JP2017220929A5 - 分波器と分波モジュール - Google Patents

Claims (41)

1. 分波器であって、
   共通接点、第１信号接点及び第２信号接点と、
   前記共通接点及び前記第１信号接点間に接続されて第１通過帯域を有する第１フィルタと、
   前記共通接点及び前記第２信号接点間に接続されて前記第１通過帯域とは異なる第２通過帯域を有する第２フィルタと
   を含み、
   前記第１フィルタは、
   第１圧電基板と、
   前記第１圧電基板の一表面上に形成された弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタと、
   前記第１圧電基板の前記一表面上に形成されて前記共通接点及び前記ＳＡＷフィルタ間に直列接続された第１ＳＡＷ共振器と、
   前記第１圧電基板の前記一表面を覆いかつ前記ＳＡＷフィルタ及び第１ＳＡＷ共振器を覆うように形成された誘電膜と
   を含み、
   前記誘電膜は、前記ＳＡＷフィルタに対応する第１領域に第１厚さを有し、前記第１ＳＡＷ共振器に対応する第２領域に第２厚さを有し、
   前記第１厚さは前記第２厚さよりも大きく、
   前記誘電膜の前記第１厚さと前記第２厚さとの差が、前記誘電膜の前記第１領域におけるラム波の伝播により生成される前記第２通過帯域におけるスプリアスを抑制するべく選択される、分波器。
2. 前記第２通過帯域の中心周波数は、前記第１通過帯域の中心周波数よりも１．２から１．４倍大きな範囲にある、請求項１の分波器。
3. 前記第２通過帯域の中心周波数は、前記第２通過帯域の中心周波数よりも１．２５から１．３倍大きな範囲にある、請求項２の分波器。
4. 前記第１ＳＡＷ共振器と前記ＳＡＷフィルタとが一緒になってラダー形フィルタを形成し、
   前記ＳＡＷフィルタは、
   前記第１信号接点と前記第１ＳＡＷ共振器との間に直列に接続された複数の直列ＳＡＷ共振器と、
   少なくとも一つのグランド接点に接続された複数の並列ＳＡＷ共振器と
   を含む、請求項１の分波器。
5. 前記誘電膜は二酸化ケイ素からなる、請求項１の分波器。
6. 前記第１ＳＡＷ共振器に対応する前記第２領域における前記誘電膜の第２厚さは、前記第１フィルタにおいて励振される弾性表面波の波長で規格化した場合に２６％よりも小さくなるように構成される、請求項１の分波器。
7. 前記ＳＡＷフィルタに対応する前記第１領域の前記誘電膜の第１厚さは、前記第１フィルタにおいて励振される弾性表面波の波長で規格化した場合に２９％よりも大きくなるように構成される、請求項６の分波器。
8. 前記第１圧電基板はニオブ酸リチウム及びタンタル酸リチウムの一方からなる、請求項１の分波器。
9. 前記第２フィルタは、前記第１圧電基板に配置された複数の弾性波素子を含む、請求項１の分波器。
10. 前記第２フィルタは、第２圧電基板と、前記第２圧電基板に配置された複数の弾性波素子とを含む、請求項１の分波器。
11. 前記複数の弾性波素子は、弾性表面波素子、バルク弾性波素子及び薄膜バルク弾性共振器の少なくとも一つを含む、請求項１０の分波器。
12. 前記第１圧電基板は第１材料からなり、前記第２圧電基板は前記第１材料とは異なる第２材料からなる、請求項１０の分波器。
13. 前記第１ＳＡＷ共振器の反共振周波数は、前記第１通過帯域の高周波数側に最も近いところにある減衰極の周波数よりも高い、請求項１の分波器。
14. 分波器であって、
    共通接点、第１信号接点及び第２信号接点と、
    前記共通接点及び前記第１信号接点間に接続されて第１通過帯域を有する第１フィルタと、
    前記共通接点及び前記第２信号接点間に接続されて前記第１通過帯域とは異なる第２通過帯域を有する第２フィルタと
    を含み、
    前記第１フィルタは、
    第１圧電基板と、前記第１圧電基板の一表面上に形成されて弾性表面波を励振するべく構成された弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタと、
    前記第１圧電基板の前記一表面上に形成されて前記共通接点及び前記ＳＡＷフィルタ間に直列接続されたＳＡＷ共振器と、
    前記第１圧電基板の前記一表面を覆いかつ前記ＳＡＷフィルタ及び前記ＳＡＷ共振器を覆うように形成された誘電膜と
    を含み、
    前記誘電膜は、前記ＳＡＷフィルタに対応する第１領域に第１厚さを有し、前記ＳＡＷ共振器に対応する第２領域に第２厚さを有し、
    前記第１厚さは、前記弾性表面波の波長で規格化した場合に２９％よりも大きくなるように構成され、
    前記第２厚さは、前記弾性表面波の波長で規格化した場合に２６％よりも小さくなるように構成される、分波器。
15. 前記第２通過帯域の中心周波数は、前記第１通過帯域の中心周波数よりも１．２から１．４倍大きな範囲にある、請求項１４の分波器。
16. 前記第２通過帯域の中心周波数は、前記第１通過帯域の中心周波数よりも１．２５から１．３倍大きな範囲にある、請求項１５の分波器。
17. 前記誘電膜は二酸化ケイ素からなる、請求項１４の分波器。
18. 前記第２フィルタは、前記第１圧電基板に配置された複数の弾性波素子を含む、請求項１４の分波器。
19. 前記第２フィルタは、第２圧電基板と、前記第２圧電基板に配置された複数の弾性波素子とを含む、請求項１４の分波器。
20. 前記第１圧電基板は第１材料からなり、前記第２圧電基板は前記第１材料とは異なる第２材料からなる、請求項１９の分波器。
21. 分波器であって、
    共通接点、第１信号接点及び第２信号接点と、
    前記共通接点及び前記第１信号接点間に接続されて第１通過帯域を有する第１フィルタと、
    前記共通接点及び前記第２信号接点間に接続されて前記第１通過帯域とは異なる第２通過帯域を有する第２フィルタと
    を含み、
    前記第１フィルタは、
    第１圧電基板と、
    前記第１圧電基板の一表面上に形成された弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタと、
    前記第１圧電基板の前記一表面上に形成されて前記共通接点及び前記ＳＡＷフィルタ間に直列接続されたＳＡＷ共振器と、
    前記第１圧電基板の前記一表面を覆いかつ前記ＳＡＷフィルタ及び前記ＳＡＷ共振器を覆うように形成された誘電膜と
    を含み、
    前記誘電膜は、前記ＳＡＷフィルタに対応する第１領域に第１厚さを有し、前記ＳＡＷ共振器に対応する第２領域に第２厚さを有し、
    前記第１厚さは前記第２厚さよりも大きく、
    前記第２通過帯域の中心周波数は、前記第１通過帯域の中心周波数よりも１．２から１．４倍大きな範囲にある、分波器。
22. 前記ＳＡＷ共振器及び前記ＳＡＷフィルタは一緒になって第１ラダー型フィルタを形成し、
    前記ＳＡＷフィルタは、グランド接点に接続された少なくとも一つの並列共振器を含む、請求項２１の分波器。
23. 前記ＳＡＷフィルタは二重モード型ＳＡＷフィルタである、請求項２１の分波器。
24. 前記第２通過帯域の中心周波数は、前記第１通過帯域の中心周波数よりも１．２５から１．３倍大きな範囲にある、請求項２１の分波器。
25. 前記誘電膜は二酸化ケイ素からなる、請求項２１の分波器。
26. 前記ＳＡＷ共振器に対応する前記第２領域における前記誘電膜の第２厚さは、前記第１フィルタにおいて励振される弾性表面波の波長で規格化した場合に２６％よりも小さくなるように構成される、請求項２１の分波器。
27. 前記ＳＡＷフィルタに対応する前記第１領域の前記誘電膜の第１厚さは、前記第１フィルタにおいて励振される弾性表面波の波長で規格化した場合に２９％よりも大きくなるように構成される、請求項２６の分波器。
28. 前記誘電膜の第１厚さと第２厚さとの差は、前記第１フィルタにおいて励振される弾性表面波の波長で規格化した場合に３％よりも大きくなるように構成される、請求項２６の分波器。
29. 前記ＳＡＷフィルタに対応する前記第１領域における前記誘電膜の第１厚さは、前記第１フィルタにおいて励振される弾性表面波の波長で規格化した場合に２９％よりも大きくなるように構成される、請求項２１の分波器。
30. 前記誘電膜の第１厚さと第２厚さとの差は、前記第１フィルタにおいて励振される弾性表面波の波長で規格化した場合に３％よりも大きくなるように構成される、請求項２１の分波器。
31. 前記第２フィルタは、前記第１圧電基板に配置された複数の弾性波素子を含む、請求項２１の分波器。
32. 前記第２フィルタは第２圧電基板を含む、請求項２１の分波器。
33. 前記第２フィルタは、前記第２圧電基板に配置された複数の弾性波素子を含む、請求項３２の分波器。
34. 前記第１圧電基板は第１材料からなり、前記第２圧電基板は前記第１材料とは異なる第２材料からなる、請求項３２の分波器。
35. 前記第１圧電基板はニオブ酸リチウムからなる、請求項２１の分波器。
36. 前記第１圧電基板はタンタル酸リチウムからなる、請求項２１の分波器。
37. 分波モジュールであって、
    パッケージング基板と、
    前記パッケージング基板上に配置されて共通接点、第１信号接点及び第２信号接点を有するフィルタダイと、
    前記パッケージング基板上に配置された複数の接続パッドと
    を含み、
    前記フィルタダイは、前記共通接点及び前記第１信号接点間に接続されて第１通過帯域を有する第１フィルタを含み、
    前記第１フィルタは、
    圧電基板と、
    前記圧電基板の一表面上に形成された弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタと、
    前記圧電基板の前記一表面上に形成されて前記共通接点及び前記ＳＡＷフィルタ間に直列接続されたＳＡＷ共振器と、
    前記圧電基板の前記一表面を覆うようにかつ前記ＳＡＷフィルタ及び前記ＳＡＷ共振器を覆うように形成された誘電膜と
    を含み、
    前記誘電膜は、前記ＳＡＷフィルタに対応する第１領域に第１厚さを有し、前記ＳＡＷ共振器に対応する第２領域に第２厚さを有し、
    前記第１厚さは前記第２厚さよりも大きく、
    前記フィルタダイはさらに、前記共通接点及び前記第２信号接点間に接続されて前記第１通過帯域とは異なる第２通過帯域を有する第２フィルタを含み、
    前記第２通過帯域の中心周波数は、前記第１通過帯域の中心周波数よりも１．２から１．４倍大きな範囲にあり、
    前記フィルタダイの前記共通接点、前記第１信号接点及び前記第２信号接点は、前記複数の接続パッドの対応するそれぞれに電気コネクタによって接続される、分波モジュール。
38. 前記第２通過帯域の中心周波数は、前記第１通過帯域の中心周波数よりも１．２５から１．３倍大きな範囲にある、請求項３７の分波モジュール。
39. 前記誘電膜は二酸化ケイ素からなる、請求項３７の分波モジュール。
40. 前記電気コネクタはワイヤボンドである、請求項３７の分波モジュール。
41. 前記電気コネクタは半田バンプである、請求項３７の分波モジュール。