JPH0113243B2 - - Google Patents
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- JPH0113243B2 JPH0113243B2 JP54032245A JP3224579A JPH0113243B2 JP H0113243 B2 JPH0113243 B2 JP H0113243B2 JP 54032245 A JP54032245 A JP 54032245A JP 3224579 A JP3224579 A JP 3224579A JP H0113243 B2 JPH0113243 B2 JP H0113243B2
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- shaped electrode
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14517—Means for weighting
- H03H9/1452—Means for weighting by finger overlap length, apodisation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02858—Means for compensation or elimination of undesirable effects of wave front distortion
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はスプリアスの抑圧に有効な弾性表面
波装置に関する。
波装置に関する。
従来、弾性表面波装置として圧電体上に第1及
び第2の櫛形電極をその櫛歯電極部を互いに交差
させたインターデイジタル電極を設けて構成した
ものが実用されている。通常このインターデイジ
タル電極は所定の周波数特性及び位相特性を持た
せるために、櫛歯電極部の交差の幅及び電極指の
位置に所望の重み付けがなされている。ところが
このような交差の幅に重み付けがなされた弾性表
面波装置においては、電極部分を多く経験して伝
搬する表面波と、そうでない表面波とができる。
周知のように表面波は電極部分を通過するときそ
の伝搬速度が遅くなるという性質を有している。
従つて電極部分を多く経験する表面波とそうでな
い表面波とは必然的にその伝搬速度が異なること
になり、その結果波面位相が乱れるという問題が
起きる。
び第2の櫛形電極をその櫛歯電極部を互いに交差
させたインターデイジタル電極を設けて構成した
ものが実用されている。通常このインターデイジ
タル電極は所定の周波数特性及び位相特性を持た
せるために、櫛歯電極部の交差の幅及び電極指の
位置に所望の重み付けがなされている。ところが
このような交差の幅に重み付けがなされた弾性表
面波装置においては、電極部分を多く経験して伝
搬する表面波と、そうでない表面波とができる。
周知のように表面波は電極部分を通過するときそ
の伝搬速度が遅くなるという性質を有している。
従つて電極部分を多く経験する表面波とそうでな
い表面波とは必然的にその伝搬速度が異なること
になり、その結果波面位相が乱れるという問題が
起きる。
そこでこの問題を解決するための手段として、
従来第1図に示すように位相補償のためのダミー
電極を設けるようにした弾性表面波装置が提案さ
れている(米国特許第3699364)。すなわちこの装
置は第1及び第2の櫛形電極11,12をその櫛
歯電極部を交差させ、かつ交差の幅に重み付けを
なして形成した際、第1及び第2の櫛形電極1
1,12の櫛歯電極部先端に対向してそれぞれ第
2及び第1の櫛形電極12,11よりダミー電極
13を突出形成したものであり、これによると表
面波の位相特性がダミー電極13の作用により良
好に補償される。
従来第1図に示すように位相補償のためのダミー
電極を設けるようにした弾性表面波装置が提案さ
れている(米国特許第3699364)。すなわちこの装
置は第1及び第2の櫛形電極11,12をその櫛
歯電極部を交差させ、かつ交差の幅に重み付けを
なして形成した際、第1及び第2の櫛形電極1
1,12の櫛歯電極部先端に対向してそれぞれ第
2及び第1の櫛形電極12,11よりダミー電極
13を突出形成したものであり、これによると表
面波の位相特性がダミー電極13の作用により良
好に補償される。
しかしながらこのようなダミー電極を有する弾
性表面波装置ではスプリアスが大きいという欠点
がある。すなわち第2図はこのような弾性表面波
装置の周波数特性を示すもので、21は周波数に
対する伝達関数H(w)をデシベルスケール
(20log|H(w)|)で表示したもの、また22は
これをリニアスケール|H(w)|で表示したもの
である。この特性曲線からわかるようにダミー電
極を有する弾性表面波装置では通過周波数帯域に
おいて大きなリツプルが発生する。
性表面波装置ではスプリアスが大きいという欠点
がある。すなわち第2図はこのような弾性表面波
装置の周波数特性を示すもので、21は周波数に
対する伝達関数H(w)をデシベルスケール
(20log|H(w)|)で表示したもの、また22は
これをリニアスケール|H(w)|で表示したもの
である。この特性曲線からわかるようにダミー電
極を有する弾性表面波装置では通過周波数帯域に
おいて大きなリツプルが発生する。
このようなスプリアスの発生原因は、発明者等
の研究の結果、表面波の励起に寄与していない櫛
歯電極部、即ち第1図中破線15で囲んで示した
第1及び第2の櫛形11,12の交差していない
櫛歯電極部と圧電基板裏面の接地電極間で励起さ
れるバルク波、および前記交差していない櫛歯電
極部と出力トランスジユーサ間の電磁結合によつ
て生じる電界によるバルク波の影響によるもので
あることが見出された。一般にこのようなバルク
波の影響は、入力トランスジユーサ16と出力ト
ランスジユーサ17との間隔を十分離すとか、圧
電基板の厚さを薄くすることで軽減することがで
きる。しかし入力及び出力トランスジユーサの間
隔を大きくとることは、表面波の伝搬損失が増加
するだけでなく、素子1個当りの占める圧電基板
面積が広くなり基板コストが高くなる。また圧電
基板を薄くすることはプロセス工程での破損事故
が増大することを考慮すれば限界がある。一方他
の方法として表面波励起に寄与しない電極をなく
することも考えられるが、この場合前述のように
伝搬する表面波の波面位相に乱れが生じ通過帯域
特性が大きく乱れるので好ましくない。
の研究の結果、表面波の励起に寄与していない櫛
歯電極部、即ち第1図中破線15で囲んで示した
第1及び第2の櫛形11,12の交差していない
櫛歯電極部と圧電基板裏面の接地電極間で励起さ
れるバルク波、および前記交差していない櫛歯電
極部と出力トランスジユーサ間の電磁結合によつ
て生じる電界によるバルク波の影響によるもので
あることが見出された。一般にこのようなバルク
波の影響は、入力トランスジユーサ16と出力ト
ランスジユーサ17との間隔を十分離すとか、圧
電基板の厚さを薄くすることで軽減することがで
きる。しかし入力及び出力トランスジユーサの間
隔を大きくとることは、表面波の伝搬損失が増加
するだけでなく、素子1個当りの占める圧電基板
面積が広くなり基板コストが高くなる。また圧電
基板を薄くすることはプロセス工程での破損事故
が増大することを考慮すれば限界がある。一方他
の方法として表面波励起に寄与しない電極をなく
することも考えられるが、この場合前述のように
伝搬する表面波の波面位相に乱れが生じ通過帯域
特性が大きく乱れるので好ましくない。
この発明は斯かる点に鑑みてなされたもので、
表面波の波面位相の乱れがなく、かつスプリアス
の小さい弾性表面波装置を提供することを目的と
するものである。
表面波の波面位相の乱れがなく、かつスプリアス
の小さい弾性表面波装置を提供することを目的と
するものである。
この発明は櫛歯電極部の交差の幅に重み付けが
なされた弾性表面波装置において、表面波励起に
寄与する櫛歯電極部と表面波励起に寄与しない櫛
歯電極部とを電気的に絶縁して設け、表面波励起
に寄与する櫛歯電極部に信号を印加するようにす
ることによつて、表面波励起に寄与しない櫛歯電
極によるバルク波の発生を防止し、スプリアスの
減少を図つたものである。
なされた弾性表面波装置において、表面波励起に
寄与する櫛歯電極部と表面波励起に寄与しない櫛
歯電極部とを電気的に絶縁して設け、表面波励起
に寄与する櫛歯電極部に信号を印加するようにす
ることによつて、表面波励起に寄与しない櫛歯電
極によるバルク波の発生を防止し、スプリアスの
減少を図つたものである。
以下この発明を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
第3図はこの発明の一実施例を示すものであ
る。図において31は例えばLiTaO3あるいは
LiNbO3等の圧電体基板であり、この上には入力
トランスジユーサ32および出力トランスジユー
サ33が設けられている。入力トランスジユーサ
32は第1の櫛形電極34と第2の櫛形電極35
とを交差させ、且つその交差の幅に所望の重み付
けがなされて構成されている。また出力トランス
ジユーサ33は第3の櫛形電極36と第4の櫛形
電極37とを交差させて構成されている。なおこ
れら櫛形電極34〜37として電極部と電極間〓
部との音響インピーダンスの差に起因する反射表
面波スプリアスを軽減するのに有効なスプリツト
電極構造のものが使用されている。
る。図において31は例えばLiTaO3あるいは
LiNbO3等の圧電体基板であり、この上には入力
トランスジユーサ32および出力トランスジユー
サ33が設けられている。入力トランスジユーサ
32は第1の櫛形電極34と第2の櫛形電極35
とを交差させ、且つその交差の幅に所望の重み付
けがなされて構成されている。また出力トランス
ジユーサ33は第3の櫛形電極36と第4の櫛形
電極37とを交差させて構成されている。なおこ
れら櫛形電極34〜37として電極部と電極間〓
部との音響インピーダンスの差に起因する反射表
面波スプリアスを軽減するのに有効なスプリツト
電極構造のものが使用されている。
入力信号は入力端子38を介して入力トランス
ジユーサ32の第1及び第2の櫛形電極34,3
5間に印加される。尚この実施例では第1の櫛形
電極34は接地されている。入力信号の印加によ
つて弾性表面波が励振され、圧電体基板31表面
を伝搬し出力トランスジユーサ33に到達する。
そしてこの出力トランスジユーサ33により再び
電気信号に変換され、第3の櫛形電極36に接続
された出力端子39と、接地された第4の櫛形電
極37との間より取り出される。なお、圧電体基
板31の端面での表面波の反射を防止するために
反射吸収体40が設けられている。
ジユーサ32の第1及び第2の櫛形電極34,3
5間に印加される。尚この実施例では第1の櫛形
電極34は接地されている。入力信号の印加によ
つて弾性表面波が励振され、圧電体基板31表面
を伝搬し出力トランスジユーサ33に到達する。
そしてこの出力トランスジユーサ33により再び
電気信号に変換され、第3の櫛形電極36に接続
された出力端子39と、接地された第4の櫛形電
極37との間より取り出される。なお、圧電体基
板31の端面での表面波の反射を防止するために
反射吸収体40が設けられている。
一方、入力トランスジユーサ32の第2の櫛形
電極35の櫛歯電極部は第1の櫛形電極34と互
いに交差し表面波の励起に寄与する部分35−1
と、第1の櫛形電極34とは交差してなく表面波
の励起に寄与しない部分35−2とに分割され電
気的に絶縁されている。そして励起に寄与する部
分35−1は等しく入力信号が印加されるように
共通に接続されており、また励起に寄与しない部
分35−2は接地されている。かかる構成は第2
の櫛形電極35の櫛歯電極部すべてについて採用
されている必要はなく、バルク波の影響が一番大
きく現れる部分に採用するだけでもよい。この実
施例ではこの点を考慮し、櫛歯電極部の交差の幅
が最も大きい部分から出力トランスジユーサ33
側の櫛歯電極部について採用した場合を示す。な
お第1の櫛形電極34についても同様の構成を採
用してもよいが、この実施例の場合、第2の櫛形
電極34は接地されているので圧電基板31裏面
の接地電極間との間ではバルク波は励起されない
ので上記のような構成を取る必要はない。
電極35の櫛歯電極部は第1の櫛形電極34と互
いに交差し表面波の励起に寄与する部分35−1
と、第1の櫛形電極34とは交差してなく表面波
の励起に寄与しない部分35−2とに分割され電
気的に絶縁されている。そして励起に寄与する部
分35−1は等しく入力信号が印加されるように
共通に接続されており、また励起に寄与しない部
分35−2は接地されている。かかる構成は第2
の櫛形電極35の櫛歯電極部すべてについて採用
されている必要はなく、バルク波の影響が一番大
きく現れる部分に採用するだけでもよい。この実
施例ではこの点を考慮し、櫛歯電極部の交差の幅
が最も大きい部分から出力トランスジユーサ33
側の櫛歯電極部について採用した場合を示す。な
お第1の櫛形電極34についても同様の構成を採
用してもよいが、この実施例の場合、第2の櫛形
電極34は接地されているので圧電基板31裏面
の接地電極間との間ではバルク波は励起されない
ので上記のような構成を取る必要はない。
上記のような構成において第1および第2の櫛
形電極34,35間に入力信号を印加すると、表
面波の励振に寄与する互いに交差した櫛歯電極部
35−1に入力信号が与えられるので、表面波の
励起は通常通り行われる。しかもこの場合この発
明によると、表面波の励起に寄与しない櫛歯電極
部35−2には入力信号は印加されないので、従
来のようにこれら電極35−2と圧電基板31裏
面の接地電極との間でバルク歯が励起されるとい
うことはなくなる。従つてこのバルク波の影響に
よるスプリアスを極めて減少させることができ
る。しかもこの櫛歯電極部35−2は単にスプリ
アス発生の要因となつていないというだけでな
く、それ自身は櫛歯電極部35−1によつて励振
された表面波ビームの中心部と周辺部との波面位
相を揃えるために有効に作用している。
形電極34,35間に入力信号を印加すると、表
面波の励振に寄与する互いに交差した櫛歯電極部
35−1に入力信号が与えられるので、表面波の
励起は通常通り行われる。しかもこの場合この発
明によると、表面波の励起に寄与しない櫛歯電極
部35−2には入力信号は印加されないので、従
来のようにこれら電極35−2と圧電基板31裏
面の接地電極との間でバルク歯が励起されるとい
うことはなくなる。従つてこのバルク波の影響に
よるスプリアスを極めて減少させることができ
る。しかもこの櫛歯電極部35−2は単にスプリ
アス発生の要因となつていないというだけでな
く、それ自身は櫛歯電極部35−1によつて励振
された表面波ビームの中心部と周辺部との波面位
相を揃えるために有効に作用している。
また励起に寄与しない櫛歯電極35−2が接地
されているので、入力トランスジユーサの信号供
給電極端子と出力トランスジユーサの信号受信電
極端子間との直接的電磁結合を抑圧する効果があ
り、スプリアスの発生をさらに減少することがで
きるとともに、入出力トランスジユーサの電磁結
合を防止するために入出力トランスジユーサ間に
新たにシールド電極を設ける必要がないので、入
出力トランスジユーサ間隔を狭めることができチ
ツプの小型化を図ることができる。
されているので、入力トランスジユーサの信号供
給電極端子と出力トランスジユーサの信号受信電
極端子間との直接的電磁結合を抑圧する効果があ
り、スプリアスの発生をさらに減少することがで
きるとともに、入出力トランスジユーサの電磁結
合を防止するために入出力トランスジユーサ間に
新たにシールド電極を設ける必要がないので、入
出力トランスジユーサ間隔を狭めることができチ
ツプの小型化を図ることができる。
第4図は上記のように構成された本発明の弾性
表面波装置の周波数特性を示すもので、41は周
波数に対する伝達関数をデシベルスケールで表示
したもの、また42はこれをリニアスケールで表
示したものである。第2図に示した従来の弾性表
面波装置の周波数特性図と比較してみると明らか
のように、この発明の装置では通過周波数帯域に
おけるリツプルが極めて減少しており、その効果
は顕著である。
表面波装置の周波数特性を示すもので、41は周
波数に対する伝達関数をデシベルスケールで表示
したもの、また42はこれをリニアスケールで表
示したものである。第2図に示した従来の弾性表
面波装置の周波数特性図と比較してみると明らか
のように、この発明の装置では通過周波数帯域に
おけるリツプルが極めて減少しており、その効果
は顕著である。
第5図及び第6図はそれぞれこの発明の他の実
施例を示すものである。これを第3図と同一番号
を付して説明する。
施例を示すものである。これを第3図と同一番号
を付して説明する。
第5図の実施例は第2の櫛形電極35だけでな
く第1の櫛形電極34にもこの発明に係る電極構
造を適用したものである。このような構造にする
と、第2の櫛形電極35を接地し第1の櫛形電極
34に入力信号を印加することも、また逆に第1
の櫛形電極34を接地し第2の櫛形電極35に入
力信号を印加することもでき、信号供給端子を任
意に選ぶことができ取り扱いが簡単であるという
利点を有する。
く第1の櫛形電極34にもこの発明に係る電極構
造を適用したものである。このような構造にする
と、第2の櫛形電極35を接地し第1の櫛形電極
34に入力信号を印加することも、また逆に第1
の櫛形電極34を接地し第2の櫛形電極35に入
力信号を印加することもでき、信号供給端子を任
意に選ぶことができ取り扱いが簡単であるという
利点を有する。
また第6図の実施例はこの発明の電極構造を第
1及び第2の櫛形電極34,35の櫛歯電極部す
べてに適用したものであり、この場合、出力トラ
ンスジユーサ33を入力トランスジユーサ32の
両側に設けた所謂三電極型のトランスジユーサを
構成する場合に有効である。
1及び第2の櫛形電極34,35の櫛歯電極部す
べてに適用したものであり、この場合、出力トラ
ンスジユーサ33を入力トランスジユーサ32の
両側に設けた所謂三電極型のトランスジユーサを
構成する場合に有効である。
尚上記実施例ではいずれもスプリツト電極構造
の弾性表面波装置に本発明を適用した場合を示し
たが、このような電極構造に限つて適用されるも
のではないことはもちろんである。
の弾性表面波装置に本発明を適用した場合を示し
たが、このような電極構造に限つて適用されるも
のではないことはもちろんである。
このような本発明は櫛歯電極部の交差の幅に重
み付けがなされたダミー電極を有する弾性表面波
装置において、表面波励起に寄与する櫛歯電極
部、即ち櫛歯電極の互いに交差する部分と、表面
波励起に寄与しない部分、即ち櫛歯電極の交差し
ない部分とを電気的に絶縁して設け、表面波励起
に寄与する櫛歯電極部に入力信号を供給するよう
にすることによつて、伝搬する表面波の波面位相
に乱れがなく、かつスプリアスの小さい弾性表面
波装置を提供するものである。
み付けがなされたダミー電極を有する弾性表面波
装置において、表面波励起に寄与する櫛歯電極
部、即ち櫛歯電極の互いに交差する部分と、表面
波励起に寄与しない部分、即ち櫛歯電極の交差し
ない部分とを電気的に絶縁して設け、表面波励起
に寄与する櫛歯電極部に入力信号を供給するよう
にすることによつて、伝搬する表面波の波面位相
に乱れがなく、かつスプリアスの小さい弾性表面
波装置を提供するものである。
なお、かかる本発明は表面波の伝搬損失そのも
のも少ないが、バルク波の損失も少ないためバル
ク波の影響が顕著に現れる弾性表面波装置例えば
XカツトLiTaO3圧電体でY軸に対して75゜〜133゜
方向に表面波伝搬方向をとつたもの、および
LiNbO3圧電体でローテイテイツド128゜Yカツト、
X軸方向伝搬のものに適用した場合、その効果は
非常に顕著であり、スプリアスのより小さい弾性
表面波装置を得ることができる。
のも少ないが、バルク波の損失も少ないためバル
ク波の影響が顕著に現れる弾性表面波装置例えば
XカツトLiTaO3圧電体でY軸に対して75゜〜133゜
方向に表面波伝搬方向をとつたもの、および
LiNbO3圧電体でローテイテイツド128゜Yカツト、
X軸方向伝搬のものに適用した場合、その効果は
非常に顕著であり、スプリアスのより小さい弾性
表面波装置を得ることができる。
第1図は従来のダミー電極を設けた弾性表面波
装置の構成を示す図、第2図はその周波数特性
図、第3図はこの発明の一実施例を示す図、第4
図はその周波数特性図、第5図及び第6図はそれ
ぞれこの発明の他の実施例を示す図である。 31……圧電基板、34……第1の櫛形電極、
35……第2の櫛形電極、35−1……表面波励
起に寄与する櫛歯電極部、35−1……表面波励
起に寄与しない櫛歯電極部。
装置の構成を示す図、第2図はその周波数特性
図、第3図はこの発明の一実施例を示す図、第4
図はその周波数特性図、第5図及び第6図はそれ
ぞれこの発明の他の実施例を示す図である。 31……圧電基板、34……第1の櫛形電極、
35……第2の櫛形電極、35−1……表面波励
起に寄与する櫛歯電極部、35−1……表面波励
起に寄与しない櫛歯電極部。
Claims (1)
- 1 圧電体上にスプリツト電極構造の櫛形電極対
をその櫛歯電極部が互いに交差するよう、且つそ
の交差の幅に所望の重み付けがなされるように形
成して成る入力トランスジユーサと、前記圧電基
板上に前記入力トランスジユーサに対向して形成
されたスプリツト電極構造の出力トランスジユー
サと、前記圧電基板の裏面に形成された接地電極
とを有する弾性表面波装置において、前記入力ト
ランスジユーサの櫛形電極対の少くとも一方の電
極は、その櫛歯電極部が他の一方の電極の櫛歯電
極部と交差する部分および交差しない部分の電気
的に絶縁された2つのスプリツト電極構造の電極
部分から構成され、前記交差する部分に入力信号
が印加され、前記交差しない部分が接地されてい
るような電極構成を少くとも前記出力トランスジ
ユーサに対向する側に含み、かつ前記櫛形電極対
は、伝搬する表面波の波面位相を補償するための
ダミー電極を有することを特徴とする弾性表面波
装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3224579A JPS55125713A (en) | 1979-03-22 | 1979-03-22 | Surface elastic wave device |
GB8009001A GB2047498B (en) | 1979-03-22 | 1980-03-17 | Elastic surface wave device |
US06/131,538 US4346322A (en) | 1979-03-22 | 1980-03-18 | Elastic surface wave device |
CA348,185A CA1129511A (en) | 1979-03-22 | 1980-03-21 | Elastic surface wave device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3224579A JPS55125713A (en) | 1979-03-22 | 1979-03-22 | Surface elastic wave device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55125713A JPS55125713A (en) | 1980-09-27 |
JPH0113243B2 true JPH0113243B2 (ja) | 1989-03-06 |
Family
ID=12353605
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3224579A Granted JPS55125713A (en) | 1979-03-22 | 1979-03-22 | Surface elastic wave device |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4346322A (ja) |
JP (1) | JPS55125713A (ja) |
CA (1) | CA1129511A (ja) |
GB (1) | GB2047498B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5725714A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Elastic surface wave converter |
JPS5843609A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-14 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
DE3208252A1 (de) * | 1982-03-08 | 1983-09-15 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Interdigitalwandler mit unterdrueckung reflektierter stoersignale |
US4535265A (en) * | 1984-05-17 | 1985-08-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave transducer with internal acoustic reflection |
DE3517254A1 (de) * | 1985-05-13 | 1986-11-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Mit akustischen wellen arbeitendes elektrisches filter |
JPS6484909A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-30 | Nec Corp | Surface acoustic wave device |
JP3846409B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2006-11-15 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置、通信装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3699364A (en) * | 1971-06-04 | 1972-10-17 | Hughes Aircraft Co | Acoustic surface wave device having improved transducer structure |
US3748603A (en) * | 1972-03-27 | 1973-07-24 | Zenith Radio Corp | Surface wave filter with reflection suppression |
US3908137A (en) * | 1973-12-26 | 1975-09-23 | Magnavox Co | Apparatus and method for triple transit signal cancellation in an acoustical surface wave device |
US3845418A (en) * | 1974-01-02 | 1974-10-29 | Hughes Aircraft Co | Acoustic surface wave device with reduced rf feedthrough |
US3952269A (en) * | 1975-04-28 | 1976-04-20 | Hughes Aircraft Company | Surface acoustic wave delay line |
FR2310029A1 (fr) * | 1975-04-30 | 1976-11-26 | Thomson Csf | Dispositif a ondes elastiques de surface permettant l'elimination des echos a transits multiples |
US4065789A (en) * | 1977-01-05 | 1977-12-27 | Zenith Radio Corporation | Surface wave device for use in a ghost cancellation system |
US4166257A (en) * | 1977-10-19 | 1979-08-28 | Motorola, Inc. | Capacitively weighted surface acoustic wave device |
-
1979
- 1979-03-22 JP JP3224579A patent/JPS55125713A/ja active Granted
-
1980
- 1980-03-17 GB GB8009001A patent/GB2047498B/en not_active Expired
- 1980-03-18 US US06/131,538 patent/US4346322A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-03-21 CA CA348,185A patent/CA1129511A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1129511A (en) | 1982-08-10 |
GB2047498B (en) | 1983-05-05 |
US4346322A (en) | 1982-08-24 |
JPS55125713A (en) | 1980-09-27 |
GB2047498A (en) | 1980-11-26 |
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