CN104980122B - 复用器 - Google Patents
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Abstract
一种复用器包括：第一芯片，所述第一芯片具有第一滤波器和谐振器，所述第一滤波器连接在公共端子与第一端子之间，所述谐振器的第一端不经由所述第一滤波器连接到所述公共端子；以及第二芯片，所述第二芯片具有第二滤波器，所述第二滤波器连接在所述谐振器的第二端与第二端子之间并且具有比所述第一滤波器的通频带低的通频带，所述谐振器的谐振频率比所述第二滤波器的所述通频带高。
Description
技术领域
本发明的某个方面涉及复用器(multiplexer)。
背景技术
例如，在移动通信终端中，具有不同的频带的多个信号被输入到公共端子(terminal)中和/或从所述公共端子输出。在这种情况下，使用诸如双工器这样的复用器。日本专利申请公开No.2013-62556公开了在将具有不同的通频带(pass band)的滤波器连接到公共端子时使用匹配(matching)电路。所述匹配电路控制反射系数，使得其频率与所述匹配电路的通频带不同的信号被输入到滤波器中。
然而，所述匹配电路具有诸如电感器和/或电容器这样的组件。因此，复用器变得更大。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种复用器，该复用器包括：第一芯片，所述第一芯片具有第一滤波器和谐振器(resonator)，所述第一滤波器连接在公共端子与第一端子之间，所述谐振器的第一端不经由所述第一滤波器连接到所述公共端子；以及第二芯片，所述第二芯片具有第二滤波器，所述第二滤波器连接在所述谐振器的第二端与第二端子之间并且具有比所述第一滤波器的通频带低的通频带，所述谐振器的谐振频率比所述第二滤波器的所述通频带高。
附图说明
图1例示了根据第一实施方式的复用器的框图；
图2例示了梯形滤波器的示例的电路图；
图3A例示了表面声波谐振器的平面图；
图3B例示了沿图3A的线A-A截取的横截面图的示例；
图3C例示了沿图3A的线A-A截取的横截面图的另一示例；
图4A例示了压电薄膜谐振器的平面图；
图4B例示了沿图4A的线A-A截取的横截面图；
图5例示了多模式型(multi-mode type)滤波器的示意平面图；
图6例示了第一实施方式的第一修改实施方式的复用器的框图；
图7例示了第一实施方式的第二修改实施方式的复用器的框图；
图8例示了关于滤波器和谐振器的频率的衰减量的示意图；
图9例示了根据第二实施方式的复用器的框图；
图10例示了根据第二实施方式的第一修改实施方式的复用器的框图；
图11例示了根据第二实施方式的第二修改实施方式的复用器的框图；
图12例示了根据第三实施方式的复用器的框图；
图13A至图13C例示了基板41的每个层的平面图；
图14A至图14C例示了基板42的每个层的平面图；
图15例示了基板44的平面图；
图16例示了谐振器的通过特性(pass characteristics)；
图17例示了频带(band)4的发送滤波器和接收滤波器的通过特性；
图18例示了频带4的发送滤波器和接收滤波器的通频带附近的通过特性；
图19例示了频带2的发送滤波器和接收滤波器的通过特性；
图20例示了频带2的发送滤波器和接收滤波器的通频带周围的通过特性；以及
图21A和图21B分别例示了从第一比较例和第三实施方式的公共端子T0观看的指示谐振器30的反射特性S11的史密斯图(smith chart)。
具体实施方式
将参照附图给出实施方式的描述。
第一实施方式
图1例示了根据第一实施方式的复用器的框图。复用器10具有芯片12和芯片14。芯片12和14安装在基板40上。基板40是封装基板或印刷基板，并且包括诸如树脂层这样的绝缘层或者具有单层或多层的陶瓷层。芯片12具有滤波器22和谐振器30。芯片14具有滤波器24。滤波器22连接在公共端子T0与第一端子T1之间。滤波器24连接在公共端子T0与第二端子T2之间。此外，谐振器30连接在连接到滤波器22和24的公共节点N0与所述滤波器24之间。谐振器30经由在基板40上形成的互连线48连接到第二滤波器24。
图2例示了梯形滤波器的示例的电路图。如图2中所例示，梯形滤波器F1具有一个或更多个串联谐振器S1至S5和一个或更多个并联谐振器P1至P4。串联谐振器S1至S5和并联谐振器P1至P4是声波谐振器(诸如表面声波谐振器、界面(interface)声波谐振器、洛夫(love)波谐振器)或者压电薄膜谐振器。串联谐振器S1至S5串联连接在端子T01与端子T02之间。并联谐振器P1至P4并联连接在端子T01与端子T02之间。可以根据期望的特性来任意改变串联谐振器和并联谐振器的数目以及串联谐振器与并联谐振器的连接关系中的至少一个。梯形滤波器F1可以被用作滤波器22和滤波器24。
图3A例示了表面声波谐振器的平面图。图3B例示了沿图3A的线A-A截取的横截面图的示例。图3C例示了沿图3A的线A-A截取的横截面图的另一示例。如图3A和图3B中所例示，在谐振器R1中，金属膜62在压电基板60上形成。压电基板60是例如钽酸锂基板或铌酸锂基板。金属膜62是铝膜或铜膜。IDT(叉指(interdigital)换能器)64和反射器65由金属膜62制成。IDT 64激发声波。反射器65设置在IDT64的所述声波的传播方向的两侧并反射所述声波。可以根据期望的特性来任意改变IDT 64的电极指的对数N、所述电极指的节距(pitch)p、以及所述电极指的开口长度W、宽度。
如图3A和图3C中所例示，在谐振器R2中，压电基板60粘附到支承基板61。支承基板61是例如蓝宝石基板。其它结构与谐振器R1相同。因此，省略了这些结构的说明。
谐振器R1或R2可以被用作滤波器F1的串联谐振器和并联谐振器。谐振器R1和R2可以被用作谐振器30。给出了其中表面声波谐振器被用作谐振器R1和R2的情况的描述。然而，谐振器R1和R2可以是界面声波谐振器或洛夫波谐振器。
图4A例示了压电薄膜谐振器的平面图。图4B例示了沿图4A的线A-A截取的横截面图。在谐振器R3中，下电极71、压电薄膜72和上电极73在基板70上形成。其中下电极71和上电极73夹持(sandwich)压电薄膜72并且彼此面对的区域是谐振区域75。在谐振区域75中在下电极71下方形成空隙74。可以使用声学反射镜(acoustic mirror)代替空隙74。基板70是半导体基板(诸如硅基板)或者玻璃基板或者绝缘基板。压电薄膜72是氮化铝膜或氧化锌膜。下电极71和上电极73是金属膜。谐振器R3可以被用作梯形滤波器F1的串联谐振器和并联谐振器。谐振器R3可以被用作谐振器30。
图5例示了多模式型滤波器的示意平面图。如图5中所例示，多模式型滤波器F2具有三个IDT 66和两个反射器68，所述三个IDT 66和所述两个反射器68在压电基板60上形成。IDT 66和反射器68在声波的传播方向上排列。中心的IDT 66连接在端子T03与地之间。左侧的IDT 66连接在端子T04与地之间。右侧的IDT 66连接在端子T05与地之间。IDT 66和反射器68的结构与谐振器R1或R2的IDT 64和反射器65的结构相同。因此，省略了所述结构的说明。例如，端子T03是非平衡输入端子。端子T04和T05是平衡输出端子。可以根据期望的特性来任意改变IDT 66和反射器68的数目、IDT 66与反射器68的连接关系以及端子的数目。多模式型滤波器F2可以被用作滤波器22和滤波器24。
图6例示了第一实施方式的第一修改实施方式的复用器的框图。如图6中所例示，滤波器22是具有串联谐振器S11至S14和并联谐振器P11至P13的梯形滤波器。滤波器24是具有串联谐振器S21至S25和并联谐振器P21至P24的梯形滤波器。其它结构与第一实施方式相同。因此，省略了这些结构的说明。
图7例示了第一实施方式的第二修改实施方式的复用器的框图。如图7中所例示，滤波器22是包括具有串联谐振器S11和S12以及并联谐振器P1的梯形滤波器、多模式型滤波器M1和谐振器S13的滤波器。滤波器24与第一实施方式的第一修改实施方式相同。其它结构与第一实施方式相同。因此，省略了这些结构的说明。
如在第一实施方式的第一修改实施方式和第二修改实施方式的情况中那样，梯形滤波器、多模式型滤波器或者其中梯形滤波器与多模式型滤波器组合的滤波器可以被用作滤波器22和滤波器24。
图8例示了关于滤波器和谐振器的频率的衰减量的示意图。在图8中，实线指示谐振器30的通过特性。虚线指示滤波器22和滤波器24的通过特性。滤波器22的通频带f1不与滤波器24的通频带f2交叠。通频带f1比通频带f2高。谐振器30的谐振频率fr比通频带f2高。因此，通频带f2的信号几乎不由谐振器30反射。另一方面，通频带f1的信号由谐振器30反射。谐振频率fr比通频带f1低。因此，可以增大谐振器的在通频带f1中的反射系数。反谐振频率fa与通频带f1的低频边缘大致相同。
如图1中所例示，滤波器22是接收滤波器，过滤从公共端子T0输入的接收信号52，并且将经过滤的接收信号52输出到端子T1。接收信号的一部分50可能从节点N0泄漏到滤波器24。然而，谐振器30反射滤波器22的通频带f1的信号(接收信号)。因此，抑制了所述接收信号到滤波器24的侵入(intrusion)。滤波器24是发送滤波器，过滤从端子T2输入的发送信号54，并且将经过滤的发送信号54输出到公共端子T0。在这种情况下，发送信号54经过谐振器30。然而，谐振器30几乎不反射滤波器22的通频带f2的信号。以这种方式，在第一实施方式中，谐振器30抑制了通频带f1的信号到滤波器24的泄漏。给出了其中滤波器22是接收滤波器并且滤波器24是发送滤波器的情况的描述。然而，滤波器22和24可以是接收滤波器。滤波器22和24可以是发送滤波器。滤波器22可以是发送滤波器，并且滤波器24可以是接收滤波器。
如图8中所例示，在谐振器30的通过特性中，衰减量在比谐振频率fr低的频率侧迅速减少。衰减量在比谐振频率fr高的频率侧逐渐减少。假定谐振器30的谐振频率靠近通频带f2，并且通频带f2的信号被反射。在这种情况下，其中衰减量逐渐减少的频带与通频带f1交叠，并且通频带f1的信号被谐振器30反射。以这种方式，当使用谐振器30时，具有比通频带f2高的谐振频率fr的谐振器30连接在节点N0与具有低的通频带f2的滤波器24之间。
优选的是，谐振器30的谐振频率fr高于通频带f2并且在通频带f1内或靠近所述通频带f1，如图8中所例示的。形成滤波器22和24的谐振器的谐振频率fr分别在通频带f1和通频带f2内或者靠近这些频带。因此，当在芯片14中形成谐振器30时，所述谐振器30的谐振频率fr与形成滤波器24的谐振器的谐振频率大不相同。
对于谐振器30的谐振频率fr，在同一芯片中难以彼此大不相同。例如，在谐振器R1和R2中，谐振频率根据电极指的节距而不同。然而，当电极指的节距彼此大不相同时，电极指的尺寸精度降低。在谐振器R3中，谐振频率根据谐振区域的层压膜的膜厚度而改变。然而，当层压膜的膜厚度改变时，制造工序的数目增加。
所以，在具有滤波器22的芯片12中形成谐振器30。谐振器30的谐振频率fr靠近通频带f1。因此，在芯片12中形成谐振器30相对容易。
在第一实施方式中，芯片12(第一芯片)具有：滤波器22(第一滤波器)，其连接在公共端子T0与端子T1(第一端子)之间；以及谐振器，其第一边缘不经由所述滤波器22连接到所述公共端子T0。芯片14具有滤波器24，所述滤波器24连接在谐振器30的第二边缘与端子T2(第二端子)之间。此外，滤波器24的通频带f2比滤波器22的通频带f1低。谐振器30的谐振频率fr比滤波器24的通频带高。因此，谐振器30抑制了通频带f1的信号到滤波器24的侵入。当在具有滤波器22的芯片12中形成谐振器30时，可以使该谐振器和该滤波器成为一体。因此能够减小复用器的大小。
优选的是，谐振器30的谐振频率fr在通频带f1内或者高于通频带f2并且低于所述通频带f1，如图8中所例示的。在这种情况下，能够抑制通频带f1的信号到滤波器24的泄漏。
当滤波器22和滤波器24是梯形滤波器和多模式型滤波器中的至少一种时，谐振器30的谐振频率fr变得更接近于形成滤波器22的谐振器的谐振频率。因此，在这种情况下，更有效的是，在具有滤波器22的芯片12中形成谐振器30。
在图3A和图3B中所例示的谐振器R1中，当IDT的电极指的节距改变时，形成在同一芯片(同一基板)中具有不同的谐振频率的谐振器相对容易。难以在谐振特性中出现寄生(spurious)等。在图3A和图3C中所例示的谐振器R2中，形成在同一芯片(同一基板)中具有不同的频率的谐振器相对容易，如在谐振器R1的情况中那样。然而，由于支承基板61与压电基板60之间的界面，在谐振特性中容易出现寄生等。在图4A和图4B中所例示的谐振器R3中，当制造在同一芯片(同一基板)中具有不同的频率的谐振器时，制造工序的数目增加。
以这种方式，在谐振器R2中，在谐振特性中容易出现寄生。在谐振器R3中，难以形成在同一基板中具有不同的谐振频率的谐振器。因此优选的是，滤波器22和谐振器30是谐振器R1。也就是说，优选的是，滤波器22和谐振器30具有在不粘附到支承基板61的压电基板60上形成的表面声波谐振器、界面声波谐振器或洛夫波谐振器。
滤波器24不在与谐振器30相同的芯片中形成。因此，优选的是，滤波器24具有压电薄膜谐振器或者具有在粘附到支承基板61的压电基板60上形成的表面声波谐振器、界面声波谐振器或洛夫波谐振器。
优选的是，谐振器30在通频带f2中的插入损耗小。因此优选的是，谐振器30大。当滤波器22是梯形滤波器时，优选的是，谐振器30比形成滤波器22的谐振器(串联谐振器和并联谐振器)的平均大小大。更优选的是，谐振器30比所述串联谐振器的平均大小大。当谐振器30是表面声波谐振器、界面声波谐振器或洛夫波谐振器时，谐振器30的大小与IDT 64的对数乘以开口长度W成比例。当谐振器30是压电薄膜谐振器时，谐振器30的大小与谐振区域75的面积成比例。
第二实施方式
第二实施方式是其中存在三个或更多个滤波器的示例。图9例示了根据第二实施方式的复用器的框图。如图9中所例示，在复用器10a中，具有滤波器26的芯片16安装在基板40上。滤波器26连接在公共端子T0与端子T3之间。滤波器26具有与滤波器22和24的通频带不同的通频带。滤波器26可以是接收滤波器或发送滤波器。其它结构与第一实施方式相同。因此，省略了这些结构的说明。
图10例示了根据第二实施方式的第一修改实施方式的复用器的框图。如图10中所例示，在复用器10b中，具有滤波器28的芯片18安装在基板40上。滤波器28连接在公共端子T0与端子T4之间。滤波器28具有与滤波器22、24和26的通频带不同的通频带。滤波器28可以是接收滤波器或发送滤波器。其它结构与第二实施方式相同。因此，省略了这些结构的说明。
图11例示了根据第二实施方式的第二修改实施方式的复用器的框图。如图11中所例示，在复用器10c中，在芯片16中形成谐振器31。谐振器31的第一边缘连接到公共端子T0。谐振器31的第二边缘连接到滤波器28。所述滤波器26的通频带比所述滤波器28的通频带高。所述谐振器31的谐振频率比所述滤波器28的通频带高。其它结构与第二实施方式的第一修改实施方式相同。因此，省略了这些结构的说明。
如在第二实施方式及其修改的实施方式的情况中那样，复用器10a可以具有芯片16(第三芯片)，所述芯片16具有所述滤波器26(第三滤波器)。如在第二实施方式的第一修改实施方式的情况中那样，复用器10b可以具有芯片18(第四芯片)，所述芯片18具有所述滤波器28(第四滤波器)。另外，如在第二实施方式的第二修改实施方式的情况中那样，芯片18可以具有所述谐振器31。所述复用器可以具有五个或更多个滤波器。
第三实施方式
图12例示了根据第三实施方式的复用器的框图。如图12中所例示，在复用器10d中，芯片12和16安装在基板41上。芯片14和18安装在基板42上。基板41和42安装在基板44上。基板41和42是多层陶瓷基板。基板44是多层树脂基板(印刷基板)等。
滤波器22、24、26和28分别是频带4(第一频带)的接收滤波器B4Rx、频带2(第二频带)的发送滤波器B2Tx、频带2的接收滤波器B2Rx和频带4的发送滤波器B4Tx。滤波器24经由在芯片12中形成的谐振器30并且经由芯片16连接到公共端子T0。滤波器22经由芯片16连接到公共端子T0。
节点N11至N13是芯片12被电连接到基板41的节点。节点N31至N33是芯片16被电连接到基板41的节点。节点N21和N22是芯片14被电连接到基板42的节点。节点N41和N42是芯片18被电连接到基板42的节点。节点N51至N54是基板41被电连接到基板44的节点。节点N61至N64是基板42被电连接到基板44的节点。
图13A至图13C例示了基板41的每个层的平面图。图13A例示了层41a的上表面(face)的平面图。图13B例示了层41b的上表面的平面图。图13C例示了层41b的下表面的从上侧观看的平面图。如图13A至图13C中所例示，焊盘(pad)80在层41a的上表面上形成。此外，互连线81在层41b的上表面上形成。焊盘82在层41b的下表面上形成。通孔(via)83a穿透层41a。通孔83b穿透层41b。在图13A至图13C中，通孔83b被例示比通孔83a大得多。层41a和41b是诸如陶瓷这样的绝缘层。焊盘80和82、互连线81以及通孔83a和83b是诸如铜(Cu)这样的金属层。
芯片12和16以倒装芯片方式安装在图13A的层41a的上表面上。节点N11至N13和N31至N33被添加到焊盘80中的用作图12的节点的焊盘。所述焊盘80中的其余焊盘主要是接地(ground)焊盘GND。焊盘80经由通孔83a连接到在层41b的上表面上形成的互连线81。互连线81经由通孔83b连接到在层41b的下表面上形成的焊盘82。与焊盘82的图12的节点对应的焊盘是节点N51至N54。所述焊盘中的其余焊盘主要是接地焊盘GND。
图14A至图14C例示了基板42的每个层的平面图。图14A例示了层42a的上表面的平面图。图14B例示了层42b的上表面的平面图。图14C例示了其中层42b的下表面从上面透视的平面图。如图14A至图14C中所例示，和图13A至图13C一样，设置了焊盘80和82、互连线81、通孔83a和83b。这些材料与图13A至图13C的材料相同。因此，省略了这些材料的说明。
芯片14和18通过凸块(bump)安装在图14A的层42a的上表面上。节点N21、N22、N41和N42被添加到焊盘80中的与图12的节点对应的焊盘。所述焊盘80中的其余焊盘主要是接地焊盘GND。焊盘80连接到在层42b的上表面上形成的互连线81。互连线81穿过通孔83b连接到在层42b的下表面上形成的焊盘82。节点N61至N64被添加到所述焊盘82中的与图12的节点对应的焊盘。所述焊盘82中的其余焊盘主要是接地焊盘GND。
图15例示了基板44的平面图。未例示除了用于描述的焊盘和互连线以外的组件。如图15中所例示，使用焊料等将基板41和42以及电感器49安装在基板44上。芯片12至18安装在基板41和42上。互连线L1在基板41中形成。互连线L1是连接图13A中的焊盘N12和焊盘N31的互连线L1。互连线L2至L5在基板44中形成。互连线L2连接与基板42的节点N61对应的焊盘和与基板41的节点N52对应的焊盘。互连线L3连接与基板41的节点N52对应的焊盘和电感器49的第一边缘。互连线L4连接与基板44的节点N62对应的焊盘和电感器49的第一边缘。互连线L5将电感器49的第一边缘连接到天线(公共端子T0)。电感器49的第二边缘连接到地。互连线L2在基板44中与互连线L5交叉，夹持绝缘层并且彼此间隔开。
例如，在图15中，箭头88指示从图12的端子T2输入的发送信号从公共端子T0输出的路径。输入到端子T2的发送信号经由与节点N63和N22对应的焊盘被输入到芯片14中。所述发送信号经过滤波器24并且从与节点N21和N61对应的焊盘被输入到互连线L2中。所述发送信号经由与节点N51和N11对应的焊盘被输入到芯片12。所述发送信号经过在芯片12中形成的谐振器30。所述发送信号经由来自芯片12的节点N12经过基板41中的互连线L1。所述发送信号从与节点N52对应的焊盘经由节点N31(未在图15中例示)被输入到基板44的互连线L3中。所述发送信号经由互连线L3和L5到达公共端子T0。
对第三实施方式的滤波器特性进行仿真。在该仿真中，滤波器22(B4Rx)是其中梯形滤波器和多模式型滤波器组合的滤波器。每个谐振器都是使用钽酸锂基板的谐振器R1类型的表面声波谐振器。滤波器24(B2Tx)是梯形滤波器。每个谐振器都是其中钽酸锂基板粘附在蓝宝石基板上的谐振器R2类型的表面声波谐振器。滤波器26(B2Rx)是梯形滤波器。每个谐振器都是使用硅基板的谐振器R3类型的压电薄膜谐振器。滤波器28(T4Tx)是梯形滤波器。每个谐振器都是使用钽酸锂基板的谐振器R1类型的表面声波谐振器。
图16例示了在仿真中使用的谐振器的通过特性。如图16中所例示，频带2的发送频带是1850MHz至1910MHz。频带4的接收频带是2110MHz至2155MHz。谐振器30的谐振频率fr和反谐振频率fa稍微在所述接收频带的低频侧，使得所述频带4的所述接收频带中的信号不被泄漏到滤波器24(B2Tx)。
图17例示了频带4的发送滤波器和接收滤波器的通过特性。实线指示第三实施方式。虚线指示不具有谐振器30的第一比较例。所述发送滤波器的通过特性是Tx。所述接收滤波器的通过特性是Rx。如图17中所例示，第三实施方式的衰减区域的特性与第一比较例的衰减区域的特性大致相同。
图18例示了靠近所述频带4的发送滤波器和接收滤波器的通频带的通过特性。如图18中所例示，在所述接收滤波器的通频带90中，第三实施方式的损耗小于第一比较例的损耗。这是因为尽管在第一比较例中，所述频带4的接收信号的一部分被泄漏到滤波器24，但是在第三实施方式中，谐振器30能够抑制所述频带4的接收信号到所述滤波器24的泄漏。
图19例示了所述频带2的发送滤波器和接收滤波器的通过特性。如图19中所例示，在接收频带的高频侧的2100MHz周围的附近92中，第三实施方式的发送滤波器的衰减特性被提高比第一比较例的发送滤波器的衰减特性多。这是因为谐振器30抑制了所述频带2的接收频带周围的信号到滤波器24(B4Tx)的泄漏。
图20例示了所述频带2的发送滤波器和接收滤波器的通频带周围的通过特性。如图20中所例示，第三实施方式的通过特性与第一比较例的通过特性大致相同。
以这种方式，当设置谐振器30时，能够提高滤波器22的通过特性并且能够提高滤波器24的衰减特性。
图21A和图21B分别例示了指示从第一比较例和第三实施方式的公共端子T0观看的所述谐振器30的反射特性S11的史密斯图。使用标记(maker)m1例示了所述频带4的接收频带的2.110GHz的低频端。使用标记m2例示了所述频带4的接收频带的2.155GHz的高频端。如图21A中所例示，第一比较例的反射特性S11的在2.110GHz和2.155GHz处的幅值分别为0.691和0.812。相角(phase angle)分别为－48度和－39度。如图21B中所例示，第三实施方式的反射特性S11的在2.110GHz和2.155GHz处的幅值分别为0.858和0.894。相角分别为18度和5度。
以这种方式，在第三实施方式中，能够使所述谐振器30的在所述频带4的接收频带中的反射系数增大比第一比较例多。这是因为第三实施方式的谐振器30的谐振频率fr比频带4的接收频带(即，滤波器22的通频带)低。假定所述谐振频率fr位于频带4的接收频带中，则谐振器30的在频带4的接收频带中的反射系数减小。在第三实施方式中，当插设(insert)谐振器30时，能够抑制频带4的接收信号到滤波器24的泄漏。此外，为了抑制信号泄漏，使用了谐振器30的反射特性。因此，能够实现其中不使用连接谐振器30和地的路径的结构。
在第三实施方式中，如图12和图15中所例示，芯片12(第一芯片)和芯片16(第三芯片)安装在基板41(第一基板)上。芯片14(第二芯片)和芯片18(第四芯片)安装在基板42(第二基板)上。基板41和基板42安装在基板44(第三基板)上。如图15中所例示，基板44具有连接谐振器30与滤波器24的互连线L2(第一互连线)。以这种方式，当互连线L2设置在基板44中时，芯片12和芯片14可以安装在彼此不同的基板41和42上。
如图15中所例示，基板41具有连接滤波器26的在公共端子侧的节点N31和共用的谐振器30的节点N12的互连线L1(第二互连线)。基板44具有所述互连线L1和将滤波器28的节点连接到公共端子的互连线(L3至L5)。因此，滤波器24经由芯片12和芯片16连接到公共端子T0。此外，滤波器22经由芯片16连接到公共端子T0。另一方面，滤波器26和28不经由另一芯片连接到公共端子T0。
在第三实施方式中，接收滤波器22和26安装在基板41上，并且发送滤波器24和28安装在基板42上。接收滤波器22和发送滤波器28可以安装在基板41上。接收滤波器26和发送滤波器24可以安装在基板42上。以这种方式，可以任意组合在基板上安装的滤波器，以便实现期望的特性。另外，所述滤波器的数目可以是5个或更多个。
本发明不限于具体描述的实施方式，而是可以在不脱离要求保护的本发明的范围的情况下进行其它实施和变型。
Claims (9)
1.一种复用器，所述复用器包括：
第一芯片，所述第一芯片具有第一滤波器和谐振器，所述第一滤波器连接在公共端子与第一端子之间，所述谐振器的第一端不经由所述第一滤波器连接到所述公共端子；以及
第二芯片，所述第二芯片具有第二滤波器，所述第二滤波器连接在所述谐振器的第二端与第二端子之间并且具有比所述第一滤波器的通频带低的通频带，
所述谐振器的谐振频率比所述第二滤波器的所述通频带高，
所述第一滤波器和所述谐振器中的每一个具有表面声波谐振器、界面声波谐振器或洛夫波谐振器，所述第一滤波器和所述谐振器中的所述表面声波谐振器、所述界面声波谐振器或所述洛夫波谐振器在不粘附到支承基板的压电基板上形成，在平面图中该支承基板具有与该压电基板相同的尺寸；
所述第二滤波器具有压电薄膜谐振器，或者所述第二滤波器具有表面声波谐振器、界面声波谐振器或洛夫波谐振器，所述第二滤波器的所述表面声波谐振器、所述界面声波谐振器或所述洛夫波谐振器在粘附到支承基板的压电基板上形成，在平面图中该支承基板具有与该压电基板相同的尺寸。
2.根据权利要求1所述的复用器，其中，所述谐振器的所述谐振频率比所述第一滤波器的所述通频带低。
3.根据权利要求1或2所述的复用器，其中，所述谐振器的所述谐振频率在所述第一滤波器的所述通频带内。
4.根据权利要求1或2所述的复用器，其中，所述复用器还包括基板，所述基板具有连接所述谐振器的所述第二端与所述第二滤波器的互连线，所述第一芯片和所述第二芯片安装在所述基板上。
5.一种复用器，所述复用器包括：
第一芯片，所述第一芯片具有第一滤波器和谐振器，所述第一滤波器连接在公共端子与第一端子之间，所述谐振器的第一端不经由所述第一滤波器连接到所述公共端子；以及
第二芯片，所述第二芯片具有第二滤波器，所述第二滤波器连接在所述谐振器的第二端与第二端子之间并且具有比所述第一滤波器的通频带低的通频带，
所述谐振器的谐振频率比所述第二滤波器的所述通频带高，
其中：
所述第一滤波器是梯形滤波器；并且
所述谐振器比形成所述第一滤波器的谐振器的平均大小大。
6.一种复用器，所述复用器包括：
第一芯片，所述第一芯片具有第一滤波器和谐振器，所述第一滤波器连接在公共端子与第一端子之间，所述谐振器的第一端不经由所述第一滤波器连接到所述公共端子；
第二芯片，所述第二芯片具有第二滤波器，所述第二滤波器连接在所述谐振器的第二端与第二端子之间并且具有比所述第一滤波器的通频带低的通频带；
第三芯片，所述第三芯片具有第三滤波器，所述第三滤波器连接在所述公共端子与第三端子之间并且具有与所述第一滤波器和所述第二滤波器的所述通频带不同的通频带，
所述谐振器的谐振频率比所述第二滤波器的所述通频带高。
7.根据权利要求6所述的复用器，所述复用器还包括：
第一基板，所述第一芯片和所述第三芯片安装在所述第一基板上；
第二基板，所述第二芯片安装在所述第二基板上；以及
第三基板，所述第一基板和所述第二基板安装在所述第三基板上，
所述第三基板具有第一互连线，所述第一互连线连接所述谐振器的所述第二端和所述第二滤波器。
8.根据权利要求7所述的复用器，其中，所述第一基板具有第二互连线，所述第二互连线将所述第三滤波器的在所述公共端子侧的节点连接到所述谐振器的在共用的所述谐振器的所述第一端上的节点。
9.根据权利要求8所述的复用器，所述复用器还包括第四芯片，所述第四芯片具有第四滤波器，所述第四滤波器连接在所述公共端子与第四端子之间并且具有与所述第一滤波器、所述第二滤波器和所述第三滤波器的所述通频带不同的通频带，
其中：
所述第四芯片安装在所述第二基板上；并且
所述第三基板具有第三互连线，所述第三互连线将所述第二互连线和所述第四滤波器的在所述公共端子侧的节点连接到共用的所述公共端子。
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