JP4063414B2 - 弾性表面波フィルタ - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電体或いは強誘電体の基板に電極が形成された１端子対弾性表面波（以下、ＳＡＷという）共振子を多段の梯型に接続したＳＡＷフィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＳＡＷ共振子を用いたＳＡＷフィルタに関する技術としては、例えば次のような文献に記載されたものがある。
文献１；電子情報通信学会論文誌Ａ、J76-A ［2]（1993−2)、佐藤 他著
“ＳＡＷ共振器を用いた低損失帯域フィルタ”P.245-252
文献２；電子情報通信学会論文誌Ａ、J76-A ［2]（1993−2)、疋田 他著
“移動無線通信機用ＳＡＷフィルタの実験”P.233-244
【０００３】
図２（ａ），（ｂ）は、従来のＳＡＷ共振子の構造及び等価回路を示す図である。
このＳＡＷ共振子は、基板１上に形成され、ＳＡＷを送受するためのすだれ状電極（以下、ＩＤＴという）２を有している。ＩＤＴ２の両側には、金属ストリップで形成されたグレーティング反射器３が必要に応じて配置されている。基板１は、例えば結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ3単結晶基板等で構成され、ＩＤＴ２及び反射器３は該基板１に蒸着されたＡｌ薄膜等で構成されている。ＳＡＷ共振子の等価回路は、例えば図２（ｂ）のように、１対の端子間に直列に接続されたインダクタ４及びキャパシタ５と、これらと並列に接続されたキャパシタ６とで表すことができる。
【０００４】
図３（ａ），（ｂ）は、前記文献１に記載された従来の１段定Ｋ型ＳＡＷフィルタの原理を示す説明図である。
多段梯型ＳＡＷフィルタの基本構成は、図３（ａ）の１段定Ｋ型ＳＡＷフィルタ１０である。この１段定Ｋ型ＳＡＷフィルタ１０は、図２（ａ），（ｂ）のＳＡＷ共振子を直列腕共振子１１及び並列腕共振子１２として梯型に接続したフィルタである。定Ｋ型フィルタの理論により、図３（ｂ）のように、直列腕共振子１１の共振周波数と並列腕共振子１２の反共振周波数を一致させることにより、通過域とそれを挟む減衰域とを持つような周波数特性が得られ、帯域フィルタが形成できる。
以上のような１段定Ｋ型ＳＡＷフィルタ１０では、十分な減衰量が得難いので、通常、次の図４のように、図３のＳＡＷフィルタ１０を多段に接続して用いる。
【０００５】
図４は、従来の多段定Ｋ型ＳＡＷフィルタの例を示す接続図である。
この多段定Ｋ型ＳＡＷフィルタは、図３（ａ）の一段定Ｋ型ＳＡＷフィルタ１０を多段の例えば４段に縦続接続したものであり、各段の直列腕共振子１１及び並列腕共振子１２の共振周波数は共に同じにそれぞれ設定されている。但し、小型化のため、隣接する直列腕共振子同士、及び隣接する並列腕共振子同士を回路網的に合成し、同一の共振周波数であるが異なる共振子に置換する場合もある。
図５（ａ）〜（ｅ）は、図４のＳＡＷフィルタの製造工程を示す図である。
図４のＳＡＷフィルタは、例えば図５（ａ）〜（ｅ）の工程を経て形成される。
まず、図５（ａ）の工程では、結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ3 単結晶基板１を用意し、該基板１のパターン形成予定面にレジスト１３をスピンコートで塗布する。図５（ｂ）の工程において、レジスト１３が塗布された基板１に対して光学マスク１４を設定し、光１５で露光することにより、レジスト１３にＳＡＷフィルタのパターンを転写する。図５（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト１３を選択的に除去する。図５（ｄ）の工程において、不要なレジスト１３が除去された基板１の上全面に、ＳＡＷ共振子の電極となるＡｌ薄膜１６を蒸着する。図５（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いて、Ａｌ薄膜１６の不要な部分をレジスト１３と共に除去する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の図４のＳＡＷフィルタには、次のような課題があった。
図６は、図４の課題の周波数特性を示す図である。
従来の図４の多段定Ｋ型のＳＡＷフィルタでは、各段の直列腕共振子がすべて同じ共振周波数を持ち、かつ、各段の並列腕共振子１２もすべて同じ共振周波数を持つ構成なので、同一周波数で減衰極が重なり、図６のように、狭い周波数範囲では十分な減衰量が得られるが、広範囲で十分な減衰量を確保することが難しい。これを解決して広い帯域に渡って十分な減衰量を得るためには、図３（ａ）の１段梯型ＳＡＷフィルタ１０をさらに多くの段数に縦続接続しなければならなかった。ところが、縦続接続する段数を増加させることは、素子数が増加するばかりでなく、通過域での損失を増加させることになり、技術的に満足できるものが得られなかった。
また、縦続接続する段数を増加させず、広い周波数に渡って十分な減衰量を得るために、直列腕共振子１１の制動容量を減じるか、並列腕共振子１２の制動容量を増やして共振子のＱを下げる方法も考えられるが、通過域での損失も増加する。
【０００７】
図７は、多段定Ｋ型ＳＡＷフィルタの他の例を示す接続図であり、図８は、図７の周波数特性を示す図である。
このＳＡＷフィルタは、図４のＳＡＷフィルタの直列腕共振子１１の端部に新たなＳＡＷ共振子１７を接続したフィルタである。共振周波数が各直列腕共振子１１とは異なるＳＡＷ共振子１７を接続することにより、減衰域が通過域より高い周波数に設定されている場合、図８のように、周波数の異なる減衰極が追加され、減衰域における減衰量を稼ぐことができるが、通過域における挿入損失が増加するという問題がある。また、この場合にも、素子数が増加するということになり、チップサイズが増加することになる。
【０００８】
一方、前記文献２には、次の図９のように、複数の直列ＳＡＷ共振子が接続された帯域阻止型フィルタが記載されている。
図９は、従来の帯域阻止型フィルタを示す接続図であり、図１０は、図９の周波数特性を示す図である。
図９のフィルタでは、複数のＳＡＷ共振子１１1 ，１１2 ，…，１１5 が直列腕として接続され、該各直列腕ＳＡＷ共振子１１1 〜１１5 の共振周波数ｆ01，ｆ02，ｆ03，ｆ04，ｆ05は、それぞれ異なっている。この直列腕のＳＡＷ共振子１１1 〜１１5 が接続された帯域阻止型フィルタの周波数特性では、各ＳＡＷ共振子１１1 〜１１5 による減衰極がすべて異なり、広帯域の減衰域にできるが、通過域でこれらのＳＡＷ共振子１１1 〜１１5 の制動容量が直列に接続されることにより、全体の制動容量が小さくなる。よって、直列腕のＳＡＷ共振子１１1 〜１１5 の対数、及び各電極の交差長を非常に大きくしないと、通過域での挿入損失が増加する。即ち、チップサイズが大きくなるか、通過域の低域での挿入損失が増加するという課題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明のうちの第１の発明は、圧電体或いは強誘電体単結晶基板上に電極となる金属或いは合金が蒸着されて形成された１端子対ＳＡＷ共振子でそれぞれ構成される複数の直列腕ＳＡＷ共振子及び並列腕ＳＡＷ共振子を多段の梯型に接続して構成したフィルタであって、周波数の所定の位置に通過帯域と減衰帯域を持つＳＡＷフィルタにおいて、次のような構成にしている。
即ち、前記複数の直列腕ＳＡＷ共振子の電極上には、適宜に膜厚が異なる絶縁膜がそれぞれ堆積され、該各直列腕ＳＡＷ共振子における共振周波数は、該絶縁膜の膜厚によって前記梯型の各段ごとにずれている。
第２の発明では、第１の発明のＳＡＷフィルタにおいて、次のような構成にしている。
即ち、前記金属或いは合金は、Ａｌ及びＡｌ合金で構成し、複数の直列腕ＳＡＷ共振子のうちの前記梯型の１段目から最終段の１つ手前の段までの共振子の電極上に、膜厚が異なり比重が２以上３以下で熱膨脹率が２０以下の前記絶縁膜を堆積している。
【００１０】
第３の発明では、第１または第２の発明のＳＡＷフィルタにおいて、前記直列腕ＳＡＷ共振子の電極上に堆積する前記絶縁膜の膜厚は、前記梯型の第１段目から後段にいくに従って減少する構成にしている。
第４の発明では、第３の発明のＳＡＷフィルタにおいて、前記最終段の直列腕ＳＡＷ波共振子の電極上には、共振周波数をずらすための前記絶縁膜が堆積されていない。
第５の発明では、第１〜第４のいずれか１つの発明のＳＡＷフィルタにおいて、前記圧電体或は強誘電体単結晶基板は、ＬｉＮｂＯ 3 単結晶基板またはＬｉＴａＯ 3 単結晶基板で構成している。
【００１１】
第６の発明では、第５の発明のＳＡＷフィルタにおいて、前記ＬｉＴａＯ3単結晶基板の結晶方位は３６°Ｙ−ＸまたはＸ−１１２°Ｙにしている。
第７の発明では、第５の発明のＳＡＷフィルタにおいて、前記ＬｉＮｂＯ3単結晶基板の結晶方位は４１°Ｙ−Ｘ、６４°Ｙ−Ｘまたは１２８°Ｙ−Ｘにしている。
第８の発明では、第１〜第７のいずれか１つの発明のＳＡＷフィルタにおいて、前記複数の直列腕ＳＡＷ共振子の電極上への前記絶縁膜の堆積は、該各直列腕ＳＡＷ共振子ごとに行うようにしている。
第１〜第８の発明によれば、以上のようにＳＡＷフィルタを構成したので、複数の直列腕ＳＡＷ共振子の共振周波数は、電極上に適宜堆積された絶縁膜の膜厚によって、各段ごとにそれぞれずらされる。よって、これらの各ＳＡＷ共振子における音速が変化し、減衰極がずれる。そのため、通過域の高域側に広い減衰域を持つＳＡＷフィルタを構成でき、前記課題を解決できるのである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施形態を示す多段梯型ＳＡＷフィルタの接続図である。
この多段梯型ＳＡＷフィルタは、１段梯型ＳＡＷフィルタを第１段〜第４段の４段に縦続接続したものであり、多段梯型の直列腕となる直列腕ＳＡＷ共振子２１1，２１2，２１3，２１4と、梯型の並列腕となる並列腕ＳＡＷ共振子２２1，２２2，２２3，２２4とで構成されている。
各直列腕ＳＡＷ共振子２１1〜２１4は、図５のように、基板に電極となる金属が蒸着されてそれぞれ形成されているが、各並列腕ＳＡＷ共振子２２1〜２２4と、直列腕ＳＡＷ共振子２１1〜２１3の電極上には、絶縁膜のＳｉ０2がそれぞれ堆積されている。さらに、各直列腕ＳＡＷ共振子２１1〜２１3の電極上の絶縁膜Ｓｉ０2の膜厚は、それぞれ異なっている。直列腕ＳＡＷ共振子２１4の上には、絶縁膜Ｓｉ０2が堆積されていない。
【００１３】
図１１（ａ）〜（ｉ）は、図１のＳＡＷフィルタの製造工程の概要を示す断面図である。
図１のＳＡＷフィルタは、図１１（ａ）〜（ｅ）に示される工程を行い、さらに、図１１（ｆ）〜（ｉ）の工程を繰り返すことで形成される。
まず、図１１（ａ）の工程において、結晶方位が例えば３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ3 単結晶基板３１を用意し、該基板３１のパターン形成予定面にレジスト３２をスピンコートで塗布する。図１１（ｂ）の工程において、レジスト３２が塗布された基板３１に対して光学マスク３３を設定し、光３４で露光することにより、レジスト３２にＳＡＷフィルタのパターンを転写する。
図１１（ｃ）の工程において、現像で不要なレジスト３２を選択的に除去する。図１１（ｄ）の工程において、不要なレジスト３２が除去された基板３１の上の直列腕ＳＡＷ共振子２１1 〜２１4 の形成予定領域と、並列腕のＳＡＷ共振子２２1 〜２２4 の形成予定領域に、電極となる例えばＡｌの薄膜３５を蒸着する。図１１（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いて、薄膜３５の不要な部分をレジスト３２と共に除去する。以上の工程によって、直列腕ＳＡＷ共振子２１1 〜２１4 の電極と並列腕ＳＡＷ共振子２２1 〜２２4 の電極とが形成される。
【００１４】
図１１（ｆ）の工程において、電極が形成された基板３１上に、レジスト３６をスピンコートで塗布し、光学マスクを用いて絶縁膜ＳｉＯ2のパターンをレジスト３６上に転写する。図１１（ｇ）の工程において、現像によって不要なレジスト３６を除去する。図１１（ｈ）の工程において、ＳｉＯ 2 の絶縁膜３７を、１段目の直列腕ＳＡＷ共振子２１1の電極上にスパッタ等で蒸着する。図１１（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な絶縁膜３７を、レジスト３６と共に除去する。以降、ＳｉＯ2の絶縁膜３７の膜厚を薄くしながら、図１１（ｆ）〜（ｉ）の工程を繰り返し、ＳＡＷ共振子２１2，２１3の電極上に、絶縁膜３７を堆積する。
このような構成の図１の多段ＳＡＷフィルタは、各直列腕ＳＡＷ共振子２１1〜２１4及び並列腕ＳＡＷ共振子２２1〜２２4によって設定された周波数特性を持ち、バンドパスフィルタとして動作する。
【００１５】
図１２は、図１のＳＡＷフィルタの周波数特性を示す図である。この図１２を参照しつつ、図１の帯域を説明する。
直列腕ＳＡＷ共振子２１1 〜２１4 の共振周波数をそれぞれｆｒｓ1 〜ｆｒｓ4 とすると共に反共振周波数をそれぞれｆａｓ1 〜ｆａｓ4 とし、並列腕ＳＡＷ共振子２２1 〜２２4 の共振周波数をそれぞれｆｒｐ1 〜ｆｒｐ4 とすると共に反共振周波数をそれぞれｆａｐ1 〜ｆａｐ4 とすると、これらの関係は、次のようになる。
ｆｒｓ1 ＝ｆａｐ1
ｆｒｓ2 ＞ｆａｐ2
ｆｒｓ3 ＞ｆａｐ3
ｆｒｓ4 ＞ｆａｐ4
ｆｒｓ4 ＞ｆｒｓ3 ＞ｆｒｓ2 ＞ｆｒｓ1
ｆｒｐ4 ＝ｆｒｐ3 ＝ｆｒｐ2 ＝ｆｒｐ1
ｆａｐ4 ＝ｆａｐ3 ＝ｆａｐ2 ＝ｆａｐ1
つまり、梯型の１段目の直列腕ＳＡＷ共振子２１1 の共振周波数と１段目の並列腕ＳＡＷ共振子２２1 の反共振周波数とが等しく、後段にいくにつれて直列腕ＳＡＷ共振子の共振周波数が並列腕ＳＡＷ共振子の反共振周波数よりも高くなる。よって、１段目は定Ｋ型構成であるが、２段目以降は定Ｋ型構成よりも高周波側に広い帯域を持つ１段梯型フィルタとなる。
【００１６】
ここで、図１のＳＡＷフィルタ全体は、１段目〜４段目までの１段梯型フィルタを縦続接続したものなので、各直列腕ＳＡＷ共振子２１1 〜２１4 の異なる共振周波数で決まる減衰極が合成されることになり、段数を増加させなくても、図１２のように高域側の減衰域が広がる。なお、ｆｒｓ2 ≠ｆａｐ2 、ｆｒｓ3 ≠ｆａｐ3 、及びｆｒｓ4 ≠ｆａｐ4 になって定Ｋ型フィルタの条件から外れることにより、通過域における挿入損失が若干増えるが、各段の周波数シフトが小さいので、段数を増加させることよりも、挿入損失による劣化は少ない。
即ち、ＳＡＷ共振子の電極上に絶縁膜３７を堆積することにより、ＳＡＷ共振子における音速が下がり、共振周波数が低い方にシフトし、減衰域も低い方の周波数にシフトする。図１のように、絶縁膜３７の膜厚を変化させることにより、各直列腕ＳＡＷ共振子２１1 〜２１4 の共振周波数が異なり、これらＳＡＷ共振子２１1 〜２１4 で設定される減衰極の周波数が異なるので、フィルタ全体としての減衰域が広がる。
【００１７】
例えば結晶方位が３６°Ｙ−ＸのＬｉＴａＯ3 単結晶基板３１に、４段構成で比帯域が２．８４％の減衰域を得る場合、２〜４段目の直列腕ＳＡＷ共振子２１2 〜２１4 のそれぞれの比帯域を０．５７％シフトすると所望の帯域幅の減衰域が得られる。
ＳｉＯ2 を、ｈ／λ（ｈは膜厚、λは波長）＝０．０１０７５堆積すると比帯域が０．５７％シフトするので、直列腕ＳＡＷ共振子２１ｓ1 にｈ／λ＝０．０３２２６、ＳＡＷ共振子２１ｓ2 にｈ／λ＝０．０２１５０、ＳＡＷ共振子２１ｓ3 にｈ／λ＝０．０１０７５をそれぞれ堆積し、ＳＡＷ共振子２１ｓ4 の電極上には、絶縁膜３７を堆積しないようにすると、最も特性に優れたＳＡＷフィルタとなる。これは、各ＳＡＷ共振子２１1 〜２１3 の電極上に堆積するＳｉＯ2 の絶縁膜３７を、次の（１）式で表す分だけ変化させたことに相当する。
（α±γ）×（減衰帯域（ＭＨｚ）×β）／（段数−１） ［Å］
・・・・（１）
但し、α及びβは、Ａｌの比重を２．６９、絶縁膜３７をＳｉＯ2 とした場合の係数であり、具体的には、αは２７．３であり、βは０．６である。なお、許容誤差として５程度のγを、αに対して加算または減算するようして（１）式を適用するのが実用的である。
【００１８】
以上のように、本実施形態では、直列腕ＳＡＷ共振子２１1〜２１4及び並列腕ＳＡＷ共振子２２1〜２２4を梯型に接続した多段梯型ＳＡＷフィルタにおいて、ＳＡＷ共振子２１4以外の共振子の電極の上に、膜厚の異なる絶縁膜３７を堆積し、各直列腕ＳＡＷ共振子２１1〜２１3上の絶縁膜３７の膜厚を順に変化させたので、共振子の音速が異なって低下し、各直列腕ＳＡＷ共振子２１1〜２１4の減衰極が異なる周波数にシフトし、高域側における減衰域が広くなる。よって、次のような利点が得られる。
（ｉ） １段梯型フィルタの縦続接続数が少くても、所望幅の減衰域が得られるので、結果として低損失のフィルタを実現できる。
（ii） 減衰域が広帯域化されるので、直列腕の最後尾に別途減衰極を形成するためのＳＡＷ共振子を設ける必要がなくなり、チップサイズを小さくできる。
（iii) 直列腕ＳＡＷ共振子２１1〜２１4の絶縁膜３７の膜厚を変化させたので、各共振子の対数が同じで、同じ交差長の共振子であっても、不要な他の振動モードや縦或は横モード等のスプリアスモードの周波数が、各直列腕ＳＡＷ共振子２１1〜２１4毎に異なり、通過域や減衰域への影響が小さい。
（iv） 図９のような帯域阻止型フィルタの場合に比較して、共振子の対数、交差長を大きくする必要がないので、チップサイズが小さくてすむ。
【００１９】
（ｖ） 図９のような帯域阻止型フィルタの場合に比較して、通過域低域側での挿入損失の増加を防止できる。
（vi） 直列腕ＳＡＷ共振子２１1 〜２１3 ごとに、絶縁膜３７の膜厚を変更するだけで実現でき、特別に複雑な工程を必要としないので、従来の製造設備をそのまま利用できる。
（vii) 直列腕ＳＡＷ共振子２１1 〜２１3 及び並列腕ＳＡＷ共振子２２1 〜２２4 の電極がＳｉＯ2 の絶縁膜３７で保護されるので、歩留まりが向上すると共に、各ＳＡＷ共振子２１1 〜２１3 ，２２1 〜２２4 のストレスマイグレーションが抑えられ、耐電力が改善できる。
（viii) 直列腕ＳＡＷ共振子２１1 〜２１3 のパターンのばらつきによる周波数のばらつきが、絶縁膜３７の膜厚で調整することで抑えることができる。
【００２０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されず種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば次のようなものがある。
（１） ＳＡＷフィルタのパターニングをするに際し、リフトオフの替りに、エッチングを利用してもよい。
（２） 基板３１は、結晶方位が４１°Ｙ−Ｘ、６４°Ｙ−Ｘまたは１２８°Ｙ−ＸのＬｉＮｂＯ3 単結晶基板や、Ｘ−１１２°ＹのＬｉＴａＯ3 単結晶基板を用いてもよい。
（３） ＳＡＷ共振子２１1 〜２１4 ，２２1 〜２２4 の電極は、Ａｌでなくてもよい。適宜、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｕに選択を替えてもよい。
（４） 異なった膜厚の絶縁膜３７を堆積する場合に、リフトオフの代わりに、エッチングを用いてもよい。
（５） 絶縁膜３７として、比重が２．４程度で熱膨脹率が１５のＳｉＯ2 を用いたが、比重が２以上３以下で、熱膨脹率が２０以下の他の材料を用いた場合でも、上記実施形態と同様に、広い減衰域を有しかつ絶縁膜にクラックの入らないＳＡＷフィルタを実現できる。
【００２１】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、第１〜第８の発明は、複数の直列腕ＳＡＷ共振子の共振周波数を、該各電極上に堆積した絶縁膜の膜厚の違いによって各段ごとにずらした構成にしたので、該各ＳＡＷ共振子における音速が変化し、減衰極がずれる。そのため、挿入損失を犠牲にすることや、素子数を増加させることなく、該通過域の高域側に設定される減衰域の周波数帯域を広げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を示す多段梯型ＳＡＷフィルタの接続図である。
【図２】従来のＳＡＷ共振子の構造及び等価回路を示す図である。
【図３】従来の１段定Ｋ型ＳＡＷフィルタの原理を示す説明図である。
【図４】従来の多段定Ｋ型ＳＡＷフィルタを示す接続図である。
【図５】図４のＳＡＷフィルタの製造工程を示す図である。
【図６】図４のＳＡＷフィルタの課題の周波数特性を示す図である。
【図７】多段定Ｋ型ＳＡＷフィルタの他の例を示す接続図である。
【図８】図７の周波数特性を示す図である。
【図９】従来の帯域阻止型フィルタを示す接続図である。
【図１０】図９の周波数特性を示す図である。
【図１１】図１のＳＡＷフィルタの製造工程の概要を示す断面図である。
【図１２】図１のＳＡＷフィルタの周波数特性を示す図である。
【符号の説明】
２１1 〜２１4 直列腕ＳＡＷ共振子
２２1 〜２２4 並列腕ＳＡＷ共振子
３１ 基板
３５ 電極
３７ 絶縁膜

Claims (8)

1. 圧電体或いは強誘電体単結晶基板上に電極となる金属或いは合金が蒸着されて形成された１端子対弾性表面波共振子でそれぞれ構成された複数の直列腕弾性表面波共振子及び並列腕弾性表面波共振子を多段の梯型に接続したフィルタであって、周波数の所定の位置に通過帯域と減衰帯域とを持つ弾性表面波フィルタにおいて、
   前記複数の直列腕弾性表面波共振子の電極上には、適宜に膜厚が異なる絶縁膜がそれぞれ堆積され、該各直列腕弾性表面波共振子における共振周波数は、該絶縁膜の膜厚によって前記梯型の各段ごとにずれていることを特徴とする弾性表面波フィルタ。
2. 前記金属或いは合金は、Ａｌ或いはＡｌ合金で構成し、
   前記複数の直列腕弾性表面波共振子のうちの前記梯型の１段目から最終段の１つ手前の段までの共振子の電極上に、膜厚が異なり比重が２以上３以下で熱膨脹率が２０以下の前記絶縁膜を堆積したことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
3. 前記直列腕弾性表面波共振子の電極上に堆積する前記絶縁膜の膜厚は、前記梯型の第１段目から後段にいくに従って減少する構成にしたことを特徴とする請求項１または２記載の弾性表面波フィルタ。
4. 前記最終段の直列腕弾性表面波共振子の電極上には、前記絶縁膜が堆積されていないことを特徴とする請求項３記載の弾性表面波フィルタ。
5. 前記圧電体或は強誘電体単結晶基板は、ＬｉＮｂＯ 3 単結晶基板またはＬｉＴａＯ 3 単結晶基板で構成したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性表面波フィルタ。
6. 前記ＬｉＴａＯ 3 単結晶基板は、結晶方位が３６°Ｙ−ＸまたはＸ−１１２°Ｙであることを特徴とする請求項５記載の弾性表面波フィルタ。
7. 前記ＬｉＮｂＯ 3 単結晶基板は、結晶方位が４１°Ｙ−Ｘ、６４°Ｙ−Ｘまたは１２８°Ｙ−Ｘであることを特徴とする請求項５記載の弾性表面波フィルタ。
8. 前記複数の直列腕弾性表面波共振子の電極上には、該各直列腕弾性表面波共振子ごとに前記絶縁膜が堆積されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性表面波フィルタ。

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