JP2019216422A5

JP2019216422A5 - 電子デバイス

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Publication number: JP2019216422A5
Application number: JP2019110074A
Authority: JP
Filing date: 2019-06-13
Publication date: 2022-06-09
Anticipated expiration: 2039-06-13

Claims

電子デバイスであって、
噛み合わされたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極をそれぞれが含む第１弾性表面波（ＳＡＷ）共振器及び第２ＳＡＷ共振器と、
前記第１ＳＡＷ共振器及び第２ＳＡＷ共振器のＩＤＴ電極上に配置された誘電材料層と、
前記第１ＳＡＷ共振器のＩＤＴ電極上に配置された誘電材料層内に配置された高速度層と
を含み、
前記第１ＳＡＷ共振器及び第２ＳＡＷ共振器は、同じ圧電基板上に形成され、
前記第１ＳＡＷ共振器は、前記第２ＳＡＷ共振器のＩＤＴ電極とは異なる指ピッチを有するＩＤＴ電極を有し、
前記第２ＳＡＷ共振器は、前記第２ＳＡＷ共振器のＩＤＴ電極上に配置された誘電材料層内に配置された高速度層を欠く、電子デバイス。
前記第１ＳＡＷ共振器は、前記第１ＳＡＷ共振器のレイリー振動モードの反共振周波数を上回る共振周波数を有するシア波スプリアスモードを示す、請求項１の電子デバイス。
前記第１ＳＡＷ共振器と第２ＳＡＷ共振器とは互いに電気的に結合されてラダーフィルタに含まれ、
前記ラダーフィルタは、
前記ラダーフィルタの入力ポートと出力ポートとの間に電気的に直列に結合された少なくとも一つの直列ＳＡＷ共振器と、
前記少なくとも一つの直列ＳＡＷ共振器の端子とグランドとの間に電気的に接続された少なくとも一つの並列ＳＡＷ共振器と
を含む、請求項２の電子デバイス。
前記シア波スプリアスモードの共振周波数は、前記ラダーフィルタの通過帯域の外側の周波数において生じる、請求項３の電子デバイス。
前記圧電基板のカット角と前記第１ＳＡＷ共振器の指ピッチに対する前記誘電材料層の厚さとは、前記シア波スプリアスモードの共振周波数におけるシア波の強度を最小限にするように選択される、請求項４の電子デバイス。
前記誘電材料層は二酸化ケイ素を含む、請求項５の電子デバイス。
前記高速度層は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム又はダイヤモンドの一つ以上を含む、請求項６の電子デバイス。
前記第１ＳＡＷ共振器の誘電材料層は、前記高速度層によって上側層及び下側層に分割される、請求項７の電子デバイス。
前記高速度層は、前記第１ＳＡＷ共振器のＩＤＴ電極の上方において前記誘電材料層の厚さの約０％と約４０％との間に配置される、請求項８の電子デバイス。
電子デバイスモジュールに含まれる請求項１の電子デバイス。
前記電子デバイスモジュールは無線周波数デバイスモジュールである請求項１０の電子デバイス。
電子デバイスであって、
同じ圧電基板上に配置された複数の弾性表面波（ＳＡＷ）共振器をそれぞれが含む第１フィルタ及び第２フィルタと、
前記第１フィルタ及び第２フィルタの複数のＳＡＷ共振器を覆う誘電膜と、
前記第１フィルタの複数のＳＡＷ共振器と前記第２フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの少なくとも一つのＳＡＷ共振器とを覆う誘電膜内に配置された高速度層と
を含み、
前記第１フィルタは前記第２フィルタとは異なる通過帯域を有し、
前記第２フィルタは、前記高速度層を欠く一つ以上のＳＡＷ共振器を含み、
前記第１フィルタの複数のＳＡＷ共振器を覆う誘電膜内の高速度層の正規化高さは、前記第２フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの前記少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜内の高速度層の正規化高さと異なる、電子デバイス。
前記第１フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜は、前記第２フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜とは異なる厚さを有する、請求項１２の電子デバイス。
前記第１フィルタの複数のＳＡＷ共振器を覆う誘電膜は、
前記高速度層の上面に配置された上側部分と、
前記高速度層の下面と前記第１フィルタのＳＡＷ共振器のうちの前記少なくとも一つのＳＡＷ共振器のインターディジタルトランスデューサ電極の上面との間に配置された下側部分と
を含む、請求項１３の電子デバイス。
前記第１フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの前記少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜の下側部分の厚さは、前記第２フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの前記少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜の下側部分の厚さと異なる、請求項１４の電子デバイス。
前記第１フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜内の高速度層の正規化高さは、前記第２フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜内の高速度層の正規化高さと同じである、請求項１５の電子デバイス。
前記第１フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜内の高速度層の正規化厚さは、前記第２フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜内の高速度層の正規化厚さと異なる、請求項１６の電子デバイス。
前記第１フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの前記少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜内の高速度層の厚さは、前記第２フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの前記少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜内の高速度層とは異なる厚さを有する、請求項１４の電子デバイス。
前記第１フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの前記少なくとも一つを覆う誘電膜内の高速度層の正規化厚さは、前記第２フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの前記少なくとも一つを覆う誘電膜内の高速度層の正規化厚さと同じである、請求項１８の電子デバイス。
前記第１フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層は、前記第２フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの前記少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層と異なる厚さを有する、請求項１２の電子デバイス。
前記第１フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの前記少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜内の高速度層の正規化厚さは、前記第２フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの前記少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜内の高速度層の正規化厚さと同じである、請求項２０の電子デバイス。
前記第１フィルタ又は前記第２フィルタの少なくとも一方のフィルタはマルチモードＳＡＷフィルタである、請求項１２の電子デバイス。
前記第１フィルタ又は前記第２フィルタの少なくとも一方のフィルタはデュアルモードＳＡＷフィルタである、請求項２２の電子デバイス。
電子デバイスモジュールに含まれる請求項１２の電子デバイス。
前記電子デバイスモジュールは無線周波数デバイスモジュールである、請求項２４の電子デバイス。
前記第１フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層は、前記第２フィルタの複数のＳＡＷ共振器のうちの前記少なくとも一つのＳＡＷ共振器を覆う誘電膜内に配置された高速度層と同じ厚さを有する、請求項１２の電子デバイス。
前記第１フィルタ又は第２フィルタの少なくとも一方のフィルタは、複数の直列共振器と複数の並列共振器とを含むラダーフィルタであり、
前記高速度層は、前記複数の直列共振器の少なくとも一つと前記複数の並列共振器の少なくとも一つとを覆う誘電膜内に配置される、請求項１２の電子デバイス。
電子デバイスであって、
噛み合わされたインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極をそれぞれが含む第１弾性表面波（ＳＡＷ）共振器及び第２ＳＡＷ共振器と、
前記第１ＳＡＷ共振器及び第２ＳＡＷ共振器の複数のＩＤＴ電極上に配置された誘電材料層と、
前記第１ＳＡＷ共振器の複数のＩＤＴ電極上に配置された誘電材料層内に、及び前記第２ＳＡＷ共振器の複数のＩＤＴ電極上に配置された誘電材料層内に配置された高速度層と
を含み、
前記第１ＳＡＷ共振器及び第２ＳＡＷ共振器は、同じ圧電基板上に形成され、
前記第１ＳＡＷ共振器は、前記第２ＳＡＷ共振器の複数のＩＤＴ電極とは異なる指ピッチを有する複数のＩＤＴ電極を有し、
前記第１ＳＡＷ共振器の複数のＩＤＴ電極を覆う誘電材料層内の高速度層の正規化高さは、前記第２ＳＡＷ共振器の複数のＩＤＴ電極を覆う誘電材料層内の高速度層の正規化高さと異なる、電子デバイス。
前記第１ＳＡＷ共振器の複数のＩＤＴ電極上に配置された誘電材料層は、前記第２ＳＡＷ共振器の複数のＩＤＴ電極上に配置された誘電材料層と異なる厚さを有する、請求項２８の電子デバイス。
前記高速度層は、前記第１ＳＡＷ共振器の複数のＩＤＴ電極上に配置された誘電材料層内に、前記第２ＳＡＷ共振器の複数のＩＤＴ電極上に配置された誘電材料層内に高速度層が配置された高さと同じ高さで配置される、請求項２９の電子デバイス。
前記第１ＳＡＷ共振器の複数のＩＤＴ電極上に配置された誘電材料層は、前記第２ＳＡＷ共振器の複数のＩＤＴ電極上に配置された誘電材料層の正規化厚と異なる正規化厚さを有する、請求項２８の電子デバイス。