JP5074403B2 - 音響波により動作する少なくとも1つのフィルタを備える構成素子 - Google Patents
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Description
温度補償された第1の部分フィルタは、音響容積波により動作する共振器、いわゆるBAW共振器から構成することもできる。
少なくとも1つのフィルタの部分フィルタが実現されているチップは、歪み層による温度補償部を有することができる。この温度補償部はチップの表面と機械的に強固に結合されており、この表面は構成素子構造体を備える表面に対向する表面である。歪み層の材料は、チップ材料に対して低い熱膨張係数を有する。機械的に強固に結合することによって、チップ全体の熱的膨張は2つの異なる材料の特性の平均となる。チップが歪み層に対して小さい層厚を有していれば、歪み層の特性がチップ全体の特性に及ぼす影響の程度は大きくなる。歪み層はリアクタンスフィルタに対しても、DMSフィルタに対しても使用することができる。
Claims (15)
- 音響波により動作する少なくとも1つのフィルタを備える構成素子であって、
該フィルタは第1の部分フィルタ(TF1)と第2の部分フィルタ(TF2)とを有し、
前記2つの部分フィルタは、別個のチップ(CH1,CH2)に配置されておりかつ異なるフィルタ形式に所属するか、または少なくとも1つの層において層構造もしくは層厚が異なり、
前記2つの部分フィルタ(TF1,TF2)の一方は温度補償されており、
前記第1の部分フィルタ(TF1)は共振器から構成されたリアクタンスフィルタであり、
前記第2の部分フィルタ(TF2)はDMSフィルタであり、
別の第1の部分フィルタ(TF21)と別の第2の部分フィルタ(TF22)とを備える第2のフィルタ(F2)が設けられており、
前記第1のフィルタ(F1)と前記第2のフィルタ(F2)のそれぞれの部分フィルタは1つの共通のチップ(CH)に配置されており、
1つの共通のチップ(CH)に配置された2つのフィルタ(F)または部分フィルタ(TF)は同じフィルタ形式であり、
前記第1のフィルタ(F1)と前記第2のフィルタ(F2)は、デュプレクサとして回路接続されている構成素子。 - 請求項1記載の構成素子であって、
前記第1の部分フィルタ(TF1)は、SAWワンゲート共振器から構成されている構成素子。 - 請求項1記載の構成素子であって、
第1の部分フィルタ(TF1)は、BAW共振器から構成されている構成素子。 - 請求項1から3までのいずれか一項記載の構成素子であって、
前記第1の部分フィルタ(TF1)と共に1つの共通のチップ(CH2)に配置された第2のフィルタ(F2)が設けられている構成素子。 - 請求項1から4までのいずれか一項記載の構成素子であって、
前記第1または第2の部分フィルタ(TF1,TF2)と共に同じチップ(CH)に実現された第3のフィルタ(F3)が設けられている構成素子。 - 請求項1から5までのいずれか一項記載の構成素子であって、
前記2つの部分フィルタ(TF1,TF2)は1つの共通のサブストレートに配置されており、
該サブストレートは、回路接続が実現されている少なくとも1つの金属化面を有する構成素子。 - 請求項6記載の構成素子であって、
前記サブストレートは多層セラミックから形成されている構成素子。 - 請求項6または7記載の構成素子であって、
前記サブストレートは、フィルタ、アクティブ半導体構成素子またはパッシブ構成素子から選択された別の構成素子が配置されているモジュールサブストレートである構成素子。 - 請求項8記載の構成素子であって、
前記サブストレートの多層セラミック内には少なくとも1つの金属化面が設けられており、
該金属化面にパッシブ回路構成素子が実現されており、前記フィルタ(F)と回路接続されている構成素子。 - 請求項1から9までのいずれか一項記載の構成素子であって、
一方の部分フィルタ(TF1)の温度補償は補償層(KS)により達成され、
該補償層は前記チップ(CH)に取り付けられており、前記補償層内を音響波が少なくとも部分的に伝播し、該補償層はチップ材料よりも小さい周波数対温度経過依存性を有する構成素子。 - 請求項10記載の構成素子であって、
前記補償層(KS)は酸化ケイ素の層であり、該層の層厚はフィルタの中央周波数における音響波波長の10%から40%である構成素子。 - 請求項10または11記載の構成素子であって、
温度補償された部分フィルタ(TF1)は、インタデジタル構成素子を備えるSAWフィルタであり、
前記補償層(KS)は構成素子構造体(BES)上に取り付けられている構成素子。 - 請求項1から12までのいずれか一項記載の構成素子であって、
前記チップ(CH)は、前記構成素子構造体(BES)に対する表面上で歪み層(VS)と機械的に強固に結合しており、
該歪み層はチップ材料よりも小さい熱膨張係数を有する構成素子。 - 請求項1から13までのいずれか一項記載の構成素子であって、
少なくとも温度補償された部分フィルタ(TF1)の前記構成素子構造体(BES)は、和において純粋なアルミニウムよりも大きい密度を備える材料または材料組合せからなる構成素子。 - 請求項1から14までのいずれか一項記載の構成素子であって、
少なくとも温度補償された部分フィルタ(TF1)の構成素子構造体(BES)はストライプ状の電極フィンガを有し、
該電極フィンガの側方エッジは、サブストレート表面に対して斜めであり、該サブストレート表面と65°<KW<85°のエッジ角(KW)を形成する構成素子。
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