JPH02156532A - 配向性薄膜パターンの形成方法、配向性薄膜パターンおよび薄膜アレイ超音波変換器の薄膜素子の形成方法 - Google Patents
配向性薄膜パターンの形成方法、配向性薄膜パターンおよび薄膜アレイ超音波変換器の薄膜素子の形成方法Info
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- JPH02156532A JPH02156532A JP63309880A JP30988088A JPH02156532A JP H02156532 A JPH02156532 A JP H02156532A JP 63309880 A JP63309880 A JP 63309880A JP 30988088 A JP30988088 A JP 30988088A JP H02156532 A JPH02156532 A JP H02156532A
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- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は酸化亜鉛（Ｚ ｎ Ｏ）薄膜等の配向性薄膜
のパターンを形成する方法に関するものである。
のパターンを形成する方法に関するものである。
最近においては、エピタキシャル成長等の配向成長によ
り形成された配向性薄膜のパターンが種々のデバイスに
利用されている。
り形成された配向性薄膜のパターンが種々のデバイスに
利用されている。
とくに、配向性薄膜である酸化亜鉛を主成分とする酸化
亜鉛薄膜は圧電薄膜、光導波屹、透明導電膜、ガス感応
膜等として広く用いられているが。
亜鉛薄膜は圧電薄膜、光導波屹、透明導電膜、ガス感応
膜等として広く用いられているが。
酸化亜鉛薄膜をこれらの用途に使用する場合には、酸化
亜鉛薄膜を微細なパターンに加工する必要がある。なお
、酸化亜鉛薄膜のパターンを用いたデバイスについては
、プロシーディング オブ アイ・イー・デー・エム（
１９８３年）６３９〜６４２頁（Ｐｒｏｃ、 ｏｆ Ｉ
ＥＤＭ、 １９８３． ｐ、 ６３９−６４２）におい
て論じられている。
亜鉛薄膜を微細なパターンに加工する必要がある。なお
、酸化亜鉛薄膜のパターンを用いたデバイスについては
、プロシーディング オブ アイ・イー・デー・エム（
１９８３年）６３９〜６４２頁（Ｐｒｏｃ、 ｏｆ Ｉ
ＥＤＭ、 １９８３． ｐ、 ６３９−６４２）におい
て論じられている。
ところで、薄膜に微細なパターンを形成するには、ホト
リソグラフィ技術を用いて形成したレジストパターンを
マスクとして、ドライエツチング、ウェットエツチング
を行なうのが一般的であるが、従来酸化亜鉛薄膜に微細
パターンを形成するには、酸化亜鉛薄膜を等方性エツチ
ング液によりエツチングしている。
リソグラフィ技術を用いて形成したレジストパターンを
マスクとして、ドライエツチング、ウェットエツチング
を行なうのが一般的であるが、従来酸化亜鉛薄膜に微細
パターンを形成するには、酸化亜鉛薄膜を等方性エツチ
ング液によりエツチングしている。
しかしながら、醸化亜鉛薄膜を等方性エツチング液によ
りエツチングしたときには、サイドエッチが大きくなり
、パターン精度が低い。
りエツチングしたときには、サイドエッチが大きくなり
、パターン精度が低い。
この発明は上述の課題を解決するためになされたもので
、パターン精度が高い薄膜パターンの形成方法を提供す
ることを目的とする。
、パターン精度が高い薄膜パターンの形成方法を提供す
ることを目的とする。
この目的を達成するため、この発明においては、基板上
に設けられた配向性薄膜にパターンを形成する方法にお
いて、上記配向性薄膜の配向面を選択的にエツチングす
る異方性エツチングを行なう。
に設けられた配向性薄膜にパターンを形成する方法にお
いて、上記配向性薄膜の配向面を選択的にエツチングす
る異方性エツチングを行なう。
この場合、上記異方性エツチングとして異方性ウェット
エツチング、異方性ドライエツチングを行なう。また、
上記配向性薄膜の主成分を酸化亜鉛とする。
エツチング、異方性ドライエツチングを行なう。また、
上記配向性薄膜の主成分を酸化亜鉛とする。
また、上記配向性薄膜を薄膜アレイ超音波変換器の薄膜
エレメントを形成すべき酸化亜鉛薄膜としてもよい。
エレメントを形成すべき酸化亜鉛薄膜としてもよい。
この場合、上記薄膜エレメント間の断面形状を７字形と
してもよい。
してもよい。
さらに、上記配向性薄膜を透明導電膜を形成すべき酸化
亜鉛薄膜とする。
亜鉛薄膜とする。
この場合、上記透明導電薄膜の膜厚を形成すべきパター
ンの最小ギャップ寸法よりも小さくした方がよい。
ンの最小ギャップ寸法よりも小さくした方がよい。
この薄膜パターンの形成方法においては、酸化亜鉛薄膜
等の配向性薄膜の配向面を選択的にエツチングする異方
性ウェットエツチング、異方性ドライエツチングの異方
性エツチングを行なうから、サイドエッチが生ずること
はない。
等の配向性薄膜の配向面を選択的にエツチングする異方
性ウェットエツチング、異方性ドライエツチングの異方
性エツチングを行なうから、サイドエッチが生ずること
はない。
また、配向性薄膜を薄膜アレイ超音波変換器の薄膜エレ
メントを形成すべき酸化亜鉛薄膜とすれば、薄膜ルメン
トの寸法精度が高くなる。
メントを形成すべき酸化亜鉛薄膜とすれば、薄膜ルメン
トの寸法精度が高くなる。
この場合、薄膜エレメント間の断面形状をＶ字形とすれ
ば、薄膜エレメントの寸法精度がさらに高くなるととも
に、不要応答の少ない超音波ビームを形成することがで
きる。
ば、薄膜エレメントの寸法精度がさらに高くなるととも
に、不要応答の少ない超音波ビームを形成することがで
きる。
さらに、配向性薄膜を透明導電膜を形成すべき酸化亜鉛
薄膜とすれば、精度の高い透明導電膜パターンを形成す
ることが可能である。
薄膜とすれば、精度の高い透明導電膜パターンを形成す
ることが可能である。
この場合、透明導電膜の膜厚を形成すべきパターンの最
小ギャップ寸法よりも小さくすれば、透明導電膜間の溝
の断面形状は矩形状となる。
小ギャップ寸法よりも小さくすれば、透明導電膜間の溝
の断面形状は矩形状となる。
第１図によりこの発明に係る薄膜パターンの形成方法を
説明する。まず、第１図（ａ）に示すように、基板１上
にＣ軸配向した酸化亜鉛を主成分とする膜厚５ＪＩｌの
酸化亜鉛薄膜２を形成し、酸化亜鉛薄膜２上に金、クロ
ム２層膜を形成し、金、クロム２層膜上にフォトレジス
ト（図示せず）を塗布し、フォトリソグラフィ技術を用
いてフォトレジストに７．５声−スペースのライン状パ
ターンを形成し、このフォトレジストパターンをマスク
としてまず金、クロム２層膜を各々ヨウ化アンモニウム
系水溶液、酸を用いてＪ＠次エツチングしてパターンを
転写することにより、マスク３を設け、フォトレジスト
を除去したのち、０面を選択的にエツチングする０面エ
ツチング液を用いて酸化亜鉛薄膜２を異方性エツチング
する。この場合、０面エツチング液としては塩酸、硫酸
にに２Ｃｒ、０７などを微量添加した溶液を希釈して用
いた。すると、酸化亜鉛薄膜２に７字型の溝がまず形成
され、さらにエツチングを続けると、微細なグレインが
Ｃ面からエツチングされるため、第１図（ｂ）に示すよ
うに、マスク３のない部分で横方向にエツチングが進行
する。そして、第１図（ｃ）に示すように、Ｃ面が露出
した部分が全てエツチングされると、その後のエツチン
グ速度は非常に遅くなる。
説明する。まず、第１図（ａ）に示すように、基板１上
にＣ軸配向した酸化亜鉛を主成分とする膜厚５ＪＩｌの
酸化亜鉛薄膜２を形成し、酸化亜鉛薄膜２上に金、クロ
ム２層膜を形成し、金、クロム２層膜上にフォトレジス
ト（図示せず）を塗布し、フォトリソグラフィ技術を用
いてフォトレジストに７．５声−スペースのライン状パ
ターンを形成し、このフォトレジストパターンをマスク
としてまず金、クロム２層膜を各々ヨウ化アンモニウム
系水溶液、酸を用いてＪ＠次エツチングしてパターンを
転写することにより、マスク３を設け、フォトレジスト
を除去したのち、０面を選択的にエツチングする０面エ
ツチング液を用いて酸化亜鉛薄膜２を異方性エツチング
する。この場合、０面エツチング液としては塩酸、硫酸
にに２Ｃｒ、０７などを微量添加した溶液を希釈して用
いた。すると、酸化亜鉛薄膜２に７字型の溝がまず形成
され、さらにエツチングを続けると、微細なグレインが
Ｃ面からエツチングされるため、第１図（ｂ）に示すよ
うに、マスク３のない部分で横方向にエツチングが進行
する。そして、第１図（ｃ）に示すように、Ｃ面が露出
した部分が全てエツチングされると、その後のエツチン
グ速度は非常に遅くなる。
したがって、パターンにはサイドエッチがなく。
非常に急峻な断面形状が得られるから、酸化亜鉛薄膜２
のパターンとマスク３のパターンとの寸法ずれが小さく
なるので、酸化亜鉛薄膜２のパターン精度が高くなる。
のパターンとマスク３のパターンとの寸法ずれが小さく
なるので、酸化亜鉛薄膜２のパターン精度が高くなる。
すなわち、Ｃ軸配向した酸化亜鉛薄膜２を０面エツチン
グ液によりエツチングすると、マスク３のない部分では
酸化亜鉛のＣ面が露出しているため、エツチングは膜厚
方向に速く進行する。そして、エツチングが進行するに
つれ、０面エツチング液でエツチングされにくい面（フ
ァセット）が現われる。しかし、微視的にみれば、微結
晶のＣ面が表面に現われており、エツチングはマスクの
ない部分では酸化亜鉛が完全にエツチングされるまで続
く。この時、側面は（１１０１）、（１１２２）等の他
の面方位を有するため、エツチング速度がＣ面すなわち
（０００１）面と比較して非常に遅い。したがって、マ
スク３部分の下が側面からエツチングされることはなく
。
グ液によりエツチングすると、マスク３のない部分では
酸化亜鉛のＣ面が露出しているため、エツチングは膜厚
方向に速く進行する。そして、エツチングが進行するに
つれ、０面エツチング液でエツチングされにくい面（フ
ァセット）が現われる。しかし、微視的にみれば、微結
晶のＣ面が表面に現われており、エツチングはマスクの
ない部分では酸化亜鉛が完全にエツチングされるまで続
く。この時、側面は（１１０１）、（１１２２）等の他
の面方位を有するため、エツチング速度がＣ面すなわち
（０００１）面と比較して非常に遅い。したがって、マ
スク３部分の下が側面からエツチングされることはなく
。
酸化亜鉛薄膜２のパターン寸法がマスク３と大きく異な
るというような問題は生じない。
るというような問題は生じない。
また、上述と同様の方法で第２図に示す膜厚１０μｍの
酸化亜鉛薄膜４にパターンを形成したときには、酸化亜
鉛薄膜４の膜厚がマスク３のパターン寸法より大きいか
ら、エツチングは７字型の断面形状まで進行したところ
で準安定となり、１〜２分間この状態を保持する。この
ため、準安定となったときにエツチングを停止すれば、
酸化亜鉛薄膜４のパターンとマスク３のパターンとの寸
法ずれが非常に小さくなるから、酸化亜鉛薄膜４のパタ
ーン精度が非常に高くなる。
酸化亜鉛薄膜４にパターンを形成したときには、酸化亜
鉛薄膜４の膜厚がマスク３のパターン寸法より大きいか
ら、エツチングは７字型の断面形状まで進行したところ
で準安定となり、１〜２分間この状態を保持する。この
ため、準安定となったときにエツチングを停止すれば、
酸化亜鉛薄膜４のパターンとマスク３のパターンとの寸
法ずれが非常に小さくなるから、酸化亜鉛薄膜４のパタ
ーン精度が非常に高くなる。
第３図は薄膜アレイ超音波変換器を示す正断面図、第４
図は同じく平面図、第５図は第３図の拡大Ａ−Ａ断面図
である。図において、２１はサファイア基板、２２はサ
ファイア基板２１に形成されたレンズ部、２７はレンズ
部２２に設けられた音響整合層、２３はサファイア基板
２１の表面に形成された下部電極、２４は下部電極２３
上に設けられた薄膜アレイの薄膜エレメントで、薄膜エ
レメント２４は酸化亜鉛からなり、薄膜エレメント２４
の断面形状は矩形状で、薄膜エレメント２４の膜厚は１
０μｍである。２５は薄膜エレメント２４上に形成され
た上部電極、２６は上部電極２５に接続されたポンディ
ングパッドである。
図は同じく平面図、第５図は第３図の拡大Ａ−Ａ断面図
である。図において、２１はサファイア基板、２２はサ
ファイア基板２１に形成されたレンズ部、２７はレンズ
部２２に設けられた音響整合層、２３はサファイア基板
２１の表面に形成された下部電極、２４は下部電極２３
上に設けられた薄膜アレイの薄膜エレメントで、薄膜エ
レメント２４は酸化亜鉛からなり、薄膜エレメント２４
の断面形状は矩形状で、薄膜エレメント２４の膜厚は１
０μｍである。２５は薄膜エレメント２４上に形成され
た上部電極、２６は上部電極２５に接続されたポンディ
ングパッドである。
この薄膜アレイ超音波変換器を製造するには。
まずサファイア基板２１の片面にレンズ部２２を形成し
、対向する平面に下部電極材料、酸化亜鉛薄膜、上部電
極材料を順次積層し、上部電極材料上に幅１００μｍ、
ギヤツブ１０μ重のフォトレジストパターンをフォトリ
ソグラフィ技術を用いて形成する。このレジストパター
ンをマスクにして、まず上部電極材料をエツチングする
ことにより、上部電極２５を形成し、続いて塩酸系の０
面エツチング液を用いて酸化亜鉛薄膜をエツチングする
ことにより、薄膜エレメント２４を形成する。
、対向する平面に下部電極材料、酸化亜鉛薄膜、上部電
極材料を順次積層し、上部電極材料上に幅１００μｍ、
ギヤツブ１０μ重のフォトレジストパターンをフォトリ
ソグラフィ技術を用いて形成する。このレジストパター
ンをマスクにして、まず上部電極材料をエツチングする
ことにより、上部電極２５を形成し、続いて塩酸系の０
面エツチング液を用いて酸化亜鉛薄膜をエツチングする
ことにより、薄膜エレメント２４を形成する。
このように、０面エツチング液を用いて酸化亜鉛薄膜を
エツチングすることにより、薄膜エレメント２４を形成
するから、薄膜エレメント２４とマスクパターンとの寸
法ずれが小さく、薄膜エレメント２４の寸法精度が高く
なり、薄膜エレメント２４の面積ばらつきが少ないので
、感度ばらつきの小さい薄膜アレイ超音波変換器を形成
することが可能である。
エツチングすることにより、薄膜エレメント２４を形成
するから、薄膜エレメント２４とマスクパターンとの寸
法ずれが小さく、薄膜エレメント２４の寸法精度が高く
なり、薄膜エレメント２４の面積ばらつきが少ないので
、感度ばらつきの小さい薄膜アレイ超音波変換器を形成
することが可能である。
なお１発明者らはこの方法を用いることにより。
最小寸法が１μｍのパターンの薄膜エレメントを形成で
きることを確認している。
きることを確認している。
また、薄膜アレイ超音波変換器の場合には、各薄膜エレ
メントの振動および電気的な漏れが他の薄膜エレメント
に及ばなければ、各々の薄膜エレメントが機械的に分離
されている必要はない。したがって、第６図に示すよう
に、７字型の溝形状でエツチングを停止して、断面形状
が台形状の薄膜エレメント２８を形成してもよい。
メントの振動および電気的な漏れが他の薄膜エレメント
に及ばなければ、各々の薄膜エレメントが機械的に分離
されている必要はない。したがって、第６図に示すよう
に、７字型の溝形状でエツチングを停止して、断面形状
が台形状の薄膜エレメント２８を形成してもよい。
このように１台形状の薄膜エレメント２８を形成したと
きには、薄膜エレメント２８の上面とマスクパターンと
の寸法ずれが非常に小さいので、薄膜エレメント２８の
寸法精度がさらに高くなり。
きには、薄膜エレメント２８の上面とマスクパターンと
の寸法ずれが非常に小さいので、薄膜エレメント２８の
寸法精度がさらに高くなり。
薄膜エレメント２８の面積ばらつきが非常に少ないから
、感度ばらつきの著しく小さい薄膜アレイ超音波変換器
を形成することが可能である。また、発明者等が薄膜ア
レイ超音波変換器の送受信実験を行なったところ、断面
形状が矩形状の薄膜エレメント２４を有する薄膜アレイ
超音波変換器よりも、断面形状が台形状の薄膜エレメン
ト２８の方が、サイドローブなどの不要応答の少ない超
音波ビームを形成することを見出した。これは、薄膜エ
レメント２８を有する薄膜アレイ超音波変換器において
は圧電性の分布が間歇的であるのに対して、薄膜エレメ
ント２４を有する薄膜アレイ超音波変換器においては圧
電性の分布がよりなだらかであるためと考えられる。
、感度ばらつきの著しく小さい薄膜アレイ超音波変換器
を形成することが可能である。また、発明者等が薄膜ア
レイ超音波変換器の送受信実験を行なったところ、断面
形状が矩形状の薄膜エレメント２４を有する薄膜アレイ
超音波変換器よりも、断面形状が台形状の薄膜エレメン
ト２８の方が、サイドローブなどの不要応答の少ない超
音波ビームを形成することを見出した。これは、薄膜エ
レメント２８を有する薄膜アレイ超音波変換器において
は圧電性の分布が間歇的であるのに対して、薄膜エレメ
ント２４を有する薄膜アレイ超音波変換器においては圧
電性の分布がよりなだらかであるためと考えられる。
第７図は透明電極膜パターンを示す平面図である。図に
おいて、３０はガラス基板、３１はガラス基板３０上に
形成された透明電極膜で、透明電極膜３１は酸化亜鉛か
らなる。
おいて、３０はガラス基板、３１はガラス基板３０上に
形成された透明電極膜で、透明電極膜３１は酸化亜鉛か
らなる。
この透明電極膜パターンを形成するには、まずガラス基
板３０上に少量のアルミニウムを添加した膜厚２０００
人の酸化亜鉛薄膜を形成する。つぎに、酸化亜鉛薄膜上
に最小寸法１ｊＩ１１のフォトレジストパターンを形成
し、このフォトレジストパターンをマスクとして、酸化
亜鉛薄膜を塩酸系の０面エツチング液中でエツチングす
ることにより、透明導電膜３１を形成する。
板３０上に少量のアルミニウムを添加した膜厚２０００
人の酸化亜鉛薄膜を形成する。つぎに、酸化亜鉛薄膜上
に最小寸法１ｊＩ１１のフォトレジストパターンを形成
し、このフォトレジストパターンをマスクとして、酸化
亜鉛薄膜を塩酸系の０面エツチング液中でエツチングす
ることにより、透明導電膜３１を形成する。
このように、０面エツチング液でエツチングすることに
より、透明導電膜３１を形成したときには、精度の高い
透明導電膜パターンを形成することが可能であるから、
この透明電極膜パターンを有する太陽電池、デイスプレ
ィ装置等の性能を向上することができる。そして、透明
導電膜３１の膜厚がパターンの最小ギャップ寸法よりも
小さいので、透明導電膜３１間の溝の断面形状は矩形状
となるから、各透明導電膜３１を確実に分離することが
できる。
より、透明導電膜３１を形成したときには、精度の高い
透明導電膜パターンを形成することが可能であるから、
この透明電極膜パターンを有する太陽電池、デイスプレ
ィ装置等の性能を向上することができる。そして、透明
導電膜３１の膜厚がパターンの最小ギャップ寸法よりも
小さいので、透明導電膜３１間の溝の断面形状は矩形状
となるから、各透明導電膜３１を確実に分離することが
できる。
なお、上述実施例においては、配向性薄膜が酸化亜鉛薄
膜である場合について説明したが、配向性薄膜がＺｎＳ
、Ｚｎ５ｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅなどの光デバイス用材料
やＣｏＣｒ等の磁性材料である場合にもこの発明を適用
できることは明らかである。また、上述実施例において
は、ウェットエツチングによるパターン形成について述
べたが。
膜である場合について説明したが、配向性薄膜がＺｎＳ
、Ｚｎ５ｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅなどの光デバイス用材料
やＣｏＣｒ等の磁性材料である場合にもこの発明を適用
できることは明らかである。また、上述実施例において
は、ウェットエツチングによるパターン形成について述
べたが。
反応性イオンエツチング等のドライエツチングの場合で
も同様の効果が得られる。
も同様の効果が得られる。
以上説明したように、この発明に係る薄膜パターンの形
成方法においては、配向性薄膜の配向面を選択的シミエ
ツチングする異方性ウェットエツチング、異方性ドライ
エツチングの異方性エツチングを行なうから、サイドエ
ッチが生ずることはないので、薄膜パターンの精度が高
くなる。
成方法においては、配向性薄膜の配向面を選択的シミエ
ツチングする異方性ウェットエツチング、異方性ドライ
エツチングの異方性エツチングを行なうから、サイドエ
ッチが生ずることはないので、薄膜パターンの精度が高
くなる。
また、配向性薄膜を薄膜アレイ超音波変換器の薄膜エレ
メントを形成すべき酸化亜鉛薄膜とすれば、薄膜エレメ
ントの寸法精度が高くなるので、感度ばらつきの小さい
薄膜アレイ超音波変換器を形成することが可能である。
メントを形成すべき酸化亜鉛薄膜とすれば、薄膜エレメ
ントの寸法精度が高くなるので、感度ばらつきの小さい
薄膜アレイ超音波変換器を形成することが可能である。
この場合、薄膜エレメント間の断面形状をＶ字形とすれ
ば、薄膜エレメントの寸法精度がさらに高くなるから、
感度ばらつきの著しく小さい薄膜アレイ超音波変換器を
形成することが可能であるとともに、不要応答の少ない
超音波ビームを形成することができるので、この薄膜ア
レイ超音波変換器を用いて撮像を行なえば、高精度の画
像が得られる。
ば、薄膜エレメントの寸法精度がさらに高くなるから、
感度ばらつきの著しく小さい薄膜アレイ超音波変換器を
形成することが可能であるとともに、不要応答の少ない
超音波ビームを形成することができるので、この薄膜ア
レイ超音波変換器を用いて撮像を行なえば、高精度の画
像が得られる。
さらに、配向性薄膜を透明導電膜を形成すべき酸化亜鉛
薄膜とすれば、精度の高い透明導電膜パターンを形成す
ることが可能であるから、透明電極膜パターンを有する
装置の性能を向上することができる。
薄膜とすれば、精度の高い透明導電膜パターンを形成す
ることが可能であるから、透明電極膜パターンを有する
装置の性能を向上することができる。
この場合、透明導電膜の膜厚を形成すべきパターンの最
小ギャップ寸法よりも小さくすれば、透明導電膜間の溝
の断面形状は矩形状となるから、各透明導電膜を確実に
分離することができる。
小ギャップ寸法よりも小さくすれば、透明導電膜間の溝
の断面形状は矩形状となるから、各透明導電膜を確実に
分離することができる。
このように、この発明の効果は顕著である。
第１図、第２図はそれぞれこの発明に係る薄膜パターン
の形成方法の説明図、第３図は薄膜アレイ超音波変換器
を示す正断面図、第４図は同じく平面図、第５図は第３
図の拡大Ａ−Ａ断面図、第６図は他の薄膜アレイ超音波
変換器の一部を示す断面図、第７図は透明電極膜パター
ンを示す平面図である。 １・・基板 ２．４・・・酸化亜鉛薄膜 ２１・・・サファイア基板 ２２・・・レンズ部 ２３・・・下部電極 ２４・・・薄膜エレメント ２５・・・上部電極 ２６・・ポンディングパッド ２７・・・音響整合層 ２８・・・薄膜エレメント ３０・・・ガラス基板 ３１・・・透明導電膜
の形成方法の説明図、第３図は薄膜アレイ超音波変換器
を示す正断面図、第４図は同じく平面図、第５図は第３
図の拡大Ａ−Ａ断面図、第６図は他の薄膜アレイ超音波
変換器の一部を示す断面図、第７図は透明電極膜パター
ンを示す平面図である。 １・・基板 ２．４・・・酸化亜鉛薄膜 ２１・・・サファイア基板 ２２・・・レンズ部 ２３・・・下部電極 ２４・・・薄膜エレメント ２５・・・上部電極 ２６・・ポンディングパッド ２７・・・音響整合層 ２８・・・薄膜エレメント ３０・・・ガラス基板 ３１・・・透明導電膜
Claims (8)
- １．基板上に設けられた配向性薄膜にパターンを形成す
る方法において、上記配向性薄膜の配向面を選択的にエ
ッチングする異方性エッチングを行なうことを特徴とす
る薄膜パターンの形成方法。 - ２．上記異方性エッチングとして異方性ウェットエッチ
ングを行なうことを特徴とする請求項第１項記載の薄膜
パターンの形成方法。 - ３．上記異方性エッチングとして異方性ドライエッチン
グを行なうことを特徴とする請求項第１項記載の薄膜パ
ターンの形成方法。 - ４．上記配向性薄膜が酸化亜鉛を主成分とする酸化亜鉛
薄膜であることを特徴とする請求項第１項、第２項また
は第３項記載の薄膜パターンの形成方法。 - ５．上記配向性薄膜が薄膜アレイ超音波変換器の薄膜エ
レメントを形成すべき酸化亜鉛薄膜であることを特徴と
する請求項第１項、第２項または第３項記載の薄膜パタ
ーンの形成方法。 - ６．上記薄膜エレメント間の断面形状をＶ字形とするこ
とを特徴とする請求項第５項記載の薄膜パターンの形成
方法。 - ７．上記配向性薄膜が透明導電膜を形成すべき酸化亜鉛
薄膜であることを特徴とする請求項第１項、第２項また
は第３項記載の薄膜パターンの形成方法。 - ８．上記透明導電薄膜の膜厚を形成すべきパターンの最
小ギャップ寸法よりも小さくしたことを特徴とする請求
項第７項記載の薄膜パターンの形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309880A JP2869075B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 配向性薄膜パターンの形成方法、配向性薄膜パターンおよび薄膜アレイ超音波変換器の薄膜素子の形成方法 |
| US07/446,590 US5038068A (en) | 1988-12-09 | 1989-12-06 | Thin film pattern and method of forming the same |
| EP19890122713 EP0372583A3 (en) | 1988-12-09 | 1989-12-08 | Method of forming thin film elements of an ultrasonic array transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309880A JP2869075B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 配向性薄膜パターンの形成方法、配向性薄膜パターンおよび薄膜アレイ超音波変換器の薄膜素子の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02156532A true JPH02156532A (ja) | 1990-06-15 |
| JP2869075B2 JP2869075B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=17998416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63309880A Expired - Lifetime JP2869075B2 (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | 配向性薄膜パターンの形成方法、配向性薄膜パターンおよび薄膜アレイ超音波変換器の薄膜素子の形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5038068A (ja) |
| EP (1) | EP0372583A3 (ja) |
| JP (1) | JP2869075B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5410208A (en) * | 1993-04-12 | 1995-04-25 | Acuson Corporation | Ultrasound transducers with reduced sidelobes and method for manufacture thereof |
| US5445706A (en) * | 1993-04-14 | 1995-08-29 | Stanley Electric Co., Ltd. | Wet treatment adapted for mirror etching ZnSe |
| EP1065735B1 (de) * | 1999-06-29 | 2007-03-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Piezoaktor mit einer elektrisch leitenden Mehrschichtfolie |
| GB0027510D0 (en) | 2000-11-10 | 2000-12-27 | Secr Defence | Surface with varying electrical or magnetic properties |
| US6958255B2 (en) * | 2002-08-08 | 2005-10-25 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Micromachined ultrasonic transducers and method of fabrication |
| JP4256309B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2009-04-22 | 株式会社東芝 | 超音波プローブおよび超音波診断装置 |
| WO2007134051A2 (en) * | 2006-05-08 | 2007-11-22 | The Penn State Research Foundation | High frequency ultrasound transducers |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1474180A (en) * | 1973-10-12 | 1977-05-18 | Mullard Ltd | Acoustic surface wave devices |
| US4106975A (en) * | 1977-06-30 | 1978-08-15 | International Business Machines Corporation | Process for etching holes |
| US4354898A (en) * | 1981-06-24 | 1982-10-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of preferentially etching optically flat mirror facets in InGaAsP/InP heterostructures |
| US4692653A (en) * | 1984-03-23 | 1987-09-08 | Hitachi, Ltd. | Acoustic transducers utilizing ZnO thin film |
| CA1247947A (en) * | 1984-07-31 | 1989-01-03 | Masaru Wada | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2620945B2 (ja) * | 1987-10-14 | 1997-06-18 | 日立建機株式会社 | 薄膜アレイ超音波変換器の製造方法 |
| US4906840A (en) * | 1988-01-27 | 1990-03-06 | The Board Of Trustees Of Leland Stanford Jr., University | Integrated scanning tunneling microscope |
-
1988
- 1988-12-09 JP JP63309880A patent/JP2869075B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-12-06 US US07/446,590 patent/US5038068A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-08 EP EP19890122713 patent/EP0372583A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2869075B2 (ja) | 1999-03-10 |
| EP0372583A3 (en) | 1991-01-23 |
| US5038068A (en) | 1991-08-06 |
| EP0372583A2 (en) | 1990-06-13 |
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