JPH06120759A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子の製造方法Info
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- JPH06120759A JPH06120759A JP26520992A JP26520992A JPH06120759A JP H06120759 A JPH06120759 A JP H06120759A JP 26520992 A JP26520992 A JP 26520992A JP 26520992 A JP26520992 A JP 26520992A JP H06120759 A JPH06120759 A JP H06120759A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 弾性表面波素子に関し、製品の信頼性が優
れ、且つ製造歩留りの良い製造方法を実用化することを
目的とする。 【構成】 圧電体基板（１）上に耐熱性絶縁材料を用
い、櫛形電極の厚さよりも遙かに厚い第１の絶縁膜
（２）を形成する工程と、圧電体基板（１）上にある該
第１の絶縁膜（２）の櫛形電極形成位置を圧電体基板
（１）まで選択エッチングする工程と、圧電体基板
（１）上に櫛形電極の厚さと等しくなるまで櫛形電極形
成材（３）を一様に膜形成する工程と、圧電体基板
（１）上にレジストを塗布して第２の絶縁膜（４）を形
成する工程と、先にパターン形成した第１の絶縁膜
（２）の上にある第２の絶縁膜（４）および櫛形電極形
成材（３）とをドライエッチングして除去する工程と、
圧電体基板（１）上の櫛形電極形成材（３）の上にある
第２の絶縁膜（４）と、第１の絶縁膜（２）とをドライ
エッチングして除去する工程と、から櫛形電極を形成す
ることを特徴として弾性表面波素子の製造方法を構成す
る。
れ、且つ製造歩留りの良い製造方法を実用化することを
目的とする。 【構成】 圧電体基板（１）上に耐熱性絶縁材料を用
い、櫛形電極の厚さよりも遙かに厚い第１の絶縁膜
（２）を形成する工程と、圧電体基板（１）上にある該
第１の絶縁膜（２）の櫛形電極形成位置を圧電体基板
（１）まで選択エッチングする工程と、圧電体基板
（１）上に櫛形電極の厚さと等しくなるまで櫛形電極形
成材（３）を一様に膜形成する工程と、圧電体基板
（１）上にレジストを塗布して第２の絶縁膜（４）を形
成する工程と、先にパターン形成した第１の絶縁膜
（２）の上にある第２の絶縁膜（４）および櫛形電極形
成材（３）とをドライエッチングして除去する工程と、
圧電体基板（１）上の櫛形電極形成材（３）の上にある
第２の絶縁膜（４）と、第１の絶縁膜（２）とをドライ
エッチングして除去する工程と、から櫛形電極を形成す
ることを特徴として弾性表面波素子の製造方法を構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は信頼性の優れた弾性表面
波素子の製造方法に関する。弾性表面波（Surface Acou
stic Wave 略してSAW)素子は圧電体基板上に電気信号を
SAW に変更する電気−機械変換用の櫛形電極を設けた構
造をとり、フイルタ，遅延線，共振器などの機能をもつ
固体素子である。
波素子の製造方法に関する。弾性表面波（Surface Acou
stic Wave 略してSAW)素子は圧電体基板上に電気信号を
SAW に変更する電気−機械変換用の櫛形電極を設けた構
造をとり、フイルタ，遅延線，共振器などの機能をもつ
固体素子である。
【０００２】そして現在、ＴＶのＩＦ（中間周波）フィ
ルタ，ＶＴＲ（Video Tape Recoder) の発振器用共振
器, コードレス電話用ＶＣＯ（Voltage Controll Oscil
lator)などに使用されている。
ルタ，ＶＴＲ（Video Tape Recoder) の発振器用共振
器, コードレス電話用ＶＣＯ（Voltage Controll Oscil
lator)などに使用されている。
【０００３】
【従来の技術】図２は弾性表面波素子の構成を示す斜視
図であって、圧電体基板１の上に入力側の櫛形電極６と
出力側の櫛形電極７を備えて構成されている。
図であって、圧電体基板１の上に入力側の櫛形電極６と
出力側の櫛形電極７を備えて構成されている。
【０００４】また、図３は櫛形電極の平面模式図であ
る。こゝで、図３に示す櫛形電極の周期をｘ，図２に示
す入力側の櫛形電極６と出力側の櫛形電極７との間隔を
Ｌ，圧電材料によって決まる弾性表面波の伝播速度ｖと
すると、入力信号の周波数ｆがｖ／ｘと一致する場合は
最も効率よく弾性表面波が発生するため入力側と出力側
に櫛形電極を備えることにより周波数フィルタを形成す
ることができる。
る。こゝで、図３に示す櫛形電極の周期をｘ，図２に示
す入力側の櫛形電極６と出力側の櫛形電極７との間隔を
Ｌ，圧電材料によって決まる弾性表面波の伝播速度ｖと
すると、入力信号の周波数ｆがｖ／ｘと一致する場合は
最も効率よく弾性表面波が発生するため入力側と出力側
に櫛形電極を備えることにより周波数フィルタを形成す
ることができる。
【０００５】また、Ｌ／ｖだけ信号の遅延が生ずるため
に遅延線として機能する。こゝで、櫛形電極がパターン
形成される圧電材料の必要条件として、 電気機械結合係数が大きいこと 伝播損失が少ないこと 遅延時間温度特性が小さいこと 大型で均質な材料が容易に得られること などが挙げられるが、これらの条件を総て満たす材料は
得られておらず、ニオブ酸リチウム(LiNbO3), タンタル
酸リチウム(LiTaO3), 水晶, 圧電セラミックス(例えばP
ZT)などの内、必要とするデバイスの特性にあわせて材
料を選択し基板としている。
に遅延線として機能する。こゝで、櫛形電極がパターン
形成される圧電材料の必要条件として、 電気機械結合係数が大きいこと 伝播損失が少ないこと 遅延時間温度特性が小さいこと 大型で均質な材料が容易に得られること などが挙げられるが、これらの条件を総て満たす材料は
得られておらず、ニオブ酸リチウム(LiNbO3), タンタル
酸リチウム(LiTaO3), 水晶, 圧電セラミックス(例えばP
ZT)などの内、必要とするデバイスの特性にあわせて材
料を選択し基板としている。
【０００６】そして、圧電体基板上にアルミニウム(Al)
またはアルミニウム・銅(Al-Cu) 合金を蒸着して薄膜を
作り、これに写真蝕刻技術( フォトリソグラフィ) を用
いて入力側の櫛形電極６と出力側の櫛形電極７をパター
ンを形成している。
またはアルミニウム・銅(Al-Cu) 合金を蒸着して薄膜を
作り、これに写真蝕刻技術( フォトリソグラフィ) を用
いて入力側の櫛形電極６と出力側の櫛形電極７をパター
ンを形成している。
【０００７】こゝで、電極パターンの形成方法として
は、 リフトオフ法 化学エッチング法 反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いる方法 イオンビームエッチング（ＩＢＥ）を用いる方法 などがあるが、それぞれに問題がある。
は、 リフトオフ法 化学エッチング法 反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いる方法 イオンビームエッチング（ＩＢＥ）を用いる方法 などがあるが、それぞれに問題がある。
【０００８】すなわち、の方法は櫛形電極形成位置を
除いて圧電体基板（以下略して基板）上にレジストを被
覆した後、櫛形電極形成材（以下略して電極材）を膜形
成し、レジストを除去することにより櫛形電極を形成す
る方法である。
除いて圧電体基板（以下略して基板）上にレジストを被
覆した後、櫛形電極形成材（以下略して電極材）を膜形
成し、レジストを除去することにより櫛形電極を形成す
る方法である。
【０００９】然し、この方法の問題点はレジストの耐熱
性が良くないために電極材を膜形成する段階で基板加熱
を行なうことができない。そのため、パターン形成した
櫛形電極の基板への密着性が悪く、これによりデバイス
の製造歩留りが低いことである。
性が良くないために電極材を膜形成する段階で基板加熱
を行なうことができない。そのため、パターン形成した
櫛形電極の基板への密着性が悪く、これによりデバイス
の製造歩留りが低いことである。
【００１０】の方法は燐酸（H3PO4)と酢酸(CH3COOH)
を含む液に基板を浸漬して蒸着膜をエッチングする方法
であるが、化学エッチングにおいては等方性エッチング
のためにサイドエッチングが進行することから、電極ピ
ッチの狭い高周波デバイスのパターン形成法としては適
していない。
を含む液に基板を浸漬して蒸着膜をエッチングする方法
であるが、化学エッチングにおいては等方性エッチング
のためにサイドエッチングが進行することから、電極ピ
ッチの狭い高周波デバイスのパターン形成法としては適
していない。
【００１１】また、の方法は塩素（Cl2), 四塩化炭素
（ＣCl4), 四塩化硅素（SiCl4), 三塩化硼素（ＢCl3)な
どの塩素系のガスを用い、異方性エッチングを行うため
に垂直な断面をもつ櫛形電極を形成でき、また、基板が
エッチングされない特徴があるものゝ、エッチング面に
Clイオンが吸着し残留するために櫛形電極が腐食すると
云う問題があり、信頼性の面から好ましくない。
（ＣCl4), 四塩化硅素（SiCl4), 三塩化硼素（ＢCl3)な
どの塩素系のガスを用い、異方性エッチングを行うため
に垂直な断面をもつ櫛形電極を形成でき、また、基板が
エッチングされない特徴があるものゝ、エッチング面に
Clイオンが吸着し残留するために櫛形電極が腐食すると
云う問題があり、信頼性の面から好ましくない。
【００１２】また、の方法はアルゴン(Ar)ガスを用い
てドライエッチングを行なうもので、垂直な断面をもつ
櫛形電極を形成できるが、エッチング対象に選択性がな
く、基板もエッチングされると云う問題があり、再現性
に乏しい。
てドライエッチングを行なうもので、垂直な断面をもつ
櫛形電極を形成できるが、エッチング対象に選択性がな
く、基板もエッチングされると云う問題があり、再現性
に乏しい。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】弾性表面波素子は圧電
体基板上にAlまたはAl-Cu 合金を蒸着法などにより膜形
成した後、写真蝕刻技術を適用して櫛形電極などをパタ
ーン形成することにより作られている。
体基板上にAlまたはAl-Cu 合金を蒸着法などにより膜形
成した後、写真蝕刻技術を適用して櫛形電極などをパタ
ーン形成することにより作られている。
【００１４】然し、現在用いられている何れのエッチン
グ法も問題がある。そこで、これらの問題のない櫛形電
極形成法を実用化することが課題である。
グ法も問題がある。そこで、これらの問題のない櫛形電
極形成法を実用化することが課題である。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の課題は図１に示す
ように圧電体基板１の上に耐熱性絶縁材料を用い、櫛形
電極の厚さよりも遙かに厚い第１の絶縁膜２を形成する
工程（同図Ａ）と、圧電体基板１の上にある第１の絶縁
膜２の櫛形電極形成位置を圧電体基板１まで選択エッチ
ングする工程（同図Ｂ）と、圧電体基板１の上に櫛形電
極の厚さと等しくなるまで櫛形電極形成材３を一様に膜
形成する工程（同図Ｃ）と、圧電体基板１の上にレジス
トを塗布して第２の絶縁膜４を形成する工程（同図Ｄ）
と、先にパターン形成した第１の絶縁膜２の上にある第
２の絶縁膜４および櫛形電極形成材３とをドライエッチ
ングして除去する工程（同図Ｅ）と、圧電体基板１の上
の櫛形電極形成材３の上にあるレジストと第１の絶縁膜
２とをドライエッチングして除去する工程（同図Ｆ）と
で櫛形電極を形成することにより弾性表面波素子の製造
方法を構成することにより解決することができる。
ように圧電体基板１の上に耐熱性絶縁材料を用い、櫛形
電極の厚さよりも遙かに厚い第１の絶縁膜２を形成する
工程（同図Ａ）と、圧電体基板１の上にある第１の絶縁
膜２の櫛形電極形成位置を圧電体基板１まで選択エッチ
ングする工程（同図Ｂ）と、圧電体基板１の上に櫛形電
極の厚さと等しくなるまで櫛形電極形成材３を一様に膜
形成する工程（同図Ｃ）と、圧電体基板１の上にレジス
トを塗布して第２の絶縁膜４を形成する工程（同図Ｄ）
と、先にパターン形成した第１の絶縁膜２の上にある第
２の絶縁膜４および櫛形電極形成材３とをドライエッチ
ングして除去する工程（同図Ｅ）と、圧電体基板１の上
の櫛形電極形成材３の上にあるレジストと第１の絶縁膜
２とをドライエッチングして除去する工程（同図Ｆ）と
で櫛形電極を形成することにより弾性表面波素子の製造
方法を構成することにより解決することができる。
【００１６】
【作用】本発明はレジストの代わりに耐熱性絶縁物をカ
バー材としてリフトオフを行ない櫛形電極をパターン形
成するものである。
バー材としてリフトオフを行ない櫛形電極をパターン形
成するものである。
【００１７】こゝで、櫛形電極を構成する電極材はAlま
たはAl-Cu 合金よりなるためにエッチングされ易く、一
方、リフトオフのカバー材として働く第１の絶縁膜は二
酸化硅素（SiO2）や窒化硅素（Si3N4)などエッチングさ
れにくい材料で構成されることから反応ガス( エッチャ
ント) の選択が重要となる。
たはAl-Cu 合金よりなるためにエッチングされ易く、一
方、リフトオフのカバー材として働く第１の絶縁膜は二
酸化硅素（SiO2）や窒化硅素（Si3N4)などエッチングさ
れにくい材料で構成されることから反応ガス( エッチャ
ント) の選択が重要となる。
【００１８】また、本発明においては、リフトオフ法で
形成する櫛形電極に影響を与えることなくカバー材の上
の電極材を除去するためにカバー材の厚さを櫛形電極の
厚さに較べて充分に厚く形成することが必要である。
形成する櫛形電極に影響を与えることなくカバー材の上
の電極材を除去するためにカバー材の厚さを櫛形電極の
厚さに較べて充分に厚く形成することが必要である。
【００１９】そして、エッチャントを選択してカバー材
をドライエッチングすることにより基板との密着性が良
く、断面が垂直で且つ腐食性イオンの吸着のない櫛形電
極を得るものである。
をドライエッチングすることにより基板との密着性が良
く、断面が垂直で且つ腐食性イオンの吸着のない櫛形電
極を得るものである。
【００２０】
【実施例】以下は800 ＭHz帯用SAW フィルタに適用した
例であり、図１により本発明を説明する。
例であり、図１により本発明を説明する。
【００２１】圧電体基板１としては厚さが500 μm の36
°回転ＹカットＸ伝播LiTaO3を使用した。先ず、RF（高
周波）スパッタ法により圧電体基板１の上にSiO2を1.4
μm の厚さに成膜して第１の絶縁膜２を形成した。（以
上同図Ａ）次に、圧電体基板１をＲＩＥ装置にセット
し、六弗化硫黄（SF6)を反応ガスとして第１の絶縁膜２
の櫛形電極形成位置を基板に達するまでドライエッチン
グした。（以上同図Ｂ）次に、櫛形電極形成材３として
Al-Cu 合金を用い、圧電体基板１を150 ℃に加熱しなが
ら、真空蒸着法により1400Åの厚さに膜形成した。( 以
上同図Ｃ）次に、スピンコート法により櫛形電極形成材
３の上にフォトレジストを塗布して第２の絶縁膜４を形
成した。
°回転ＹカットＸ伝播LiTaO3を使用した。先ず、RF（高
周波）スパッタ法により圧電体基板１の上にSiO2を1.4
μm の厚さに成膜して第１の絶縁膜２を形成した。（以
上同図Ａ）次に、圧電体基板１をＲＩＥ装置にセット
し、六弗化硫黄（SF6)を反応ガスとして第１の絶縁膜２
の櫛形電極形成位置を基板に達するまでドライエッチン
グした。（以上同図Ｂ）次に、櫛形電極形成材３として
Al-Cu 合金を用い、圧電体基板１を150 ℃に加熱しなが
ら、真空蒸着法により1400Åの厚さに膜形成した。( 以
上同図Ｃ）次に、スピンコート法により櫛形電極形成材
３の上にフォトレジストを塗布して第２の絶縁膜４を形
成した。
【００２２】この処理により先に選択エッチングした第
１の絶縁膜２の凹部はフォトレジストよりなる第２の絶
縁膜４により埋められて略平坦となる。（以上同図Ｄ）
次に、圧電体基板１をＲＩＥ装置にセットし、O2ガスを
反応ガスとしてＲＩＥを行なって第２の絶縁膜４を除い
て櫛形電極形成材３を露出させた後、Arガスを反応ガス
としてＩＢＥを行い、櫛形電極形成材３を除去した。
（以上同図Ｅ）次に、O2ガスを反応ガスとしてＲＩＥを
行ない、残留している第２の絶縁膜４を除いた後、反応
ガスをSF6 に代えてＲＩＥを行を行なえば、圧電体基板
１のエッチングを生ずることなく櫛形電極形成材３より
なる櫛形電極を得ることができた。（以上同図Ｆ）な
お、この実施例において第１の絶縁膜２としてSiO2を用
い、選択エッチングを行なう反応ガスとしてSF6 を用い
たが、第１の絶縁膜２としてシリコーン樹脂やポリイミ
ド樹脂を用いてもよく、この場合、前者の反応ガスとし
て弗素系ガスを、また、後者の反応ガスとしてO2を用い
ても同じ結果を得ることができる。
１の絶縁膜２の凹部はフォトレジストよりなる第２の絶
縁膜４により埋められて略平坦となる。（以上同図Ｄ）
次に、圧電体基板１をＲＩＥ装置にセットし、O2ガスを
反応ガスとしてＲＩＥを行なって第２の絶縁膜４を除い
て櫛形電極形成材３を露出させた後、Arガスを反応ガス
としてＩＢＥを行い、櫛形電極形成材３を除去した。
（以上同図Ｅ）次に、O2ガスを反応ガスとしてＲＩＥを
行ない、残留している第２の絶縁膜４を除いた後、反応
ガスをSF6 に代えてＲＩＥを行を行なえば、圧電体基板
１のエッチングを生ずることなく櫛形電極形成材３より
なる櫛形電極を得ることができた。（以上同図Ｆ）な
お、この実施例において第１の絶縁膜２としてSiO2を用
い、選択エッチングを行なう反応ガスとしてSF6 を用い
たが、第１の絶縁膜２としてシリコーン樹脂やポリイミ
ド樹脂を用いてもよく、この場合、前者の反応ガスとし
て弗素系ガスを、また、後者の反応ガスとしてO2を用い
ても同じ結果を得ることができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明の実施により圧電体基板との密着
が良く、櫛形電極の腐食がなく、圧電体基板の損傷がな
く、製造に当たって再現性の良い弾性表面波素子を得る
ことができる。
が良く、櫛形電極の腐食がなく、圧電体基板の損傷がな
く、製造に当たって再現性の良い弾性表面波素子を得る
ことができる。
【図１】本発明の工程を示す断面図である。
【図２】弾性表面波素子の構成を示す斜視図である。
【図３】櫛形電極の平面図である。
１ 圧電体基板 ２ 第１の絶縁膜 ３ 櫛形電極形成材 ４ 第２の絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電体基板（１）上に耐熱性絶縁材料を
用い、櫛形電極の厚さよりも遙かに厚い第１の絶縁膜
（２）を形成する工程と、 圧電体基板（１）上にある該第１の絶縁膜（２）の櫛形
電極形成位置を圧電体基板（１）まで選択エッチングす
る工程と、 該圧電体基板（１）上に櫛形電極の厚さと等しくなるま
で櫛形電極形成材（３）を一様に膜形成する工程と、 該圧電体基板（１）上にレジストを塗布して第２の絶縁
膜（４）を形成する工程と、 先にパターン形成した第１の絶縁膜（２）の上にある第
２の絶縁膜（４）および櫛形電極形成材（３）とをドラ
イエッチングして除去する工程と、 圧電体基板（１）上の櫛形電極形成材（３）の上にある
第２の絶縁膜（４）と、 第１の絶縁膜（２）とをドライエッチングして除去する
工程と、 から櫛形電極を形成することを特徴とする弾性表面波素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26520992A JPH06120759A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26520992A JPH06120759A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120759A true JPH06120759A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17414047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26520992A Withdrawn JPH06120759A (ja) | 1992-10-05 | 1992-10-05 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120759A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424075B1 (en) * | 2001-01-26 | 2002-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and production method thereof |
| US6789297B2 (en) | 1999-04-28 | 2004-09-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Method of manufacturing a surface acoustic wave element |
| US9441958B2 (en) | 2013-08-12 | 2016-09-13 | Ricoh Company, Ltd. | Device, method, and non-transitory computer-readable recording medium to calculate a parameter for calibration |
-
1992
- 1992-10-05 JP JP26520992A patent/JPH06120759A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6789297B2 (en) | 1999-04-28 | 2004-09-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Method of manufacturing a surface acoustic wave element |
| US6810566B2 (en) | 1999-04-28 | 2004-11-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Method of manufacturing a surface acoustic wave element |
| US6424075B1 (en) * | 2001-01-26 | 2002-07-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and production method thereof |
| US9441958B2 (en) | 2013-08-12 | 2016-09-13 | Ricoh Company, Ltd. | Device, method, and non-transitory computer-readable recording medium to calculate a parameter for calibration |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |