JPS5831766B2 - 弾性表面波装置の製造方法 - Google Patents

弾性表面波装置の製造方法

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JPS5831766B2
JPS5831766B2 JP13618175A JP13618175A JPS5831766B2 JP S5831766 B2 JPS5831766 B2 JP S5831766B2 JP 13618175 A JP13618175 A JP 13618175A JP 13618175 A JP13618175 A JP 13618175A JP S5831766 B2 JPS5831766 B2 JP S5831766B2
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JP
Japan
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acoustic wave
surface acoustic
wave device
absorber
manufacturing
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瑛 山田
仁 鈴木
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02842Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections

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  • Acoustics & Sound (AREA)
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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は弾性表面波装置の製造方法に係り、特に弾性表
面波吸収体の形成方法に関する。
圧電体上に入力インターディジタル電極を形成して電気
信号を弾性表面波に変換し、この弾性表面波の伝播路に
出力インターディジタル電極を形成して弾性表面波を電
気信号に変換する構成の弾性表面波装置は公知である。
このような弾性表面波装置では表面波伝搬基板の不連続
部あるいは端部において表面波の反射が起こる。
この反射表面波が、入・出力トランスデユーサに入射す
ると雑音となる。
そこで、一般に不要な弾状表篩波を除去するために吸収
体を形成することが行なわれている。
しかしながら、従来においてはこの吸収体は、インター
ディジタル電極を形成した圧電体をパッケージに組込ん
だ後で、■箇所ずつ、手塗りあるいは定量吐出器を用い
て形成されていた。
これらの方法は少量生産の時は特に問題とならないが、
量産時に於ては、吸収体形成に時間がかかり、コストア
ップに直結する。
特に表面波装置が小さい場合は定量吐出器や、手塗りで
は、吸収体を精度良く形成することは不可能である。
本発明は上記点に鑑みなされたもので、一度に多数の部
分に吸収体の形成が可能な弾性表面波装置の製造方法を
提供するものである。
すなわち、本発明は弾状表面波伝播路に表面波吸収体を
スクリーン印刷法を用いて形成するようにしたものであ
る。
以下本発明を図面を参照して詳細に説明する。
第1図A乃至Eは本発明の一実施例による弾性表面波装
置の製造方法を示すものである。
まず第1図Aに示すように基板例えば圧電体であるLi
NbO3板1を表面研摩加工したのち、第1図Bに示す
ようにこの基板1上に多数の入力電極2および出力イン
ターディジタル電極3を互いに離隔して形成する。
次にこのように多数の入・出力インターデイジタル電極
2,3を形成した基板1上に第1図Cに示すようにスク
リーン印刷用マスク4例えばステンレスメツシュを固定
配設する。
そしてこのマスク4上から周知のスクリーン印刷技術に
より、取手の先端に弾力性体例えばゴムを取着して成る
スキージに弾性表面波吸収体材料をつけて、前記マスク
4上からこする。
このようにしてスクリーン印刷を行う。
その後マスク4を除去する。
このとき基板1上には第1図りに示すように弾性表面波
吸収体5゜6が形成されている。
その後、基板1を各弾性表面波装置毎にダイヤモンドカ
ッタ等によりスクライビングして第1図Eに示すような
弾性表面波装置を得る。
弾性表面波吸収体としては、スクリーン印刷用インクと
して一般に用いられているハイキット(長瀬社商品名)
やマーケムインク(マーケムエシアテイツク社商品名)
などである。
このようにして、スクリーン印刷により吸収体を形成し
た結果、厚さ±5μ程度のバラツキで、かなり精度よく
一度に多数の部分に吸収体を形成することができた。
なおスプリアス特性を調べた結果、吸収体として従来ノ
エポキシ樹脂としてセメダインスーパ(セメダイン社商
品名)を用いて弾性表面波装置の周波数特性は第2図の
特性であったのに対し、前記マーケムインクを用いた時
の周波数特性は第3図に示す如くなり、スプリアス特性
が改善されることがわかった。
またスクリーン印刷法を用いるとマスクパターンの形状
を任意に設定することにより、吸収体を所望の形状で形
成することができる。
第4図にこうして形成された吸収体の具体的形状例を第
4図に示す。
第4図A、Bは入・出力インターデイジタル電極2,3
0両側に吸収体5,6を形成したもので、入・出力イン
ターディジタル電極2,3間の電磁誘導を遮弊する膜γ
もスクリーン印刷で形成した例を示している。
さらに第4図Cは弾性表面波入射側側縁を凹凸にしたも
のであり、第4図り、F、Hは多数の島状領域で吸収体
5,6を構成したものである。
さらに第4図Eは吸収体5,60入射面にテーパをつげ
て、一部反射させ、これをさらに吸収体を設けて吸収す
るようにしたものである。
さらにまた第4図Gは吸収体5,60弾性表面波入射側
側縁を凹状に形成したものである。
さらにまた、第4図■は吸収体5,6をすだれ状に形成
したものである。
その他種々の変形が考えられる。
【図面の簡単な説明】
第1図A、B、C,D、Eは本発明の一実施例を説明す
るための製造工程説明図、第2図は吸収体としてセメダ
インスーパ(セメダイン社商品名)を用いた場合の弾性
表面波装置のリップル特性曲線図、第3図は吸収体とし
てマーケムインク(商品名)を用いた場合の弾性表面波
装置のリップル特性曲線図、第4図はA、B、C,D、
E、F。 G、H,Iは本発明の方法により形成された吸収体の具
体的構造形状を示す図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・入カドランスデュ
ーサ、3・・・・・・出カドランスデューサ、4・・・
・・・スクリーン印刷用マスク、5,6・・・・・・吸
収体、7・・・・・・電磁誘導遮弊体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 圧電体基板上に電気信号を弾性表面波に変換する電
    極を形成する工程と、前記圧電体基板上に所望のパター
    ンを有するスクリーン印刷用マスクを重ねこのマスクを
    通して吸収体を前記圧電体基板に形成する工程とを有す
    ることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
JP13618175A 1975-11-14 1975-11-14 弾性表面波装置の製造方法 Expired JPS5831766B2 (ja)

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JPS5260547A JPS5260547A (en) 1977-05-19
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JPS5412661A (en) * 1977-06-30 1979-01-30 Toshiba Corp Elastic surface wave element
JPS62161209A (ja) * 1986-01-10 1987-07-17 Daiwa Shinku Kogyosho:Kk 弾性表面波装置
JPS63141404A (ja) * 1986-12-03 1988-06-13 Toshiba Corp 弾性表面波装置
JPH05110375A (ja) * 1991-10-17 1993-04-30 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波回路装置

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