JPH01103010A - 弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は１弾性表面波デバイスの製造方法に関するもの
である。

〔発明の概要〕

弾性表面波を使った９例えば１００１００Ｏ帯高周波バ
ンドパスフィルターの主要部は、圧電性基板と、その基
板上に形成された櫛形電極とボンデングパッド、配線電
極から成っている。櫛形電極とボンデングパッド、配線
電極はその目的から、電極の膜厚を異にするので、１回
の膜形成と１回のフォトリングラフィによる微細加工で
は、形成できない。初めに、膜厚約１μｍのボンデスゲ
パッド。

配線電極を形成すると１次に線幅１μｍの櫛形基・極を
形成するときに、ボンデングパッド、配線電極による１
μｍの段差が障害となり、特性を左右する櫛形電極が精
度よく形成できにくい。また逆に。

初めに櫛形電極を形成すると、基板が圧電性のため１次
のボンデングパッド、配線電極形成プロセスにおける昇
温、降温工程で櫛形電極が帯電し。

電極間に放電が起り、櫛形電極が溶断する。この放電を
防止するには、櫛形電極に放電防止電極が必要となる。

そこで１本発明では、初めに櫛形電極部分だけを形成し
、他の部分は未加工のまま残しておき。

櫛形電極を互いに、電気的に接続された状態にし。

放電防止をはかる。次に、櫛形電極部をフォトレジスト
で保護してから、ボンデングパッド、配線電極を形成す
る。櫛形電極部は、フォトレジストで保護されているの
で、ボンデングパッド、配線電極形成における膜形成及
びエツチングプロセスにおいて、ダメージを受けない。

なお、このフォトレジスト保護膜は、ボンデングパッド
、配線電極形成後のフォトレジスト除去のときに除去さ
れろ。

〔従来の技術〕

圧電材料！使った弾性表面波デバイスは、圧電性基板１
例えば水晶、　ＬｔＮｂＯ３，ＬｔＴａＯｓ　、Ｌｌ！
　Ｂ、Ｏｖ　。

圧電セラミックスなど、あるいは圧電性薄膜１例えば、
　ＣｄＳ、　ＺｎＯ，ＡＩＮなどの蒸着あるいはスパッ
タ膜などの圧電材料と前記圧電材料表面の櫛形電極から
成っている。弾性表面波デバイスは、これらの圧電材料
といろいろな形状の櫛形電極の組合せにより、多種多様
な機能を有するデバイスとしているいろな用途に使われ
ている。

この弾性表面波デバイスは例えば、圧電基板ＬｉＴａ０
．を使った高周波バンドパスフィルタでは大略第５図に
示すように、光学研磨された圧電基板ＬｉＴａ０＝表面
上の、入出力櫛形電極２Ａ、２Ｂとイメージ櫛形電極２
Ｃ，２Ｄ、これらの櫛形電極の外側の反射器電極２Ｅ、
ボンデングパッド４Ａ、４Ａ’。

４Ａ”＋と、前記櫛形電極１反射器電極相互間及びボン
デングパッドと各電極間をつなぐ配線電極４Ｂ。

４Ｂ′、４Ｂ″から構成されている。例えば、受信側高
周波バンドパスフィルタでは、アンテナから入って来た
電気信号は、入力端子からボンデングパッド４Ａ′、配
線電極４Ｂ′を経て、入力櫛形電極２Ａに入り、音波信
号に変換され、イメージ櫛形電極２Ｃに入る。音波信号
は、イメージ櫛形電極２Ｃで。

周波数特性を有する電気信号に変換され、出力側のイメ
ージ櫛形電極２Ｄで再度周波数特性を有する音波信号に
変換される。周波数特性を有する音波信号は、出力櫛形
電極２Ｂで電気信号に変換され、配線電極４Ｂ″、ボン
デングパッド４Ａ″を通って、出力端子から出力される
。

二ノ高周波バンドパスフィルタの主要部は、前記のよう
に、　ＬｉＴａ０．基板と、その基板上のＡＩ櫛形電極
、及びＡ＋配線電極、Ａ＋ボンデングパッドで構成され
ている。それぞれの電極は、綴幅約１μｍのＡ１櫛形電
極、線幅２〜５０μｍの配線電極。

幅約１００μｍのボンデングパッドに分けられる。

櫛形電極は、素子の特性を決める電極で、膜厚は約０．
１μｍ、一方配線電極とボンデングパッドの膜厚は、そ
の機能から約１μｍが最適である。このためこれらのＡ
＋電極を１回のＡ＋蒸着と１回のＡＩ微細加工で形成す
ることはできない。少なくとも２回のＡ＋蒸着と２回の
Ａ１微細加工が必要である。

この素子を形成する従来技術としてはＬｉＴａ０一基板
上に初めに膜厚１μｍのボンデングパッド。

配線電極を形成し、しかる後に、ＡＩの直接エツチング
で、線幅１μｍの櫛形電極を形成する直接エツチングプ
ロセス。あるいは第６図から第９図に示すように、初め
にＬｉＴａ０一基板ｌの上に、ＡＩ櫛形電極２を形成す
る（第６図）。次に、フォトレジストによりボンデング
パッド、配線電極形成用リフトオフパターン６を形成す
る（第７図）。ポンデングパノド、配線電極用Ａ１４を
蒸着する（第８図）。フォトレジストリフトオフパター
ン６を除去してボンデングパッド４Ａ、配線電極４Ｂを
形成する（第９図）リフトオフプロセスがある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前述の従来技術には２例えばリフトオフプロセスでは基
板が圧電性のため、ボンデングパッド。

配線電極形成のりフトオフ工程での昇温、降温プロセス
により、櫛形電極が帯電し電極間で放電が起こり、櫛形
電極が溶断する。この電極間の放電を防止するには、櫛
形電極相互間をつなぐ放電防止電極が必要となる。この
放電防止電極が素子特性に悪影響を及ぼすという欠点が
ある。本発明はこれらの欠点を解決するため、放電防止
電極を残すことなしに、線幅１μｍの櫛形電極を精度良
く形成することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上記目的を達成するため、初めに線幅１μｍの
櫛形電極を形成するにあたり、櫛形電極部分だけを形成
し、他の部分にＡＩ膜を残し、形成した櫛形電極が電気
的に孤立しないようにする。

次ニ膜厚１μｍのボンデングパッド、配線電極を形成す
るにおいて、従来のリフトオフプロセスでは、櫛形電極
外の放電防止ＡＩ膜の除去ができないめで、フォトレジ
ストパターンによる直接エツチングプロセスにより形成
する。ボンデングパッド、配線電極の直接エツチングプ
ロセスにおけるＡ１膜形成及び、Ａ＋エツチングから、
すでに形成されている櫛形電極を保護するために、ボン
デングパッド、配線電極形成に先立ち、櫛形電極部を７
オトレジストにより保護する。

〔作用〕

その結果、放電防止のＡ１膜はボンデングパッド、配線
電極のＡＩエツチングのときにエツチングされ、余分な
電極は残らない。またボンデングパッド、配線電極の形
成に先立ち、櫛形電極部をフォトレジスト保護膜で保護
するので、初めに形成した櫛形電極はボンデングパット
、配線電極形成プロセスによりダメージを受けることが
ない。

〔実施例〕

以下この発明の一実施例を第１図から第４図により説明
する。１は、圧電基板ＬｉＴａ０．で９表面はメカノケ
ミカル研磨、裏面は＄１２ＱＯ砥粒砂がげ仕上げされて
いる。２は、　Ａｔ櫛形電極で線幅。

スペース幅は、高周波バンドパスフィルタの対象周波数
により異なるが２例えば９００ＭＨｚ帯では線幅１．２
μｍ、スペース幅０．８μｍである。３はフォトレジス
ト保護膜で膜厚は、１〜２μｍである。

４はボンデングパッド、配線電極用ＡＩ膜で１膜厚は約
１μｍである。５はボンデングパッド、配線電極形成エ
ツチングマスクのフォトレジストパターンＯ 以下１本発明による高周波バンドパスフィルタの主要部
、Ａｔ櫛形電極、ボンデングパッド、配線電極の製造プ
ロセスを説明する。圧電基板ＬｉＴａ０゜ｌに膜厚ａ１
μｍでＡＩ膜を蒸着し、フォトリンゲラフィブロセスで
フォトレジストの櫛形電極パターンを形成し、このフォ
トレジストパターンをエツチングマスクにしてＡＩ膜を
エツチングし、フォトレジストを除去して、Ａｔ櫛形電
極２を形成する（第１図）。このときの７オトレジスト
パターンは、櫛形電極部分だけをエツチングするパター
ンとして、他の部分のＡ１膜はそのまま残こし、櫛形電
極間を電気的につなぎ、放電防止ＡＩ膜とする。フォト
レジストを塗布し、フォトリソグラフィプロセスにより
櫛形電極形成に、フォトレジスト保護膜３を形成する（
第２図）。ボンデングパッド、配線電極用ＡＩ膜４を蒸
着し、フォトレジストを塗布し、フォトリンゲラフィブ
ロセスによりボンデングパッド、配線電極用フォトレジ
ストパターン５を形成する（第３図）。フォトレジスト
パターン５をエツチングマスクとして、ＡＩ膜をエツチ
ングし、フォトレジスト５及びフォトレジスト保護膜３
を除去して、Ａｔ櫛形電極２．ボンデングパッド４Ａ、
配線電極４Ｂの形成が完了する（第４図）。

以下この作用について説明する。線幅１μｍの微細パタ
ーンをフォトリンゲラフィブロセスで形成する露光方法
として密着露光がある。密着露光では、フォトレジスト
面すなわち、　ＡＩ　蒸着面すなわち基板面が平滑面で
ないと、露光マスクとの密着が不完全となり、正確なパ
ターンがフォトレジストに転写されない。この点から、
線幅１μｍの櫛形電極を初めに形成することは、精度良
く櫛形電極を形成する上で有効である。初めに櫛形電極
を形成することの問題点は、放電防止対策が必要となる
ことである。この対策として、櫛形電極形成において櫛
形電極部だけを形成し、他の部分を放電防止ＡＩ膜とし
て残す。残こされた放電防止Ａ１膜は、形成された櫛形
電極をフォトレジスト保護膜で保護することにより、ボ
ンデングパッド、配線電極の形成をＡＩの直接エツチン
グで出来るようにして、ポンデングバノド、配緋電極の
エツチングのときに同時に除去することが可能となる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、初めに寸法精度が要求される櫛形電極
ｔフォトリンゲラフィブロセスの密着蕗光に障害となる
他のパターンが存在しない状態で。

部分エツチングにより櫛形電極が孤立しないよ５知形成
し、この櫛形電極をフォトレジスト保護膜で保護するこ
とにより、余分な放電防止電極パターンを残すことな（
１寸法精度の良い櫛形電極が形成できるため、設計通り
の高周波バンドパスフィルタが歩留りよく製造すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は１本発明の高周波バンドパスフィルタ
主要部形成プロセス及び本発明の一実施例を示す製造プ
ロセスを示す断面図、第５図は本発明に係わる高周波バ
ンドパスフィルタの構成図。 第６図〜第９図は従来の高周波バンドパスフィルタ主要
部形成プロセスの一例を示す断面・図である。 １：圧電基板、２：櫛形電極、３ニアオドレジスト保護
膜、４：ボンデングパッド、配線電極。 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．圧電材料，櫛形電極，ボンデングパッド，櫛形電極
   とボンデングパッドをつなぐ配線電極から成る弾性表面
   波デバイスにおいて，初めに微細パターンから成る櫛形
   電極部分を，櫛形電極相互間が少なくとも電気的に短絡
   状態で形成される工程，次に，前記櫛形電極部分に例え
   ばフォトレジストによる保護膜を形成する工程，次に，
   ボンデングパッド，配線電極を形成する工程から成るこ
   とを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。