JPH04298113A - 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスおよびその製造方法Info
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- JPH04298113A JPH04298113A JP6310191A JP6310191A JPH04298113A JP H04298113 A JPH04298113 A JP H04298113A JP 6310191 A JP6310191 A JP 6310191A JP 6310191 A JP6310191 A JP 6310191A JP H04298113 A JPH04298113 A JP H04298113A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、映像機器や通信機器等
においてフィルタや共振器等として使用される弾性表面
波デバイスに係り、より詳しくは、弾性表面波デバイス
の圧電性基板の端面における表面波の反射により不要波
が発生するのを抑制することにより、弾性表面波デバイ
スの特性を向上させる技術に関する。
においてフィルタや共振器等として使用される弾性表面
波デバイスに係り、より詳しくは、弾性表面波デバイス
の圧電性基板の端面における表面波の反射により不要波
が発生するのを抑制することにより、弾性表面波デバイ
スの特性を向上させる技術に関する。
【０００３】
【従来の技術】弾性表面波デバイスは、図１０に示すよ
うに、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３ 、水晶などからな
る圧電性材料のウェーハ１０１上に、フォト・エッチン
グ法によりアルミニゥムなどの金属からなるインターデ
ィジタル形電極パターン１０３を形成すると共に、吸音
剤を塗布し、ダイシング・マシンによりウェーハを個々
のチップに切断することにより製造される。
うに、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３ 、水晶などからな
る圧電性材料のウェーハ１０１上に、フォト・エッチン
グ法によりアルミニゥムなどの金属からなるインターデ
ィジタル形電極パターン１０３を形成すると共に、吸音
剤を塗布し、ダイシング・マシンによりウェーハを個々
のチップに切断することにより製造される。
【０００４】図１１に示すように、切断された各チップ
１０５においては、圧電性基板１０７上には、入力電極
１０９、出力電極１１１、吸音剤１１３および１１５、
シールド電極１１１７が配置されている。周知のように
、このチップをステム（図示せず）に接合し、各電極の
ボンディング・パッド１１９をボンディングワイヤによ
りリードピンに接続し、全体をキャップにより封止する
ことにより、弾性表面波デバイスが得られる。
１０５においては、圧電性基板１０７上には、入力電極
１０９、出力電極１１１、吸音剤１１３および１１５、
シールド電極１１１７が配置されている。周知のように
、このチップをステム（図示せず）に接合し、各電極の
ボンディング・パッド１１９をボンディングワイヤによ
りリードピンに接続し、全体をキャップにより封止する
ことにより、弾性表面波デバイスが得られる。
【０００５】使用に際しては、入力電極１０９で発生さ
せた弾性表面波を基板表面の長手方向伝播路に沿って伝
播させて、出力電極１１１において出力電圧を得る。
せた弾性表面波を基板表面の長手方向伝播路に沿って伝
播させて、出力電極１１１において出力電圧を得る。
【０００６】吸音剤１１３、１１５は不要波を吸収する
ためのものである。即ち、入力電極１０９から放射され
、出力電極１１１を通過し、不要となった表面波は、吸
音剤１１５により吸収される。また、入力電極１０９か
ら反対方向に放射された表面波は、反対側の吸音剤１１
３により吸収される。
ためのものである。即ち、入力電極１０９から放射され
、出力電極１１１を通過し、不要となった表面波は、吸
音剤１１５により吸収される。また、入力電極１０９か
ら反対方向に放射された表面波は、反対側の吸音剤１１
３により吸収される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
弾性表面波デバイスにおいては、圧電性基板１０７の長
手方向端面１２１および１２３によって反射される表面
波に対する対策が取られていない。このような反射波は
、長手方向伝播路に沿った表面波の伝播を妨害し、弾性
表面波デバイスの特性（主としてＱトラップ）に悪影響
を与える。
弾性表面波デバイスにおいては、圧電性基板１０７の長
手方向端面１２１および１２３によって反射される表面
波に対する対策が取られていない。このような反射波は
、長手方向伝播路に沿った表面波の伝播を妨害し、弾性
表面波デバイスの特性（主としてＱトラップ）に悪影響
を与える。
【０００８】本発明の目的は、圧電性基板の長手方向端
面における表面波の反射により不要波が発生するのを抑
制し、弾性表面波デバイスの特性を向上させることにあ
る。 ［発明の構成］
面における表面波の反射により不要波が発生するのを抑
制し、弾性表面波デバイスの特性を向上させることにあ
る。 ［発明の構成］
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の一態様において
は、本発明は、弾性表面波デバイスの長手方向伝播路に
平行な基板端面に沿って、基板表面に、表面波の波長の
１／２以上の横断方向奥行きを有する凹みをほぼ前記波
長の１／４の奇数倍の間隔で周期的に設けたことを特徴
とする。
は、本発明は、弾性表面波デバイスの長手方向伝播路に
平行な基板端面に沿って、基板表面に、表面波の波長の
１／２以上の横断方向奥行きを有する凹みをほぼ前記波
長の１／４の奇数倍の間隔で周期的に設けたことを特徴
とする。
【００１０】本発明の他の態様においては、本発明は、
長手方向伝播路に平行な基板端面に沿って、基板表面に
、等間隔に周期的に配置したドットからなるダイシング
・ラインを設けたことを特徴とする。
長手方向伝播路に平行な基板端面に沿って、基板表面に
、等間隔に周期的に配置したドットからなるダイシング
・ラインを設けたことを特徴とする。
【００１１】本発明は、また、弾性表面波デバイスの製
造方法を提供するもので、この方法は、所定厚さを有す
る第１のダイシング・ブレードによりウェーハを個々の
チップに切断した後、各チップの長手方向端面に沿って
、前記第１ダイシング・ブレードより大きな厚さを有す
る第２のダイシング・ブレードにより、チップ厚さの１
／３の深さにわたってチップの端部を研削することを特
徴とする。
造方法を提供するもので、この方法は、所定厚さを有す
る第１のダイシング・ブレードによりウェーハを個々の
チップに切断した後、各チップの長手方向端面に沿って
、前記第１ダイシング・ブレードより大きな厚さを有す
る第２のダイシング・ブレードにより、チップ厚さの１
／３の深さにわたってチップの端部を研削することを特
徴とする。
【００１２】
【作用】基板端面で発生した反射波は本発明の凹みによ
り位相がずれ、互いに打ち消されるので、不要波の発生
が抑制される。
り位相がずれ、互いに打ち消されるので、不要波の発生
が抑制される。
【００１３】ドットからなるダイシング・ラインを設け
た場合には、基板端面に入射する表面波はドットにより
乱反射し、分散せられる。
た場合には、基板端面に入射する表面波はドットにより
乱反射し、分散せられる。
【００１４】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明の実施
例を説明する。
例を説明する。
【００１５】図１は本発明の第１実施例に係る弾性表面
波デバイスを模式的に示したもので、この弾性表面波デ
バイス１は、従来技術と同様に、ＬｉＴａＯ３ 、Ｌｉ
ＮｂＯ３ 、水晶などからなる圧電性基板３上に、イン
ターディジタル形電極対からなる入力電極５および出力
電極７、シールド電極９、吸音剤１１および１３を配置
してなる。本発明に従い、表面波の伝播路に平行な長手
方向端面１５および１７に沿って、基板３の表面には複
数の凹み１９が規則的に形成してある。
波デバイスを模式的に示したもので、この弾性表面波デ
バイス１は、従来技術と同様に、ＬｉＴａＯ３ 、Ｌｉ
ＮｂＯ３ 、水晶などからなる圧電性基板３上に、イン
ターディジタル形電極対からなる入力電極５および出力
電極７、シールド電極９、吸音剤１１および１３を配置
してなる。本発明に従い、表面波の伝播路に平行な長手
方向端面１５および１７に沿って、基板３の表面には複
数の凹み１９が規則的に形成してある。
【００１６】図２は図１の円内の部分を拡大して示した
もので、夫々の凹み１９は表面波の波長λの１／２以上
の横断方向奥行きａを有する。また、隣接する凹み１９
は、ほぼ、表面波の波長λの１／４の奇数倍の間隔
で離間してある（ ＝λ／４×ｎ。但し、ｎ＝１、３
、５、７、・・・）。
もので、夫々の凹み１９は表面波の波長λの１／２以上
の横断方向奥行きａを有する。また、隣接する凹み１９
は、ほぼ、表面波の波長λの１／４の奇数倍の間隔
で離間してある（ ＝λ／４×ｎ。但し、ｎ＝１、３
、５、７、・・・）。
【００１７】次に、図２および図３を参照して、本発明
のこの実施例における不要波の抑制原理について説明す
る。図２のＡ点に入射する不要波は、図３に実線で示し
た位相を有すると仮定する。さて、Ａ点を通過した不要
波は、隣接する凹みに向かって伝播し、隣接する凹みの
側壁Ｂ点で反射されて、再びＡ点に向かって逆方向に伝
播する。前記間隔 を波長λの１／４の奇数倍にした
ので、このようにしてＡ点に戻った不要波は、図３に破
線で示したように、逆の位相を有する。従って、Ａ点を
通る不要波は互いに打ち消されるので、不要波が端面１
５又は１７に到達してそこで反射される機会が減少し、
不要波が出力電極７に到達する可能性が大幅に低減され
る。
のこの実施例における不要波の抑制原理について説明す
る。図２のＡ点に入射する不要波は、図３に実線で示し
た位相を有すると仮定する。さて、Ａ点を通過した不要
波は、隣接する凹みに向かって伝播し、隣接する凹みの
側壁Ｂ点で反射されて、再びＡ点に向かって逆方向に伝
播する。前記間隔 を波長λの１／４の奇数倍にした
ので、このようにしてＡ点に戻った不要波は、図３に破
線で示したように、逆の位相を有する。従って、Ａ点を
通る不要波は互いに打ち消されるので、不要波が端面１
５又は１７に到達してそこで反射される機会が減少し、
不要波が出力電極７に到達する可能性が大幅に低減され
る。
【００１８】凹み１９の側壁Ｂ点における傾斜角は、理
想的には、不要波の伝播方向に対して垂直であることが
望ましいが、本発明に従い凹みの奥行きａを波長λの１
／２以上にすれば、十分な効果が得られることが実験的
に見い出された。
想的には、不要波の伝播方向に対して垂直であることが
望ましいが、本発明に従い凹みの奥行きａを波長λの１
／２以上にすれば、十分な効果が得られることが実験的
に見い出された。
【００１９】図４のグラフに、本発明の上記第１実施例
の弾性表面波デバイスの特性を、従来技術の弾性表面波
デバイスの特性と対比して示した。図４のグラフは、弾
性表面波デバイスをフィルタとして使用した場合の波形
を示すもので、太線波形 は本発明の弾性表面波デバ
イスの特性を示し、細線波形 は従来技術の弾性表面
波デバイスの特性を示す。このグラフから分かるように
、阻止帯域ｆｐ＋１．５１（ＭＨｚ） の周波数につい
ては、本発明の弾性表面波デバイスによれば、従来技術
に比べて約−１０ｄＢの改善が見られる。
の弾性表面波デバイスの特性を、従来技術の弾性表面波
デバイスの特性と対比して示した。図４のグラフは、弾
性表面波デバイスをフィルタとして使用した場合の波形
を示すもので、太線波形 は本発明の弾性表面波デバ
イスの特性を示し、細線波形 は従来技術の弾性表面
波デバイスの特性を示す。このグラフから分かるように
、阻止帯域ｆｐ＋１．５１（ＭＨｚ） の周波数につい
ては、本発明の弾性表面波デバイスによれば、従来技術
に比べて約−１０ｄＢの改善が見られる。
【００２０】図５は上記凹み１９の形成方法の１例を示
すものである。通常、弾性表面波デバイスの製造に際し
ては、ダイシングにより切断されたチップをゲージによ
りクランプして位置決めしながら、ステムに接着する。 本発明の凹み１９はこの工程を利用して形成することが
できるもので、対向するゲージ２１および２３の作用面
に所定間隔で複数の歯２５を設けておくことにより、ク
ランプと同時にチップ端面に凹み１９を形成することが
できる。他の凹み形成方法としては、電極パターン形成
時にパターニングにより同時に凹みを形成する方法、お
よび、本発明の凹みを備えた吸音剤をスクリーンマスク
により塗布する方法がある。
すものである。通常、弾性表面波デバイスの製造に際し
ては、ダイシングにより切断されたチップをゲージによ
りクランプして位置決めしながら、ステムに接着する。 本発明の凹み１９はこの工程を利用して形成することが
できるもので、対向するゲージ２１および２３の作用面
に所定間隔で複数の歯２５を設けておくことにより、ク
ランプと同時にチップ端面に凹み１９を形成することが
できる。他の凹み形成方法としては、電極パターン形成
時にパターニングにより同時に凹みを形成する方法、お
よび、本発明の凹みを備えた吸音剤をスクリーンマスク
により塗布する方法がある。
【００２１】次に、図６を参照して本発明の第２実施例
を説明する。この第２実施例は、電極パターン等が形成
されたウェーハをチップに切断するに当たり切断の目印
として線引きされるダイシング・ラインを利用して、不
要波の発生を抑制するようにしたものである。図６にお
いて、図１の構成要素と共通するものは同じ参照番号で
示し、説明は省略する。図６に示すように、弾性表面波
デバイス１の圧電性基板３の表面には、その端面１５お
よび１７に沿って、多数のドットからなるダイシング・
ライン３１および３３が塗布してある。これらのダイシ
ング・ラインは、マスク・パターンを変更することによ
り容易に形成することができる。これらのダイシング・
ラインは、一義的には、ダイシングの目印として使用さ
れる。ダイシングはダイシング・ラインに近接して行わ
れるので、ダイシング後のチップ上にはその端面に沿っ
てダイシング・ラインが残存する。
を説明する。この第２実施例は、電極パターン等が形成
されたウェーハをチップに切断するに当たり切断の目印
として線引きされるダイシング・ラインを利用して、不
要波の発生を抑制するようにしたものである。図６にお
いて、図１の構成要素と共通するものは同じ参照番号で
示し、説明は省略する。図６に示すように、弾性表面波
デバイス１の圧電性基板３の表面には、その端面１５お
よび１７に沿って、多数のドットからなるダイシング・
ライン３１および３３が塗布してある。これらのダイシ
ング・ラインは、マスク・パターンを変更することによ
り容易に形成することができる。これらのダイシング・
ラインは、一義的には、ダイシングの目印として使用さ
れる。ダイシングはダイシング・ラインに近接して行わ
れるので、ダイシング後のチップ上にはその端面に沿っ
てダイシング・ラインが残存する。
【００２２】本発明の第２実施例では、図６に示すよう
にダイシング・ラインをドット状に形成したので、基板
端面１５および１７に入射しようとする表面波はダイシ
ング・ラインのドットにより乱反射せられ、分散せられ
る。従って、入力電極５から出力電極７への伝播路を伝
播する表面波を不要波が妨害する程度が低減し、デバイ
ス特性が向上する。
にダイシング・ラインをドット状に形成したので、基板
端面１５および１７に入射しようとする表面波はダイシ
ング・ラインのドットにより乱反射せられ、分散せられ
る。従って、入力電極５から出力電極７への伝播路を伝
播する表面波を不要波が妨害する程度が低減し、デバイ
ス特性が向上する。
【００２３】次に、図７から図９を参照して、端面反射
による特性劣化を防止することの可能な弾性表面波デバ
イスを容易に製造するための本発明の方法を説明する。
による特性劣化を防止することの可能な弾性表面波デバ
イスを容易に製造するための本発明の方法を説明する。
【００２４】理論的には、弾性表面波デバイスの製造に
おいては、圧電性基板上に形成された電極パターンと基
板長手方向端面との間の距離を変更することにより、端
面反射波が出力電極に到達するに要する時間を調整し、
反射波の影響を低減することができる。しかし、従来の
製造方法では、チップサイズは決っており、電極パター
ンと基板端面との間の距離を変更することは不可能であ
った。そこで、本発明の方法は、チップサイズを変更す
ることなく、反射波の影響を低減することが可能な弾性
表面波デバイスを容易に製造しようというものである。
おいては、圧電性基板上に形成された電極パターンと基
板長手方向端面との間の距離を変更することにより、端
面反射波が出力電極に到達するに要する時間を調整し、
反射波の影響を低減することができる。しかし、従来の
製造方法では、チップサイズは決っており、電極パター
ンと基板端面との間の距離を変更することは不可能であ
った。そこで、本発明の方法は、チップサイズを変更す
ることなく、反射波の影響を低減することが可能な弾性
表面波デバイスを容易に製造しようというものである。
【００２５】本発明の方法によれば、前述した入力電極
および出力電極を構成するインターディジタル形電極対
のパターンが形成されたウェーハ４１は、先ず、所定厚
さ（例えば、８０μｍ）を有する第１のダイシング・ブ
レード４３により個々のチップ４５に切断される（図７
）。
および出力電極を構成するインターディジタル形電極対
のパターンが形成されたウェーハ４１は、先ず、所定厚
さ（例えば、８０μｍ）を有する第１のダイシング・ブ
レード４３により個々のチップ４５に切断される（図７
）。
【００２６】次に、各チップの長手方向端面に沿って、
前記第１ダイシング・ブレード４３より大きな厚さ（例
えば、１５％増しの厚さ）を有する第２のダイシング・
ブレード４７を用いて、チップ厚さの約１／３の深さに
わたって、チップの端部を研削する（図８）。これによ
り、チップの長手方向端面のエッジにはベベルカット部
４９および５１が形成される（図９）。
前記第１ダイシング・ブレード４３より大きな厚さ（例
えば、１５％増しの厚さ）を有する第２のダイシング・
ブレード４７を用いて、チップ厚さの約１／３の深さに
わたって、チップの端部を研削する（図８）。これによ
り、チップの長手方向端面のエッジにはベベルカット部
４９および５１が形成される（図９）。
【００２７】これらのベベルカット部の幅を調節するこ
とにより、チップサイズを変更することなく、チップ端
面により発生する反射波が直接出力電極に到達する時間
を調節することができ、不要反射波の影響を低減するこ
とができる。
とにより、チップサイズを変更することなく、チップ端
面により発生する反射波が直接出力電極に到達する時間
を調節することができ、不要反射波の影響を低減するこ
とができる。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明の構造によれば、
圧電性基板の長手方向端面における表面波の反射により
不要波が発生するのを抑制し、弾性表面波デバイスの特
性を向上させることができる。
圧電性基板の長手方向端面における表面波の反射により
不要波が発生するのを抑制し、弾性表面波デバイスの特
性を向上させることができる。
【００２９】また、本発明の方法によれば、チップサイ
ズを変更することなく、不要反射波の影響のない弾性表
面波デバイスを製造することができる。
ズを変更することなく、不要反射波の影響のない弾性表
面波デバイスを製造することができる。
【図１】図１は本発明の第１実施例に係る弾性表面波デ
バイスを模式的に示す拡大平面図である。
バイスを模式的に示す拡大平面図である。
【図２】図２は図１の円内部分の拡大図である。
【図３】図３は入射波と反射波の位相を示す。
【図４】図４は本発明の第１実施例の弾性表面波デバイ
スのフィルタ特性と従来技術の弾性表面波デバイスの特
性とを対比して示すグラフである。
スのフィルタ特性と従来技術の弾性表面波デバイスの特
性とを対比して示すグラフである。
【図５】図５は凹み形成方法の１例を示す拡大平面図で
ある。
ある。
【図６】図６は本発明の第２実施例に係る弾性表面波デ
バイスを模式的に示す拡大平面図である。
バイスを模式的に示す拡大平面図である。
【図７】図７は弾性表面波デバイスを製造する本発明の
方法の１工程を示す。
方法の１工程を示す。
【図８】図８は弾性表面波デバイスを製造する本発明の
方法の他の工程を示す。
方法の他の工程を示す。
【図９】図９は本発明の方法により製造された弾性表面
波デバイスの拡大平面図である。
波デバイスの拡大平面図である。
【図１０】図１０は弾性表面波デバイスのチップを切断
する前のウェーハの平面図である。
する前のウェーハの平面図である。
【図１１】図１１は従来の弾性表面波デバイスのチップ
の拡大平面図である。
の拡大平面図である。
１………弾性表面波デバイス
３………圧電性基板
５………入力電極
７………出力電極
１５、１７…圧電性基板の長手方向端面１９………凹み
３１、３３…ダイシング・ライン
４３………第１ダイシング・ブレード
４７………第２ダイシング・ブレード
Claims (3)
- 【請求項１】 圧電性基板と、この圧電性基板上に配
置されたインターディジタル形電極対を夫々備えた入力
電源と、この電極から励振された弾性表面波が伝播する
前記圧電性基板主面の長手方向伝播路上に配置されたイ
ンターデイジタル夫々備えた出力電極からなる弾性表面
波デバイスにおいて、前記長手方向伝播路に平行な基板
端面に沿って、基板表面に、前記伝播路を通って伝播す
る表面波の波長の１／２以上の横断方向奥行きを有する
凹みをほぼ前記波長の１／４の奇数倍の間隔で周期的に
設け、表面波が基板端面で反射することによる不要波の
発生を抑制するようにしたことを特徴とする、弾性表面
波デバイス。 - 【請求項２】 圧電性基板と、この圧電性基板上に配
置されたインターディジタル形電極対を夫々備えた入力
電源と、この電極から励振された弾性表面波が伝播する
前記圧電性基板主面の長手方向伝播路上に配置されたイ
ンターデイジタル夫々備えた出力電極からなる弾性表面
波デバイスにおいて、前記長手方向伝播路に平行な基板
端面に沿って、基板表面に、等間隔に周期的に配置した
ドットからなるダイシング・ラインを設け、表面波が基
板端面で反射することによる不要波の発生を抑制するよ
うにしたことを特徴とする、弾性表面波デバイス。 - 【請求項３】 圧電性材料からなるウェーハ上に入力
電極および出力電極を構成するインターディジタル形電
極対のパターンを形成する工程と、斯るウェーハをダイ
シング・ブレードにより個々のチップに切断する工程と
を含んでなる、弾性表面波デバイスの製造方法において
、所定厚さを有する第１のダイシング・ブレードにより
ウェーハを個々のチップに切断した後、各チップの長手
方向端面に沿って、前記第１ダイシング・ブレードより
やゝ大きな厚さを有する第２のダイシング・ブレードに
より、チップ厚さの約１／３の深さにわたってチップの
端部を研削することを特徴とする、弾性表面波デバイス
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6310191A JPH04298113A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6310191A JPH04298113A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04298113A true JPH04298113A (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=13219568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6310191A Withdrawn JPH04298113A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04298113A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2870637A1 (fr) * | 2004-05-18 | 2005-11-25 | Temex Sa Sa | Composants a structure cristalline, de type a ondes acoustiques de surface, a double chanfrein et procede de realisation associe |
| WO2015001900A1 (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | 日本碍子株式会社 | 弾性波デバイス |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP6310191A patent/JPH04298113A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2870637A1 (fr) * | 2004-05-18 | 2005-11-25 | Temex Sa Sa | Composants a structure cristalline, de type a ondes acoustiques de surface, a double chanfrein et procede de realisation associe |
| WO2015001900A1 (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-08 | 日本碍子株式会社 | 弾性波デバイス |
| CN105340178A (zh) * | 2013-07-02 | 2016-02-17 | 日本碍子株式会社 | 弹性波装置 |
| KR20160026890A (ko) * | 2013-07-02 | 2016-03-09 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 탄성파 디바이스 |
| JPWO2015001900A1 (ja) * | 2013-07-02 | 2017-02-23 | 日本碍子株式会社 | 弾性波デバイス |
| US10230349B2 (en) | 2013-07-02 | 2019-03-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Acoustic wave device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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