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形成工程と、前
記第２の絶縁膜の上からフォトレジストを塗布し、前記
振動機能面の端縁部に対応する部分と前記端子電極に対
応する部分が露出するように露光，現像処理をした後前
記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とをエッチングして
中空用窓と接続用窓とを形成する第１のエッチング工程
と、前記中空用窓と接続用窓以外に残る余分の前記フォ
トレジストを剥離した後、該中空用窓を介して前記犠牲
層を抽出して取り除く第２のエッチング工程と、前記中
空用窓を封止用樹脂で塞ぐ封止工程と、前記ウエハ上に
形成された多数の弾性表面波装置をチップ状に分割する
ダイシング工程とを備えた弾性表面波装置の製造方法で
ある。さらに、前記第１及び第２の絶縁膜は、酸化シリ
コンで構成することができる。また、前記犠牲層は、ク
ロムで構成することができる。
造方法は、ウエハ状の圧電基板上に、すだれ状電極を含
み弾性表面波の振動に寄与する振動機能面をなす電極部
と前記すだれ状電極に連接された端子電極とを形成する
電極形成工程と、前記電極が形成された圧電基板上の全
面に弾性表面波の波長に比べて十分小さい膜厚の第１の
絶縁膜を形成する第１の絶縁膜形成工程と、 前記振動機
能面に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、次に、全面
に第２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形成工程と、前
記第２の絶縁膜の上からフォトレジストを塗布し、前記
振動機能面の端縁部に対応する部分と前記端子電極に対
応する部分が露出するように露光，現像処理をした後前
記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とをエッチングして
中空用窓と接続用窓とを形成する第１のエッチング工程
と、前記中空用窓と接続用窓以外に残る余分の前記フォ
トレジストを剥離した後、該中空用窓を介して前記犠牲
層を抽出して取り除く第２のエッチング工程と、前記中
空用窓を封止用樹脂で塞ぐ封止工程と、前記ウエハ上に
形成された多数の弾性表面波装置をチップ状に分割する
ダイシング工程とを備えた弾性表面波装置の製造方法で
ある。さらに、前記第１及び第２の絶縁膜は、酸化シリ
コンで構成することができる。また、前記犠牲層は、ク
ロムで構成することができる。
【００１５】
【実施例】以下、具体的な実施例について本発明を図に
よって詳細に説明する。図１は本発明の弾性表面波装置
の構造例を示す斜視図（Ａ）とそのＡ−Ａ’断面図
（Ｂ）である。図において、１０２は圧電基板、１０３
はＩＤＴ、１０４，１０４’はバスバー、１０５，１０
５’は端子電極、１０６，１０６’は引出し電極、３５
は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの温度特性補償用絶縁
膜、３８は気密保護用のＳｉＯ2 絶縁膜、３９は封止用
樹脂、２０１は中空部である。但し、電極構造として
は、従来技術で図８を参照して述べた多対ＩＤＴ共振子
を例とする。図１に示した本発明の弾性表面波装置の構
造は、ＬｉＮｂＯ3 （ニオブ酸リチウム），ＬｉＴａＯ
3 （タンタル酸リチウム），水晶等の圧電基板１０２上
に、ＩＤＴ１０３，及びバスバー１０４，１０４’，端
子電極１０５，１０５’，さらにバスバー１０４，１０
４’と端子電極１０５，１０５’とを接続するための引
出し電極１０６，１０６’が配設され、さらにその上に
温度特性補償用絶縁膜であるＳｉＯ2 膜３５が形成され
（但し、ＳｉＯ2 の膜厚は波長λ0 に比べ十分小さい）
かつ、端子電極１０５，１０５’部分の絶縁膜はワイヤ
ボンディング等により接続可能とするためエッチング加
工されている。さらにＩＤＴ１０３，バスバー１０４，
１０４’とその周辺を含む表面、すなわち、弾性表面波
素子が正常に動作するために必要な振動機能面を囲み、
振動機能面が弾性的に開放となるように気密保護用のＳ
ｉＯ2 絶縁膜３８で中空部２０１を形成し、中空部２０
１を気密にするために封止用樹脂３９で目止めされてい
る。従って、この封止用樹脂３９の位置は、図８を参照
して理解されるように、振動機能面１０７の外周上で、
かつ、その端子電極１０５，１０５’が配設されていな
い両端部に位置していることになる。図２は図１に示し
た本発明の実施例の分割前の工程で、多数の弾性表面波
装置がウエハ３１上に形成されている状態を示す部分斜
視図であり、図１はダイシング後の個々の弾性表面波装
置２０５の斜視図である。
よって詳細に説明する。図１は本発明の弾性表面波装置
の構造例を示す斜視図（Ａ）とそのＡ−Ａ’断面図
（Ｂ）である。図において、１０２は圧電基板、１０３
はＩＤＴ、１０４，１０４’はバスバー、１０５，１０
５’は端子電極、１０６，１０６’は引出し電極、３５
は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）などの温度特性補償用絶縁
膜、３８は気密保護用のＳｉＯ2 絶縁膜、３９は封止用
樹脂、２０１は中空部である。但し、電極構造として
は、従来技術で図８を参照して述べた多対ＩＤＴ共振子
を例とする。図１に示した本発明の弾性表面波装置の構
造は、ＬｉＮｂＯ3 （ニオブ酸リチウム），ＬｉＴａＯ
3 （タンタル酸リチウム），水晶等の圧電基板１０２上
に、ＩＤＴ１０３，及びバスバー１０４，１０４’，端
子電極１０５，１０５’，さらにバスバー１０４，１０
４’と端子電極１０５，１０５’とを接続するための引
出し電極１０６，１０６’が配設され、さらにその上に
温度特性補償用絶縁膜であるＳｉＯ2 膜３５が形成され
（但し、ＳｉＯ2 の膜厚は波長λ0 に比べ十分小さい）
かつ、端子電極１０５，１０５’部分の絶縁膜はワイヤ
ボンディング等により接続可能とするためエッチング加
工されている。さらにＩＤＴ１０３，バスバー１０４，
１０４’とその周辺を含む表面、すなわち、弾性表面波
素子が正常に動作するために必要な振動機能面を囲み、
振動機能面が弾性的に開放となるように気密保護用のＳ
ｉＯ2 絶縁膜３８で中空部２０１を形成し、中空部２０
１を気密にするために封止用樹脂３９で目止めされてい
る。従って、この封止用樹脂３９の位置は、図８を参照
して理解されるように、振動機能面１０７の外周上で、
かつ、その端子電極１０５，１０５’が配設されていな
い両端部に位置していることになる。図２は図１に示し
た本発明の実施例の分割前の工程で、多数の弾性表面波
装置がウエハ３１上に形成されている状態を示す部分斜
視図であり、図１はダイシング後の個々の弾性表面波装
置２０５の斜視図である。
【００１６】次に、本発明の弾性表面波装置の製造方法
についてさらに詳しく説明する。図３，図４は本発明の
一実施例を示す製造フローチャートであり、（１）〜
（２３）は工程番号を示す。図５，図６，図７は製造過
程の構造を示す説明図である。但し、工程番号（８）〜
（２１）は図３，４と合わせてある。
についてさらに詳しく説明する。図３，図４は本発明の
一実施例を示す製造フローチャートであり、（１）〜
（２３）は工程番号を示す。図５，図６，図７は製造過
程の構造を示す説明図である。但し、工程番号（８）〜
（２１）は図３，４と合わせてある。
【００１７】先ず、図３の工程１〜７について説明す
る。工程１〜７は、従来の一般的な製造工法であり、十
分洗浄されたＬｉＮｂＯ3，ＬｉＴａＯ3 等の圧電基板
上にＩＤＴ等の電極を形成するためのＡｌやＡｕの金属
薄膜をＥＢ（電子ビーム）蒸着等により被着させ（但
し、Ａｕの場合は基板との密着性を良くするためＣｒ等
の下地電極が用いられる）、その上にレジストを塗布
し、所定のパターンを施してあるマスクを用い露光・現
像してマスクパターンをレジストパターンに転写した
後、レジストパターンをマスクとして上記電極膜をエッ
チングし、エッチング完了後にレジストパターンを剥離
することで所定の電極パターンを圧電基板上に形成す
る。
る。工程１〜７は、従来の一般的な製造工法であり、十
分洗浄されたＬｉＮｂＯ3，ＬｉＴａＯ3 等の圧電基板
上にＩＤＴ等の電極を形成するためのＡｌやＡｕの金属
薄膜をＥＢ（電子ビーム）蒸着等により被着させ（但
し、Ａｕの場合は基板との密着性を良くするためＣｒ等
の下地電極が用いられる）、その上にレジストを塗布
し、所定のパターンを施してあるマスクを用い露光・現
像してマスクパターンをレジストパターンに転写した
後、レジストパターンをマスクとして上記電極膜をエッ
チングし、エッチング完了後にレジストパターンを剥離
することで所定の電極パターンを圧電基板上に形成す
る。
【００１８】次に、図３及び図５の工程８について説明
する。上記工程１〜７で所定の電極パターンすなわちＩ
ＤＴ１０３，バスバー１０４，１０４’，電極端子１０
５，１０５’，引出し電極１０６，１０６’が配設され
た圧電基板１０２上に、温度特性を補償するための絶縁
膜３５をスパッタリング等を用いて被着させる。但し、
この絶縁膜３５の膜厚は表面波の波長λ0 に比べ十分小
さい。この温度特性補償用絶縁膜３５には通常ＳｉＯ2
が用いられるが、このＳｉＯ2 膜は温度特性補償のため
だけでなく、表面保護膜としても用いられることがあ
る。また圧電基板によっては温度特性を補償する必要の
ないものもあるが、その場合でも以下に述べる工法でエ
ッチャント等の条件を十分考慮し、後述する犠牲層等の
材質を選択することで対応できる。本発明の実施例では
以下ＳｉＯ2 膜を付けることを前提として説明する。
する。上記工程１〜７で所定の電極パターンすなわちＩ
ＤＴ１０３，バスバー１０４，１０４’，電極端子１０
５，１０５’，引出し電極１０６，１０６’が配設され
た圧電基板１０２上に、温度特性を補償するための絶縁
膜３５をスパッタリング等を用いて被着させる。但し、
この絶縁膜３５の膜厚は表面波の波長λ0 に比べ十分小
さい。この温度特性補償用絶縁膜３５には通常ＳｉＯ2
が用いられるが、このＳｉＯ2 膜は温度特性補償のため
だけでなく、表面保護膜としても用いられることがあ
る。また圧電基板によっては温度特性を補償する必要の
ないものもあるが、その場合でも以下に述べる工法でエ
ッチャント等の条件を十分考慮し、後述する犠牲層等の
材質を選択することで対応できる。本発明の実施例では
以下ＳｉＯ2 膜を付けることを前提として説明する。
【００１９】次に、図３及び図５の工程９〜１３につい
て説明する。工程９〜１３は、弾性表面波素子が正常に
動作するために必要な振動機能面の表面近傍に中空部分
２０１を作るために必要な犠牲層としてＣｒ（クロム）
をリフトオフ法で形成する工程である。すなわち工程８
の次に、ＳｉＯ2 膜３５の上にレジスト３３を塗布し
（工程９）、振動機能面に対応した部分以外をマスクす
るパターンが形成されたマスク３４を用いて、紫外線
（ＵＶ）により露光・現像をする（工程１０）。ここで
はポジ型レジストを用いるため、紫外線（ＵＶ）が照射
された部分のレジストが溶解除去される。さらにリフト
オフするためのオーバーハング２０４を薬品処理にて形
成する（工程１１）。次に、後工程で除去する犠牲層３
７としてＣｒをＥＢ蒸着等により被着させ、レジストを
除去することで振動機能面上にＣｒ犠牲層３７を形成す
る（工程１２）。後述するように、このＣｒ犠牲層３７
は後工程でエッチングにより除去することで中空部２０
１を形成させるため（工程１３）、中空部２０１の間隙
はこのＣｒ犠牲層３７の膜厚と等しくなる。従って、こ
のＣｒ犠牲層３７の膜厚は表面波の最大振幅より大きく
設定される。すなわち、リフトオフするためのレジスト
３３の膜厚はこのＣｒ膜厚を満足するように設定され
る。
て説明する。工程９〜１３は、弾性表面波素子が正常に
動作するために必要な振動機能面の表面近傍に中空部分
２０１を作るために必要な犠牲層としてＣｒ（クロム）
をリフトオフ法で形成する工程である。すなわち工程８
の次に、ＳｉＯ2 膜３５の上にレジスト３３を塗布し
（工程９）、振動機能面に対応した部分以外をマスクす
るパターンが形成されたマスク３４を用いて、紫外線
（ＵＶ）により露光・現像をする（工程１０）。ここで
はポジ型レジストを用いるため、紫外線（ＵＶ）が照射
された部分のレジストが溶解除去される。さらにリフト
オフするためのオーバーハング２０４を薬品処理にて形
成する（工程１１）。次に、後工程で除去する犠牲層３
７としてＣｒをＥＢ蒸着等により被着させ、レジストを
除去することで振動機能面上にＣｒ犠牲層３７を形成す
る（工程１２）。後述するように、このＣｒ犠牲層３７
は後工程でエッチングにより除去することで中空部２０
１を形成させるため（工程１３）、中空部２０１の間隙
はこのＣｒ犠牲層３７の膜厚と等しくなる。従って、こ
のＣｒ犠牲層３７の膜厚は表面波の最大振幅より大きく
設定される。すなわち、リフトオフするためのレジスト
３３の膜厚はこのＣｒ膜厚を満足するように設定され
る。
【００２０】次に、図４，図６，図７の工程１４〜２０
について説明する。工程１４〜２０は中空部２０１を形
成させるための最終段階の工程である。工程１３の次
に、気密保護用の絶縁膜であるＳｉＯ2 膜３８をスパッ
タリング等で被着させ（工程１４）、さらにその上にレ
ジスト３３を塗布する（工程１５）。次に、犠牲層３７
を抽出するための中空用窓２０３と、端子電極部を露出
させるための接続用窓２０６をつくるためにその他の部
分をマスクする所定のパターンが形成されたマスク３４
を用いて紫外線により露光・現像を行い、マスクパター
ンをレジスト上に転写し（工程１６，１７）、このレジ
ストパターンをマスクとしてＳｉＯ2 膜３８及び３５を
エッチングして所望の窓開けを完了する（工程１８）。
ここで中空用窓２０３は図６，図７の工程１６〜１９の
断面図には示されていないが、これは図７の工程２０
（ｂ）に示すようにＡ−Ａ’断面上には現れず、犠牲層
３７の両端縁部が中空用窓２０３となる。従って、図６
の工程１８では紙面の表裏端部に中空用窓２０３がある
ことになる。さらに余分なレジスト３３を剥離し（工程
１９）、Ｃｒエッチャントにより中空用窓２０３からＣ
ｒ犠牲層３７を抽出するエッチングにより中空部２０１
を形成する（工程２０）。ここで留意しなければいけな
いことは、ＣｒエッチャントがＳｉＯ2 ３８，３５およ
び端子電極１０５，１０５’，圧電基板１０２（接続用
及び中空用窓開け時ＳｉＯ2３８，３５をエッチングす
るとマスクと犠牲層３７との位置関係で基板表面の一部
が露出する場合がある）を侵さないようにすることであ
る。
について説明する。工程１４〜２０は中空部２０１を形
成させるための最終段階の工程である。工程１３の次
に、気密保護用の絶縁膜であるＳｉＯ2 膜３８をスパッ
タリング等で被着させ（工程１４）、さらにその上にレ
ジスト３３を塗布する（工程１５）。次に、犠牲層３７
を抽出するための中空用窓２０３と、端子電極部を露出
させるための接続用窓２０６をつくるためにその他の部
分をマスクする所定のパターンが形成されたマスク３４
を用いて紫外線により露光・現像を行い、マスクパター
ンをレジスト上に転写し（工程１６，１７）、このレジ
ストパターンをマスクとしてＳｉＯ2 膜３８及び３５を
エッチングして所望の窓開けを完了する（工程１８）。
ここで中空用窓２０３は図６，図７の工程１６〜１９の
断面図には示されていないが、これは図７の工程２０
（ｂ）に示すようにＡ−Ａ’断面上には現れず、犠牲層
３７の両端縁部が中空用窓２０３となる。従って、図６
の工程１８では紙面の表裏端部に中空用窓２０３がある
ことになる。さらに余分なレジスト３３を剥離し（工程
１９）、Ｃｒエッチャントにより中空用窓２０３からＣ
ｒ犠牲層３７を抽出するエッチングにより中空部２０１
を形成する（工程２０）。ここで留意しなければいけな
いことは、ＣｒエッチャントがＳｉＯ2 ３８，３５およ
び端子電極１０５，１０５’，圧電基板１０２（接続用
及び中空用窓開け時ＳｉＯ2３８，３５をエッチングす
るとマスクと犠牲層３７との位置関係で基板表面の一部
が露出する場合がある）を侵さないようにすることであ
る。
【００２１】次に、図４，図７の工程２１以後について
説明をする。工程２０までで振動機能面上に中空部２０
１をもつ構造が完了するが、中空部２０１に気密性を持
たせるために工程２１で中空用窓２０３を封止用樹脂３
９で目止めを行い、ウエハ上の弾性表面波装置ができ上
る。この封止用樹脂３９には、粘度管理が十分なされる
ことにより、中空部２０１に流入しないようにすること
ができる。次の工程２２でウエハ上の多数の弾性表面波
装置の特性検査を行い、工程２３で個々の弾性表面波装
置に分割（ダイシング）して（工程２３）本発明の弾性
表面波装置２０５が完成する。図７の工程２０，２１の
斜視図は１つの弾性表面波装置を示してあるが、この工
程までは、図２に示したように、ウエハ３１上で多数個
同時に処理されることは言うまでもない。以上のよう
に、本発明では、工程２１までウエハ３１上で処理され
た後ダイシングにより分割しただけで、振動機能面に中
空気密構造をもつ弾性表面波装置２０５が得られるた
め、従来のパッケージは必要なくなり、かつ、ＩＣチッ
プと同様に扱うことができる構造を実現することができ
る。また、上記説明は温度特性補償膜または保護膜とし
てのＳｉＯ2 膜３５を有している場合について行った
が、ＳｉＯ2 膜３５がない場合においても、犠牲層と、
中空部を形成するための絶縁膜の組合せを十分考慮する
ことにより実施可能である。すなわち、犠牲層のエッチ
ャントによって中空部の絶縁膜３８及び電極及び圧電基
板が侵されない材質を選択することにより、本発明の方
法が有効であることは明白である。
説明をする。工程２０までで振動機能面上に中空部２０
１をもつ構造が完了するが、中空部２０１に気密性を持
たせるために工程２１で中空用窓２０３を封止用樹脂３
９で目止めを行い、ウエハ上の弾性表面波装置ができ上
る。この封止用樹脂３９には、粘度管理が十分なされる
ことにより、中空部２０１に流入しないようにすること
ができる。次の工程２２でウエハ上の多数の弾性表面波
装置の特性検査を行い、工程２３で個々の弾性表面波装
置に分割（ダイシング）して（工程２３）本発明の弾性
表面波装置２０５が完成する。図７の工程２０，２１の
斜視図は１つの弾性表面波装置を示してあるが、この工
程までは、図２に示したように、ウエハ３１上で多数個
同時に処理されることは言うまでもない。以上のよう
に、本発明では、工程２１までウエハ３１上で処理され
た後ダイシングにより分割しただけで、振動機能面に中
空気密構造をもつ弾性表面波装置２０５が得られるた
め、従来のパッケージは必要なくなり、かつ、ＩＣチッ
プと同様に扱うことができる構造を実現することができ
る。また、上記説明は温度特性補償膜または保護膜とし
てのＳｉＯ2 膜３５を有している場合について行った
が、ＳｉＯ2 膜３５がない場合においても、犠牲層と、
中空部を形成するための絶縁膜の組合せを十分考慮する
ことにより実施可能である。すなわち、犠牲層のエッチ
ャントによって中空部の絶縁膜３８及び電極及び圧電基
板が侵されない材質を選択することにより、本発明の方
法が有効であることは明白である。
【００２２】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の弾
性表面波装置及びその製造方法を実施することにより、
弾性表面波素子が素子として正常に動作するために必要
な中空部を有しかつ気密性をもたせる構造を、前工程す
なわちウエハ単位で形成することが可能となるため、量
産効果が得られ、かつ従来から用いられていたセラミッ
クケース等のパッケージを必要としないため、低価格
化，小型化，薄型化が図れると同時に、ＩＣベアチップ
と同様な取扱が可能となるため、複数個のベアチップを
同時に実装するマルチチップモジュール（ＭＣＭ）等へ
の応用範囲が拡大され極めて大きな効果が得られる。
性表面波装置及びその製造方法を実施することにより、
弾性表面波素子が素子として正常に動作するために必要
な中空部を有しかつ気密性をもたせる構造を、前工程す
なわちウエハ単位で形成することが可能となるため、量
産効果が得られ、かつ従来から用いられていたセラミッ
クケース等のパッケージを必要としないため、低価格
化，小型化，薄型化が図れると同時に、ＩＣベアチップ
と同様な取扱が可能となるため、複数個のベアチップを
同時に実装するマルチチップモジュール（ＭＣＭ）等へ
の応用範囲が拡大され極めて大きな効果が得られる。
【図１】本発明の実施例を示す弾性表面波装置の構造図
である。
である。
【図２】ウエハ上に形成された本発明の実施例の斜視図
である。
である。
【図３】本発明の実施例の製造工程の前半を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図４】本発明の実施例の製造工程の後半を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図５】本発明の製造過程の一部を示す構造説明図であ
る。
る。
【図６】本発明の製造過程の一部を示す構造説明図であ
る。
る。
【図７】本発明の製造過程の一部を示す構造説明図であ
る。
る。
【図８】弾性表面波素子の平面図である。
【図９】従来の構造例図である。
【図１０】従来の構造例図である。
１〜２３ 工程番号
３１ ウエハ
３３ フォトレジスト
３４ フォトマスク
３５ 温度特性補償用絶縁膜（ＳｉＯ2 ）
３７ 犠牲層（Ｃｒ）
３８ 絶縁膜（ＳｉＯ2 ）
３９ 封止樹脂
４７ 接着剤
４８ ワイヤ
５０ セラミックケース
５１ 外部電極
５２ キャップ
１０１ 弾性表面波素子
１０２ 圧電基板
１０３ すだれ状電極（ＩＤＴ：Interdigital Transdu
cer ） １０４，１０４’ バスバー １０５，１０５’ 端子電極 １０６，１０６’ 引出し電極 １０７ 振動機能面 ２０１ 中空部 ２０２ 従来の弾性表面波装置 ２０３ 中空用窓 ２０４ オーバーハング ２０５ 本発明の弾性表面波装置 ２０６ 接続用窓
cer ） １０４，１０４’ バスバー １０５，１０５’ 端子電極 １０６，１０６’ 引出し電極 １０７ 振動機能面 ２０１ 中空部 ２０２ 従来の弾性表面波装置 ２０３ 中空用窓 ２０４ オーバーハング ２０５ 本発明の弾性表面波装置 ２０６ 接続用窓
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭62−56010（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−18139（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−48216（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−116211（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−162899（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−97612（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−90872（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−267975（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 9/25
H03H 3/08
Claims (8)
- 【請求項１】 圧電基板と、該圧電基板上に形成された
すだれ状電極を含み弾性表面波の振動に寄与する振動機
能面をなす電極部と前記すだれ状電極に連接された端子
電極と、前記振動機能面上の中空部分の端縁部を除いて
覆うように形成された絶縁膜と、前記端縁部を塞ぐよう
に形成された樹脂とを備え、 前記樹脂により塞がれる端縁部が、前記振動機能面の外
周上で、かつ前記端子電極が配設されていない両端部に
位置していることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記絶縁膜は、酸化シリコンで構成され
たことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 ウエハ状の圧電基板上に、すだれ状電極
を含み弾性表面波の振動に寄与する振動機能面をなす電
極部と前記すだれ状電極に連接された端子電極とを形成
する電極形成工程と、前記振 動機能面上に犠牲層をリフトオフ法により形成す
る犠牲層形成工程と、 次に、全面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、 前記絶縁膜の上からフォトレジストを塗布し、前記振動
機能面の端縁部に対応する部分と前記端子電極に対応す
る部分が露出するように露光，現像処理をした後、前記
絶縁膜をエッチングして中空用窓と接続用窓とを形成す
る第１のエッチング工程と、 前記中空用窓と接続用窓以外に残る余分の前記フォトレ
ジストを剥離した後、該中空用窓を介して前記犠牲層を
抽出して取り除く第２のエッチング工程と、 前記中空用窓を封止用樹脂で塞ぐ封止工程と、 前記ウエハ上に形成された多数の弾性表面波装置をチッ
プ状に分割するダイシング工程とを備えた弾性表面波装
置の製造方法。 - 【請求項４】 圧電基板と、該圧電基板上に形成された
すだれ状電極を含み弾性表面波の振動に寄与する振動機
能面をなす電極部と前記すだれ状電極に連接された端子
電極と、前記電極が形成された圧電基板上の全面に弾性
表面波の波長に比べて十分小さい膜厚で形成された第１
の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に前記振動機能面上
の中空部分の端縁部を除いて覆うように形成された第２
の絶縁膜と、前記端縁部を塞ぐように形成された樹脂と
を備え、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜には、 前記端子電
極部分が露出するように接続用窓が設けられたことを特
徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項５】 前記第１及び第２の絶縁膜は、酸化シリ
コンで構成されたことを特徴とする請求項４に記載の弾
性表面波装置。 - 【請求項６】 ウエハ状の圧電基板上に、すだれ状電極
を含み弾性表面波の振動に寄与する振動機能面をなす電
極部と前記すだれ状電極に連接された端子電極とを形成
する電極形成工程と、 前記電極が形成された圧電基板上の全面に弾性表面波の
波長に比べて十分小さい膜厚の第１の絶縁膜を形成する
第１の絶縁膜形成工程と、 前記振 動機能面に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、 次に、全面に第２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形成
工程と、 前記第２の絶縁膜の上からフォトレジストを塗布し、前
記振動機能面の端縁部に対応する部分と前記端子電極に
対応する部分が露出するように露光，現像処理をした
後、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とをエッチン
グして中空用窓と接続用窓とを形成する第１のエッチン
グ工程と、 前記中空用窓と接続用窓以外に残る余分の前記フォトレ
ジストを剥離した後、該中空用窓を介して前記犠牲層を
抽出して取り除く第２のエッチング工程と、 前記中空用窓を封止用樹脂で塞ぐ封止工程と、 前記ウエハ上に形成された多数の弾性表面波装置をチッ
プ状に分割するダイシング工程とを備えた弾性表面波装
置の製造方法。 - 【請求項７】 前記第１及び第２の絶縁膜は、酸化シリ
コンで構成されたことを特徴とする請求項６に記載の弾
性表面波装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記犠牲層は、クロムで構成されたこと
を特徴とする請求項６又は７に記載の弾性表面波装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33516094A JP3390554B2 (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33516094A JP3390554B2 (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181564A JPH08181564A (ja) | 1996-07-12 |
| JP3390554B2 true JP3390554B2 (ja) | 2003-03-24 |
Family
ID=18285445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33516094A Expired - Fee Related JP3390554B2 (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3390554B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000114918A (ja) | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
| US6339276B1 (en) * | 1999-11-01 | 2002-01-15 | Agere Systems Guardian Corp. | Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion |
| FR2832136B1 (fr) * | 2001-11-09 | 2005-02-18 | 3D Plus Sa | Dispositif d'encapsulation hermetique de composant devant etre protege de toute contrainte |
| DE10200869A1 (de) * | 2002-01-11 | 2003-07-31 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Erzeugen einer Schutzabdeckung für ein Bauelement |
| JP4544965B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2010-09-15 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置およびその製造方法ならびにその弾性表面波装置を備えた通信装置 |
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