KR102254964B1

KR102254964B1 - 탄성파 디바이스

Info

Publication number: KR102254964B1
Application number: KR1020157036233A
Authority: KR
Inventors: 도모요시 다이; 아키라 하마지마; 유지 호리
Original assignee: 엔지케이 인슐레이터 엘티디
Priority date: 2013-07-02
Filing date: 2014-06-05
Publication date: 2021-05-24
Also published as: US10230349B2; TW201519483A; TWI613844B; CN105340178A; US20160112029A1; JPWO2015001900A1; DE112014003124T5; CN105340178B; WO2015001900A1; KR20160026890A; JP6426089B2

Abstract

탄성파 디바이스(10)는, 단부면 반사형의 탄성파 디바이스로서, 압전 기판(12)과 지지 기판(14)이 접합된 대략 직방체의 복합 기판(15) 중의 압전 기판(12) 상에 한 쌍의 IDT 전극(16, 18)이 서로 들어가도록 배치된 것이다. 압전 기판(12)의 측면 중 탄성파 전파 방향과 직교하는 제1 측면(12a)의 치핑 사이즈는, 탄성파의 파장(λ)의 1/10 이하이다. 압전 기판(12)의 측면 중 탄성파 전파 방향과 평행한 제2 측면(12b)의 치핑 사이즈는, 제1 측면(12a)의 치핑 사이즈보다 크고, 예컨대 파장(λ)의 1/2 이상 50배 이하이다.

Description

탄성파 디바이스{ACOUSTIC WAVE DEVICE}

본 발명은, 탄성파 디바이스에 관한 것이다.

종래, 탄성파 디바이스로는, 기판 단부면에서의 탄성파의 반사를 이용하는 단부면 반사형의 탄성파 디바이스가 제안되어 있다. 단부면 반사형의 탄성파 디바이스에서는, 압전 기판 상에 형성된 IDT(Interdigital Transducer) 전극에 의해 여진된 탄성파가 기판의 단부면까지 전파되고, 그 단부면에서 반사된다. 이러한 단부면 반사형의 탄성파 디바이스는, 예컨대 이하와 같이 제조된다. 즉, 우선 원반 형상의 압전 웨이퍼와 그 압전 웨이퍼보다도 열팽창계수가 작은 지지 웨이퍼를 접합하여 원반 형상의 복합 웨이퍼를 제작한다. 다음에, 그 복합 웨이퍼의 압전 웨이퍼 상에 소정 사이즈의 직사각형 영역을 다수 구획하고, 각각의 직사각형 영역에 IDT 전극을 형성한다. 그 후, 복합 웨이퍼를 다이싱 소(dicing saw) 등의 절단 장치에 의해 직사각형 영역마다 절단한다. 이렇게 함으로써, 압전 기판과 지지 기판이 접합된 대략 직방체의 복합 기판과, 압전 기판 상에 형성된 IDT 전극을 구비한 탄성파 디바이스를 얻을 수 있다. 또한, 복합 기판을 이용하는 것은, 온도가 변화되었을 때의 압전 기판의 크기의 변화를 작게 하여 탄성파 디바이스의 온도 변화에 대한 주파수 특성의 변화를 억제하기 위함이다.

그런데, 복합 웨이퍼를 절단할 때, 압전 웨이퍼의 절단면에 치핑(손상)이 발생하는 경우가 있고, 그것이 스퓨리어스(공진에 의한 피크의 전후에 생기는 작고 불필요한 피크)의 증가의 원인이 되고 있었다. 이러한 스퓨리어스를 억제하기 위해서, 특허문헌 1, 2에서는, 이하와 같은 제법을 채택하고 있다. 즉, 특허문헌 1에서는, (1) IDT 전극을 형성하기 전에 직사각형 영역의 주위에 다이싱 소에 의해 절단홈을 형성하고, (2) 다음에 압전 웨이퍼의 표면을 연마하여 절단홈의 개구 부근의 치핑을 제거하고, (3) 다음에 IDT 전극을 형성하고, (4) 그 후 절단홈보다 폭이 좁은 다이싱 소를 이용하여 탄성파 디바이스를 잘라낸다고 하는 절차를 채택하고 있다. 한편, 특허문헌 2에서는, (1) 복합 웨이퍼 중의 압전 웨이퍼에 마련한 다수의 직사각형 영역의 각각에 IDT 전극을 형성하고, (2) 다음에 지지 웨이퍼측으로부터 레이저 할단법에 의해 압전 웨이퍼에 도달하지 않을 정도의 깊이까지 직사각형 영역마다 노치를 형성하고, (3) 그 후 지지 웨이퍼를 분단하는 응력을 가함으로써 탄성파 디바이스를 잘라낸다고 하는 절차를 채택하고 있다.

특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2002-261559호 공보 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 제2002-9583호 공보

그러나, 전술한 특허문헌 1, 2에는, 탄성파가 반사되는 단부면 즉 탄성파 전파 방향과 직교하는 단부면의 치핑을 제거함으로써 스퓨리어스를 억제하는 점은 기재되어 있지만, 탄성파 전파 방향과 평행한 단부면에 대해서는 고려되어 있지 않다. 본 발명자들은 탄성파 전파 방향과 평행한 단부면이 치핑이 없는 매끄러운 면으로 되어 있는 경우, 이 단부면에서 불필요한 탄성파가 반사되고, 스퓨리어스가 증가하는 하나의 원인이 되고 있는 것을 밝혀내었다.

본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 단부면 반사형의 탄성파 디바이스에 있어서 스퓨리어스를 보다 확실하게 억제하는 것을 주목적으로 한다.

본 발명의 탄성파 디바이스는,

지지 기판과 압전 기판이 접합된 대략 직방체의 복합 기판 중의 상기 압전 기판 상에 한 쌍의 IDT 전극이 서로 들어가도록 배치된 단부면 반사형의 탄성파 디바이스로서,

상기 압전 기판의 측면 중 탄성파 전파 방향과 직교하는 제1 측면의 치핑 사이즈는, 탄성파의 파장(λ)의 1/10 이하이며,

상기 압전 기판의 측면 중 탄성파 전파 방향과 평행한 제2 측면의 치핑 사이즈는, 상기 제1 측면의 치핑 사이즈보다 크고, 탄성파의 파장(λ)의 1/2 이상 50배 이하인 것이다.

이 탄성파 디바이스에서는, 원하는 파장의 탄성파가 반사되는 제1 측면의 치핑 사이즈가 탄성파의 파장(λ)의 1/10 이하이기 때문에, 제1 측면에 있어서의 반사량이 충분히 많아진다. 또한, 제1 측면의 위치의 어긋남에 의한 탄성파의 위상 변화가 생기기 어렵기 때문에, 위상 변화에 따른 스퓨리어스의 발생을 억제할 수 있다. 한편, 제2 측면의 치핑 사이즈가 제1 측면의 치핑 사이즈보다 크고, 탄성파의 파장(λ)의 1/2 이상 50배 이하이기 때문에, 불필요한 파장의 탄성파가 제2 측면으로 반사되기 어렵고, 이 점에서도 스퓨리어스의 발생을 억제할 수 있다. 제2 측면의 치핑 사이즈가 파장(λ)의 1/2 미만인 경우에는, 불필요한 파장의 탄성파가 제2 측면에서 반사되기 쉬워지고, 스퓨리어스가 발생하기 쉬워지기 때문에 바람직하지 못하다. 제2 측면의 치핑 사이즈가 파장(λ)의 50배를 초과하는 경우에는, 공진기의 Q값이 열화하기 때문에 바람직하지 못하다.

본 발명의 탄성파 디바이스에 있어서, 상기 제2 측면의 치핑 사이즈는, 탄성파의 파장(λ)의 12.5배 이상 50배 이하인 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 스퓨리어스의 발생을 보다 억제할 수 있다.

본 발명의 탄성파 디바이스에 있어서, 상기 지지 기판은, 상기 압전 기판보다도 열팽창계수가 작은 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 온도가 변화되었을 때의 압전 기판의 크기의 변화를 작게 하여 탄성파 디바이스의 온도 변화에 대한 주파수 특성의 변화를 억제할 수 있다.

도 1은 탄성파 디바이스(10)의 사시도.
도 2는 탄성파 디바이스(10)의 평면도.
도 3은 도 2의 A-A선 단면도.
도 4는 탄성파 디바이스(10)의 제조 흐름을 도시한 사시도.
도 5는 다이싱의 설명도.

다음에, 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다. 도 1 및 도 2는 본 실시형태의 탄성파 디바이스(10)의 사시도 및 평면도, 도 3은 도 2의 A-A 단면도이다.

탄성파 디바이스(10)는, 단부면 반사형의 탄성파 디바이스로서, 압전 기판(12)과 지지 기판(14)이 접합된 대략 직방체의 복합 기판(15) 중의 압전 기판(12) 상에 한 쌍의 IDT 전극(16, 18)이 서로 들어가도록 배치된 것이다.

압전 기판(12)은, 탄성 표면파(SAW)를 전파 가능한 기판이다. 이 압전 기판(12)의 재질로는, 탄탈산리튬(LT), 니오브산리튬(LN), 니오브산리튬-탄탈산리튬 고용체 단결정, 수정, 붕산리튬, 산화아연, 질화알루미늄, 랑가사이트(LGS), 랑가테이트(LGT) 등을 들 수 있다. 이 중, LT 또는 LN이 바람직하다. LT나 LN은 SAW의 전파 속도가 빠르고, 전기 기계 결합 계수가 크기 때문에, 고주파수 또한 광대역 주파수용 탄성파 디바이스로서 적합하기 때문이다. 압전 기판(12)의 두께는, 특별히 한정하는 것은 아니지만, 예컨대, 0.2∼50 ㎛로 하여도 좋다. 이 압전 기판(12)은, 탄성파 전파 방향(SAW 전파 방향)과 직교하는 제1 측면(12a)과, SAW 전파 방향과 평행한 제2 측면(12b)을 갖고 있다. 여진되는 SAW의 파장을 λ, 서로 마주보는 제1 측면(12a)끼리의 거리를 L(도 3 참조)로 하면, L은 λ/2의 정수배로 설계되어 있다.

지지 기판(14)은, 압전 기판(12)보다도 열팽창계수가 작은 것으로서, 압전 기판(12)의 이면에 직접 접합에 의해 접합되어 있거나 유기 접착층을 통해 접합되어 있다. 지지 기판(14)을 압전 기판(12)보다도 열팽창계수가 작은 것으로 함으로써, 온도가 변화되었을 때의 압전 기판(12)의 크기의 변화를 억제하고, 복합 기판(15)을 탄성파 디바이스(10)에 이용한 경우에 있어서의 주파수 특성의 온도 변화를 억제할 수 있다. 지지 기판(14)의 재질로는, 실리콘, 사파이어, 질화알루미늄, 알루미나, 붕규산유리, 석영유리 등을 들 수 있지만, 실리콘 또는 사파이어가 바람직하다. 또한, 지지 기판(14)의 두께는, 특별히 한정하는 것은 아니지만, 예컨대, 200∼1200 ㎛로 하여도 좋다.

복합 기판(15)은, 압전 기판(12)과 지지 기판(14)을 접합한 것이다. 접합은, 직접 접합을 채택하여도 좋고, 유기 접착층을 통해 접합하는 간접 접합을 채택하여도 좋다. 이러한 복합 기판(15)은, 대략 직방체이며, 그 사이즈는 특별히 한정하는 것은 아니지만, 예컨대 종횡을 1 ㎜×2 ㎜라든가 2 ㎜×2.5 ㎜ 등으로 하여도 좋다.

IDT 전극(16)은, SAW 전파 방향과 평행한 베이스부(16a)와, 베이스부(16a)로부터 SAW 전파 방향과 직교하는 방향으로 연장되는 광폭 전극지(electrode fingers; 16b)와, 베이스부(16a)로부터 SAW 전파 방향과 직교하는 방향으로 연장되어 SAW 전파 방향의 단부에 배치된 협폭 전극지(16c)를 구비하고 있다. 또한, IDT 전극(18)도, 이것과 마찬가지로, 베이스부(18a)와 광폭 전극지(18b)와 협폭 전극지(18c)를 구비하고 있다. 양 IDT 전극(16, 18)은, 서로 접촉하지 않도록 이격되어 배치되어 있다. 구체적으로는, IDT 전극(16)의 2개의 광폭 전극지(16b) 중의 한쪽은, IDT 전극(18)의 인접한 2개의 광폭 전극지(18b) 사이에 들어가도록 배치되고, 다른 한쪽은, 광폭 전극지(18b)와 협폭 전극지(18c) 사이에 들어가도록 배치되어 있다. 여기서, 여진되는 탄성 표면파의 파장을 λ라고 하면, 도 3에 도시된 바와 같이, 광폭 전극지(16b, 18b)의 폭은 λ/4, 인접한 전극지의 간극의 폭도 λ/4, 협폭 전극지(16c, 18c)의 폭은 λ/8로 되어 있다.

이러한 탄성파 디바이스(10)에서는, IDT 전극(16, 18)에 의해 여진된 파장(λ)의 SAW는 압전 기판(12)의 제1 측면(12a)까지 전파되고, 제1 측면(12a)에서 반사된다. 본 실시형태에서는, 제1 측면(12a)의 치핑 사이즈는, SAW의 파장(λ)의 1/10 이하이기 때문에, 제1 측면(12a)에 있어서의 반사량이 충분히 많아진다. 또한, 제1 측면(12a)의 면 정밀도가 높기 때문에, 제1 측면(12a)의 위치의 어긋남에 의한 SAW의 위상 변화가 생기기 어렵기 때문에, 위상 변화에 따른 스퓨리어스의 발생을 억제할 수 있다. 한편, 제2 측면(12b)의 치핑 사이즈가 제1 측면(12a)의 치핑 사이즈보다 크고, 구체적으로는 파장(λ)의 1/2 이상 50배 이하로 되어 있다. 그 때문에, 불필요한 파장의 SAW가 제2 측면(12b)에서 반사되기 어렵고, 이 점에서도 스퓨리어스의 발생을 억제할 수 있다.

다음에, 탄성파 디바이스(10)를 제조하는 방법에 대해서, 도 4를 이용하여 이하에 설명한다. 도 4는 탄성파 디바이스(10)의 제조 흐름을 도시한 사시도이다.

우선, 오리엔테이션 플랫(OF)을 갖는 원반 형상의 압전 웨이퍼(22)와, 동 형상의 지지 웨이퍼(24)를 준비한다[도 4의 (a) 참조]. 다음에, 양 웨이퍼(22, 24)의 접합면을 세정하고, 상기 접합면에 부착되어 있는 더러움을 제거한다. 다음에, 양 웨이퍼(22, 24)의 접합면에 아르곤 등의 불활성 가스의 이온빔을 조사함으로써, 잔류한 불순물(산화막이나 흡착물 등)을 제거함과 동시에 접합면을 활성화시킨다. 그 후, 진공 중, 상온에서 양 웨이퍼(22, 24)의 OF가 일치하도록 위치 맞춤을 행한 후에 양 웨이퍼(22, 24)를 접합시킨다[도 4의 (b) 참조]. 다음에, 압전 웨이퍼(22)의 표면을 소정의 두께가 될 때까지 연마하고, 복합 웨이퍼(25)를 완성시킨다[도 4의 (c) 참조]. 다음에, 복합 웨이퍼(25) 중 압전 웨이퍼(22)의 표면에 탄성파 디바이스용 전극을 형성한다. 압전 웨이퍼(22)의 표면은, 다수의 탄성파 디바이스가 형성되도록 구획되어 있고, 각 탄성파 디바이스에 대응하는 위치에 전술한 IDT 전극(16, 18)을 포토리소그래피 기술을 이용하여 형성한다. 마지막으로, 구획을 따라 복합 웨이퍼(25)를 다이싱함으로써, 다수의 탄성파 디바이스(10)를 얻는다[도 4의 (d) 참조].

도 5는 다이싱의 설명도로서, (a)는 복합 웨이퍼(25)의 평면도, (b)는 (a)의 점선으로 둘러싼 지점의 확대도이다. 복합 웨이퍼(25)를 다이싱하는데 있어서, 탄성파 디바이스(10)의 제1 측면(12a)이 되는 컷 라인(CLa)의 절단면은, 치핑 사이즈가 파장(λ)의 1/10 이하가 되도록 블레이드를 선택하여 절단한다. 또한, 탄성파 디바이스(10)의 제2 측면(12b)이 되는 컷 라인(CLb)의 절단면은, 치핑 사이즈가 파장(λ)의 1/2 이상 50배 이하가 되도록 회전수나 이송 속도를 조정하거나 거칠기나 두께가 상이한 블레이드를 선택하여 절단한다. 또한, 치핑 사이즈란, 절단면의 요철의 최대치를 말한다.

이상 설명한 본 실시형태의 탄성파 디바이스(10)에 따르면, 원하는 파장(λ)의 SAW가 반사되는 제1 측면(12a)의 치핑 사이즈가 SAW의 파장(λ)의 1/10 이하이기 때문에, 제1 측면(12a)에 있어서의 반사량이 충분히 많아진다. 또한, 제1 측면(12a)의 위치의 어긋남에 의한 SAW의 위상 변화가 생기기 어렵기 때문에, 위상 변화에 따른 스퓨리어스의 발생을 억제할 수 있다. 한편, 제2 측면(12b)의 치핑 사이즈가 제1 측면(12a)의 치핑 사이즈보다 크기[구체적으로는 파장(λ)의 1/2 이상 50배 이하] 때문에, 불필요한 파장의 SAW가 제2 측면(12b)으로부터 반사되기 어렵고, 이 점에서도 스퓨리어스의 발생을 억제할 수 있다.

또한, 본 발명은 전술한 실시형태에 전혀 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 여러 가지 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.

예컨대, 전술한 실시형태에서는, 컷 라인(CLa)과 컷 라인(CLb)을 블레이드를 이용하여 절단하였지만, 레이저 할단법을 이용하여 절단하여도 좋다. 그 경우, 각 컷 라인(CLa, CLb)의 치핑 사이즈에 맞도록 레이저 조사 조건을 설정하여도 좋다. 혹은, 양 컷 라인(CLa, CLb)을 매끄러운 절단면이 되는 레이저 조사 조건에 의해 절단한 후, 컷 라인(CLb)의 절단면을 줄(file) 등으로 거칠게 하여 치핑 사이즈를 크게 하여도 좋다.

전술한 실시형태에서는, 압전 웨이퍼(22)와 지지 웨이퍼(24)를 이온빔을 이용하는 직접 접합에 의해 접합시켰지만, 이온빔을 이용하는 방법 이외에, 플라즈마나 중성원자빔을 이용하는 방법을 채택하여도 좋다.

전술한 실시형태에서는, 압전 웨이퍼(22)와 지지 웨이퍼(24)를 직접 접합에 의해 접합시켰지만, 유기 접착층을 통해 접합하여도 좋다. 그 경우, 우선, 지지 기판(14)의 표면 및 압전 기판(12)의 이면의 한쪽 또는 양쪽에 유기 접착제를 균일하게 도포하고, 양자를 중첩시킨 상태에서 유기 접착제를 고화시킴으로써 접합하면 좋다.

실시예

[실시예 1]

압전 웨이퍼로서, SAW의 전파 방향을 X로 하고, 분할각이 회전 Y컷 판인 원반 형상의 42° Y컷 X 전파 LT 기판(두께 250 ㎛)을 준비하였다. 또한, 지지 웨이퍼로서, 원반 형상의 Si(111) 기판(두께 230 ㎛)을 준비하였다. 양 웨이퍼를 2×10^-6(Pa)의 진공 챔버에 투입하고, 아르곤빔을 표면에 60초 조사하였다. 조사 후, 양 웨이퍼의 조사면끼리를 컨택트시켜, 2000 ㎏으로 가압하고, 직접 접합에 의해 양 웨이퍼를 접합하였다. 접합체를 진공 챔버로부터 꺼내어, LT면을 30 ㎛까지 연삭하였다. 그 후, 다이아몬드 슬러리(입경 1 ㎛)를 적하하면서 주석 정반으로 25 ㎛까지 연마하였다. 또한, 콜로이달 실리카(입경 20 ㎚)를 적하하면서, 우레탄 패드로 20 ㎛까지 연마하여, 탄성파 디바이스용 복합 웨이퍼로 하였다. 계속해서, 포토리소 프로세스로, 복합 웨이퍼의 LT 표면 상의 다수의 직사각형 영역(2 ㎜×1 ㎜)에 IDT 전극을 형성하고, 그 직사각형 영역의 사이즈로 다이싱하여 다수의 탄성파 디바이스를 얻었다. SAW의 파장(λ)의 설계치는, 4 ㎛로 하였다. 다이싱은 블레이드를 이용하여 행하였다. SAW 전파 방향과 직교하는 방향(도 5의 컷 라인 CLa)을 따라 절단하는 블레이드는, 두께 0.05 ㎜, #2000을 이용하여, 회전수 29000 rpm, 이송 속도 20 ㎜/s로 절단하였다. SAW 전파 방향과 평행한 방향(도 5의 컷 라인 CLb)을 따라 절단하는 블레이드는, 두께 0.1 ㎜, #500의 블레이드를 이용하여, 회전수 29000 rpm, 이송 속도 50 ㎜/s로 절단하였다. 얻어진 탄성파 디바이스의 SAW 전파 방향과 직교하는 제1 측면의 치핑 사이즈는 0.4 ㎛(λ의 0.1배), SAW 전파 방향과 평행한 제2 측면의 치핑 사이즈는 50 ㎛(λ의 12.5배)였다. 실시예 1에 관한 데이터를 표 1에 통합하였다.

[실시예 2]

실시예 1과 동일하게 하여, IDT 전극이 형성된 복합 웨이퍼를 제작하였다. 이 복합 웨이퍼를, 표 1의 실시예 2에 나타내는 가공 조건으로 다이싱을 행하였다. 얻어진 탄성파 디바이스의 제1 측면의 치핑 사이즈는 0.4 ㎛(λ의 0.1배), 제2 측면의 치핑 사이즈는 2 ㎛(λ의 0.5배)였다.

[실시예 3]

실시예 1과 동일하게 하여, IDT 전극이 형성된 복합 웨이퍼를 제작하였다. 이 복합 웨이퍼를, 표 1의 실시예 3에 나타내는 가공 조건으로 다이싱을 행하였다. 얻어진 탄성파 디바이스의 제1 측면의 치핑 사이즈는 0.4 ㎛(λ의 0.1배), 제2 측면의 치핑 사이즈는 200 ㎛(λ의 50배)였다.

[비교예 1]

실시예 1과 동일하게 하여, IDT 전극이 형성된 복합 웨이퍼를 제작하였다. 이 복합 웨이퍼를, 표 1의 비교예 1에 나타내는 가공 조건으로 다이싱을 행하였다. 얻어진 탄성파 디바이스의 제1 및 제2 측면의 치핑 사이즈는, 모두 10 ㎛ 이하, 구체적으로는 0.4 ㎛(λ의 0.1배)였다.

[비교예 2]

실시예 1과 동일하게 하여, IDT 전극이 형성된 복합 웨이퍼를 제작하였다. 이 복합 웨이퍼를, 표 1의 비교예 2에 나타내는 가공 조건으로 다이싱을 행하였다. 얻어진 탄성파 디바이스의 제1 측면의 치핑 사이즈는 0.4 ㎛(λ의 0.1배), 제2 측면의 치핑 사이즈는 240 ㎛(λ의 60배)였다.

[비교예 3]

실시예 1과 동일하게 하여, IDT 전극이 형성된 복합 웨이퍼를 제작하였다. 이 복합 웨이퍼를, 표 1의 비교예 3에 나타내는 가공 조건으로 다이싱을 행하였다. 얻어진 탄성파 디바이스의 제1 측면의 치핑 사이즈는 2.0 ㎛(λ의 0.5배), 제2 측면의 치핑 사이즈는 50 ㎛(λ의 12.5배)였다.

[표 1]

[평가]

실시예 1∼3 및 비교예 1∼3에 대해서, 1포트 공진기의 특성을 평가하였다. 그렇게 하였더니, 스퓨리어스 피크의 강도는, 표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼3에서는 2∼2.7 dB이었던 것에 반해, 비교예 1∼3에서는 5∼7 dB이었다. 이 결과로부터, 제1 측면의 치핑 사이즈를 탄성파의 파장(λ)의 1/10 이하, 제2 측면의 치핑 사이즈를 탄성파의 파장(λ)의 1/2 이상 50배 이하(특히 12.5배 이상 50배 이하)로 하는 것이 스퓨리어스의 발생을 억제하는 데 있어서 바람직한 것을 알 수 있었다.

본 출원은, 2013년 7월 2일에 출원된 일본국 특허 출원 제2013-138588호를 우선권 주장의 기초로 하고 있고, 인용에 의해 그 내용의 전부가 본 명세서에 포함된다.

또한, 전술한 실시예는 물론 본 발명을 전혀 한정하는 것은 아니다.

본 발명은, SAW 필터 등의 탄성파 디바이스에 이용 가능하다.

10 : 탄성파 디바이스, 12 : 압전 기판, 12a : 제1 측면, 12b : 제2 측면, 14 : 지지 기판, 15 : 복합 기판, 16, 18 : IDT 전극, 16a, 18a : 베이스부, 16b, 18b : 광폭 전극지, 16c, 18c : 협폭 전극지, 22 : 압전 웨이퍼, 24 : 지지 웨이퍼, 25 : 복합 웨이퍼

Claims

지지 기판과 압전 기판이 접합된 직방체의 복합 기판 중의 상기 압전 기판 상에 한 쌍의 IDT 전극이 서로 들어가도록 배치된 단부면 반사형의 탄성파 디바이스로서,
상기 압전 기판의 측면 중 탄성파 전파 방향과 직교하는 제1 측면의 요철의 최대치인 치핑 사이즈는, 탄성파의 파장(λ)의 1/10 이하이며,
상기 압전 기판의 측면 중 탄성파 전파 방향과 평행한 제2 측면의 요철의 최대치인 치핑 사이즈는, 상기 제1 측면의 치핑 사이즈보다 크고, 탄성파의 파장(λ)의 1/2 이상 50배 이하이고, 상기 제2 측면의 요철은 무작위로 형성되는 것인, 탄성파 디바이스.
제1항에 있어서,
상기 제2 측면의 치핑 사이즈는, 탄성파의 파장(λ)의 12.5배 이상 50배 이하인 것인, 탄성파 디바이스.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 지지 기판은, 상기 압전 기판보다 열팽창계수가 작은 것인, 탄성파 디바이스.