JPWO2015001900A1 - 弾性波デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
支持基板と圧電基板とが接合された略直方体の複合基板のうちの前記圧電基板上に一対のIDT電極が互いに入り込むように配置された端面反射型の弾性波デバイスであって、
前記圧電基板の側面のうち弾性波伝搬方向と直交する第1側面のチッピングサイズは、弾性波の波長λの1/10以下であり、
前記圧電基板の側面のうち弾性波伝搬方向と平行な第2側面のチッピングサイズは、前記第1側面のチッピングサイズより大きく、弾性波の波長λの1/2以上50倍以下である、
ものである。
圧電ウェハーとして、SAWの伝搬方向をXとし、切り出し角が回転Yカット板である円盤状の42°YカットX伝搬LT基板(厚さ250μm)を用意した。また、支持ウェハーとして、円盤状のSi(111)基板(厚さ230μm)を用意した。両ウェハーを2×10-6(Pa)の真空チャンバーに投入し、アルゴンビームを表面に60秒照射した。照射後、両ウェハーの照射面同士をコンタクトさせ、2000kgで加圧し、直接接合により両ウェハーを接合した。接合体を真空チャンバーから取り出し、LT面を30μmまで研削した。その後、ダイヤモンドスラリー(粒径1μm)を滴下しながら錫定盤で25μmまで研磨した。更に、コロイダルシリカ(粒径20nm)を滴下しながら、ウレタンパッドで20μmまで研磨して、弾性波デバイス用の複合ウェハーとした。続いて、フォトリソプロセスで、複合ウェハーのLT表面上の多数の矩形領域(2mm×1mm)にIDT電極を形成し、その矩形領域のサイズにダイシングして多数の弾性波デバイスを得た。SAWの波長λの設計値は、4μmとした。ダイシングはブレードを用いて行った。SAW伝搬方向と直交する方向(図5のカットラインCLa)に沿って切断するブレードは、厚さ0.05mm、#2000を用い、回転数29000rpm、送り速度20mm/sで切断した。SAW伝搬方向と平行な方向(図5のカットラインCLb)に沿って切断するブレードは、厚さ0.1mm、#500のブレードを用い、回転数29000rpm、送り速度50mm/sで切断した。得られた弾性波デバイスのSAW伝搬方向と直交する第1側面のチッピングサイズは0.4μm(λの0.1倍)、SAW伝搬方向と平行な第2側面のチッピングサイズは50μm(λの12.5倍)であった。実施例1に関するデータを表1にまとめた。
実施例1と同様にして、IDT電極が形成された複合ウェハーを作製した。この複合ウェハーを、表1の実施例2に示す加工条件でダイシングを行った。得られた弾性波デバイスの第1側面のチッピングサイズは0.4μm(λの0.1倍)、第2側面のチッピングサイズは2μm(λの0.5倍)であった。
実施例1と同様にして、IDT電極が形成された複合ウェハーを作製した。この複合ウェハーを、表1の実施例3に示す加工条件でダイシングを行った。得られた弾性波デバイスの第1側面のチッピングサイズは0.4μm(λの0.1倍)、第2側面のチッピングサイズは200μm(λの50倍)であった。
実施例1と同様にして、IDT電極が形成された複合ウェハーを作製した。この複合ウェハーを、表1の比較例1に示す加工条件でダイシングを行った。得られた弾性波デバイスの第1及び第2側面のチッピングサイズは、いずれも10μm以下、具体的には0.4μm(λの0.1倍)であった。
実施例1と同様にして、IDT電極が形成された複合ウェハーを作製した。この複合ウェハーを、表1の比較例2に示す加工条件でダイシングを行った。得られた弾性波デバイスの第1側面のチッピングサイズは0.4μm(λの0.1倍)、第2側面のチッピングサイズは240μm(λの60倍)であった。
実施例1と同様にして、IDT電極が形成された複合ウェハーを作製した。この複合ウェハーを、表1の比較例3に示す加工条件でダイシングを行った。得られた弾性波デバイスの第1側面のチッピングサイズは2.0μm(λの0.5倍)、第2側面のチッピングサイズは50μm(λの12.5倍)であった。
実施例1〜3及び比較例1〜3について、1ポート共振器の特性を評価した。そうしたところ、スプリアスピークの強度は、表1に示すように、実施例1〜3では2〜2.7dBであったのに対して、比較例1〜3では5〜7dBであった。この結果から、第1側面のチッピングサイズを弾性波の波長λの1/10以下、第2側面のチッピングサイズを弾性波の波長λの1/2以上50倍以下(特に12.5倍以上50倍以下)とすることがスプリアスの発生を抑制するうえで好ましいことがわかった。
Claims (3)
- 支持基板と圧電基板とが接合された略直方体の複合基板のうちの前記圧電基板上に一対のIDT電極が互いに入り込むように配置された端面反射型の弾性波デバイスであって、
前記圧電基板の側面のうち弾性波伝搬方向と直交する第1側面のチッピングサイズは、弾性波の波長λの1/10以下であり、
前記圧電基板の側面のうち弾性波伝搬方向と平行な第2側面のチッピングサイズは、前記第1側面のチッピングサイズより大きく、弾性波の波長λの1/2以上50倍以下である、
弾性波デバイス。 - 前記第2側面のチッピングサイズは、弾性波の波長λの12.5倍以上50倍以下である、
請求項1に記載の弾性波デバイス。 - 前記支持基板は、前記圧電基板よりも熱膨張係数が小さい、
請求項1又は2に記載の弾性波デバイス。
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