JP3432323B2 - Ｓａｗデバイス - Google Patents
ＳａｗデバイスInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポケットベル、自動車
電話等移動体通信機器で使用されるＳＡＷフィルタ等の
弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave)デバイス
に関する。
電話等移動体通信機器で使用されるＳＡＷフィルタ等の
弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave)デバイス
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＡＷデバイスは圧電基板表面における
弾性表面波の伝搬を利用して電気信号の瀘波、共振等を
実現するデバイスである。ＳＡＷデバイスにおいては、
通常、インタディジタル電極（ＩＤＴ：Inter Digital
Transducer）と呼ばれる電極が使用される。ＩＤＴは、
一対のバスバー及びこのバスバーから指交叉状に延設さ
れた電極指により構成され、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮ
ｂＯ3 ）等の圧電基板上に形成される。ＩＤＴに電気信
号を与えると、電気機械変換により電極指間隔に応じた
波長の弾性表面波が発生し圧電基板上を伝搬する。この
弾性表面波を他のＩＤＴにて受波し機械電気変換する
と、専ら電気機械変換、機械電気変換及び送受波間の伝
搬遅延により定まる特性にて瀘波された電気信号が得ら
れる。このような性質を利用したＳＡＷフィルタをはじ
め、各種のＳＡＷデバイスが、各種通信機器において多
く利用されている。
弾性表面波の伝搬を利用して電気信号の瀘波、共振等を
実現するデバイスである。ＳＡＷデバイスにおいては、
通常、インタディジタル電極（ＩＤＴ：Inter Digital
Transducer）と呼ばれる電極が使用される。ＩＤＴは、
一対のバスバー及びこのバスバーから指交叉状に延設さ
れた電極指により構成され、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮ
ｂＯ3 ）等の圧電基板上に形成される。ＩＤＴに電気信
号を与えると、電気機械変換により電極指間隔に応じた
波長の弾性表面波が発生し圧電基板上を伝搬する。この
弾性表面波を他のＩＤＴにて受波し機械電気変換する
と、専ら電気機械変換、機械電気変換及び送受波間の伝
搬遅延により定まる特性にて瀘波された電気信号が得ら
れる。このような性質を利用したＳＡＷフィルタをはじ
め、各種のＳＡＷデバイスが、各種通信機器において多
く利用されている。
【０００３】ＳＡＷデバイスの特性を設計するために
は、送受波双方又はいずれかのＩＤＴに重み付けを施す
必要がある。重み付けの方法としては、電極指の長さに
よる重み付け、電極指の間隔による重み付け、電極指の
太さによる重み付け等、各種の方法が知られている。簡
便な重み付け方法として従来から知られているのは、図
１１に示されるように、＋バスバー１０及び−バスバー
１２から延設される電極指１４を選択的に間引く間引き
重み付けである。重み付け電極は、通常、正規型ＩＤＴ
（重み付けが施されていないＩＤＴ）と共に使用され
る。例えばＳＡＷフィルタの場合、入力ＩＤＴ（送波
側）に重み付けＩＤＴを、出力ＩＤＴ（受波側）ＩＤＴ
に正規型ＩＤＴを、それぞれ使用する。
は、送受波双方又はいずれかのＩＤＴに重み付けを施す
必要がある。重み付けの方法としては、電極指の長さに
よる重み付け、電極指の間隔による重み付け、電極指の
太さによる重み付け等、各種の方法が知られている。簡
便な重み付け方法として従来から知られているのは、図
１１に示されるように、＋バスバー１０及び−バスバー
１２から延設される電極指１４を選択的に間引く間引き
重み付けである。重み付け電極は、通常、正規型ＩＤＴ
（重み付けが施されていないＩＤＴ）と共に使用され
る。例えばＳＡＷフィルタの場合、入力ＩＤＴ（送波
側）に重み付けＩＤＴを、出力ＩＤＴ（受波側）ＩＤＴ
に正規型ＩＤＴを、それぞれ使用する。
【０００４】ＩＤＴにおける電極指構造としては、シン
グル電極構造やダブル電極構造が知られている。シング
ル電極構造は、各バスバーから指交叉状に延設する電極
指が１本ずつの構造である。すなわち、＋バスバーから
１本電極指が延設され、所定間隔を隔てて−バスバーか
ら１本電極指が延設される構造を繰り返して、電極指を
配設する構造である。これに対し、ダブル電極構造は、
各バスバーから指交叉状に延設する電極指が２本ずつの
構造である。すなわち、図８に概念的に示されるよう
に、＋バスバーから２本電極指１４が延設され、所定間
隔を隔てて−バスバーから２本電極指１４が延設される
構造を繰り返して、電極指１４を配設する構造である。
ダブル電極構造は、シングル電極構造に比べ通過帯域内
リプルを低減できるという利点を有しており、従来技術
としてダブル電極構造の間引き重み付けＩＤＴが存在し
た。図９、図１０はダブル電極構造のＩＤＴの間引き部
の例を示す。図１１はダブル電極構造の間引き重み付け
ＩＤＴの具体的な設計例である。図１２は図９に示すＳ
ＡＷデバイスの弾性表面波進行方向に沿った断面の概略
図であり、図中１８はニオブ酸リチウム等から形成され
る圧電基板である。
グル電極構造やダブル電極構造が知られている。シング
ル電極構造は、各バスバーから指交叉状に延設する電極
指が１本ずつの構造である。すなわち、＋バスバーから
１本電極指が延設され、所定間隔を隔てて−バスバーか
ら１本電極指が延設される構造を繰り返して、電極指を
配設する構造である。これに対し、ダブル電極構造は、
各バスバーから指交叉状に延設する電極指が２本ずつの
構造である。すなわち、図８に概念的に示されるよう
に、＋バスバーから２本電極指１４が延設され、所定間
隔を隔てて−バスバーから２本電極指１４が延設される
構造を繰り返して、電極指１４を配設する構造である。
ダブル電極構造は、シングル電極構造に比べ通過帯域内
リプルを低減できるという利点を有しており、従来技術
としてダブル電極構造の間引き重み付けＩＤＴが存在し
た。図９、図１０はダブル電極構造のＩＤＴの間引き部
の例を示す。図１１はダブル電極構造の間引き重み付け
ＩＤＴの具体的な設計例である。図１２は図９に示すＳ
ＡＷデバイスの弾性表面波進行方向に沿った断面の概略
図であり、図中１８はニオブ酸リチウム等から形成され
る圧電基板である。
【０００５】しかし、ダブル電極構造のＩＤＴを間引き
重み付けすると、通過帯域内に振幅特性の落ち込みすな
わち挿入損失が増加する部分が生じるという問題があ
る。これは図１２に示すように電極指１４を間引かない
部分の基板での弾性表面波の伝搬速度ｖ0 と電極指を間
引いた部分の基板での伝搬速度ｖ1 とは相違し、この結
果、弾性表面波とＩＤＴに加える電気信号との位相のず
れが発生するためである。
重み付けすると、通過帯域内に振幅特性の落ち込みすな
わち挿入損失が増加する部分が生じるという問題があ
る。これは図１２に示すように電極指１４を間引かない
部分の基板での弾性表面波の伝搬速度ｖ0 と電極指を間
引いた部分の基板での伝搬速度ｖ1 とは相違し、この結
果、弾性表面波とＩＤＴに加える電気信号との位相のず
れが発生するためである。
【０００６】図１３、図１４には、図１１の従来例の挿
入損失特性が示されている。図１３に示されるのは３ト
ランスデューサ構成の測定結果、図１４に示されるのは
２トランスデューサ構成のシミュレーション結果による
特性である。図中に示される条件のうち“λ0 ／１２Ｆ
ＥＵＤＴ”は、浮き電極単一方向性トランスデューサ
（ＦＥＵＤＴ）、すなわちいずれのバスバーにも接続さ
れていない電極指（浮き電極）を中心波長λ0 の１／１
２だけ本来の電極指位置からずらして設け、方向性を持
たせたＩＤＴを指す。また、２トランスデューサとは、
図１５（ａ）に示されるように入力ＩＤＴ２０及び出力
ＩＤＴ２２がいずれも１個の構成をいい、３トランスデ
ューサとは、図１５（ｂ）に示されるように入力ＩＤＴ
２０が１個で出力ＩＤＴ２２が２個の構成をいう。一般
に、３トランスデューサ構成のほうが、損失が小さい。
図１３、図１４に示されるように従来例では、位相ずれ
による顕著な落ち込みが生じている。
入損失特性が示されている。図１３に示されるのは３ト
ランスデューサ構成の測定結果、図１４に示されるのは
２トランスデューサ構成のシミュレーション結果による
特性である。図中に示される条件のうち“λ0 ／１２Ｆ
ＥＵＤＴ”は、浮き電極単一方向性トランスデューサ
（ＦＥＵＤＴ）、すなわちいずれのバスバーにも接続さ
れていない電極指（浮き電極）を中心波長λ0 の１／１
２だけ本来の電極指位置からずらして設け、方向性を持
たせたＩＤＴを指す。また、２トランスデューサとは、
図１５（ａ）に示されるように入力ＩＤＴ２０及び出力
ＩＤＴ２２がいずれも１個の構成をいい、３トランスデ
ューサとは、図１５（ｂ）に示されるように入力ＩＤＴ
２０が１個で出力ＩＤＴ２２が２個の構成をいう。一般
に、３トランスデューサ構成のほうが、損失が小さい。
図１３、図１４に示されるように従来例では、位相ずれ
による顕著な落ち込みが生じている。
【０００７】またダブル電極構造の間引き重み付けをし
たＩＤＴでは、阻止帯域のスプリアスが生じるという問
題もあった。
たＩＤＴでは、阻止帯域のスプリアスが生じるという問
題もあった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したようにダブル
電極構造のＩＤＴを間引き重み付けすると、通過帯域内
の振幅特性の落ち込みすなわち挿入損失の増加部分や、
阻止帯域のスプリアスという問題が生ずる。本発明はこ
の前者を解決するＳＡＷデバイスと、問題点の双方を解
決した良好な特性を有するＳＡＷデバイスとを提供する
ことを目的とする。
電極構造のＩＤＴを間引き重み付けすると、通過帯域内
の振幅特性の落ち込みすなわち挿入損失の増加部分や、
阻止帯域のスプリアスという問題が生ずる。本発明はこ
の前者を解決するＳＡＷデバイスと、問題点の双方を解
決した良好な特性を有するＳＡＷデバイスとを提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のＳＡＷデバイスは、間引き重み付け
されたダブル電極構造ＩＤＴを備えるＳＡＷデバイスに
おいて、弾性表面波の伝搬速度が間引き部と非間引き部
とでほぼ等しくなるよう、同一のバスバーに接続されて
いるＩＤＴの電極指に挟まれた所定の間引き部にいずれ
のバスバーにも接続されていない浮きダミー電極を設け
ることを特徴とする。あるいは、異なるバスバーに接続
されているＩＤＴの電極指に挟まれた所定の間引き部に
いずれのバスバーにも接続されていない電気的に互いに
分離された２以上の浮きダミー電極を設けることを特徴
とする。
るために、本発明のＳＡＷデバイスは、間引き重み付け
されたダブル電極構造ＩＤＴを備えるＳＡＷデバイスに
おいて、弾性表面波の伝搬速度が間引き部と非間引き部
とでほぼ等しくなるよう、同一のバスバーに接続されて
いるＩＤＴの電極指に挟まれた所定の間引き部にいずれ
のバスバーにも接続されていない浮きダミー電極を設け
ることを特徴とする。あるいは、異なるバスバーに接続
されているＩＤＴの電極指に挟まれた所定の間引き部に
いずれのバスバーにも接続されていない電気的に互いに
分離された２以上の浮きダミー電極を設けることを特徴
とする。
【００１０】
【作用】通過帯域内での振幅特性の落ち込みは、間引き
部の占有面積が割合として大きく、間引き部での弾性表
面波の伝搬速度と非間引き部での伝搬速度との差により
位相ずれが生ずることにより発生していた。本発明のＳ
ＡＷデバイスにおいては、ＩＤＴにおける電極指の間引
き部にいずれのバスバーにも接続されず電気的に浮いて
いる浮きダミー電極が配置形成される。
部の占有面積が割合として大きく、間引き部での弾性表
面波の伝搬速度と非間引き部での伝搬速度との差により
位相ずれが生ずることにより発生していた。本発明のＳ
ＡＷデバイスにおいては、ＩＤＴにおける電極指の間引
き部にいずれのバスバーにも接続されず電気的に浮いて
いる浮きダミー電極が配置形成される。
【００１１】この浮きダミー電極により弾性表面波の伝
搬についての機械的条件は電極指が存在しているのと同
様になる。この結果、弾性表面波の伝搬速度が間引き部
と非間引き部とでほぼ等しくなり、位相ずれが低減乃至
防止される結果、通過帯域内での振幅特性の落ち込みが
無くなる。さらに請求項２に対応する本発明による浮き
ダミー電極を設けた部では、ＩＤＴの電極指による電界
が緩やかになり阻止帯域のスプリアスが抑制される。
搬についての機械的条件は電極指が存在しているのと同
様になる。この結果、弾性表面波の伝搬速度が間引き部
と非間引き部とでほぼ等しくなり、位相ずれが低減乃至
防止される結果、通過帯域内での振幅特性の落ち込みが
無くなる。さらに請求項２に対応する本発明による浮き
ダミー電極を設けた部では、ＩＤＴの電極指による電界
が緩やかになり阻止帯域のスプリアスが抑制される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例について図面に
基づき説明する。なお、各図において同様の構成要素に
は同一の符号を付し説明を省略する。
基づき説明する。なお、各図において同様の構成要素に
は同一の符号を付し説明を省略する。
【００１３】図１は請求項１に対応する本発明の実施例
であり、図９のニオブ酸リチウム等の圧電基板上に形成
されたＩＤＴの電極指の間引き部に浮きダミー電極２６
が挿入されている。浮きダミー電極２６はバスバーに接
続されておらず、複数の指状電極がその一端で互いに電
気的に接続された形状を有している。すなわち本実施例
では、同一のバスバーに接続されている２本の電極指が
挟む所定の間引き部に、１つの浮きダミー電極が配置さ
れ、この浮きダミー電極はいずれのバスバーにも接続さ
れないので、電界を発生しない。
であり、図９のニオブ酸リチウム等の圧電基板上に形成
されたＩＤＴの電極指の間引き部に浮きダミー電極２６
が挿入されている。浮きダミー電極２６はバスバーに接
続されておらず、複数の指状電極がその一端で互いに電
気的に接続された形状を有している。すなわち本実施例
では、同一のバスバーに接続されている２本の電極指が
挟む所定の間引き部に、１つの浮きダミー電極が配置さ
れ、この浮きダミー電極はいずれのバスバーにも接続さ
れないので、電界を発生しない。
【００１４】図５は図１に示すＳＡＷデバイスの弾性表
面波進行方向に沿った断面の概略図であり、電極指１４
を間引かない部分の基板と浮きダミー電極２６を設けた
部分の基板との機械的条件は同様になる。その結果、電
極指１４を間引かない部分の基板での弾性表面波の伝搬
速度ｖ0 と浮きダミー電極を設けた部分の基板での伝搬
速度ｖ2 とがほぼ等しくなり、位相ずれが低減ないし防
止される結果、通過帯域内での振幅特性の落ち込みが無
くなる。
面波進行方向に沿った断面の概略図であり、電極指１４
を間引かない部分の基板と浮きダミー電極２６を設けた
部分の基板との機械的条件は同様になる。その結果、電
極指１４を間引かない部分の基板での弾性表面波の伝搬
速度ｖ0 と浮きダミー電極を設けた部分の基板での伝搬
速度ｖ2 とがほぼ等しくなり、位相ずれが低減ないし防
止される結果、通過帯域内での振幅特性の落ち込みが無
くなる。
【００１５】図２は本発明の参考例であり、図１０のＩ
ＤＴの電極指の間引き部に浮きダミー電極３６が挿入さ
れている。浮きダミー電極３６はバスバーに接続されて
おらず、複数の指状電極がその一端で互いに電気的に接
続された形状を有している。すなわち本参考例では、異
なるバスバーに接続されている２本の電極指が挟む所定
の間引き部に、１つの浮きダミー電極が配置され、この
浮きダミー電極はいずれのバスバーにも接続されない。
ＤＴの電極指の間引き部に浮きダミー電極３６が挿入さ
れている。浮きダミー電極３６はバスバーに接続されて
おらず、複数の指状電極がその一端で互いに電気的に接
続された形状を有している。すなわち本参考例では、異
なるバスバーに接続されている２本の電極指が挟む所定
の間引き部に、１つの浮きダミー電極が配置され、この
浮きダミー電極はいずれのバスバーにも接続されない。
【００１６】図３は請求項２に対応する本発明の第二の
実施例である。本発明が実施される電極指の間引き部
は、図１０の場合と同じく、互いに異なるバスバーに接
続されている２本の電極指１４に挟まれており、この間
引き部に４本の電極指の一端を接続した浮きダミー電極
４６が７個配置されている。図２に示した参考例との本
質的な差異は、浮きダミー電極４６が電気的に互いに分
離された複数の浮きダミー電極である点である。本実施
例においても上記本発明の第一の実施例で述べた効果を
得られる。本実施例では第二の効果として、バスバー１
０、１２から間引き部を挟む２つのダブル電極指１４に
それぞれ正負の電気信号が加えられたとき、浮きダミー
電極４６の個々の静電誘導により、間引き部での電界の
かかり方が参考例より滑らかになるため、阻止帯域のス
プリアスが減少するという効果が得られる。
実施例である。本発明が実施される電極指の間引き部
は、図１０の場合と同じく、互いに異なるバスバーに接
続されている２本の電極指１４に挟まれており、この間
引き部に４本の電極指の一端を接続した浮きダミー電極
４６が７個配置されている。図２に示した参考例との本
質的な差異は、浮きダミー電極４６が電気的に互いに分
離された複数の浮きダミー電極である点である。本実施
例においても上記本発明の第一の実施例で述べた効果を
得られる。本実施例では第二の効果として、バスバー１
０、１２から間引き部を挟む２つのダブル電極指１４に
それぞれ正負の電気信号が加えられたとき、浮きダミー
電極４６の個々の静電誘導により、間引き部での電界の
かかり方が参考例より滑らかになるため、阻止帯域のス
プリアスが減少するという効果が得られる。
【００１７】図４は請求項１に対応する本発明と、参考
例を使用した具体的な設計例である。本実施例は図１１
の間引き重み付けＩＤＴに浮きダミー電極３６及びバス
バーに接続されたダミー電極を使用したものである。
例を使用した具体的な設計例である。本実施例は図１１
の間引き重み付けＩＤＴに浮きダミー電極３６及びバス
バーに接続されたダミー電極を使用したものである。
【００１８】図６、図７には、本実施例の挿入損失特性
が示されている。図６に示されるのは３トランスデュー
サ構成の実施例の測定結果、図７に示されるのは２トラ
ンスデューサ構成の実施例のシミュレーション結果によ
る特性である。これらの特性は、トランスデューサ配置
や中心周波数が異なる他は、図１３、図１４に示される
従来例と同一条件にて得られた特性である。
が示されている。図６に示されるのは３トランスデュー
サ構成の実施例の測定結果、図７に示されるのは２トラ
ンスデューサ構成の実施例のシミュレーション結果によ
る特性である。これらの特性は、トランスデューサ配置
や中心周波数が異なる他は、図１３、図１４に示される
従来例と同一条件にて得られた特性である。
【００１９】図１３に示される３トランスデューサの従
来例では、位相ずれによる顕著な特性の落ち込みが生じ
ていたのに対し、図６に示される３トランスデューサの
本発明の実施例では、帯域内において特性の落ち込みは
生じておらずかつ帯域内リプルもピークトゥピークで約
１．４ｄＢにとどまっている。図１４に示される２トラ
ンスデューサの従来例でも顕著な特性の落ち込みが生じ
ていたが、図７に示される２トランスデューサの本発明
の実施例では帯域内の特性の落ち込みは生じていない。
来例では、位相ずれによる顕著な特性の落ち込みが生じ
ていたのに対し、図６に示される３トランスデューサの
本発明の実施例では、帯域内において特性の落ち込みは
生じておらずかつ帯域内リプルもピークトゥピークで約
１．４ｄＢにとどまっている。図１４に示される２トラ
ンスデューサの従来例でも顕著な特性の落ち込みが生じ
ていたが、図７に示される２トランスデューサの本発明
の実施例では帯域内の特性の落ち込みは生じていない。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＳＡＷデ
バイスによれば、ＩＤＴにおける電極指の間引き部に浮
きダミー電極を配置形成するようにしたため、弾性表面
波の伝搬速度が間引き部と非間引き部とでほぼ等しくな
り、位相ずれが低減乃至防止される結果、通過帯域内で
の振幅特性の落ち込みが無くなる。
バイスによれば、ＩＤＴにおける電極指の間引き部に浮
きダミー電極を配置形成するようにしたため、弾性表面
波の伝搬速度が間引き部と非間引き部とでほぼ等しくな
り、位相ずれが低減乃至防止される結果、通過帯域内で
の振幅特性の落ち込みが無くなる。
【００２１】また請求項２に対応する本発明では、浮き
ダミー電極は静電誘導により電界を発生し、間引き部で
のＩＤＴの電界のかかり方が滑らかになり、インパルス
応答の乱れが防止されるため、阻止帯域のスプリアスが
減少する。
ダミー電極は静電誘導により電界を発生し、間引き部で
のＩＤＴの電界のかかり方が滑らかになり、インパルス
応答の乱れが防止されるため、阻止帯域のスプリアスが
減少する。
【図１】 本発明の第一の実施例における電極構造を概
念的に示す平面図である。
念的に示す平面図である。
【図２】 本発明の参考例における電極構造を概念的に
示す平面図である。
示す平面図である。
【図３】 本発明の第二の実施例における電極構造を概
念的に示す平面図である。
念的に示す平面図である。
【図４】 本発明の実施例の電極配置の具体例を示す平
面図である。
面図である。
【図５】 本発明における浮きダミー電極の効果を示す
ＳＡＷデバイス断面図である。
ＳＡＷデバイス断面図である。
【図６】 実施例における挿入損失特性を示す図であ
る。
る。
【図７】 実施例における挿入損失特性を示す図であ
る。
る。
【図８】 ダブル電極構造を概念的に示す平面図であ
る。
る。
【図９】 電極の間引き例を示す平面図である。
【図１０】 電極の間引き例を示す平面図である。
【図１１】 従来の電極配置の具体例を示す平面図であ
る。
る。
【図１２】 従来の電極の効果を示すＳＡＷデバイス断
面図である。
面図である。
【図１３】 従来における挿入損失特性を示す図であ
る。
る。
【図１４】 従来における挿入損失特性を示す図であ
る。
る。
【図１５】 トランスデューサの配置を説明する平面図
である。
である。
１０ ＋バスバー、１２ −バスバー、１４ 電極指、
１８ 圧電基板、２０入力ＩＤＴ、２２ 出力ＩＤＴ、
２６，３６，４６ 浮きダミー電極。
１８ 圧電基板、２０入力ＩＤＴ、２２ 出力ＩＤＴ、
２６，３６，４６ 浮きダミー電極。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 笹原 謙一
神奈川県横浜市港北区菊名７−３−16
大井電気株式会社内
(56)参考文献 特開 平５−327390（ＪＰ，Ａ)
特開 昭50−40259（ＪＰ，Ａ)
米国特許4600852（ＵＳ，Ａ)
米国特許3936679（ＵＳ，Ａ)
Ｇ．Ｗ．Ｊｕｄｄ，Ｗ．Ｒ．Ｊｏｎｅ
ｓ，Ｔ．Ｗ．Ｂｒｉｓｔｏｌ，ＡＮ Ｉ
ＭＰＲＯＶＥＤ ＴＲＡＮＳＤＵＣＥＲ
ＧＥＯＭＥＴＲＹ ＦＯＲ ＳＵＲＦ
ＡＣＥ ＷＡＶＥ ＰＨＡＳＥ ＣＯＤ
ＥＲ ＤＥＬＡＹ ＬＩＮＥＳ，1972
Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ ｓｙｍｐｏｓ
ｉｕｍ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，1972
年，ｐ．373−376
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 9/145
Claims (2)
- 【請求項１】 励振によりその表面に弾性表面波を発生
する圧電基板と、圧電基板の表面に形成された２本のバ
スバー及びこのバスバーから指交叉状に延設された複数
の電極指を有し電極指の間引きにより重み付けされたイ
ンタディジタル電極とを備え、インタディジタル電極の
電極指が一方のバスバーからの２本の指状電極を対で設
けたダブル電極構造を有するＳＡＷデバイスにおいて、 弾性表面波の伝搬速度が間引き部と非間引き部とでほぼ
等しくなるよう、同一のバスバーに接続されているイン
タディジタル電極の電極指に挟まれた所定の間引き部に
いずれのバスバーにも接続されていない浮きダミー電極
を設けたことを特徴とするＳＡＷデバイス。 - 【請求項２】 励振によりその表面に弾性表面波を発生
する圧電基板と、圧電基板の表面に形成された２本のバ
スバー及びこのバスバーから指交叉状に延設された複数
の電極指を有し電極指の間引きにより重み付けされたイ
ンタディジタル電極とを備え、インタディジタル電極の
電極指が２本の指状電極を対で設けたダブル電極構造を
有するＳＡＷデバイスにおいて、 弾性表面波の伝搬速度が間引き部と非間引き部とでほぼ
等しくなるよう、異なるバスバーに接続されているイン
タディジタル電極の電極指に挟まれた所定の間引き部に
いずれのバスバーにも接続されていない電気的に互いに
分離された２以上の浮きダミー電極を設けたことを特徴
とするＳＡＷデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06459595A JP3432323B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | Ｓａｗデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06459595A JP3432323B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | Ｓａｗデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08265091A JPH08265091A (ja) | 1996-10-11 |
| JP3432323B2 true JP3432323B2 (ja) | 2003-08-04 |
Family
ID=13262772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06459595A Expired - Lifetime JP3432323B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | Ｓａｗデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3432323B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6720842B2 (en) | 2000-02-14 | 2004-04-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter device having first through third surface acoustic wave filter elements |
| JP2002353777A (ja) * | 2001-05-29 | 2002-12-06 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| JP4506394B2 (ja) * | 2004-10-01 | 2010-07-21 | エプソントヨコム株式会社 | 一方向性弾性表面波変換器及びそれを用いた弾性表面波デバイス |
| CN110663175B (zh) | 2017-05-26 | 2023-11-07 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、滤波器、高频前端电路以及通信装置 |
-
1995
- 1995-03-23 JP JP06459595A patent/JP3432323B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｇ．Ｗ．Ｊｕｄｄ，Ｗ．Ｒ．Ｊｏｎｅｓ，Ｔ．Ｗ．Ｂｒｉｓｔｏｌ，ＡＮ ＩＭＰＲＯＶＥＤ ＴＲＡＮＳＤＵＣＥＲ ＧＥＯＭＥＴＲＹ ＦＯＲ ＳＵＲＦＡＣＥ ＷＡＶＥ ＰＨＡＳＥ ＣＯＤＥＲ ＤＥＬＡＹ ＬＩＮＥＳ，１９７２ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ，１９７２年，ｐ．３７３−３７６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08265091A (ja) | 1996-10-11 |
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