JPS63204809A - 弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスの製造方法Info
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- JPS63204809A JPS63204809A JP3554287A JP3554287A JPS63204809A JP S63204809 A JPS63204809 A JP S63204809A JP 3554287 A JP3554287 A JP 3554287A JP 3554287 A JP3554287 A JP 3554287A JP S63204809 A JPS63204809 A JP S63204809A
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は２弾性表面波デバイスの製造方法に関するもの
である。
である。
弾性表面波を使った高周波バンドパスフィルタは、大略
、圧電性基板と櫛形音電変換電極、ボンデングパッド、
櫛形音電変換電極とボンデングパッドをつなぐ引き可し
電極から構成されている。
、圧電性基板と櫛形音電変換電極、ボンデングパッド、
櫛形音電変換電極とボンデングパッドをつなぐ引き可し
電極から構成されている。
この高周波バンドパスフィルタでは９周波数が高くなる
にしたがい、櫛形音電変換電極の線幅は。
にしたがい、櫛形音電変換電極の線幅は。
微細になり９例えば、 ９００Ｍ１ね帯では、線幅は。
約１．２μｍとなる。線幅１．２μｍの電極を精度良く
加工するには、光を使った微細加工技術・ホトリソグラ
フィプロセスにおいで、露光マスクと、櫛形音電変換電
極形成基板との密着を良くすることが必要である。しか
し、この櫛形音電変換電極形成基板には、前もって形成
されているボンデングパッド及び引き回し電極があり、
その高さは、約１μｍある。線幅１．２μｍのパターン
を段差１μｍの凹凸がある基板に精度良く、形成するの
は難かしい。
加工するには、光を使った微細加工技術・ホトリソグラ
フィプロセスにおいで、露光マスクと、櫛形音電変換電
極形成基板との密着を良くすることが必要である。しか
し、この櫛形音電変換電極形成基板には、前もって形成
されているボンデングパッド及び引き回し電極があり、
その高さは、約１μｍある。線幅１．２μｍのパターン
を段差１μｍの凹凸がある基板に精度良く、形成するの
は難かしい。
そこで、線幅１．２の櫛形音電変換電極を形成する前に
、圧電基板に、ボンデングバット及び引き回し電極を形
成する位置に２例えばエツチングにより凹部な設けて、
ボンデングバット及び引き回し電極を埋込んで、１μｍ
の段差を少なくすることが必要となる。
、圧電基板に、ボンデングバット及び引き回し電極を形
成する位置に２例えばエツチングにより凹部な設けて、
ボンデングバット及び引き回し電極を埋込んで、１μｍ
の段差を少なくすることが必要となる。
圧電材料を使った弾性表面波デバイスは、圧電性基板＋
例エバ、 水晶、 ＬｉＮｂＯ３＋ ＬｉＴａＯ３＋
Ｌｉ２＆０７゜圧電セラミックスなど、あるいは、圧
電性薄膜。
例エバ、 水晶、 ＬｉＮｂＯ３＋ ＬｉＴａＯ３＋
Ｌｉ２＆０７゜圧電セラミックスなど、あるいは、圧
電性薄膜。
例えば、 ＣｄＳ 、 ＺｎＯ、ＡｆｆｌＮなどの蒸着
あるいはスパッタ膜などの圧電材料と前記圧電材料表面
上の櫛形音電変換電極から成っている。弾性表面波デバ
イスは、これらの圧電材料といろいろな形状の櫛形音電
変換電極の組合せにより、多種多様な機能を有するデバ
イスとして、いろいろな用途に使われている。
あるいはスパッタ膜などの圧電材料と前記圧電材料表面
上の櫛形音電変換電極から成っている。弾性表面波デバ
イスは、これらの圧電材料といろいろな形状の櫛形音電
変換電極の組合せにより、多種多様な機能を有するデバ
イスとして、いろいろな用途に使われている。
この弾性表面波デバイスは９例えば、圧電基板ＬｉＴａ
Ｏ３を使った高周波バンドパスフィルタでは。
Ｏ３を使った高周波バンドパスフィルタでは。
大略、第２図に示すように、光学研摩された圧電基板Ｌ
ｉＴｃＬＯ：＋表面上の、入出力櫛形音電変換電極１０
Ｂ、１０Ｃとイメージ櫛形音電変換電極１０Ｄ、ＩＯＥ
。
ｉＴｃＬＯ：＋表面上の、入出力櫛形音電変換電極１０
Ｂ、１０Ｃとイメージ櫛形音電変換電極１０Ｄ、ＩＯＥ
。
これらの櫛形音電変換電極の外側の反射器電極１０Ｆ、
ボンデングバット８と、前記櫛形音電変換電極９反射器
電極相互間及びボンデングパッドと各電極をつなぐ引き
回し電極９から構成されている。
ボンデングバット８と、前記櫛形音電変換電極９反射器
電極相互間及びボンデングパッドと各電極をつなぐ引き
回し電極９から構成されている。
例えば、受信側高周波バンドパスフィルタでは。
アンテナから入って来た電気信号は、入力端子から、ボ
ンデングパッド８．引き回わし電極９を経て、入力櫛形
音電変換電極１０Ｂに入り、音波信号に変換され、イメ
ージ櫛形音電変換電極１０Ｄに入る。音波信号は、イメ
ージ櫛形音電変換電極１０Ｄで周波数特性を有する電気
信号に変換され、出力側のイメージ櫛形音電変換電極］
、ＯＥで再度周波数特性を有する音波信号に変換される
。周波数特性を有する音波信号は、出力櫛形音電変換電
極ｉｏｃで、電気信号に変換され、引き回わし電極９．
ボンデングパッド８を通って出力端子から出力される。
ンデングパッド８．引き回わし電極９を経て、入力櫛形
音電変換電極１０Ｂに入り、音波信号に変換され、イメ
ージ櫛形音電変換電極１０Ｄに入る。音波信号は、イメ
ージ櫛形音電変換電極１０Ｄで周波数特性を有する電気
信号に変換され、出力側のイメージ櫛形音電変換電極］
、ＯＥで再度周波数特性を有する音波信号に変換される
。周波数特性を有する音波信号は、出力櫛形音電変換電
極ｉｏｃで、電気信号に変換され、引き回わし電極９．
ボンデングパッド８を通って出力端子から出力される。
この高周波バンドパスフィルタの主要部は、前記のよう
に、 ＬｉＴａＯ３基板と、その基板上のＡｌ櫛形電極
及びｉ引き回し電極、Ａｌボンデングパッドで構成され
ている。それぞれの電極は、線幅約１ｌｔｒｎの微細パ
ターンのＡｌ櫛形電極、線幅２〜５０Ｒｎの中程度パタ
ーンの引き回わし電極２幅約１００μｍパター／のボン
デングパッドに分けられる。
に、 ＬｉＴａＯ３基板と、その基板上のＡｌ櫛形電極
及びｉ引き回し電極、Ａｌボンデングパッドで構成され
ている。それぞれの電極は、線幅約１ｌｔｒｎの微細パ
ターンのＡｌ櫛形電極、線幅２〜５０Ｒｎの中程度パタ
ーンの引き回わし電極２幅約１００μｍパター／のボン
デングパッドに分けられる。
櫛形電極は、素子の特性を決める電極で、膜厚は約０．
１μｍ、一方、引き回し電極とボンデングパッドは、そ
の機能から、膜厚は０５〜１μｍが最適値となっている
。このため、これらの電極を１回のＡｄ蒸着と１回の微
細加工で形成することはできな（・。少なくとも２回の
Ａｌ蒸着と２回の微細加工が必要である。
１μｍ、一方、引き回し電極とボンデングパッドは、そ
の機能から、膜厚は０５〜１μｍが最適値となっている
。このため、これらの電極を１回のＡｄ蒸着と１回の微
細加工で形成することはできな（・。少なくとも２回の
Ａｌ蒸着と２回の微細加工が必要である。
この素子を製造する従来技術としては、 ＬｉＴ、２０
３平面基板上に、初めに、ａＩ幅約１μｍの櫛形電極パ
ターンを形成し、しかる後に、リフトオフにより引き回
わし電極及びボンデングパッドを形成するリフトオフプ
ロセス。あるいは、第３図Ａに示すように、初めに引き
回し電極９．ボンデングバット８を形成する。次に、第
３図Ｂに示すように。
３平面基板上に、初めに、ａＩ幅約１μｍの櫛形電極パ
ターンを形成し、しかる後に、リフトオフにより引き回
わし電極及びボンデングパッドを形成するリフトオフプ
ロセス。あるいは、第３図Ａに示すように、初めに引き
回し電極９．ボンデングバット８を形成する。次に、第
３図Ｂに示すように。
櫛形電極のＡｌｌ０を蒸着し、ホトレジスト１１を塗布
する。第３図Ｃに示すように、露光、現像によりホトレ
ジスト櫛形電極パターンＩＩＡを形成する。
する。第３図Ｃに示すように、露光、現像によりホトレ
ジスト櫛形電極パターンＩＩＡを形成する。
最後に第３図りに示すようにＡｌをエツチングし。
ホトレジスｌ−１１Ａを除去してＡ、ｌ櫛形電極１０Ａ
を形成する直接エッチプロセスが一般的である。
を形成する直接エッチプロセスが一般的である。
前述の従来技術には１例えば、直接エッチプロセスでは
、初めに形成した引き回し電極、ボンデングパッドの約
１μｍの段差が、線幅約１μｍの櫛形電極パターンの近
傍にあるため、櫛形電極パターンの切れが悪くなり、素
子特性低下の原因となる欠点がある。本発明は、これら
の欠点を解決するため、前述直接エッチプロセスにおい
て、櫛形電極パターン形成プロセスに先だって、引き回
し電極及びボンデングバットによる約１、αｍの段差を
平滑化することを目的とする。
、初めに形成した引き回し電極、ボンデングパッドの約
１μｍの段差が、線幅約１μｍの櫛形電極パターンの近
傍にあるため、櫛形電極パターンの切れが悪くなり、素
子特性低下の原因となる欠点がある。本発明は、これら
の欠点を解決するため、前述直接エッチプロセスにおい
て、櫛形電極パターン形成プロセスに先だって、引き回
し電極及びボンデングバットによる約１、αｍの段差を
平滑化することを目的とする。
本発明は、前記の目的を達成するため、引き回し電極及
びボンデングバットを形成するに先だって、 ＬｉＴａ
Ｏ３基板表面の引き回し電極及びボンデングパット位置
に、これら電極及びパッドの膜厚に相当する深さに、凹
部を設けて、しかる後に。
びボンデングバットを形成するに先だって、 ＬｉＴａ
Ｏ３基板表面の引き回し電極及びボンデングパット位置
に、これら電極及びパッドの膜厚に相当する深さに、凹
部を設けて、しかる後に。
引き回し電極及びボンデングパッドを形成することによ
り、この素子の特性を決める櫛形電極を。
り、この素子の特性を決める櫛形電極を。
平滑面に形成できるようにしたものである。第１図は２
本発明による素子形成プロセス主要部の概略を示す断面
図である。図において、膜厚１μｍのＡｌ引き回し電極
及びＡｌボンデングパッドは。
本発明による素子形成プロセス主要部の概略を示す断面
図である。図において、膜厚１μｍのＡｌ引き回し電極
及びＡｌボンデングパッドは。
基板表面に設けられた該当位置にある約１μｍの凹部に
埋込められて〜・る。このため、引き回し電極及びボン
デングパッドの次に行うＡｌ櫛形電極形成プロセスは、
平滑面で行われることができる。
埋込められて〜・る。このため、引き回し電極及びボン
デングパッドの次に行うＡｌ櫛形電極形成プロセスは、
平滑面で行われることができる。
その結果、Ａｌ櫛形電極形成でのフォトリングラフィの
露光・焼付けは、露光マスクと基板との密着が十分とれ
るようになり、 Ａｌ櫛形電極は。
露光・焼付けは、露光マスクと基板との密着が十分とれ
るようになり、 Ａｌ櫛形電極は。
精度よく、またエツジの直線性もよいものが得られるよ
うになる。
うになる。
以下この発明の一実施例を第１図Ａ−Ｅにより説明する
。ｌは、圧電基板Ｌｉ１ａｃｓ ６に、ボンデングパッ
ド及び引き回し電極が配置される位置にボンデングパッ
ト及び引き回し電極の膜厚の深さの凹部６Ａを２例えば
、ホトレジストパターン７をエツチングマスクとして、
イオンエツチングによりエツチングしたものである。次
にＢに示すようボンデングバット及び引き回し電極の厚
さのＡｌを蒸着し、ホトレジスト７を除去リフトオフす
ることにより、 ＬｉＴａＯ５基板６の凹部６Ａにボン
デングパッド８及び引き回し電極９を形成したものであ
る。Ｃは、Ａｌ櫛形電極を形成するＡ１１０を蒸着し、
このＡｌ蒸・着膜１０を櫛形電極に微細加工するのに必
要なホトレジスト１１を塗布したものである。Ｄは、ホ
トレジスト１１を露光、現像することにより、櫛形電極
パターンＩＩＡを形成したものである。Ｅは、ホトレジ
ストパターンｌＩＡをエツチングマスクにして２例えば
、リン酸を主成分とするエツチング液によりＡｌをエツ
チングし、ホトレジストパターンＩＩＡを除去し、Ａｌ
櫛形電極１０Ａを形成したものである。以上は本発明に
よる高周波バンドパスフィルタの主要部Ａｌ櫛形電極。
。ｌは、圧電基板Ｌｉ１ａｃｓ ６に、ボンデングパッ
ド及び引き回し電極が配置される位置にボンデングパッ
ト及び引き回し電極の膜厚の深さの凹部６Ａを２例えば
、ホトレジストパターン７をエツチングマスクとして、
イオンエツチングによりエツチングしたものである。次
にＢに示すようボンデングバット及び引き回し電極の厚
さのＡｌを蒸着し、ホトレジスト７を除去リフトオフす
ることにより、 ＬｉＴａＯ５基板６の凹部６Ａにボン
デングパッド８及び引き回し電極９を形成したものであ
る。Ｃは、Ａｌ櫛形電極を形成するＡ１１０を蒸着し、
このＡｌ蒸・着膜１０を櫛形電極に微細加工するのに必
要なホトレジスト１１を塗布したものである。Ｄは、ホ
トレジスト１１を露光、現像することにより、櫛形電極
パターンＩＩＡを形成したものである。Ｅは、ホトレジ
ストパターンｌＩＡをエツチングマスクにして２例えば
、リン酸を主成分とするエツチング液によりＡｌをエツ
チングし、ホトレジストパターンＩＩＡを除去し、Ａｌ
櫛形電極１０Ａを形成したものである。以上は本発明に
よる高周波バンドパスフィルタの主要部Ａｌ櫛形電極。
ボンデングパッド、引き回し電極プロセスの概略を示し
たものである。
たものである。
以下この作用について説明する。線幅１μｍの微細パタ
ーンを形成するプロセスとしては、密着露光によるホト
レジストパターン形成法が一般的である。密着露光では
、ホトレジスト面すなわちＡｌ蒸着面すなわち基板面が
平滑面でないと、露光マスクとの密着が不完全となり、
正確なパターンがホトレジスト面に転写されない。膜厚
約１μｍのボンデングバット８及び引き回し電極９は。
ーンを形成するプロセスとしては、密着露光によるホト
レジストパターン形成法が一般的である。密着露光では
、ホトレジスト面すなわちＡｌ蒸着面すなわち基板面が
平滑面でないと、露光マスクとの密着が不完全となり、
正確なパターンがホトレジスト面に転写されない。膜厚
約１μｍのボンデングバット８及び引き回し電極９は。
ＬｉＴ−０３基板６に形成された凹部６Ａに埋込まれて
いるので、線幅１μｍのＭ櫛形電極パターンＩＯＡを形
成する基板面は、平滑面となっている。このため本発明
のプロセスでは、従来プロセスにおけるボンデングバッ
ト及び引き回し電極による露光面の段差が改善され、露
光マスクパターンが正確にホトレジスト面に転写される
ようになる。
いるので、線幅１μｍのＭ櫛形電極パターンＩＯＡを形
成する基板面は、平滑面となっている。このため本発明
のプロセスでは、従来プロセスにおけるボンデングバッ
ト及び引き回し電極による露光面の段差が改善され、露
光マスクパターンが正確にホトレジスト面に転写される
ようになる。
本発明によれば、ボンデングパッド及び引き回し電極を
基板に埋込むことにより、高周波バンドパスフィルタの
特性を決めるＡｌ櫛形電極形成面を平滑化することがで
き、設計通りの１？櫛形電極を１歩留りよく形成するこ
とができる。
基板に埋込むことにより、高周波バンドパスフィルタの
特性を決めるＡｌ櫛形電極形成面を平滑化することがで
き、設計通りの１？櫛形電極を１歩留りよく形成するこ
とができる。
第１図Ａ−Ｅは２本発明の高周波バンドパスフィルタ主
要部形成プロセス−実施例を示す断面図。 波バンドパスフィルタ主要部形成プロセスの一例を示す
断面図である。１．２．３．４．６ ： ＬｉＴα０３
基板。 ７、１１ ：ホトレジストア８：ポンデングパツド、９
：引き回し電極、 １０ Ａ−１０Ｆ ： Ａｌ櫛形電
極。 く の Ｑ口山
要部形成プロセス−実施例を示す断面図。 波バンドパスフィルタ主要部形成プロセスの一例を示す
断面図である。１．２．３．４．６ ： ＬｉＴα０３
基板。 ７、１１ ：ホトレジストア８：ポンデングパツド、９
：引き回し電極、 １０ Ａ−１０Ｆ ： Ａｌ櫛形電
極。 く の Ｑ口山
Claims (1)
- 少なくとも圧電材料、櫛形音電変換電極、信号入出力
用ボンデングパッド、櫛形音電変換電極と信号入出力用
ボンデングパッドをつなぐ引き回し電極から成る弾性表
面波デバイスにおいて、前記櫛形音電変換電極を形成す
るに先だって、前記信号入出力用ボンデングパッド及び
櫛形音電変換電極と信号入出力用ボンデングパッドをつ
なぐ引き回し電極を、圧電基板表面凹部に埋込むことを
特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3554287A JPS63204809A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3554287A JPS63204809A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204809A true JPS63204809A (ja) | 1988-08-24 |
Family
ID=12444618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3554287A Pending JPS63204809A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63204809A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002087080A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and its manufacture method, and electronic part using it |
| JP2012218330A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Nissha Printing Co Ltd | グラフェンを主成分とする透明導電膜を備えた転写シートとその製造方法 |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP3554287A patent/JPS63204809A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002087080A1 (en) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and its manufacture method, and electronic part using it |
| EP1381156A1 (en) * | 2001-04-19 | 2004-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE AND ITS MANUFACTURE METHOD, AND ELECTRONIC PART USING IT |
| EP1381156A4 (en) * | 2001-04-19 | 2004-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | SURFACE ACOUSTIC WAVE PROCESSING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC COMPONENT USING THE SAME |
| US6972509B2 (en) | 2001-04-19 | 2005-12-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device method of manufacturing the same, and electronic component using the same |
| JP2012218330A (ja) * | 2011-04-11 | 2012-11-12 | Nissha Printing Co Ltd | グラフェンを主成分とする透明導電膜を備えた転写シートとその製造方法 |
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