CN1976223A - 弹性表面波装置和搭载其的通信终端 - Google Patents
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Abstract
本发明的弹性表面波装置，具有：压电基板；支撑基板，与该压电基板接合，由膨胀系数与压电基板不同的材质所构成；梳子型电极，配置在压电基板的面上，激励弹性表面波。按照在弹性表面波传播的方向，梳子型电极的长度相对压电基板的长度是40％以上70％以下的方式，构成梳子型电极和压电基板的一方。这样的弹性表面波装置的温度特性优异。
Description
技术领域
本发明涉及一种弹性表面波装置和搭载其的通信终端。
背景技术
一直以来，作为“利用粘接层胶合压电基板和具有比压电基板小的膨胀系数的支撑基板”的弹性表面波装置，提出了“压电基板的厚度是5～100μm，而且压电基板的粘接面加工成粗面，支撑基板由硅构成，而且支撑基板的两个表面层以0.1～40μm的厚度进行氧化”的表面波装置(特开2005-229455号公报)。
在特开2005-229455号公报中，压电基板和支撑基底使用膨胀系数不同的材质，构成为使得抑制由于温度变化导致的两个基板的互相变形，由此稳定频率温度特性。
但是，在所述特开2005-229455号公报中，关于弹性表面波装置的梳子型电极的配置，没有任何公开。换言之，在所述专利文献1中仅公开了弹性表面波装置的层构造，关于在其表面怎样配置梳子型电极等的面构造，没有任何公开。
为此，在所述特开2005-229455号公报所记载的技术中，不能通过梳子型电极的配置而实现随着温度变化的基板变形之抑制效果。即，弹性表面波装置的端面是自由端，所以不能抑制随着温度变化的基板变形，另外，既使在接近端面的区域，其抑制效果也小，不能得到希望的频率温度特性。
另外，在弹性表面波装置中能够实现基板变形的抑制效果的区域不明确，所以，不清楚是否在任何区域都必须配置梳子型电极，同样不能得到希望的频率温度特性。
发明内容
为了实现上述目的，本发明具有：压电基板；支撑基板，与压电基板接合，由膨胀系数与压电基板不同的材质构成；梳子型电极，配置在压电基板的面上，激励弹性表面波。在弹性表面波传播的方向，梳子型电极的长度相对压电基板的长度是40％以上70％以下。
根据本发明，能够提供温度特性优异的弹性表面波装置和搭载其的通信终端。
附图说明
图1是本发明的第一实施例的弹性表面波装置的俯视图图。
图2是实施例的弹性表面波装置的截面图。
图3是图1的等价电路图。
图4是利用图1的弹性表面波装置得到的频率特性图。
图5是表示温度特性的抑制率相对从弹性表面波装置的中心到弹性表面波用共振器的端部的距离与从弹性表面波装置的中心到弹性表面波装置的端部的距离之比而变化的图。
图6是表示其它例子的通过型弹性表面波装置的俯视图。
图7是表示本实施例的频率温度特性和已有例子的频率温度特性的图。
图8是使用本发明的弹性表面波装置的移动通信终端的示意方框图。
具体实施方式
首先，说明本发明的实施方式的背景，特别是弹性表面波装置的频率温度特性。
弹性表面波装置具有在表面配置梳子型电极的压电基板和支撑压电基板的支撑基板。
该压电基板，通常为弹性表面波装置用的单结晶基板，原样使用钽酸锂(下面简称为LT)、铌酸锂(下面简称为LN)或水晶单结晶基板(水晶单晶基板)。特别是，LT和LN单结晶基板的弹性表面波的传播速度快，电机械耦合常数大，所以，多用于高频且宽频带频率用的弹性表面波装置的基板。
但是，这些基板随着温度变化而传播速度的变化，即温度系数(Temperature Coefficient of Delay，下面简称为TCD)大。为此，在规定的温度范围，使得为希望的频率温度特性，即调整由梳子型电极的电极间隔和弹性波的音速所决定的滤波器等的中心频率使得不随温度而变动是困难的。特别是，在通过频带频率和阻止频带频率的频率间隔窄的情况下，由该温度系数导致的影响变得明显。对于该问题，提出了如下方法，在制作了发送接收弹性表面波的梳子型电极的压电基板上形成具有相反温度系数的氧化硅膜等，或在蓝宝石或硅(下面简称为Si)等热膨胀系数小的基板上直接或利用粘接剂接合压电基板。
但是，上述对策具有如下问题。首先，在制作了梳子型电极的压电基板上形成具有相反温度系数的氧化硅膜等的方法中，形成的膜的膜厚控制非常严格。即，如果膜厚过厚，频率特性就整体向低频侧移动，如果过薄，就相反地向高频侧移动，这是因为膜厚的变动直接关系到频率的变动。此外，为了提高制作的膜厚的精度，需要高价的设备。
另外，在热膨胀系数小的基板上直接接合压电基板的方法中，对接合的两个基板表面的平坦性有着非常严格的要求，接合的两个面的清洁度的要求也严格，此外，需要完全地除去基板间的气泡。为了与此对应，同样需要高价的设备。
另外，既使对弹性表面波装置的层构造进行钻研，解决了这些问题，也不能利用梳子型电极的配置达到随着温度变化的基板变形之抑制效果，不能得到希望的频率温度特性。另外，由于在弹性表面波装置中能够实现基板变形之抑制效果的区域不明确，所以不清楚是否在任何区域都必须配置梳子型电极，同样不能得到希望的频率温度特性。
象以上这样，如果不是不仅考虑弹性表面波装置的层构造，也考虑在其表面如何配置梳子型电极等的面构造，就不能得到希望的频率温度特性。
下面，使用附图来说明本发明的实施方式。
图1是弹性表面波装置的俯视图，图2是图1所示的弹性表面波装置的X-X线的截面图。在图1和图2中，100表示作为单结晶的压电基板的LT基板，101表示接合面，102表示LT基板的上面(表面)，200表示粘接剂，300表示作为压电基板的单结晶支撑基板的Si基板，400表示梳子型电极(下面简称为IDT电极)，401表示由IDT电极构成的串联共振器，402表示并联共振器，501表示向串联共振器401输入信号的输入端子，502表示从并联共振器402输出信号的输出端子，600表示弹性表面波的传播方向。
象图1所示那样，在LT基板的上面102，配置由IDT电极400所构成的串联共振器401和并联共振器402。而且，如果从输入端子501输入输入信号，就从输出端子502取出由所述串联共振器401和并联共振器402所滤波的信号。此时，弹性表面波600就象本图所示那样，与IDT电极垂直地激励、传播。
另外，象图2所示那样，LT基板100的接合面101利用粘接剂200与Si基板300接合。该LT基板的上面102形成有细微的梳子型电极400，其研磨成作为表示粘接面的面粗糙度的指标的Ra是0.1＜Ra＜0.5nm的所谓镜面加工的状态，用于弹性表面波的发送和接收。
这里，描述本实施例和所述特开2005-229455号公报的层构造的构成上的不同。首先，在本实施例中用于接合的粘接剂使用紫外线固化型环氧粘接剂，与此相对，所述特开2005-229455号公报中使用光固化型的丙稀基系列粘接剂。这是因为，环氧系列粘接剂相对温度变化的杨氏模量的变化程度小。
另外，在本实施例中，将接合单晶压电基板的面进行上述所谓的镜面加工，但在特开2005-229455号公报中，在利用Ra表示的粗糙度为0.05＜Ra＜0.3μm的范围粗加工该接合面。这是因为，由于单晶压电基板的制作IDT的面进行所谓的镜面加工，相反侧的接合面也是相同的面状态，而接合的基板的弯曲小。
另外，在本实施例中，作为基底基板，使用电阻率100Ωcm以上的高电阻Si基板，而在特开2005-229455号公报中使用以0.1～40μm厚度氧化表面层的Si基板。这是因为，高电阻的Si基板的可用性好。
另外，在本实施例中，作为单晶压电基板，LT的面方位是30～45°Y切(cut)，LN的面方位是40～65°Y切(cut)，而在特开2005-229455号公报仅为LT和LN。这是因为，在本实施例所指定的范围，可得到传播速度快，电机械耦合常数大的弹性表面波。
下面，使用图1来说明本实施例和特开2005-229455号公报的面构造的构成上的不同。在图1中，A是从弹性表面波装置的中心到弹性表面波装置的端部的距离，B是从弹性表面波装置的中心到弹性表面波用共振器的端部的距离。A、B都以与弹性表面波的传播方向相同的方向为基准。在图1中，B的值越接近A的值，即B/A的值越大，由Si基板进行的对LT基板的热膨胀率的抑制效果越弱，弹性表面波装置的TCD的抑制率越小。由此，考虑到温度特性恶化。原因是由于：弹性表面波装置的端面是自由端，所以在压电基板和支撑基板之间不能相互抵消或者抑制随着温度变化的基板变形。另外，接近端面的区域也由于同样的理由，其抑制效果小。
因此，希望使得弹性表面波装置的端部区域和其周边区域，特别是弹性表面波的传播方向的端部区域和其周边区域，尽可能不配置梳子型电极。即，越减小B/A，就越能够得到稳定的频率温度特性。
另一方面，如果为了确保稳定的频率温度特性而过宽地采取周边区域，基板的利用效率降低，弹性表面波装置的小型化困难，另外，由于需要额外的基板材料，所以也妨碍了成本降低。因此，应该避免过于减小B/A，希望在能够确保频率温度特性的充分需要的范围内设定B/A。
使用图3、图4、图5、图7来说明。
图3是利用等价电路来表示图1和图2所说明的本实施例的弹性表面波装置的构成的图，配置在弹性表面波装置的表面的梳子型电极401和402分别表示串联共振器和并联共振器。
图4表示根据图3的构成得到的频率特性。在图4中，横轴表示频率(单位Hz)，纵轴表示衰减度(单位dB)。如果将衰减度10dB左右的频率分别设为f1和f2，就利用(f1+f2)/2来表示中心频率。这里，以移动通信终端所使用的频率为例子进行说明，f1设为1824MHz，f2设为1919MHz，中心频率为1871.5MHz。
图7的上面图表示适用本实施例的情况下的频率温度特性，图7的下面图表示已有的频率温度特性。如果比较两者，可理解，相对温度变动的频率特性的偏差在本实施例中得到大幅度改善。
即，在图7中表示了摄氏-25度、25度、50度、85度时的频率温度特性，但显示：本实施例的特性与已有例子的特性比较，由温度变化导致的特性变动小。峰值损耗(peak loss)的差在本实施例中大约是0.24dB，与此相对，在已有例子中大约是0.43dB。
图5表示实际上将LT基板与Si基板接合，改变弹性表面波用共振器的长度，来测量中心频率的温度特性，由此得到的表示TCD的抑制率的图。在本图中，横轴表示上述B/A，纵轴表示TCD的抑制率。根据该图，越减小B/A，TCD的抑制率越大，能够得到具有优异的温度特性的弹性表面波装置。根据图5的结果可理解，B/A为80％，TCD的抑制率大约是25％；B/A为70％，TCD的抑制率大约是40％；B/A为60％，TCD的抑制率大约是55％；B/A为50％，TCD的抑制率大约是65％；B/A为40％，TCD的抑制率大约是70％；B/A为30％，TCD的抑制率大约是75％。
象从该图也理解的那样，在B/A为80％左右的区域，不太能够提高TCD的抑制率。如果在B/A为70％以下的区域，可改善TCD的抑制率，直到B/A为40％左右的区域，可大比例地改善。在不到40％的区域，既使减小B/A也不太能提高TCD的抑制率。因此，为了一定程度地充分改善TCD，应该将B/A设为70％以下。另一方面，为了确保基板的利用效率和小型化，希望将B/A设为40％以上，另外，在B/A不到40％的区域，不太能期望改善TCD的抑制率。根据以上内容，如果考虑兼顾TCD的抑制和基板的利用效率等，优选B/A是40％以上70％以下。另外，如果将基板的利用效率维持一定程度以上进一步提高TCD的抑制率，也考虑50％以上60％以下的范围。另外，如果抑制率优先，也可以为60％以上70％以下的范围。
其次，在接收频带频率和发送频带频率的频率间隔窄，且不得不加大对方侧的频带频率的衰减度的方式，TCD的抑制效果显著。即，在接收用弹性表面波装置中，要求接收频带频率的衰减度小，而且，发送频带频率的衰减度大。相反，在发送用弹性表面波装置中，要求发送频带频率的衰减度小，而且接收频带频率的衰减度大，这样的方式特别有效。
最近，对于移动终端，码分多路访问方式(Code Division MultipleAccess方式，下面简称为CDMA方式)快速开始普及。其中，特别使用以北美区为中心进行服务的CDMA方式的频率配置来在下面说明。在上述CDMA方式的情况下，要求通话时同时使发送系统和接收系统动作，而且很好地保持声音的品质。因此，在发送系统所使用的弹性表面波装置中，要求发送频带频率的衰减度小，对方侧即接收频带频率的衰减度大。相反的，在接收系统所使用的弹性表面波装置中，要求接收频带频率的衰减度小，对方侧即发送频带频率的衰减度大。
另一方面，在上述以北美为中心服务的CDMA方式的情况下，发送频带频率是1850～1910MHz，接收频带频率是1930～1990MHz。因此，发送频带频率和接收频带频率的间隔狭窄到20MHz。另一方面，在弹性表面波装置中，从通过频带频率向衰减频带频率的倾斜所要求的频率宽度、弹性表面波装置的制造的材料和工序变动导致的频率宽度、以及随着温度变动而变动的频率宽度的总和，必需收纳在上述发送频带频率和接收频带频率的间隔内。在上述以北美区域为中心加以服务的CDMA方式的情况下，从通过频带频率向衰减频带频率的倾斜所要求的频率宽度约为10MHz，由弹性表面波装置的制造的材料和工序变动导致的频率宽度大约是5MHz，所以，分配给随着温度变动而变动的频率宽度大约是5MHz。
另一方面，弹性表面波装置所使用的LT基板的LT单结晶的面方位是30～45°Y切(cut)，通常弹性表面波的传播方向是X轴方向。关于上述方位中LT单结晶的面方位为42°Y切附近的晶片，在下面进行说明。所述晶片的TCD大约是-42ppm/°K。另外，如果将移动终端的使用温度范围设为-25℃～85℃，在使用所述晶片制造以北美区为中心加以服务的CDMA方式的弹性表面波装置的情况下，随着温度变动而变动的频率宽度大约是8.8MHz，不能在全部温度范围收纳到5MHz内，不能满足频率特性。
与此相对，根据本发明的图5，将B/A的比率设为70％以下，能够得到TCD的抑制率40％以上，所以，能够将随着上述温度变动而变动的频率宽度抑制到大约5MHz，能够提供稳定的频率特性。可是，B/A的比率越小，效果越优选，但如果考虑从一个单晶压电基板得到的弹性表面波装置的效率，无限制地减小不是上策。另外，根据本发明的图5，到20％以下其效果几乎没有变化。因此，优选的将B/A的比率下限设为20％。此外，将B/A的比率设为60％以下，能够得到TCD的抑制率为50％以上，通过这样，能够放宽弹性表面波装置的从通过频带频率向衰减频带频率的倾斜所需要的频率宽度、以及制造的材料或工序变动导致的频率宽度，此外，能够提供便宜且特性优异的弹性表面波装置。
但是，既使极端地加大上述A，随之加大B，但从与上述相同的一个单晶压电基板得到的弹性表面波装置的制造效率下降。因此，优选的，A和B的差，即“A-B”抑制到100μm以下。
另外，在上面描述了LT基板的面方位是42°Y切附近的晶片，但LT基板的面方位为39°Y切附近的晶片也能够得到同样的效果。LT基板的面方位为39°Y切附近晶片的情况下，TCD大约是-35ppm/°K。这种情况下，在与上述相同的温度范围，随着温度变动而变动的频率宽度大约是7.3MHz。因此，如果将B/A比率设定为75％以下，能够将随着温度变动而变动的频率宽度抑制到大约5MHz，如果将本发明的B/A的比率设定为75％以下，能够进一步变窄随着温度变动而变动的频率宽度，能够提供更便宜且特性优异的弹性表面波装置。
此外，LT基板的面方位是36°Y切附近的晶片也能够得到同样的效果。在LT基板的面方位是36°Y切附近晶片的情况下，TCD大约是-32ppm/°K。这种情况下，在与前面所述相同的温度范围，随着温度变动而变动的频率宽度大约是6.8MHz。因此，如果将B/A的比率设为80％以下，能够将随着温度变动而变动的频率宽度抑制到大约5MHz。这样，如果将本发明的B/A的比率设定为80％以下，能够进一步变窄随着温度变动而变动的频率宽度，能够提供更便宜且特性优异的弹性表面波装置。
而且，在上述方式中，关于组合共振器的弹性表面波装置进行了说明，但图6所示那样的通过型弹性表面波装置、以及组合多个通过型弹性表面波装置的多级型弹性表面波装置，也能够得到同样的效果。在图6中，输入信号从输入端子501输入，由输入侧IDT701激励弹性表面波600，向输出侧IDT702传播，在这里再次变换为电信号，从输出端子502向下一个电路发送。然后，信号在该过程中调整为希望的频率特性。在该构成的弹性表面波装置中，如果也将B/A的比率设为70％以下，就能够更加变窄随着温度变动而变动的频率宽度，能够提供更便宜且特性优异的弹性表面波装置。
而且，本发明的效果不仅是纯粹地抑制相对温度变动的频率变动，而且也能够抑制与弹性表面波传播的方向垂直的方向的变动，极力保证了最佳状态，由此能够稳定频率特性。此外，通过将所述IDT电极的形状尽可能保持为初期最佳状态，作为体波(bulk wave)放出少的弹性表面波也能够尽可能在最佳状态下使用，所以弹性表面波的传播损失小，因此，能够得到损耗小的弹性表面波装置。
另外，在上述实施方式中，作为第一基板说明了LT基板，但LN基板也能够得到同样的效果。另外，在上述实施方式中，作为第二基板说明了Si基板，但使用玻璃基板或者蓝宝石基板也可得到同样的效果。
另外，优选的，第一基板厚度是20μm到70μm的范围。这是因为：如果其为20μm以下，就难于加工，基板的完成成品率，进而价格上升，相反如果是70μm以上，第二基板的TCD的抑制效果弱。目前弹性表面波装置所使用的单晶压电基板的厚度是150μm到350μm。既使将该厚度的单晶压电基板原样与第二基板接合，第一基底的形成IDT的面和第二基板的面的距离变大，一点也不能得到热膨胀系数TCD抑制效果，一点也不能得到TCD抑制效果。优选的，在上述范围中，第一基板厚度是50μm附近，但是从加工性和TCD抑制效果两方面考虑优选的是取平衡。
此外，优选的，第二基板的厚度是100μm到350μm的范围，这是因为：如果为100μm以下，TCD的抑制效果弱，相反的，如果为350μm以上，弹性表面波装置的高度变高，就不顺应薄型化倾向，商品价值下降。
另外，优选的，LT基板的面方位为30°Y切到45°Y切的范围，优选的，LN基板的面方位为40°Y切到65°Y切的范围。这是因为：在上述范围，两个基板的弹性表面波的传播速度都比较快，而且电机械耦合常数比较大。
另外，作为第二基板，在使用Si基板的情况下，优选的，其电阻率为1000Ωcm以上。这是为了尽可能减小弹性表面波用IDT或与它们连接的配线图案和接地之间所发生的对地电容。
此外，优选的，接合第一基板和第二基板的粘接剂的厚度为10μm以下。这是因为：如果粘接剂的厚度变厚，就难于均匀地涂覆，而且，也减小了第二基板的TCD抑制效果。
另外，作为接合第一基板和第二基板的粘接剂，优选的使用紫外线固化型粘接剂。这是因为，在紫外线固化型粘接剂的情况下，粘接剂的固化几乎不需要加热，所以能够尽可能减小接合热膨胀率不同的物质时所发生的弯曲。
此外，优选的，与第二基板接合的第一基板面102的粗糙度与制作弹性表面波用共振器等的第一基板面101的粗糙度相同，为使用Ra表示的0.1＜Ra＜0.5nm的范围。
象以上那样，通过使用本实施例所记载的弹性表面波装置，能够提供对温度变化具有稳定特性的移动通信终端。该移动通信终端例如具有：接收信号的接收部；上述实施例中所说明的弹性表面波装置，滤波由接收部所接收的信号；解调部，解调由弹性表面波装置所滤波的信号；输出部，输出由解调部所解调的信号。
图8表示具有本发明的弹性表面波装置的移动通信终端的一个例子的方框图。移动通信终端800具有：天线802；SAW收发共用器(duplexer)804；HPA808；第二发送SAW滤波器810；RF IC812；第二接收SAW滤波器814；基带(Base Band)824；扬声器826；麦克风828。在RF IC812中，设置：发送VCO(Tx-VCO)818；Synth(Synthesizer：合成器)820；接收VCO(Rx-VCO)822；LNA(LowNoise Amplifier：低噪音放大器)816；混合部(Mix)823。另外，在SAW收发共用器804中设置第一接收SAW滤波器806和第一发送SAW滤波器807。Synth.820能够发生稳定的频率信号。例如，以水晶振荡器等为振源。另外，发送VCO和接收VCO是通过施加电压来改变发送频率的发送器。
在图8中，天线802具有作为上述接收部的功能。另外，第二接收SAW滤波器814滤波由天线接收的信号，RF IC812具有作为解调滤波的信号之解调部的功能。图8所示的移动通信终端800中，天线802具有作为发送接收信号的发送接收部之功能。另外，RF IC812具有作为调制解调部的功能，其解调滤波过的信号，调制从麦克风输入的声音信号。
在图8所示的移动通信终端800中，第二发送SAW滤波器810、第二接收SAW滤波器814、SAW收发共用器804内的第一接收SAW滤波器806、第一发送SAW滤波器807的至少一个，能够适用本发明的弹性表面波装置。
下面说明该移动通信终端800的接收路径，从天线802输入的信号，在SAW收发共用器806内分波，从SAW收发共用器806内的第一接收SAW滤波器806向RF IC812的LNA816输出、放大。由LNA816放大的信号利用第二接收SAW滤波器814整形，由混合部823变换为低频信号，向基带824输出。来自基带824的输出信号，发送给扬声器826，变为声音。
接着，说明移动通信终端800的发送路径。从麦克风828输入的声音信号，从基带824发送给Tx-VCO818，进行调制。由Tx-VCO818调制的信号利用第二发送SAW滤波器810整形后，由HPA808放大。由HPA808放大的信号，通过SAW收发共用器804内的第一发送SAW滤波器发送给天线802，从天线802发送。
本领域技术人员应该进一步理解到，虽然前面描述了本发明的实施例，但本发明不限于此，在不偏离所附权利要求的范围和本发明的精神的情况下，能够进行各种改变和修改。
Claims (20)
1、一种弹性表面波装置，其特征在于，具有：
压电基板；
支撑基板，与所述压电基板接合，由具有与所述压电基板不同的膨胀系数的材质构成；和
梳子型电极，配置在所述压电基板的面上，激励弹性表面波，
在弹性表面波传播的方向，所述梳子型电极的长度相对所述压电基板的长度是40％以上70％以下。
2、根据权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于，
所述压电基板是铌酸锂、钽酸锂的单晶压电基板。
3、根据权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于，
所述支撑基板是玻璃基板、蓝宝石基板或者硅基板。
4、根据权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于，
所述压电基板的厚度在从20μm到70μm的范围内。
5、根据权利要求2所述的弹性表面波装置，其特征在于，
所述压电基板是面方位为30～45°Y切的钽酸锂的单晶压电基板。
6、根据权利要求2所述的弹性表面波装置，其特征在于，
所述压电基板是面方位为40～65°Y切的铌酸锂的单晶压电基板。
7、根据权利要求3所述的弹性表面波装置，其特征在于，
所述支撑基板是具有1000Ωcm以上电阻率的硅基板。
8、根据权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于，
所述压电基板使用紫外线固化型粘接剂与所述支撑基板接合。
9、根据权利要求8所述的弹性表面波装置，其特征在于，
所述压电基板和所述支撑基板之间的所述紫外线固化型粘接剂的厚度为10μm以下。
10、根据权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于，
所述压电基板的与所述支撑基板的接合面在以Ra表示的粗糙度为0.1＜Ra＜0.5nm的范围进行镜面加工。
11、一种弹性表面波装置，其特征在于，具有：
作为单晶压电基板的第一基板；
第二基板，与所述第一基板接合；和
梳子型电极，设置在所述第一基板的与和所述第二基板接合的面相反侧的面上，激励弹性表面波，
由所述梳子型电极构成的弹性表面波用共振器的弹性表面波传播方向的长度，为弹性表面波装置的弹性表面波传播方向的长度的70％以下。
12、一种通信终端，其特征在于，具有：
收发共用器，分波发送信号和接收信号；
第一弹性表面波装置，滤波所述接收信号；
调制解调部，解调由所述第一弹性表面波装置滤波的信号，调制声音信号；和
第二弹性表面波装置，滤波由所述调制解调部调制解调的声音信号，
所述第一和第二弹性表面波装置具有：
压电基板；
支撑基板，与所述压电基板接合，由具有与所述压电基板不同的膨胀系数的材质构成；
梳子型电极，配置在所述压电基板的面上，激励弹性表面波，
在弹性表面波传播的方向，所述梳子型电极的长度相对所述压电基板的长度是40％以上70％以下。
13、根据权利要求12所述的通信终端，其特征在于，
所述压电基板是铌酸锂或钽酸锂的单晶压电基板。
14、根据权利要求12所述的通信终端，其特征在于，
所述支撑基板是玻璃基板、蓝宝石基板或者硅基板。
15、根据权利要求12所述的通信终端，其特征在于，
所述压电基板的厚度在从20μm到70μm的范围内。
16、根据权利要求13所述的通信终端，其特征在于，
所述压电基板是面方位为30～45°Y切的钽酸锂的单晶压电基板，或者是面方位为40～65°Y切的铌酸锂的单晶压电基板。
17、根据权利要求14所述的通信终端，其特征在于，
所述支撑基板是具有1000Ωcm以上电阻率的硅基板。
18根据权利要求12所述的通信终端，其特征在于，
所述压电基板使用紫外线固化型粘接剂与所述支撑基板接合。
19、根据权利要求18所述的通信终端，其特征在于，
所述压电基板和所述支撑基板之间的所述紫外线固化型粘接剂的厚度为10μm以下。
20、根据权利要求12所述的通信终端，其特征在于，
所述压电基板的与所述支撑基板的接合面在以Ra表示的粗糙度为0.1＜Ra＜0.5nm的范围进行镜面加工。
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