JPH039383Y2 - - Google Patents

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JPH039383Y2
JPH039383Y2 JP1983065549U JP6554983U JPH039383Y2 JP H039383 Y2 JPH039383 Y2 JP H039383Y2 JP 1983065549 U JP1983065549 U JP 1983065549U JP 6554983 U JP6554983 U JP 6554983U JP H039383 Y2 JPH039383 Y2 JP H039383Y2
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surface acoustic
electrode
acoustic wave
transducer
main lobe
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JP1983065549U
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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案は表面弾性波を送信・受信する表面弾性
波装置に関する。
(ロ) 従来技術 電気信号を一旦機械的な表面弾性波に変換し、
再び斯る表面弾性波を受信して電気信号に復元す
る表面弾性波装置が現存する。
第1図は特公昭56−15613号公報に開示された
此の種表面弾性波装置を示し、1は表面弾性波を
伝播せしめ得る基板、2は電気信号を表面弾性波
に変換する送信トランスジユーサ、3は伝播して
来る表面弾性波を受信し電気信号に復元する受信
トランスジユーサで、上記送信トランスジユーサ
2は、正規型のインターデイジタル電極から成る
受信電極3と相俟つて所望のフイルタ特性を実現
すべく電極指4,4…の交叉幅を異ならしめたア
ポダイズ法による重み付けが施されたインターデ
イジタル電極5と、受信トランスジユーサ3側に
向つて伝播する必要な表面弾性波のみ位相歪を補
償する第1〜第4のダミー電極6a〜6dと、を
含んでおり、従つて逆方向の基板端面1aに向つ
て伝播する不要な表面弾性波の位相歪は補償され
ない。
尚、図中破線7a,7bは重み付けインターデ
イジタル電極5に於ける同電位の電極指4a,4
b…の先端を結ぶ包絡線である。
この様な構造の表面弾性波装置にあつては、受
信トランスジユーサ3側に向つて伝播する必要な
表面弾性波に対しては位相歪が補償され、不要な
逆方向の基板端面1aに伝播する表面弾性波につ
いては位相歪を補償せず、この逆方向に伝播する
表面弾性波の位相歪を補償するためのダミー電極
を割愛することができ、斯るダミー電極端部での
スプリアスの原因となる反射を抑圧することがで
きる。
一方、最近或る電極指4,4…で形成された表
面弾性波が伝播途中にある他の電極指4,4…で
電気信号に変換され、この電気信号が更に他の電
極指4,4…を励振して表面弾性波を再び発生せ
しめる不所望な再励起効果を防止することを目的
として、第2図Aに示す如き電極指4,4…の交
叉幅の中心を結んだ交叉中心軸CCが表面弾性波
の伝播方向に対し傾斜する傾斜型のトランスジユ
ーサが提案された(日経エレクトロニクス1982年
2月15日no.284第170頁〜第207頁「表面弾性波デ
バイスの性能向上に鍵となる技術を探る」)。斯る
傾斜型のトランスジユーサによれば、第2図Bの
如く電極指4,4…の交叉幅が最大となるメイン
ローブ8とその両サイドに一旦減小した交叉幅が
再び増大する第1・第2のサイドローブ9a,9
bとの表面弾性波の伝播路の中心軸C8,C9a,
C9bが互いに相違することによつて、表面弾性波
のエネルギ分布が急峻な単峰性の正規型分布から
釣鐘状に緩和されたガウス分布となり、上記エネ
ルギ分布の差から生じる波面の乱れが低減せしめ
られる。
この様に、傾斜型のトランスジユーサは再励起
効果の抑圧並びに波面の乱れの低減に対し有効で
あり、更に上述の如く不要な表面弾性波の位相歪
を補償するためのダミー電極の割愛はスプリアス
に対し有効な構造であるにも拘らず、それ以外の
第1〜第3のダミー電極6a〜6cは不可欠な存
在であり、斯る第1〜第3のダミー電極6a〜6
cの存在によるバルク波応答については未だ解決
されるに至つていない。
(ハ) 考案の目的 本考案は斯る点に鑑みて為されたものであつ
て、その目的は、必要な方向に伝播する表面弾性
波若しくは伝播し受信せしめられる表面弾性波に
対して位相歪を補償すると共に、バルク波応答に
ついても低減せしめること、にある。
(ニ) 考案の構成 本考案表面弾性波装置は、表面弾性波を送信・
受信する送信・受信トランスジユーサの少くとも
一方が、電極指の交叉幅が最大となる最大交叉部
を略中心にして交叉幅が漸次減少するメインロー
ブ、該メインローブの両側に連設され一旦減少し
た交叉幅が再び増大した後減少するサイドローブ
及び前記電極指の先端部を結ぶ一対の包絡線に沿
つて形成される一対の共通電極を備えると共に、
前記メインローブ及びサイドローブの表面弾性波
の伝播路の中心軸が互いに相違する重み付けイン
ターデイジタル電極と、該重み付けインターデイ
ジタル電極のホツト側の櫛型電極と電気的に遮断
されると共に、前記メインローブにて励振され他
方のトランスジユーサ側に向かつて伝播する表面
弾性波若しくは他方のトランスジユーサ側から伝
播して前記メインローブにて受信される表面弾性
波の前記共通電極の外側における伝播路において
前記重み付けインターデイジタル電極の電極指の
延長位置に該電極指と平行に形成されて前記表面
弾性波に対して位相歪を補償する第1及び第2の
ダミー電極と、前記重み付けインターデイジタル
電極のホツト側の櫛型電極と電気的に遮断される
と共に、前記他方のトランスジユーサから遠い側
のサイドローブにて励振され前記他方のトランス
ジユーサ側に向かつて伝播する表面弾性波若しく
は前記他方のトランスジユーサ側から伝播して前
記他方のトランスジユーサから遠い側のサイドロ
ーブにて受信される表面弾性波の、前記メインロ
ーブと前記他方のトランスジユーサから遠い側の
サイドローブとの間の前記共通電極の外側に凹み
部における伝播路において前記重み付けインター
デイジタル電極の電極指の延長位置に該電極指と
平行に形成されて前記表面弾性波に対して位相歪
を補償する第3のダミー電極と、を備えることを
特徴とする。
(ホ) 実施例 第3図は本考案の一実施例を示し、10は
LiTaO3単結晶、LiNbO3単結晶、PZTセラミツ
ク、等の圧電物質から成る基板、11は該基板表
面に設けられたアポダイズ法により重み付けされ
た傾斜型のインターデイジタル電極12を含む送
信トランスジユーサ、13は該送信トランスジユ
ーサ11から送信された表面弾性波を受信する重
み付けが施されていない正規型のダブルインター
デイジタル電極構成の受信トランスジユーサ、1
4は上記送信・受信トランスジユーサ11,13
間に設けられた両トランスジユーサ11,13間
の表面弾性波を介さない直接電磁結合をシールド
するシールド電極、15a,15bは上記両トラ
ンスジユーサ11,13と基板端面10a,10
bとの間に塗布されたアルキド樹脂等から成る不
要な表面弾性波を吸収する吸収体である。
而して、本実施例の特徴は受信トランスジユー
サ13側に向つて伝播する表面弾性波についての
み位相歪を補償する第1〜第3のダミー電極16
a〜16cを含む傾斜型送信トランスジユーサ1
1の構成にある。即ち、送信トランスジユーサ1
1を構成する重み付けインターデイジタル電極1
2は、その重み付けをアポダイズ法により施す電
極指1a,17b…の包絡線に沿つて、交互に交
叉する電極指17a,17b…を共通に接続する
2本の共通電極線18a,18b…を有し、斯る
共通電極線18a,18bは、表面弾性波の伝播
路が互いに相違すると共に、所望なフイルタ特性
を呈すべく中央部に於いて電極指17a,17b
…の交叉幅が最大となるメインローブ19と、そ
の両サイドに一旦減少した交叉幅が再び増大する
第1・第2のサイドローブ20a,20bとを規
定している。更に、上記メインローブ19の中央
部を境に受信トランスジユーサ13側には最大交
叉部の各先端17am,17bmから励振せしめら
れた表面弾性波の位相を補償すべく第1・第2の
ダミー電極16a,16bが設けられている。然
り乍ら、上記各先端部17am,17bmから逆方
向の基板端面10aに向つて励振される表面弾性
波についてはダミー電極による位相歪の補償は施
されていない。
一方、上記中央の最大交叉部に対し基板端面1
0a側に配置せしめられた伝播中心が異なる第2
のサイドローブ20bの存在により、斯る第2の
サイドローブ20bの交叉部から受信トランスジ
ユーサ13側に向つて励振される表面弾性波の位
相歪を補償すべく、メインローブ19と第2のサ
イドローブ20bとの界面付近に於ける共通電極
線18bの凹み部に於いて、該共通電極線18b
とは電気的に遮断された状態のストライプ状第3
ダミー電極16cが設けられている。
従つて、上記第3ダミー電極16cはインター
デイジタル電極12に対し電気的に遮断されてお
り、斯るインターデイジタル電極12に於ける電
極部が占有する面積(以下電極面積と呼ぶ)が減
小する。更に、第1・第2ダミー電極16a,1
6bについてもインターデイジタル電極12と接
続されることなく電気的に遮断されている。即
ち、バルク波応答はインターデイジタル電極12
の電極面積に比例して大きくなる点を考慮し、第
1・第2・第3ダミー電極16a,16b,16
cを上記電極面積から減じる構成となつている。
尚、第2ダミー電極16bはシールド電極14
及び共通接続線18aと共にアースされている。
以上の説明に於いては、送信トランスジユーサ
11が重み付けインターデイジタル電極12を含
む実施例について述べたが、表面弾性波装置は周
知の如く送信トランスジユーサ11と受信トラン
スジユーサ13との構成を交換することが可能で
あり、従つて受信トランスジユーサが重み付けイ
ンターデイジタル電極を含み、送信トランスジユ
ーサを正規型インターデイジタル電極構成として
も、本考案の目的を達成し得る。
(ヘ) 考案の効果 本考案は以上の説明から明らかな如く、表面弾
性波の位相歪を補償する第1乃至第3のダミー電
極は、重み付けインターデイジタル電極のホツト
側の櫛型電極と電気的に遮断されているので、ダ
ミー電極を重み付けインターデイジタル電極に関
連付けたにも拘らず、インターデイジタル電極の
電極面積を減少せしめることができ、位相歪の補
償と同時にバルク波応答の低減を図ることができ
る。また、第3のダミー電極は、他方のトランス
ジユーサから遠い側のサイドローブにて励振され
他方のトランスジユーサ側に向かつて伝播する表
面弾性波の、メインローブと他方のトランスジユ
ーサから遠い側のサイドローブとの間の共通電極
の外側の凹み部における伝播路にのみ形成されて
いるので、重み付けインターデイジタル電極にて
励振され他方のトランスジユーサとは反対側に向
かう表面弾性波のダミー電極での反射が最小限に
抑えられ、スプリアスの低減が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来装置の平面図、第2図Aは傾斜型
重み付けインターデイジタル電極の平面図、第2
図Bは同図Aに於けるエネルギ分布図、第3図は
本考案装置の平面図、を夫々示している。 10……基板、11……送信トランスジユー
サ、12……傾斜型インターデイジタル電極、1
3……受信トランスジユーサ、16a〜16c…
…第1〜第3のダミー電極、19……メインロー
ブ、20a,20b……第1・第2のサイドロー
ブ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 表面弾性波を送信・受信する一対の送信・受信
    トランスジユーサを備えた表面弾性波装置に於い
    て、 前記送信・受信トランスジユーサの少なくとも
    一方が、 電極指の交叉幅が最大となる最大交叉部を略中
    心にして交叉幅が漸次減少するメインローブ、該
    メインローブの両側に連設され一旦減少した交叉
    幅が再び増大した後減少するサイドローブ及び前
    記電極指の先端部を結ぶ一対の包絡線に沿つて形
    成される一対の共通電極を備えると共に、前記メ
    インローブ及びサイドローブの表面弾性波の伝播
    路の中心軸が互いに相違する重み付けインターデ
    イジタル電極と、 該重み付けインターデイジタル電極のホツト側
    の櫛型電極と電気的に遮断されると共に、前記メ
    インローブにて励振され他方のトランスジユーサ
    側に向かつて伝播する表面弾性波若しくは他方の
    トランスジユーサ側から伝播して前記メインロー
    ブにて受信される表面弾性波の前記共通電極の外
    側における伝播路において前記重み付けインター
    デイジタル電極の電極指の延長位置に該電極指と
    平行に形成されて前記表面弾性波に対して位相歪
    を補償する第1及び第2のダミー電極と、 前記重み付けインターデイジタル電極のホツト
    側の櫛型電極と電気的に遮断されると共に、前記
    他方のトランスジユーサから遠い側のサイドロー
    ブにて励振され前記他方のトランスジユーサ側に
    向かつて伝播する表面弾性波若しくは前記他方の
    トランスジユーサ側から伝播して前記他方のトラ
    ンスジユーサから遠い側のサイドローブにて受信
    される表面弾性波の、前記メインローブと前記他
    方のトランスジユーサから遠い側のサイドローブ
    との間の前記共通電極の外側に凹み部における伝
    播路において前記重み付けインターデイジタル電
    極の電極指の延長位置に該電極指と平行に形成さ
    れて前記表面弾性波に対して位相歪を補償する第
    3のダミー電極と、 を備えることを特徴とした表面弾性波装置。
JP6554983U 1983-04-30 1983-04-30 表面弾性波装置 Granted JPS59171422U (ja)

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JP6554983U JPS59171422U (ja) 1983-04-30 1983-04-30 表面弾性波装置

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JPS59171422U JPS59171422U (ja) 1984-11-16
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57147318A (en) * 1981-03-09 1982-09-11 Toshiba Corp Surface acoustic wave filter element
JPS5843609A (ja) * 1981-09-09 1983-03-14 Toshiba Corp 弾性表面波装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57147318A (en) * 1981-03-09 1982-09-11 Toshiba Corp Surface acoustic wave filter element
JPS5843609A (ja) * 1981-09-09 1983-03-14 Toshiba Corp 弾性表面波装置

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JPS59171422U (ja) 1984-11-16

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