CN112136245B - 射频多路复用器 - Google Patents

Abstract

一种射频多路复用器(210、220、230)包括：发送电路和接收电路，这些发送电路和接收电路各自包括RF滤波器电路(211、212、221、227、231、…、234)。发送电路和接收电路被耦合至天线端口(225、245)以及对应的发送端口(221)和接收端口(222)。发送电路的一部分和接收电路的一部分被设置在单个裸片(213、226、250)上。发送电路和接收电路的被设置在单个裸片上的谐振器的层堆叠可以针对所需的功能性被优化。

Description

射频多路复用器

技术领域

本公开涉及一种射频多路复用器。具体地，本公开涉及一种包括发送电路和接收电路的射频(RF)多路复用器电路，这些发送电路和接收电路各自包括RF滤波器。

背景技术

射频(RF)多路复用器在位于天线前端的电子通信系统中被用于将发送路径和接收路径耦合至天线。发送路径和接收路径包括RF滤波器，该RF滤波器用于从天线信号中选择想要的带宽或者将RF信号提供至天线。谐振器被用于设置滤波器。双工器将一个发送路径和一个接收路径连接至天线端口，而较高阶的多路复用器(诸如，四工器)将多个发送路径和接收路径耦合至天线端口。

在常规的RF多路复用器中，在单独的芯片上实现形成RF发送(Tx)和接收(Rx)滤波器的谐振器。通常，一个芯片包括用于Tx滤波器的所有谐振器，并且另一芯片包括用于Rx滤波器的所有谐振器。虽然滤波器中的不同谐振器实现不同的电气子功能，但是这些谐振器是用相同的制造工艺制造的，使得很难针对特定功能来优化这些谐振器。例如，Tx滤波器的靠近输入端口的谐振器可能具有对其他载波聚合带的频带中的裙边陡度和寄生模式的限制，而靠近天线端口的谐振器必须在阻带(counter band)频率范围内提供高反射。通常，当在一个芯片上实现多路复用器的一个滤波器路径的所有谐振器时，这些要求限制了谐振器的设计灵活性。

期望的是，在多路复用器电路的设计中具有较大的灵活性，并且提高RF多路复用器中的滤波器的性能。

本公开的目的是提供一种表现出提高的性能的射频多路复用器电路。

本公开的另一目的是提供一种如下的RF多路复用器电路，该RF多路复用器电路具有提高的功率耐久性以及在阻带频率范围内的提高的反射。

发明内容

根据本公开，通过一种射频多路复用器来实现上述目的中的一个或多个目的，该射频多路复用器包括：发送电路和接收电路，该发送电路和接收电路各自包括RF滤波器电路；第一端口，被耦合至天线，发送电路和接收电路被耦合至第一端口；第二端口，被耦合至发送电路；第三端口，被耦合至接收电路；发送电路的一部分和接收电路的一部分被设置在单个单晶基底上。

根据本公开，发送电路的一部分和接收电路的一部分被设置在单个裸片上。因此，多路复用器的两个不同滤波器路径的各个部分共用相同的单个裸片。这与常规的解决方案不同，在常规的解决方案中，一个裸片限于一个滤波器路径，发送(Tx)路径或者接收(Rx)路径。单个裸片可以是在其上实现发送电路和接收电路的各个部分的单晶基底。在一个裸片内，实现发送电路和接收电路的谐振器的层堆叠是相同的，因为在一个裸片上的谐振器是使用相同的工艺步骤(诸如，沉积、结构化等)同时制造的。针对发送电路和接收电路共用相同的单个裸片允许一起制造在不同的滤波器中具有对应的功能性的谐振器。谐振器的层堆叠可以针对所需功能性被优化。

利用该方法，可以期望整体的复用器功能的性能提高。例如，一方面，可以在不同的裸片上实现对陡度和低温度系数具有强烈要求的滤波器裙边，并且另一方面，可以在不同的裸片上实现直接位于天线节点处的谐振器，这些谐振器在阻带频率范围内要求高反射。不同裸片上的层堆叠可以针对不同的功能性被优化。例如，层堆叠内的金属层或者介电层的厚度可以针对高裙边陡度和低温度系数被优化或者替代地，针对高阻带反射被优化。关于如何针对所需的功能性来优化层堆叠，技术人员具有来自常规设计的经验。

多路复用器中的发送电路和接收电路各自包括多个谐振器，诸如，表面声波(SAW)谐振器或者体声波(BAW)谐振器。根据本公开的原理，发送电路的至少一个谐振器和接收电路的至少一个谐振器被设置在相同的单个裸片上。如果滤波器路径是利用SAW谐振器实现的，则单个裸片是在其上形成SAW谐振器的单晶压电基底。相同的单个裸片上的所有谐振器共用共同的同一单晶基底。单晶压电基底可以是铌酸锂或者钽酸锂或者对形成SAW谐振器有益的任何其他压电基底。如果滤波器是利用BAW谐振器实现的，则单晶基底可以是在其上形成BAW谐振器的层堆叠的单晶硅。

可以在相同的单个裸片上实现被耦合至Tx滤波器的天线端口和Rx滤波器的天线端口的谐振器。这允许优化层堆叠以实现在阻带中的高反射，该阻带在对应的滤波器的通带之外。这在4G(LTE)通信标准的载波聚合滤波器系统中特别有益。

发送滤波器和接收滤波器可以包括谐振器的串联路径，该串联路径包括一个或多个串联连接的谐振器。在相同的裸片上实现Tx滤波器的串联连接的谐振器和Rx滤波器的串联连接的谐振器，这些串联连接的谐振器被耦合至天线端口。Tx滤波器还可以包括被连接至串联路径的一个或多个并联路径，这些并联路径也可以与靠近天线端口的串联谐振器一起被设置在单个裸片上。因此，并联连接的Tx谐振器表现出与位于天线端口处的谐振器相同的层堆叠。该层堆叠可以针对在阻带频率范围内的高反射被优化。可以在单独的裸片上实现Tx滤波器的附加的串联连接的谐振器(诸如，Tx滤波器的串联路径的靠近Tx滤波器的输入端口的谐振器)，使得它们可以针对陡峭的滤波器裙边和高功率耐久性被优化。陡峭的滤波器裙边和高功率耐久性通常要求低温度系数，使得通过Tx滤波器的功耗产生的热量不会使谐振频率偏移。然而，在阻带中的高反射通常与低温度系数和高功率耐久性矛盾，因此，可以利用被耦合至天线的谐振器的层堆叠来优化阻带反射。因此，在与被连接至天线端口的谐振器分离的裸片上实现被连接至Tx输入端口的串联谐振器，其中，被连接至天线端口的谐振器共享来自Tx滤波器和Rx滤波器的谐振器。两个裸片的层堆叠针对不同的功能性被优化，这些功能性一方面是功率耐久性、高裙边陡度和低温度系数，另一方面是在阻带中的高反射。具体地，共用相同裸片的、被连接至天线端口的谐振器的温度系数高于共用另一裸片的、被连接至Tx输入端口的谐振器的温度系数。

可以以双工器电路或者更复杂的多路复用器电路(诸如，四工复用器或者甚至更高阶的多路复用器)来采用本公开的原理。例如，四工器可以包括两个Tx端口和两个Rx端口，它们在一个天线端口处组合发送信号和接收信号。可以在一个单个裸片上实现被耦合至至少一个Tx滤波器和至少一个Rx滤波器或者两个Tx滤波器和两个Rx滤波器的天线端口的谐振器。可以在另一裸片上实现两个Tx端口的串联谐振器。两个单独的裸片的谐振器的层堆叠可以针对不同的功能性被优化。第一裸片还可以包括Tx滤波器的并联连接的谐振器。还可以在第一裸片上实现来自Rx滤波器的其他元件。具体地，在相同的单个裸片上实现靠近不同Tx路径的相应Tx端口的串联谐振器。此外，在另一单个裸片上实现Tx路径和Rx路径的其他谐振器。有利地，不同Tx路径或者Rx路径的谐振器的层堆叠可以针对相同的功能性被优化。元件的数量和电路的尺寸与常规解决方案中基本相同，在常规解决方案中，在不同的裸片上实现不同的Tx滤波器或者Rx滤波器。

根据实施例，SAW谐振器的层堆叠被介电层(诸如，二氧化硅)覆盖。可以在功率耐久性和低温度系数与在阻带中的高反射之间权衡介电层的厚度。介电层的较大的厚度引起高功率耐久性和低温度系数。然而，还可以声学地激发相对较厚的介电层，使得反射会较低。裸片上的针对高功率耐久性和低温度系数被优化的谐振器(诸如，靠近Tx输入端口的谐振器)可以包括厚介电层，诸如，厚二氧化硅层。二氧化硅层可以具有在大约800纳米(nm)的范围内的厚度。另一方面，被耦合至天线端口的谐振器的介电层可以针对阻带中的较低反射被优化，并且牺牲功率耐久性和低温度系数。在这种情况下，介电层实质上较薄，并且可以具有在大约400纳米(nm)的范围内的厚度。谐振器的表现出高功率耐久性和低温度系数的介电层的厚度可以是谐振器的在阻带频率中表现出低反射的介电层的两倍。

本公开的原理还可以应用于被设置在相同的裸片上的BAW谐振器，其中，压电基底(诸如，氮化铝)被夹在两个金属电极之间。反射组件(诸如，布拉格(Bragg)镜)可以被设置在公共基底与底部电极之间。来自相同的单个裸片的所有谐振器具有相同的层堆叠，其中，各个层在被设置在相同的裸片上的不同BAW谐振器上具有相同的厚度。在这种情况下，单晶基底可以是单晶硅。

应当理解，以上一般描述和以下详细描述都仅是示例性的，并且旨在提供概况或者框架以理解权利要求的性质和特性。附图被包括进来以提供对本说明书的进一步理解，并且被并入本说明书以及组成本说明书的一部分。附图图示了一个或多个实施例，并且与说明书一起用于解释各种实施例的原理和操作。附图的不同图中的相同元件由相同的附图标记表示。

附图说明

在附图中：

图1示出了双工器和四工器的常规实现；

图2示出了根据本公开的原理的双工器的两种可能的实现和根据本公开的原理的四工器的实现；

图3示出了根据本公开的原理的双工器的详细示意图；

图4示出了图1的常规双工器的和图3的根据本公开的原理的双工器的导纳图和反射系数图；

图5示出了根据本公开的原理的四工器的详细示意图；并且

图6示出了示出了若干谐振器的、裸片的一部分的横截面图和SAW谐振器的一部分的增强的横截面。

具体实施方式

现在将在下文中参照示出了本公开的实施例的附图更全面地描述本公开。然而，可以以许多不同的形式来体现本公开，并且不应将本公开解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将完全将本公开的范围传达给本领域的技术人员。附图并不一定按比例绘制，而是被配置为清楚地图示本公开。

图1示出了常规双工器和常规四工器的实现。双工器110包括待被连接至天线的端口125。向输入端口121提供待被发送的信号(Tx)，并且端口122提供滤波后的所接收的信号(Rx)。滤波器111、112被设置在天线端子125与Tx端子121、Rx端子122之间。根据常规原理，利用若干谐振器(例如，都被实现并且被设置在一个芯片上的表面声波(SAW)谐振器)实现滤波器111。Tx滤波器111的谐振器共享在其上设置有谐振器层的相同单晶压电基底。按照类似的方式，Rx滤波器112包括都被设置在相同的裸片上的若干SAW谐振器。Tx滤波器111和Rx滤波器112被设置在两个单独的裸片或者芯片上。

四工复用器130包括天线端口145和两个Tx发送端口141、142以及两个Rx接收端口143、144。分别在分离的单独芯片上实现与Tx/Rx端口141、…、144相关联的对应滤波器。没有分别在一个Rx或Tx滤波器的芯片上实现来自另一Tx或Rx滤波器的谐振器。

图2示出了根据本公开的实施例的RF双工器的两种可能的实现和根据本公开的实施例的RF四工器的实现。双工器210包括天线端口225、Tx端口221和Rx端口222。Rx滤波器212包括都被布置在一个芯片上的若干谐振器。Tx滤波器211包括若干谐振器，其中，谐振器的第一部分213被设置在与Rx滤波器212相同的芯片上。Tx滤波器211的谐振器的另一部分214被设置在单独的第二芯片上。芯片213、214被安装在层压板上，该层压板可以包括聚合物基底，该聚合物基底包括一层或多层金属接线以提供导电性。

双工器220示出了Tx滤波器和Rx滤波器内的谐振器的另一划分。在第一芯片226上实现Tx滤波器211的谐振器的第一部分和Rx滤波器212的谐振器的第一部分。对应的谐振器被耦合至天线端口，使得它们的层堆叠可以针对对于天线耦合的谐振器有益的电气要求被优化。在第二芯片227上实现谐振器的第二部分，使得层堆叠可以被优化，以符合其他电气要求。例如，芯片227上的谐振器的层堆叠可以被优化，以符合针对双工器的Tx部分的要求。

四工器230示出了四工器的滤波器内的谐振器的另一划分。四工器230包括用于四个带的四个滤波器，这四个滤波器是Tx滤波器232、233和Rx滤波器231、234。在单个芯片250上实现所有四个滤波器的被耦合至天线端口245的谐振器。芯片250包括四个不同的带的和四个不同的滤波器的被耦合至天线端口245的谐振器。第二芯片253包括Rx滤波器231的其余谐振器和Tx滤波器232的一部分谐振器。另一芯片252包括Rx滤波器234的其余谐振器和Tx滤波器233的一部分谐振器。再一芯片251包括Tx滤波器232、233的一部分谐振器。

将谐振器分配到对应的芯片取决于功能性。可以将在不同滤波器中执行类似功能的谐振器分配在相同芯片上，使得可以利用相同层堆叠来制造这些谐振器。实际上，对于在相同芯片上实现的谐振器，层的顺序和层的厚度是相同的。因此，对应的层堆叠可以针对所需的功能被优化。关于双工器210，可以利用如下的层堆叠来制造芯片214的谐振器，该层堆叠适于处理被输入到位于端子221处的Tx滤波器的高传输功率。可以利用如下的层堆叠来制造双工器220的芯片227，该层堆叠被优化为处理具有低温度系数的Tx滤波器和Rx滤波器的内部裙边以及具有较大的极点距离和零点位置的外部部分。可以利用如下的层堆叠来制造四工器230的芯片250，该层堆叠在阻带范围内表现出良好反射，这对于被耦合至天线节点的谐振器是有益的。芯片251可以包括如下的层堆叠，该层堆叠使直接相邻的滤波器的内部裙边具有小的温度系数以及极点与零点位置之间的小的距离。芯片252包括对实现谐振器有益的层堆叠，这些谐振器实现所需的带宽。芯片252的层堆叠对具有较不关键的功能的谐振器有益，使得可以利用适度的层堆叠来制造这些谐振器，该适度的层堆叠具有良好的一般电气特性以提供所需的带宽。总的来说，将谐振器分配到对应的芯片考虑由谐振器实现的电气功能而不是根据常规解决方案的分配到特定的滤波器通带。

现在转到图3和图4，根据通过电路仿真而获得的导纳和反射系数曲线(图4)结合电气行为描绘了图2的双工器210的实现的详细示意图(图3)。针对图1的常规双工器110和图2的根据本公开的双工器210描绘了对应的曲线。

第一芯片214包括被耦合至Tx端口221的串联连接的谐振器311、312、313。谐振器311被直接耦合至Tx端口221，谐振器312、313被耦合在谐振器311的下游。第二芯片213包括Rx路径的串联连接的谐振器(诸如，谐振器320、321、322、323)和Rx路径的并联连接的谐振器(诸如，谐振器324、325)。芯片213还包括Tx路径的谐振器314，该谐振器314被耦合至天线端口225以及串联谐振器313的下游。芯片213还包括谐振器315、316、317，谐振器315、316、317是Tx滤波器211的并联连接的谐振器。例如，谐振器317被连接在谐振器313与314之间的节点与接地电势之间。按照类似的方式，谐振器315、316被连接在Tx滤波器211的串联路径中的节点与接地电势之间。

被耦合至Tx输入端口221或者其下游的串联连接的谐振器311、312、313接收相当大的输入功率，因此，它们必须被配置为功率耐久的。谐振器311、312、313还形成滤波器的通带410的右裙边411。右裙边必须尽可能的陡，以允许在所需要的信号带212内的良好传输并且在相邻的不需要的信号带413处实现高衰减。为了实现高功率耐久性，实现具有低温度系数的谐振器是有益的，使得通过传输RF信号来对谐振器加热不会使通带的右裙边大幅偏移。为了实现通带的所定义的右裙边，实现如下的谐振器是有益的，这些谐振器在谐振器的导纳特性的极点与零点位置之间具有相对较小的距离。

实现谐振器311、312、313的层堆叠被配置为实现上述特性。首先，这需要相对较厚的介电层，该介电层覆盖SAW谐振器的叉指式换能器(IDT)的金属电极的。厚的介电层可以是覆盖IDT的、具有在大约800nm的范围内的厚度的二氧化硅层。通过在单个芯片214上实现谐振器311、312、313，这些谐振器的包括相对较厚的二氧化硅层的层堆叠可以针对这些谐振器被优化。层堆叠特性限于这些谐振器，因为厚的二氧化硅层不会对双工器中负责滤波器的其他功能的其他谐振器有益。在这点上，与串联连接的谐振器311、312、313相比，Tx滤波器211的并联连接的谐振器315、316、317接收较少的功率。此外，并联谐振器不负责陡峭的裙边，因此，谐振器315、316、317没有必要具有低温度系数。相反，谐振器315、316、317负责为滤波器的通带提供充分的带宽。不将并联连接的谐振器315、316、317包括在芯片214上是有益的，因为与串联连接的谐振器311、312、313相比较，这些并联连接的谐振器必须满足不同的要求。

在与芯片214不同的第二芯片213上实现并联连接的谐振器315、316、317以及被直接耦合至天线节点225的串联连接的谐振器314。此外，谐振器320、…、325的Rx滤波器也被设置在第二芯片213上。这意味着：来自两个滤波器(Tx滤波器211和Rx滤波器212)的谐振器被设置在单个裸片或者芯片213上。谐振器314、…、325的层堆叠满足与谐振器311、…、313的层堆叠不同的要求，使得第二芯片213的层堆叠被优化为：在滤波器的通带之外的阻带频率中具有低的板模式(plate mode)和高反射。为了实现该效果，覆盖谐振器314、…、325的IDT的介电层比芯片214的谐振器的介电覆盖层薄得多。例如，芯片213的谐振器上的二氧化硅层具有大约400nm的厚度，该厚度是覆盖芯片214的IDT的介电层的厚度的一半。薄的介电层降低了谐振器的板模式，因为避免了声能耦合到介电层中。此外，在阻带频率中的反射被提高。

现在转到图4，可以在图4的上部部分中所示出的衰减曲线的区域420中获得对板模式的影响。在区域420中，衰减曲线具有局部最大值。曲线421表示图1的常规双工器110的衰减曲线，并且曲线422描绘了根据本公开的原理的双工器210的衰减。如可以从图4获得的，曲线422在区域420中的衰减低于常规曲线421。这主要通过在第二芯片213上实现被耦合至天线端口225的谐振器314来实现，该谐振器314被优化为具有覆盖IDT的低厚度的介电二氧化硅层。因此，降低了频率区域420中的板模式。

关于相同频率区域420中的在图4的下部部分中所示出的反射系数，应当注意的是，常规双工器110表现出曲线431，该曲线431示出了在频率区域420中的局部最小值。与之相比，根据本公开的双工器210的反射曲线432表现出相对较高的水平。同样，通过将谐振器314设置在芯片213上来实现增强的反射，该芯片213具有在大约400nm的范围内的小厚度的二氧化硅层，以提高在阻带频率范围内的反射行为。

现在转到图5，描绘了根据本公开的原理的四工器的示意图。四工器包括天线端口545、两个Rx端口521、522和两个Tx端口523、524。四工器中的谐振器实现四个滤波器，诸如，Rx滤波器531、532和Tx滤波器533、534。在三个芯片550、551、552上实现谐振器。芯片550和551包括来自若干滤波器的谐振器。芯片550包括来自所有Rx滤波器和Tx滤波器的谐振器。具体地，至少如下的谐振器被设置在芯片550上，这些芯片被耦合至天线端口545。芯片551包括来自两个Tx滤波器533、534的谐振器。具体地，芯片551包括被串联连接并且被耦合至Tx滤波器533、534的Tx输入端口523、524的谐振器。芯片552包括Rx滤波器532的其余谐振器。芯片550还包括Tx滤波器533、534的并联连接的谐振器和Rx滤波器531的并联连接的谐振器。Tx滤波器533、534的串联谐振器形成陡峭的右滤波器裙边，并且必须能够处理足够的功率，使得在针对高功率处理和低温度系数被优化的公共芯片551上一起实现这些串联谐振器。在针对低板模式和阻带中的比较高的反射被优化的芯片550上实现被耦合至所有四个滤波器的天线的谐振器。芯片552的谐振器具有放宽的要求，因此，它们可以专用于单独的芯片。四工器的整个电路的尺寸不大于常规设计的尺寸。另一方面，如之前结合图4的导纳和反射曲线所解释的，将不同滤波器的谐振器的功能分配到一个公共芯片使得谐振器的层堆叠能够针对对应谐振器的特定功能被优化，从而提高包括功率处理能力和温度稳定性的整体滤波器性能。

现在转到图6，描绘了穿过包括三个谐振器的芯片的横截面。具体地，图6示出了沿着线600穿过图3的芯片214的横截面。图6中描绘了谐振器311、312、313和基底或者芯片214的横截面图。在图6的右手侧，以放大的表示示出了最右边的谐振器313的一部分610。基底214可以是单晶压电基底，诸如，铌酸锂或者钽酸锂。基底214上设置有叉指式换能器(IDT)620的一部分。IDT的电极结构包括可以是钛籽晶层(titanium seed layer)的最下层621，以使得能够粘附设置在上面的金属电极622。金属电极622包括铜和铝的成分。IDT被二氧化硅层623覆盖。可以通过选择二氧化硅层622的适当厚度来实现谐振器的功率耐久性和低温度系数与高阻带反射和低板模式之间的权衡。层622的较高的厚度允许低温度系数和高功率耐久性，而较薄的层622提供低板模式和在阻带频率中的高反射。因此，被耦合至Tx输入端子的谐振器被设置在具有厚的二氧化硅层(例如，大约800nm)的芯片上。具有大约100nm厚度的氮化硅薄层(在图6中未示出)作为覆盖二氧化硅层的钝化层可以是有益的。被耦合至天线端口的谐振器被设置在利用相对较薄的二氧化硅层(例如，大约400nm)制造的芯片上。

本公开还对实现具有体声波(BAW)谐振器的滤波器是有益的。BAW谐振器被设置在单晶基底(诸如，单晶硅基底)上。谐振器包括被夹在上电极和下电极之间的压电基底(诸如，氮化铝)。反射元件(诸如，布拉格镜)可以被设置在下电极与单晶基底之间。以上结合SAW谐振器所阐述的教导相应地适用于BAW谐振器。具体地，被设置在单个芯片或者基底上的BAW谐振器表现出相同的层堆叠以及层堆叠中的、包括设置在上面的介电层(诸如，二氧化硅)的各个层的相同厚度。根据本公开，层堆叠针对不同目的(诸如，高功率耐久性和低温度系数或者高阻带反射和低板模式)被优化。

对于本领域的技术人员而言显而易见的是：在不脱离本公开的如在所附权利要求中规定的精神或者范围的情况下，可以进行各种修改和变化。由于本领域的技术人员可以想到所公开的实施例的结合本公开的精神和实质的修改、组合、子组合和变型，因此，本公开应当被解释为包括在所附权利要求的范围内的所有内容。

Claims (9)

1.一种射频多路复用器，包括：

发送电路(211、534)和接收电路(212、531)，所述发送电路和所述接收电路各自包括RF滤波器电路；

第一端口(225、545)，将被耦合至天线，所述发送电路和所述接收电路被耦合至所述第一端口；第二端口(221、524)，被耦合至所述发送电路；

第三端口(222、521)，被耦合至所述接收电路；

其中所述发送电路(211)包括被耦合至所述第一端口(225)的谐振器(314)，并且所述接收电路(212)包括被耦合至所述第一端口(225)的谐振器(323)，其中所述发送电路的被耦合至所述第一端口的谐振器和所述接收电路的被耦合至所述第一端口的谐振器被设置在相同的单个单晶基底(213)上；

其中所述发送电路(211)包括附加的谐振器(311、312、313)，其中所述附加的谐振器被设置在与所述单个单晶基底(213)分离的另一单晶基底(214)上，并且被配置为表现出比被设置在所述单个单晶基底(213)上的所述谐振器的温度系数低的温度系数，

所述发送电路的被耦合至所述第一端口的谐振器(314)和所述附加的谐振器(311、312、313)被包括在所述发送电路的串联路径中，

所述发送电路包括被连接至所述串联路径的多个并联路径(315、316、317)，并且其中所述发送电路的所述多个并联路径所包括的谐振器被设置在所述单个单晶基底上，

其中所述附加的谐振器(311、312、313)串联连接，所述多个并联路径分别被连接在所述串联路径中的多个不同节点与接地电势之间，其中所述多个不同节点中的部分节点位于所述附加的谐振器(311、312、313)中的相邻谐振器之间。

2.根据权利要求1所述的射频多路复用器，其中所述发送电路(211)的所述滤波器电路表现出通带(412)，并且其中所述发送电路的被设置在所述单个单晶基底(213)上的所述至少一个谐振器(314)被配置为使得所述发送电路的所述滤波器电路在所述通带(412)之外的阻带(420)中表现出高反射。

3.根据权利要求1所述的射频多路复用器，还包括：另一发送电路(533)和被连接至所述另一发送电路的第四端口(523)，所述发送电路(534)和所述另一发送电路(533)各自包括包含所述串联路径和连接至所述串联路径的所述多个并联路径。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的射频多路复用器，其中所述谐振器包括被设置在所述单个单晶基底或所述另一单晶基底上的层的堆叠，其中在被布置在相同的单晶基底上的所述谐振器中的不同谐振器内，相应层的厚度相同。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的射频多路复用器，其中所述谐振器是包括电极(620)的表面声波谐振器，所述电极包括被设置在所述单个单晶基底或所述另一单晶基底上的不同金属层(621、622)以及覆盖所述金属层的介电层(623)，其中在被设置在相同的单晶基底上的所述谐振器的不同的谐振器内，所述金属层的厚度和所述介电层的厚度相同。

6.根据权利要求5所述的射频多路复用器，其中所述介电层是二氧化硅层(623)。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的射频多路复用器，其中所述谐振器是包括被介电层(623)覆盖的金属电极(620)的表面声波谐振器，其中被设置在所述单个单晶基底上的所述谐振器的所述介电层的厚度与被设置在所述另一单晶基底上的所述谐振器的所述介电层的厚度实质上不同。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的射频多路复用器，其中所述谐振器是包括压电层的体声波谐振器，所述压电层被夹在被设置在所述单个单晶基底或所述另一单晶基底上的电极之间，其中在被设置在相同的单晶基底上的所述体声波谐振器的不同的谐振器内，相应的压电层的厚度相同。

9.根据权利要求5所述的射频多路复用器，其中所述介电层是二氧化硅层(623)，并且所述单个单晶基底或所述另一单晶基底是单晶压电基底或者单晶硅基底。

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