JP7250625B2 - 電子デバイス - Google Patents
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Description
本願は、2018年6月13日に出願された「ニオブ酸リチウムフィルタにおける高速度層の付加によるスプリアスシアホリゾンタルモードの周波数制御」との名称の米国仮特許出願第62/684,330号に係る、及び2018年7月2日に出願された「ニオブ酸リチウムフィルタにおける高速度層の付加によるスプリアスシアホリゾンタルモードの周波数制御」との名称の米国仮特許出願第62/693,027号に係る米国特許法第119条(e)の優先権の利益を主張する。これらの開示はそれぞれ、その全体がここに参照により組み入れられる。
いくつかの実施形態において、第1フィルタのSAW共振器の少なくとも一つを覆う誘電膜内の高速度層の正規化高さは、第2フィルタのSAW共振器の少なくとも一つを覆う誘電膜内の高速度層の正規化高さと同じである。
Claims (27)
- 電子デバイスであって、
噛み合わされたインターディジタルトランスデューサ電極をそれぞれが含む第1弾性表面波共振器及び第2弾性表面波共振器と、
前記第1弾性表面波共振器及び第2弾性表面波共振器のインターディジタルトランスデューサ電極上に配置された誘電材料層と、
前記第1弾性表面波共振器のインターディジタルトランスデューサ電極上に配置された誘電材料層内に配置された高速度層と
を含み、
前記第1弾性表面波共振器及び第2弾性表面波共振器は、同じ圧電基板上に形成され、
前記第1弾性表面波共振器は、前記第2弾性表面波共振器のインターディジタルトランスデューサ電極とは異なる指ピッチを有するインターディジタルトランスデューサ電極を有し、
前記第2弾性表面波共振器は、前記第2弾性表面波共振器のインターディジタルトランスデューサ電極上に配置された誘電材料層内に配置された高速度層を欠く、電子デバイス。 - 前記第1弾性表面波共振器は、前記第1弾性表面波共振器のレイリー振動モードの反共振周波数を上回る共振周波数を有するシア波スプリアスモードを示す、請求項1の電子デバイス。
- 前記第1弾性表面波共振器と第2弾性表面波共振器とは互いに電気的に結合されてラダーフィルタに含まれ、
前記ラダーフィルタは、
前記ラダーフィルタの入力ポートと出力ポートとの間に電気的に直列に結合された少なくとも一つの直列弾性表面波共振器と、
前記少なくとも一つの直列弾性表面波共振器の端子とグランドとの間に電気的に接続された少なくとも一つの並列弾性表面波共振器と
を含む、請求項2の電子デバイス。 - 前記シア波スプリアスモードの共振周波数は、前記ラダーフィルタの通過帯域の外側の周波数において生じる、請求項3の電子デバイス。
- 前記第1弾性表面波共振器の指ピッチに対する前記誘電材料層の厚さが、前記第1弾性表面波共振器の周波数温度係数と、前記第1弾性表面波共振器のインターディジタルトランスデューサ電極と前記圧電基板との間の結合係数とに基づいて決定され、
前記圧電基板のカット角は、前記第1弾性表面波共振器の指ピッチに対する前記誘電材料層の厚さに基づいて、前記シア波スプリアスモードの共振周波数におけるシア波の強度を最小限にするように選択される、請求項4の電子デバイス。 - 前記誘電材料層は二酸化ケイ素を含む、請求項5の電子デバイス。
- 前記高速度層は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム又はダイヤモンドの一つ以上を含む、請求項6の電子デバイス。
- 前記第1弾性表面波共振器の誘電材料層は、前記高速度層によって上側層及び下側層に分割される、請求項7の電子デバイス。
- 前記高速度層は、前記第1弾性表面波共振器のインターディジタルトランスデューサ電極の上方において前記誘電材料層の厚さの0%と40%との間に配置される、請求項8の電子デバイス。
- 電子デバイスモジュールに含まれる請求項1の電子デバイス。
- 前記電子デバイスモジュールは無線周波数デバイスモジュールである請求項10の電子デバイス。
- 電子デバイスであって、
同じ圧電基板上に配置された複数の弾性表面波共振器をそれぞれが含む第1フィルタ及び第2フィルタと、
前記第1フィルタ及び第2フィルタの複数の弾性表面波共振器を覆う誘電膜と、
前記第1フィルタの複数の弾性表面波共振器と前記第2フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの少なくとも一つの弾性表面波共振器とを覆う誘電膜内に配置された高速度層と
を含み、
前記第1フィルタは前記第2フィルタとは異なる通過帯域を有し、
前記第2フィルタは、前記高速度層を欠く一つ以上の弾性表面波共振器を含み、
前記第1フィルタの複数の弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層の正規化高さは、前記第2フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの前記少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層の正規化高さと異なり、
前記高速度層の正規化高さは、前記第1フィルタ及び前記第2フィルタの複数の弾性表面波共振器のインターディジタルトランスデューサ電極の上面からの前記高速度層の下面の高さを、前記第1フィルタ及び前記第2フィルタそれぞれの複数の弾性表面波共振器の共振周波数における弾性表面波の波長によって除算することによって定義される、電子デバイス。 - 前記第1フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜は、前記第2フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜とは異なる厚さを有する、請求項12の電子デバイス。
- 前記第1フィルタの複数の弾性表面波共振器を覆う誘電膜は、
前記高速度層の上面に配置された上側部分と、
前記高速度層の下面と前記第1フィルタの弾性表面波共振器のうちの前記少なくとも一つの弾性表面波共振器のインターディジタルトランスデューサ電極の上面との間に配置された下側部分と
を含む、請求項13の電子デバイス。 - 前記第1フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの前記少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜の下側部分の厚さは、前記第2フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの前記少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜の下側部分の厚さと異なる、請求項14の電子デバイス。
- 前記第1フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層の正規化高さは、前記第2フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層の正規化高さと同じである、請求項15の電子デバイス。
- 前記第1フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層の正規化厚さは、前記第2フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層の正規化厚さと異なる、請求項16の電子デバイス。
- 前記第1フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの前記少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層の厚さは、前記第2フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの前記少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層とは異なる厚さを有する、請求項14の電子デバイス。
- 前記第1フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの前記少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層の正規化厚さは、前記第2フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの前記少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層の正規化厚さと同じである、請求項18の電子デバイス。
- 前記第1フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層は、前記第2フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの前記少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層と異なる厚さを有する、請求項12の電子デバイス。
- 前記第1フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの前記少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層の正規化厚さは、前記第2フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの前記少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層の正規化厚さと同じである、請求項20の電子デバイス。
- 前記第1フィルタ又は前記第2フィルタの少なくとも一方のフィルタはマルチモード弾性表面波フィルタである、請求項12の電子デバイス。
- 前記第1フィルタ又は前記第2フィルタの少なくとも一方のフィルタはデュアルモード弾性表面波フィルタである、請求項22の電子デバイス。
- 電子デバイスモジュールに含まれる請求項12の電子デバイス。
- 前記電子デバイスモジュールは無線周波数デバイスモジュールである、請求項24の電子デバイス。
- 前記第1フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層は、前記第2フィルタの複数の弾性表面波共振器のうちの前記少なくとも一つの弾性表面波共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層と同じ厚さを有する、請求項12の電子デバイス。
- 前記第1フィルタ又は第2フィルタの少なくとも一方のフィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器とを含むラダーフィルタであり、
前記高速度層は、前記複数の直列共振器の少なくとも一つと前記複数の並列共振器の少なくとも一つとを覆う誘電膜内に配置される、請求項12の電子デバイス。
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