KR101338155B1 - 탄성파로 동작하는 1개 이상의 필터를 포함하는 부품 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 탄성파로 동작하는 1개의 필터를 다른 필터 유형에 지정되어 별도의 기판에 배치된 2개의 서브 필터로 분할하는 방법을 제안한다. 그 결과 서브 필터들의 독립적인 최적화가 가능해진다. 또한, 칩 위에 추가 필터 또는 서브 필터를 통합하여 예컨대 듀플렉서를 구성하는 방법을 제안한다.
Description
본 발명은 특히 이동 통신 시스템의 단말기에 사용되는 것과 같이 탄성파로 동작하는 1개 이상의 필터를 가진 부품에 관한 것이다.
이동 단말기의 수신 경로들은 대부분 비대칭/대칭으로 설계되는데, 이때 비대칭 측은 바람직하게는 안테나의 비대칭 단자에 연결된다. IC 측 대칭 출력은, 대칭(balanced) 신호들을 이용하여 예컨대 높은 누화 내성 및 IC 프로세스에의 더 나은 매칭과 같은 기술적 이득이 얻어지는 장점이 있다. 수신 경로의 입력에서의 대칭 신호가 수신 경로의 출력에서 대칭 신호로 변환되는 것은 예컨대 BALUN을 사용하여 수행될 수 있는데, 이 경우 BALUN이 분산형 부품으로서 기판 상에 추가의 공간을 필요로 한다는 단점이 있다. 따라서, BALUN 기능이 통합된 필터를 사용하는 것이 바람직하다. 이를 위해 DMS 필터(dual mode SAW 필터)가 제공된다.
이동 단말기 내 부품이 필터를 포함하는 경우에 발생하는 문제 중 하나는 주파수의 온도 민감도, 즉 온도 증가시 부품의 주파수 불안정성이다. 이러한 주파수 응답은 사용된 기판 또는 섹션에 따라 좌우되며, 예컨대 리튬탄탈레이트의 경우 40ppm/K 이하에 달할 수 있는데, 이는 예컨대 PCS 시스템의 듀플렉서와 같은 주파 수 민감형 어플리케이션에 있어서 허용할 수 없을 정도로 높은 값이다. 다른 기판들 또는 섹션들은 이보다 더 높은 주파수 온도 민감성을 갖는다.
공진기 구조물들로 구성된 리액턴스 필터의 경우, 주파수의 온도 민감성을 감소시킬 수 있는 방법이 이미 공지되어 있다. 그러나 상기 방법은 거의 DMS 필터에 전용하기가 어렵다.
또 다른 문제는, 2개 이상의 필터를 포함하는 부품들, 예컨대 듀플렉서들에서 상이한 필터들 사이에 충분히 높은 절연이 보장되느냐는 점이다.
본 발명의 과제는, 전술한 2가지 문제 중 적어도 1개와 관련하여 개선된 부품을 제공하는 것이다.
상기 과제는 본 발명에 따라 청구항 1의 특징들을 가진 부품에 의해 해결된다. 바람직한 실시예들은 종속 청구항들에 제시된다.
본 발명은, 탄성파로 동작하는 필터를 제 1 서브 필터와 제 2 서브 필터로 분할하고, 상기 두 서브 필터를 직렬로 연달아 접속하여 전체 필터의 상이한 부분 역할 또는 부분 기능을 담당하도록 할 것을 제안한다. 상기 두 서브 필터는, 상이한 필터 유형에 할당되고 상이한 필터 기술에 기반한다는 점에서, 또는 재료 및 층 수가 상이한 층 구조를 갖는다는 점에서 또는 1개 이상의 층이 상이한 층 두께를 갖는다는 점에서 서로 구별된다. 두 서브 필터는 분리된 칩에 배치된다.
이러한 방식으로 각각의 필터를 다른 필터와 별도로 최적화하고, 경우에 따라 상이한 기판 재료, 각각 고유의 도금 재료 또는 도금 높이를 사용하는 것이 가능하다. 또는, 다른 서브 필터를 고려할 필요 없이 1개 필터에 대해서만 추가의 최적화를 수행하는 것도 가능하다.
따라서 예컨대 두 서브 필터 중 하나에 온도 보상을 위한 조치를 제공할 수 있다. 상기 하나의 필터는 특히 공진기들로 구성된 리액턴스 필터로서 설계된 서브 필터이다. 공진기들은 탄성파로 동작하는 간단한 구조의 소자들이며, 이들의 물리적 특성 및 음향적 특성은 모델링하는 것이 간단하고, 그에 상응하여 변경하는 것도 간단하다.
SAW 1-포트 공진기로 설계된 제 1 서브 필터에는 예컨대 보상층(compensation layer)이 제공될 수 있으며, 상기 보상층은 중간 주파수의 온도 민감성을 감소시켜 필터의 온도를 보상한다. 상기 보상층은 예컨대 실리콘 산화막으로 형성되며, 상기 실리콘 산화막은 음향 파장의 5 내지 40%의 층 두께로 압전 기판 상에 도금층의 위 또는 아래에 적층된다. 상기 SiO2 층은 압전 재료에 비해 더 낮은 주파수 온도 민감성을 지니고 있다. 표면 탄성파는 적어도 부분적으로 실리콘 산화막 내에서 전파되기 때문에, 전체 필터의 온도 민감성도 감소한다. 바람직하게는 SiO2 층이 단지 장거리 질서(long-range order)가 없는 비결정형 변이체이고, 높은 층 균질성을 갖는다.
온도 보상된 제 1 서브 필터는 탄성 벌크파로 동작하는 공진기들, 소위 BAW 공진기들로 구성될 수도 있다.
2개의 서브 필터로 형성되고, 그 중 1개가 온도 보상된 필터는 전체 필터의 성능에 있어서도 감소된 주파수 온도 의존도를 보인다. 제 1 서브 필터가 리액턴스 필터인 경우, 제 2 서브 필터는 상기 리액턴스 필터의 특성들과 합쳐져서 더 나은 전체 필터를 형성하는데 기여하는 특성들을 가진 DMS 필터인 것이 바람직하다. 리액턴스 필터에서는 개별 극점들이 이동함으로써 에지 경사도 및 근거리 억압 특성이 개선될 수 있는 반면, DMS 필터는 우수한 원거리 선택도를 갖는 특징이 있다. 이로써 상기 필터는 두 서브 필터의 장점을 결합한다.
한 개선예에서는 제 1 서브 필터와 함께 1개의 공통 칩에 배치되는 제 2 필터가 제공된다. 상기 제 2 필터는 바람직하게 제 1 서브 필터와 동일한 필터 기술을 이용하고, 이 경우 상기 제 1 서브 필터와 공동으로 최적화될 수 있다.
또는, 제 2 필터가 상이한 필터 기술로 동작하는 2개의 서브 필터를 포함할 수도 있다. 그러나 이 경우, 필터 유형은 동일하지만 다른 필터에 속하는 서브 필터들이 1개의 공통 칩 상에 배치된다. 이러한 방식으로 2개 필터의 서브 필터들이 2개의 칩으로 분할 배치되어, 서로 별도로 최적화될 수 있다.
제 1 필터와 제 2 필터가 1개의 모듈에 연결되어 예컨대 1개의 듀플렉서를 구성할 수 있으며, 상기 듀플렉서에서는 상기 두 필터가 송신 및 수신과 관련한 이동 무선 표준 내에서 제공되는 상이한 주파수 대역을 위한 입력 필터 및 출력 필터로서 사용된다. 송신 및 수신 대역 그리고 관련된 필터는 통상 주파수에 있어서 근접하게 나란히 놓이기 때문에, 공통의 칩 상에 결합된 서브 필터들도 공동으로 최적화될 수 있고, 이때 예컨대 도금 높이와 관련한 주파수 의존적 최적화는 큰 단점을 수반하지 않으면서 두 서브 필터에 적용될 수 있다.
제 1 또는 제 2 서브 필터와 함께 그리고 제 2 필터 또는 상기 제 2 필터의 1개의 서브 필터와 함께 공통 칩 상에 구현되는 제 3의 또는 그 이상의 추가 필터가 제공될 수도 있다. 이러한 방식으로 3개 이상의 필터의 필터 기능들이 2개의 칩으로 분할된다. 제 3 및 경우에 따라 그 이상의 추가 필터가 다른 이동 무선 전송 시스템을 위해 사용될 수 있다.
두 서브 필터 및 경우에 따라 제 2, 제 3 및 그 이상의 추가 필터가 바람직하게 내부에 회로가 구현된 1개 이상의 금속화 평면을 가진 공통 기판 위에 배치된다. 상기 공통 기판을 통해 서브 필터의 회로 및 경우에 따라 필터의 회로가 구현된다. 상기 기판은 다중층 라미네이트이거나 바람직하게는 다중층 세라믹이며, 이때 유전 세라믹 층들의 위 및 사이에 금속화 평면들이 제공될 수 있다. 공통 기판은 추가의 소자들이 상부에 배치된 모듈 기판일 수도 있다. 상기 추가 소자들은 필터, 능동형 반도체 부품 및 수동 소자로부터 선택될 수 있다. 또는, 수동 부품들이 금속화 평면 내에서 적절하게 형성된 금속화 구조물들에 의해 구현되어 필터와 접속됨으로써, 상기 수동 부품들의 적어도 일부가 기판 내에 집적될 수도 있다. 수동 부품들은 특히 필터(들)를 외부의 회로 환경에 매칭시키는데에 사용되고/사용되거나 서로 접속된 상이한 필터들의 절연을 개선하는데 사용될 수 있다.
1개 이상의 필터의 서브 필터 상에 구현된 칩은 스트레서 층(stressor layer)을 이용한 온도 보상 특성을 가질 수 있다. 상기 스트레서 층은 소자 구조물들을 포함하는 표면의 반대편에 놓인 칩 표면과 물리적으로 단단하게 연결된다. 상기 스트레서 층의 재료는 칩 재료에 비해 더 낮은 열팽창 계수를 갖는다. 이러한 물리적으로 단단한 연결에 의해, 상이한 두 재료의 열적 특성들로부터 전체 칩의 열팽창이 측정될 수 있다. 칩이 스트레서 층에 비해 더 얇은 층 두께를 갖는 경우, 스트레서 층의 특성들이 전체 칩의 특성들에 영향을 미치는 정도가 증가하기도 한다. 스트레서 층은 리액턴스 필터뿐만 아니라 DMS 필터에도 사용될 수 있다.
온도 보상된 필터 또는 서브 필터는 순수 알루미늄에 비해 총체적으로 더 높은 밀도를 갖는 재료 또는 복합 재료를 함유한 소자 구조물들에 의해서도 구현될 수 있다. 그러한 중량의 소자 구조물들에 의해서도 주파수 응답의 더 낮은 온도 의존도가 달성될 수 있다.
적어도 온도 보상된 서브 필터 또는 필터에서는 소자 구조물들이 스트립 형태의 전극 핑거로서 설계될 수 있으며, 상기 전극 핑거의 측면 에지들은 기판 표면 위에 비스듬히 놓여 상기 기판 표면과 함께 65도 내지 85도의 피치각을 형성한다. 그 결과, 특히 보상층과 관련하여 필터 특성들, 특히 반사도 및 관련 공진기들의 품질이 개선될 수 있다.
하기에서는 실시예들 및 관련 도면들을 참고로 본 발명을 더 상세히 설명한다. 도면들은 부분적으로 정확한 축척에 맞게 도시되지 않고 개략적으로 도시되었기 때문에 절대 치수와 상대 치수 모두 기재되어 있지 않다.
도 1은 제 1 필터 및 제 2 필터로 구성된 장치로서, 상기 제 1 필터가 2개의 서브 필터로 분할되어 있다.
도 2는 2개의 필터가 2개의 칩에 통합되고, 각각 2개의 서브 필터로 분할되 구조를 도시한 도면이다.
도 3은 3개의 필터가 2개의 칩에 통합되고, 제 1 필터가 2개의 서브 필터로 분할된 구조를 도시한 도면이다.
도 4는 보상층 및 스트레서 층을 포함하는 칩의 개략적 횡단면도이다.
도 5는 비스듬히 잘린 에지들, 보상층 및 스트레서 층을 포함하는 소자 구조물의 개략적 횡단면도이다.
도 6 내지 8은 도 1의 제 1 필터에 대한 산란 파라미터(S12)를 도시한 그래프이다.
도 9 내지 11은 제 2 필터에 대한 산란 파라미터(S12)를 도시한 그래프이다.
도 1에는 제 1 필터(F1) 및 제 2 필터(F2)로 구성된 장치의 개략도가 도시되어 있다. 제 1 필터(F1)는 2개의 상이한 칩(CH1 및 CH2) 위에 배치된 2개의 서브 필터(TF, TF2)로 구성된다. 제 1 서브 필터(TF1)는, 본 실시예의 경우 예컨대 사다리형(ladder-type) 구성 방식으로 배치된 공진기들로 형성된 리액턴스 필터이다. 상기 공진기들은 예컨대 1-포트 공진기로서 압전 기판 위에 구현된다.
제 1 서브 필터(TF1)에 직렬로 제 2 서브 필터(TF2)가 접속되고, 상기 제 2 서브 필터는 예컨대 제 2 압전 칩(CH2) 상에 배치된 DMS 필터로 형성된다. 제 2 필터(F2) 역시 직렬 공진기들(RS)및 병렬 공진기들(RP)로 구성된 리액턴스 필터로서 사다리형 구조로 구현되어, 제 1 서브 필터(TF1)와 함께 제 1 칩(CH1)에 통합된다. 이 경우, 전체 장치는 모든 필터와 서브 필터가 상호 접속된 듀플렉서로서 형성된다. 그럼으로써 예컨대 제 2 필터(F2)의 출력이 안테나(ANT)와 연결되고, 제 1 필터(F1)의 입력 역시 안테나(ANT)와 연결된다. 제 1 필터는 예컨대 듀플렉서의 RX 필터이고, 그에 반해 제 2 필터는 듀플렉서의 TX 필터이다.
단지 개략적으로만 도시된, DMS 필터로서 설계된 제 2 서브 필터(TF2)는 서브 필터의 입력 또는 출력과 교대로 연결되는 3개 이상의 인터디지털 변환기를 포함한다. 또는, DMS 필터가 음향 트랙 내에서 출력과 교대로 연결되며 연달아 배치될 수 있는 3개 이상의 인터디지털 변환기로 형성될 수도 있다. 또는, 각각 독자적인 DMS 필터처럼 형성되어 병렬 접속된 2개의 DMS 부분 트랙으로 DMS 필터가 형성되는 것도 가능하다. 도시된 것처럼 DMS 필터는 비대칭/대칭 방식으로 동작하는 필터로 형성되며, 서브 필터 입력에서의 비대칭 신호를 서브 필터 출력(RX)에서 대칭 신호로 변환한다. 따라서 외부 BALUN이 필요치 않다.
리액턴스 필터들은 임의 개수의 공진기들로 구성되는데, 이때 1개의 직렬 공진기(RS) 및 상기 직렬 공진기에 병렬로 접지에 접속된 병렬 공진기(RP)로 구성된 1개 이상의 기본 엘리먼트가 제공된다. 회로 내에서 직접 연속하는 동일 유형의 공진기들이 단일 공진기에 통합될 수 있다. 따라서 도시된 제 1 서브 필터(TF1)는 5개의 기본 엘리먼트로 형성되고, 여기서 제 2 서브 필터(F2)는 예컨대 4개의 기본 엘리먼트로 형성된다.
도 2에 도시된 또 다른 실시예에서는, 각각 상이한 필터 유형의 2개의 서브 필터 또는 상이한 층 구조로 형성된 필터들이 2개의 칩(CH1, CH2)으로 분할됨으로써 동일한 유형 또는 동일한 구조의 2개 이상의 서브 필터가 1개의 공통 칩(CH)에 통합된다. 각각의 필터는 도 1에 도시된 것처럼, 제 1 필터(F1)가 리액턴스 타입의 제 1 서브 필터 및 DMS 타입의 제 2 서브 필터로 구성될 수 있고, 그 결과 두 필터에 대해 비대칭/대칭 모드가 가능하다. 두 필터는 서로 연결될 수 있고, 소자로서 듀플렉서, 다이플렉서 또는 통상의 멀티플렉서를 형성한다. 또는 두 필터가 상이한 이동 무선 대역에 종속되어 서로 직접 접속되지 않을 수도 있다.
도 3에는 도 1에 도시된 구조가 제 3 필터만큼 확장된 또 다른 한 실시예가 도시되어 있다. 제 1 칩(CH1) 상에 제 1 필터의 제 1 서브 필터(TF11) 및 제 2 필터(F2)가 통합되어 있다. 제 2 칩(CH2) 상에는 제 1 필터(F1)의 제 2 서브 필터(TF12) 및 제 3 필터(F3)가 통합되어 있다. 상기 통합은 동일한 필터 유형 또는 동일한 층 구조를 가진 필터들 또는 서브 필터들이 1개의 공통 기판 또는 공통 칩 상에 구현되는 방식으로 실시된다.
도 4에는 주파수의 온도 민감성과 관련하여 2개의 서브 필터 중 적어도 1개를 보상하는 방법이 도시되어 있다. 여기서는 소자 구조물(BES) 상부에 실리콘 산화막의 형태로 구현된 보상층(KS)을 이용하여 온도 보상이 실현된다. 추가 조치로서, 압전 기판(PS)의, 소자 구조물(BES) 반대편 면이 스트레서 층(VS)과 물리적으로 단단하게 연결될 수 있고, 이때 접합 기판이 생성될 수 있다.
보상층(KS)의 두께(ds)는, 보상층(KS)의 층 두께가 상대적으로 두터울 때의 최대 온도 보상과 보상층(KS)의 층 두께가 최소일 때의 최소 감쇠 간의 상쇄(trade-off)로서 최적화된다. 완전한 보상은 예컨대 음향 파장의 30 내지 40%(필터의 중간 주파수의 경우)의 두께(ds)에 의해 달성될 수 있다. 상기 스트레서 층(VS) 및 압전층(PS)으로 이루어진 접합 기판의 전체 두께에 비해 압전층(PS)의 두께가 상대적으로 얇음으로써, 스트레서 층(VS)의 효과가 증대된다. 이는 접합 기판의 제조 이후 압전층이 필터의 중간 주파수에서 약 5 내지 50 음향 파장의 두께(dp)까지 얇아지는 경우에 달성될 수 있다.
도 4에는 보상층(KS)을 사용할 경우 필터 특성들에 있어 긍정적으로 작용하는 또 다른 측면이 도시되어 있다. 보상층(KS)은 바람직하게 표면 정합 방식으로 적층되고, 소자 구조물에 일치하는 토폴로지를 갖는다. 이러한 방식으로, 보상층(KS) 내에서 전파되는 표면 탄성파가 보상층의 구조물 에지들에서 부분적으로 충분히 반사되는 것이 보장됨에 따라 공진기가 충분한 품질을 갖게 된다.
도 5에는 표면 정합식 보상층(KS)이 지지될 수 있는 방법 중 하나가 도시되어 있다. 여기서는 소자 구조물들(BES)이 비스듬히 하강하는 측면 에지들을 갖도록 형성되어 있다. 그러한 비스듬한 측면 에지들에 의해 표면 정합식 SiO2 층이 매우 간단하게 증착될 수 있다. 그 밖에도, 여기에 도시된 것처럼, 스트레서 층(VS)도 다시 압전층 하부에 제공될 수 있다.
도 6 내지 도 8에는 산란 파라미터(S12)의 함수로서, 도 1에 상응하게 형성된 제 2 필터(F2)의 통과 특성 곡선이 도시되어 있다. 도시된 곡선 군에서 제 1 곡선은 제 1 온도(T0)에서 온도 보상이 이루어지지 않은 필터를 나타낸다. 제 2 곡선은 온도가 40K만큼 상승한 이후의 상기 비보상 필터를 나타낸다. 여기서 곡선이 더 낮은 주파수쪽으로 이동된 것을 볼 수 있다. 제 3 곡선은, 구조는 동일하나 제 1 곡선 및 제 2 곡선에 비해 온도가 보상된 필터(F2)의 특성 곡선을 나타낸다. 통과 곡선이 제 2 곡선에 비해 낮은 주파수쪽으로 더 적게 이동한 것을 볼 수 있다. 도면으로부터, 온도 보상에 의해 온도 계수가 거의 절반으로 줄어들 수 있음을 알 수 있다.
도 9 내지 도 11에는 주파수 축 상에 상이한 게이지를 가진 산란 파라미터(S12)의 함수로서, 도 1에 따라 형성된 제 1 필터(F1)의 통과 곡선들이 도시되어 있다. 여기서도 1개의 칩(CH1) 상에서 비보상 필터가 온도 보상된 필터와 비교된다. 여기서도 주파수의 온도 계수의 감소가 달성될 수 있는 것을 볼 수 있다. 물론 도 6 내지 8에 도시된 제 2 필터의 경우처럼 아주 크게 감소하지는 않는다. 그 이유는 제 1 필터의 경우 1개의 서브 필터에서만 온도 보상이 실시됨에 따라 온도 보상 효과가 크게 감소할 수 없다는데 있다.
서브 필터들이 상이한 칩들로 분할되면, 서브 필터들과 필터들 사이의 독립적인 최적화 뿐만 아니라 절연 개선도 달성될 수 있다. 예컨대 도 1 내지 도 3에 따른 실시예들 중 하나에 따라 형성된 듀플렉서의 경우, 상이한 칩으로의 분할에 의해 RX 필터와 TX 필터 사이의 개선된 절연이 달성됨에 따라, TX 출력과 RX 입력 사이의 전자기 결합(electromagnetic coupling)이 최소화된다. 그 결과, 누화가 감소함에 따라 전송 품질이 개선된다.
본 발명은 도시된 실시예들에만 국한되지 않으며, 다른 필터 유형에 지정된 필터들에 의해서도 구현될 수 있다. 중요한 것은, 상이한 칩으로 분할된 서브 필터들이 서로 독립적으로 최적화될 수 있음으로써, 동일한 필터 유형에서는 사용될 수 있지만 다른 필터 유형에서는 사용될 수 없는 조치들이 실행될 수 있다는 사실이다. 다수의 필터를 포함하는 소자의 경우, 소자가 개별 필터에 따라 분할되지 않고 1개 이상의 필터의 부품들이 다수의 칩으로 분할된다는 점이 중요하다. 그럼으로써 필터들이 각각의 서브 필터에 있어서 가장 적합한 방식으로 상이하게 프로세싱될 수 있고, 그에 따라 예컨대 상이한 층 구조 또는 상이한 층 두께를 가진 상이한 서브 필터를 얻을 수도 있다.
Claims (21)
- 제 1 칩 상의 제 1 서브-필터를 포함하는, 탄성파들로 동작하도록 구성된 제 1 필터; 및상기 제 1 칩과는 별개의 제 2 칩 상의 제 2 서브-필터 ― 상기 제 1 서브-필터는 상기 제 2 서브-필터와 상이한 유형의 필터이고, 적어도 하나의 층에 대하여 상이한 층 두께 또는 상이한 층 구조를 가짐 ― 를 포함하고,상기 제 1 및 제 2 서브-필터들 중 하나의 첫번째 것은 하나 이상의 SAW 공진기들을 포함하고, 상기 제 1 또는 제 2 칩들 중 연관된 첫번째 것에 적용되는 보상층에 의해 온도 보상되고,상기 보상층은, 탄성 표면파가 상기 보상층에서 적어도 부분적으로 전파되고 상기 보상층이 상기 제 1 또는 제 2 칩을 형성하는 재료보다 더 낮은 주파수의 온도 민감도를 가지도록 구성되고,상기 제 1 및 제 2 칩들 중 두번째 것은 온도 보상되지 않고 온도 보상층을 포함하지 않으며,상기 제 1 서브-필터는 1-포트 SAW 공진기들을 포함하는,소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 온도 보상된 서브-필터는 인터디지털 소자 구조물들을 가지는 SAW 필터를 포함하고, 상기 보상층은 상기 인터디지털 소자 구조물들에 적용되는,소자.
- 제 2 항에 있어서,스트레서 층을 더 포함하고,상기 온도 보상된 서브-필터를 포함하는 칩은 상기 인터디지털 소자 구조물들의 반대 표면 상에서 상기 스트레서 층과 기계적으로 연결되고,상기 스트레서 층은 상기 칩 재료보다 더 낮은 열팽창 계수를 갖는,소자.
- 제 2 항에 있어서,적어도 상기 온도-보상된 서브-필터의 상기 인터디지털 소자 구조물들은 순수한 Al 의 밀도보다 더 높은 밀도를 갖는 재료 또는 순수한 Al 의 밀도보다 더 높은 밀도를 갖는 재료의 조합을 포함하는,소자.
- 제 2 항에 있어서,적어도 상기 온도-보상된 서브-필터의 상기 인터디지털 소자 구조물들은 기판 표면에 대하여 비스듬히 놓이는 측면 에지들을 가지고, 상기 기판 표면과 65도 내지 85도 사이의 접촉각을 형성하는 스트립 형태의 전극 핑거들을 포함하는,소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 서브-필터는 DMS 필터를 포함하는,소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 서브-필터와 함께 상기 제 1 칩 상의 제 2 필터를 더 포함하는,소자.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 필터 및 상기 제 2 필터는 듀플렉서를 형성하기 위해 접속되는,소자.
- 제 1 항에 있어서,제 1 및 제 2 서브-필터를 포함하는 제 2 필터를 더 포함하고,상기 제 1 및 제 2 필터 각각의 상기 제 1 및 제 2 서브-필터들 중 적어도 하나는 공통 칩 상에 있는,소자.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1 필터의 제 1 서브-필터, 상기 제 1 필터의 제 2 서브-필터, 상기 제 2 필터의 제 1 서브-필터, 상기 제 2 필터의 제 2 서브-필터 중 적어도 두 개는 공통 칩 상에 있고 동일한 필터 유형을 포함하는,소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 서브-필터 또는 상기 제 2 서브-필터와 동일한 칩 상의 제 3 필터를 더 포함하는,소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 서브-필터들은 기판 상에 있고,상기 기판은 상기 제 1 및 제 2 서브-필터들 사이의 연결을 형성하는 적어도 하나의 금속화 평면을 포함하는,소자.
- 제 12 항에 있어서,상기 기판은 다중층 세라믹을 포함하는,소자.
- 제 13 항에 있어서,상기 기판의 상기 다중층 세라믹은 상기 적어도 하나의 금속화 평면을 포함하고,상기 적어도 하나의 금속화 평면에서 상기 소자는 수동 회로 소자들을 더 포함하고,상기 수동 회로 소자들은 상기 제 1 필터에 연결되는,소자.
- 제 12 항에 있어서,상기 기판은 모듈 기판을 포함하고,상기 소자는 상기 모듈 기판 상에 추가적인 소자들을 더 포함하고,상기 추가적인 소자들은 필터들, 능동 반도체 소자들 및 수동 소자들로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는,소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 보상층은 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 온도 보상된 서브-필터의 중간 주파수의 탄성파 파장의 10 내지 40%의 두께를 가지는,소자.
- 제 1 칩 상의 제 1 서브-필터를 포함하는, 탄성파들로 동작하도록 구성된 제 1 필터;상기 제 1 칩과는 별개의 제 2 칩 상의 제 2 서브-필터 ― 상기 제 1 서브-필터는 상기 제 2 서브-필터와 상이한 유형의 필터이고, 적어도 하나의 층에 대하여 상이한 층 두께 또는 상이한 층 구조를 가짐 ―; 및상기 제 1 서브-필터를 갖는 상기 제 1 칩 상의 제 2 필터를 포함하고,상기 제 1 및 제 2 서브-필터들 중 하나의 첫번째 것은 하나 이상의 SAW 공진기들을 포함하고, 상기 제 1 또는 제 2 칩들 중 연관된 첫번째 것에 적용되는 보상층에 의해 온도 보상되고,상기 보상층은, 탄성 표면파가 상기 보상층에서 적어도 부분적으로 전파되고 상기 보상층이 상기 제 1 또는 제 2 칩을 형성하는 재료보다 더 낮은 주파수의 온도 민감도를 가지도록 구성되고,상기 제 1 및 제 2 칩들 중 두번째 것은 온도 보상되지 않고 온도 보상층을 포함하지 않는,소자.
- 제 1 칩 상의 제 1 서브-필터를 포함하는, 탄성파들로 동작하도록 구성된 제 1 필터; 및상기 제 1 칩과는 별개의 제 2 칩 상의 제 2 서브-필터 ― 상기 제 1 서브-필터는 상기 제 2 서브-필터와 상이한 유형의 필터이고, 상이한 층 구조, 또는 적어도 하나의 층에 대하여 상이한 층 두께를 가짐 ―; 및상기 제 1 서브-필터 또는 상기 제 2 서브-필터와 동일한 칩 상의 제 3 필터를 포함하고,상기 제 1 및 제 2 서브-필터들 중 하나의 첫번째 것은 하나 이상의 SAW 공진기들을 포함하고, 상기 제 1 또는 제 2 칩들 중 연관된 첫번째 것에 적용되는 보상층에 의해 온도 보상되고,상기 보상층은, 탄성 표면파가 상기 보상층에서 적어도 부분적으로 전파되고 상기 보상층이 상기 제 1 또는 제 2 칩을 형성하는 재료보다 더 낮은 주파수의 온도 민감도를 가지도록 구성되고,상기 제 1 및 제 2 칩들 중 두번째 것은 온도 보상되지 않고 온도 보상층을 포함하지 않는,소자.
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